IC可靠性测试 关于EFR,HTOL和Burn in的异同!

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semicon2009发表于 2009-1-9 09:34:51
【讨论】关于EFR,HTOL和Burn in的异同！
讨论EFR,HTOL和Burn in的异同
[ 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:37 编辑 ]
sunjj发表于 2009-1-9 11:56:48
早期失效EFR：目的是通过试验得到产品的早期失效率，所以试验的样本量较大。

高温寿命HTOL：目的是通过此鉴定试验得到产品的使用寿命，所以试验时间较长。

老练筛选Burn-In：目的是通过试验剔除早期失效产品提高批次的可靠性，所以产品应全数进行试验。

semicon2009发表于 2009-1-9 12:28:23
所以EFR是qual时候做的，Burn in是mass production做的吧。

那么具体使用的板子有什么区别，还有是动态测试function还是做完之后再测？有没有详细点的参考资料share一下？
zlf123发表于 2009-1-9 12:42:27
了解了
茱wling发表于 2009-1-9 13:18:00
原帖由 sunjj 于 2009-1-9 11:56 发表
/bbs/images/common/back.gif
早期失效EFR：目的是通过试验得到产品的早期失效率，所以试验的样本量较大。

高温寿命HTOL：目的是通过此鉴定试验得到产品的使用寿命，所以试验时间较长。

老练筛选Burn-In：目的是通过试验剔除早期失效产品提高批 ...
业内精通人士,佩服ing...
我们都是用一样的线路,由于条件有限,实时功能测试还做不到,最多只是设置输出信号监控点,所以很少能发现试验过程中的器件损坏,失效大多在事后离线测试时发现!
pigeon发表于 2009-1-9 13:28:03
Burn in
主要是模拟产品工作寿命，加偏压，加高温主要是模拟产品在最坏的工作使用情况下的条件。

Burn in主要用于作为可靠性监控和从批次产品中剔除早起失效的。

取决于Burn in时间的长短，它的失效可以是早衰期的缺陷导致的，也可以是老化损耗期的。

EFR
目的是为了评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。

对应于浴盆曲线的早衰期。

失效多是早衰期的缺陷导致的，比如工艺设计等缺陷等。

时间一般是168H或者更少。

HTOL
目的是评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力，也就是正常工作的寿命。

对应于浴盆曲线的wear out期。

失效多是老化损耗期的失效，比如热载流子效应，氧化层击穿，电迁移等等。

时间一般会做到1000Hrs。

125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150℃ 1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。

[ 本帖最后由 pigeon 于 2009-1-9 13:29 编辑 ]
semicon2009发表于 2009-1-9 15:12:28
回复 5# 茱wling 的帖子
谢谢......
[ 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:35 编辑 ]
semicon2009发表于 2009-1-10 19:39:44
继续请教。

twiyjch发表于 2009-1-10 21:37:13
謝謝, 了解....
pigeon发表于 2009-1-11 14:09:31
回复 7# semicon2009 的帖子
个人是觉得这个观点正确的吧
yebenyin发表于 2009-1-13 15:36:22
感谢楼上宝贵的意见受益匪浅之前一直没有完全搞清楚这几个概念LIU69发表于 2009-1-30 10:22:21
回复 6# pigeon 的帖子
几年的说法来自哪里？是统计出来的还是计算出来的？
czy163发表于 2009-2-2 15:33:55
回复 2# sunjj 的帖子
回答的比较资深哦
moudo发表于 2009-2-2 16:03:31
回复 12# LIU69 的帖子
应该是计算出来的
就是MTTF的计算，再加上加速因子很容易就能大概估算出来
bonbonssy发表于 2009-2-6 10:02:00
太牛了，学到了很多知识阿。

Kate01发表于 2009-2-9 11:42:04
不错的讨论，了解更多的东西了。

tanwen1030发表于 2009-2-13 13:31:53
谢谢了，好东西
lzg0000发表于 2009-2-19 06:27:48
原帖由 LIU69 于 2009-1-30 10:22 发表
http://www.2ic.tw/bbs/images/common/back.gif
几年的说法来自哪里？是统计出来的还是计算出来的？
可靠性寿命试验的理论模型来自Arrhenius Law：k=A exp(-B/T），此为一个经验公式。

所以同样的寿命预期，可以用不同的试验条件来验证（试验温度和试验时间相关）。

wqpye发表于 2009-2-27 21:10:56
在《温度与电子系统可靠性》一书中，作者对Arrhenius Law的准确性提出了质疑。

thhzy1发表于 2009-7-8 10:51:20
感谢楼上宝贵的意见受益匪浅之前一直没有完全搞清楚这几个概念
本来还想自己发贴请教高手的呢！
Tony_hf123发表于 2009-7-11 23:37:31
原帖由茱wling 于 2009-1-9 13:18 发表
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业内精通人士,佩服ing...
我们都是用一样的线路,由于条件有限,实时功能测试还做不到,最多只是设置输出信号监控点,所以很少能发现试验过程中的器件损坏,失效大多在事后离线测试时发现!
能不能说一下失效的原因有哪些？谢谢。

mrlin发表于 2009-7-12 11:52:52
同意楼上的,学一下具体的case比较有益
kimperkins发表于 2009-7-20 15:00:08
MBI和TDBI是不同的，MBI就是output monitoring ,检测的是输出pin的信息，也是一种监测手段。

TDBI一般是可以真正意义上实现function test during BI. 目前据了解在存储器类和一些高密度封装器件上国外已经有这种技术与机器了。

当然TDBI并不能完全取代最后的测试，因为很多device失效时他们的function 都pass 但是在parameter test上，他们可能会有defect出现。

以后BI的趋势应该会从现在的动态老化到TDBI吧。

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