半导体扩散炉用产品

合集下载

高温真空扩散炉哪家好？

高温真空扩散炉哪家好？高温真空扩散炉哪家好？日新高温技术有限公司为您解答。

合肥日新高温技术有限公司成立于1998年是专业设计、研发、生产、销售高温热处理设备的民营高新技术企业。

扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。

最新的低压磷扩散利用低压氛围可以得到更好的方块电阻均匀性和更大的生产批量，同时对环境的影响最小。

合肥日新高温生产的RGL系列高温扩散炉有以下特点：RGL系列高温扩散炉炉采用高纯石英管作为内炉膛，具有良好的洁净度；RGL系列高温扩散炉耐火、保温材料全部采用先进的轻质纤维制品，整机能耗低，升温快；RGL系列高温扩散炉加热元件采用真空成型FEC陶瓷纤维加热器；RGL系列高温扩散炉温控系统采用进口多段智能程序温度控制仪控制，温度控制具有良好的稳定性、重复性。

合肥日新高温技术有限公司成立之初，就确定了依托技术开拓市场空间的经营策略，在秉承传统工艺的基础上，不断引进新技术，消化再吸收新工艺，持续发展，开拓创新。

以专业品质科技创新的产品价值观，以日新盛德笃志笃行的企业精神，精心打造中国窑炉一流品牌日新窑炉。

逢此民族产业迅速发展之盛世，合肥日新高温技术有限公司全体同仁热忱希望能广交业内有识之士，以致力于热能技术、工程提供一流的解决方案为企业核心使命，为携手振兴中国的窑炉事业而贡献力量。

扩散炉体工作原理

扩散炉体工作原理
扩散炉是一种用于在半导体工艺中进行扩散过程的设备。

它通过控制温度和浓度梯度，使材料中的杂质扩散到所需深度，从而改变材料的电学性质。

扩散炉的工作原理可以分为以下几个步骤：
1. 温度控制：首先，扩散炉通过加热器将炉体内的温度提高到所需的操作温度。

扩散过程通常需要高温，因为高温有利于杂质在晶格中的扩散。

2. 杂质供应：在扩散炉的某个位置，通常是在炉底的特定区域，添加杂质源。

杂质源可以是液体、气体或固体态的物质，根据材料的不同选取不同的杂质源。

杂质源中的杂质会在高温下挥发或溶解，并通过炉体内的气流传递到待处理的材料表面。

3. 扩散过程：一旦杂质被供应到待处理材料的表面，扩散过程将开始。

在高温下，杂质原子会从高浓度（杂质源）向低浓度（待处理材料）的区域扩散。

扩散的速度取决于杂质和材料的性质，以及温度和时间等因素。

4. 控制参数：在整个扩散过程中，控制温度是非常重要的。

温度的控制可以通过炉体内的加热器和传感器来实现。

此外，炉体内的气氛也需要控制，以保持适当的氧化还原性。

这些参数的控制是为了确保扩散过程的准确性和一致性。

通过控制温度、时间和杂质浓度等参数，扩散炉可以实现不同
类型的扩散过程，如掺杂-扩散（Doping-Diffusion）、氧化、
化学气相沉积等。

扩散炉在半导体器件制造中起着重要的作用，可用于制备各种器件，如晶体管、太阳能电池和传感器等。

扩散设备介绍

Chint Solar Confidential
23
高温扩散设备的典型故障
• 气路无流量显示
1、查看可能的报警，并按报警信息采取正确措施。 2、确认气路外围进气供应正常。 3、确认气路的减压阀和手动阀已打开。 4、确认电路有+-15V电压电源信号。 5、确认电路线路接线良好，固态继电器可正常工作。 6、确认采用气动阀时，其压缩空气压力是否足够。 7、检查计算机控制板卡及转接线，若有必要进行返修。
14
高温扩散设备简介
• 电阻加热炉体部分
电阻加热炉体部分也细分三部分，顶层部分配置水冷散热器及排热风扇，废弃室顶部设有抽风口，与外接负压抽风管道连接后，可将工艺过程残余气体带走。中间部分为加热炉体部分，配置炉管、控温热电偶、超温保护热电偶。炉柜的底层安装有加热炉的功率部件（可控硅、散热器、接触器、变压器、可控硅过零触发器等）及散热风机。
Chint Solar Confidential
8
高温扩散设备简介
• 闭管扩散炉整体图
Chint Solar Confidential
9
高温扩散设备简介
• 控制部分：控制部分：
位于控制柜的计算机控制系统分布在各个层面，而每个层面的控制系统都是相对的独立部分，每层控制对应层的推舟、炉温及气路部分，是扩散/氧化系统的控制中心。在每层相应的前面板上，左侧分布15寸触摸屏，右侧分布状态指示灯、报警器、急停开关和控制开关。
• • 触摸屏操作界面可对气源状况、推舟动作、阀门动作进行控制和观察。触摸屏界面
还可显示温度状况、报警信息、流量曲线、工艺运行状况和工艺参数设定等。
Chint Solar Confidential

扩散炉的优势

扩散炉的优势扩散炉有什么优势？合肥日新高温技术有限公司为您解答。

合肥日新高温技术有限公司成立于1998年是专业设计、研发、生产、销售高温热处理设备的民营高新技术企业。

扩散炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺。

扩散炉的工作原理：真空扩散炉是热处置的大型设备,可编多个不同程序,能操控和编入上百个热处置曲线点,分上、下、左右、前后六区控温,能够进行真空钎焊、真空退火、真空时效等多种加工.有多点和单点温度记录仪以及过温保护装备,炉温均衡性可操控在恒定温度范围以内,另配有高纯氮高流量强冷装备.真空扩散炉的结构特点：真空扩散炉隔热屏有两层钼、四层不锈钢组成的全金属辐射屏结构.加热元件为宽钼带,沿前后左右四壁均匀布置,以保证炉温的均匀.压力装置有液压站、油缸、压头、称重传感器、压力控制器和压力支架组成,可实现油压保压、压力设定控制.电控系统采用PLC与可编程温度控制器的方式,实现全自动、半自动、手动三种控制方式,操作灵活.高温扩散炉的优势有哪些呢？合肥日新高温技术有限公司生产的RGL系列高温扩散炉具有这些优势：RGL系列高温扩散炉采用高纯石英管作为内炉膛，具有良好的洁净度；RGL系列高温扩散炉耐火、保温材料全部采用先进的轻质纤维制品，整机能耗低，升温快；RGL系列高温扩散炉加热元件采用真空成型FEC陶瓷纤维加热器；RGL系列高温扩散炉温控系统采用进口多段智能程序温度控制仪控制，温度控制具有良好的稳定性、重复性。

半导体制备扩散炉

半导体制备扩散炉：工艺、应用与发展一、引言随着科技的飞速发展，半导体产业已成为当今世界最为重要的产业之一。

在半导体产业链中，扩散炉是关键设备之一，其制备工艺和应用对于半导体的性能和可靠性具有至关重要的影响。

本文将对半导体制备扩散炉的工艺、应用和发展进行深入探讨。

二、半导体制备扩散炉的工艺1.扩散原理在半导体制造过程中，扩散是一种重要的工艺技术。

通过扩散工艺，可以将杂质元素掺入到半导体材料中，从而改变其导电性能。

扩散的原理基于原子或分子的迁移和分布，通过高温和化学反应实现。

2.扩散炉的构成半导体制备扩散炉通常由以下几个部分组成：加热系统、气氛控制系统、温度控制系统、传送系统等。

其中，加热系统是扩散炉的核心部分，它负责提供高温环境以促进杂质的扩散。

气氛控制系统负责控制炉内的气氛，如氧气、氮气等。

温度控制系统则负责对炉内温度进行精确控制。

传送系统则负责将硅片送入和取出炉膛。

3.扩散工艺流程半导体制备扩散的工艺流程主要包括以下步骤：清洗硅片、源气体处理、装片、抽真空、加热、扩散反应、冷却和取出硅片。

在这个过程中，每一个步骤都有其特殊的作用和要求，都需要精确控制和操作。

三、半导体制备扩散炉的应用1.在集成电路中的应用在集成电路制造中，扩散工艺是必不可少的环节。

通过扩散工艺，可以将不同元素掺入到硅片中，形成不同性质的半导体区域，从而实现电路的划分和连接。

扩散炉在集成电路制造中的应用广泛，是保证芯片性能和可靠性的关键设备之一。

2.在太阳能电池中的应用太阳能电池是一种利用光生伏特效应将太阳能转化为电能的装置。

在太阳能电池制造中，扩散工艺也是关键环节之一。

通过扩散工艺，可以将磷元素掺入到硅片中，形成PN结，从而实现光生电流的收集和输出。

扩散炉在太阳能电池制造中的应用也十分广泛。

四、半导体制备扩散炉的发展趋势随着科技的不断发展，半导体制备扩散炉也在不断进步和完善。

未来，半导体制备扩散炉的发展将主要集中在以下几个方面：1.高温扩散技术的研究与应用：高温扩散技术可以提高杂质元素的激活率，从而提高半导体的性能。

扩散炉 (2)

扩散炉简介在半导体工业中，扩散炉是一种用于在半导体材料表面制造掺杂层的设备。

扩散是将杂质原子引入半导体晶体中的一种常用方法，通过掺杂可以改变半导体的电学性质，例如改变其导电性或改变材料的能隙。

扩散炉使用高温加热的方式将掺杂物传输到半导体晶体中。

高温条件下，掺杂物原子具有足够的能量和活动性，使其在晶体表面上进行扩散。

扩散炉通常采用气氛法来控制扩散过程。

在扩散炉内，可以通过输入不同的气氛气体来控制掺杂物的传输和扩散速度。

扩散方法气相扩散气相扩散是最常见的扩散方法之一，它利用高温下气体分子的热运动性质来实现掺杂。

扩散炉中的半导体晶体暴露在掺杂气体的环境中，通过辐射加热或热电偶加热等方式升高温度，使得掺杂物原子在晶体表面上进行扩散。

气相扩散需要精确控制扩散气体的浓度、温度和时间，以保证掺杂的准确性和均匀性。

扩散炉通常配备有温度控制系统、气体流量控制系统和扩散控制系统等，以实现对扩散过程的精确控制。

液相扩散液相扩散是另一种常见的扩散方法，它利用液体溶液中的掺杂物离子通过晶体表面的扩散来实现掺杂。

液相扩散通常用于对半导体晶体进行浸泡或涂覆等处理。

液相扩散的优点是能够实现更高的掺杂浓度和更均匀的掺杂分布。

然而，与气相扩散相比，液相扩散的工艺复杂性更高，并且液相掺杂后需要进行深度清洗和干燥等后续处理。

扩散炉设备扩散炉设备通常由以下几个主要部分组成：1.加热腔体：加热腔体是扩散炉的主要部分，用于放置待处理的半导体晶体。

加热腔体通常由耐高温材料制成，例如石英或石墨。

加热腔体通常具有良好的温度均匀性和稳定性，以保证扩散过程的准确性。

2.气氛控制系统：气氛控制系统用于提供相应的扩散气氛气体，并控制气氛的流量、压力和浓度等参数。

常见的扩散气氛气体有氮气、氢气、氧气等。

3.温度控制系统：温度控制系统用于精确控制加热腔体的温度。

通常采用热电偶或辐射加热器等方式来测量和调节温度。

4.控制系统：扩散炉设备通常配备有控制系统，用于自动控制扩散过程的各项参数，例如温度、时间、流量等。

扩散炉介绍

扩散炉结构原理
炉体各技术参数：

1.1可配石英管最大外经： φ300mm 1.2工作温度范围： 400~1100℃ 1.3恒温区长度及精度：工作温度：600℃~1100℃ 1070mm /±1℃ 1.4单点温度稳定性：工作温度：600℃~1100℃ ±2℃/24h 1.5升温时间：（从室温升至1100℃） ≤60min 1.6温度斜变能力：最大可控升温速度： 15℃/min 最大降温速度(1100~1000℃ ) 5℃/min 1.7最大升温功率： 43KVA/每管 1.8保温功率： 15KVA/每管 1.9送料装置：行程： ~2160mm 速度： 20~1000mm/min 承重： 15Kg
扩散炉结构原理
扩散炉结构原理 2.2控制柜
控制柜是整个设备的控制核心，所有的操作动作都在控制柜中实现
控制器功能简介

2.2.1采用进口智能控制器,对炉温、阀门进行自动控制,并管理全部工艺时序。每个炉管有一套独立的控制系统。 a具有可编程的升、降温功能。 b具有PID自整定功能。 c可输出四个开关量。 d具有超温报警、工艺结束报警功能。 e具有极限超温报警功能,同时能自动切断炉丝加热电源。 f可存储十条工艺曲线。每条工艺曲线最多有十五步。曲线间可以任意链接、重复。 g可同时显示控制热偶温度值及PROFILE热偶温度值。 h留有通讯接口，可通过专用软件进行工艺编制和数据采集。 2.4.2 流量控制与监测系统：选用英国进口智能控制器及流量报警控制电路对质量流量控制器进行工艺气体的实时，控制与监测具有在线报警与调节功能，同时能对每一路气体阀门很方便的进行手动，自动切换，并留有通讯接口，可通过电脑显示与设定流量。

扩散炉产品规格书

2 方便的配方编辑和自动执行机制。配方的执行逻辑除了以时间为控制条件外，还能以是否到温、炉门是否到位等作为条件，使制程更加智能化，更稳定，更安全。
3 详细的状态和事件记录，有利于问题追溯。可以图形方式查看数据。
温度控制使用先进的双PID级联控温技术，选用高档的双通道高精度温控仪，并使用自主开发的级联算法。优点是：直接控制炉内的温度，使得反应温度控制更准确稳定，从而工艺更加稳定，在不同炉管间可直接移植，亦省去频繁校正平坦区温度的工作。
除了扩散工艺外，本设备也可用于氧化、退火及合金等高温常压工艺。
主要性能
处理硅片：大到156mm×156mm的单多晶硅片产能：＞900片/小时（3管）温度性能：
工艺温度：800℃～1000℃ 平坦区长度：1080mm 平坦区稳定性：正常生产状态下，进舟闭炉15分内稳定，波动 ≤1℃。升降温性能：爬升率15℃/min（最大），下降率5℃/ min（最大）工艺性能：（工艺默认不提供，如有需求可配套购买）方块电阻50Ω 的基准工艺下，一炉30点采样（5点/片×6片），极差≤5Ω。
产品规格书
名称型号修订
产品规格书目录
设备简介主要技术指标系统要求系统组成
控制部分推舟净化部分炉体部分气柜部分
扩散炉 DHC53A-03 陆威，2的基本程序。对于晶硅光电池来说，扩散形成的PN结是其核心功能结构，扩散的质量基本决定了电池的电性能。DHC53A-03型扩散炉针对晶硅光电池生产的扩散制程设计，以对制程的深刻理解为基础，吸收国内外水平管式扩散炉的设计经验，在闭管扩散的基础上，实现了关键的内外级联控温技术，从而以较低的系统成本达到了媲美昂贵的进口扩散炉的性能，其效果已经在客户的实际使用中得到验证。

北方华创立式扩散炉使用手册

北方华创立式扩散炉使用手册
立式扩散炉是北方华创生产的一种高温电炉，可以应用于各种金属材料，玻璃，陶瓷等材料的高温氧化气氛处理。

立式扩散炉使用手册是立式扩散炉使用的最重要的参考资料之一1.炉膛温度：当扩散炉温度高于900°C时，炉膛内的高温气体（通常为空气）需要在冷却条件下排除。

2.电极：在使用立式炉管时，可以直接把电极插入石墨管中进行加热。

3.加热方式：用电-热电方式对金属材料进行加热，可以实现对不同元素的选择性氧化。

4.操作规程：1 •操作人员必须熟悉本设备的工作原理，并掌握必要的操作技能。

2- 为了保证设备正常运转和安全操作，应经常检查设备各部位（特别是电热元件）及加热器绝缘情况并作好记录；对于易损坏处应及时更换；发现设备有异常现象应及时处理。

3•当发现设备出现烧损、开裂等现象。

(扩散炉)结构功能原理情况说明OK

产品结构功能情况说明扩散炉4 STACK FURN（旧），具体情况如下：一、结构用途扩散炉4 STACK FURN是纳米半导体元器件研制中的工艺之一，主要是由高温炉反应室、温度控制系统及进排气系统组成，其用各种于各种化学气相沉积工艺将氧化剂以扩散方式在高温炉腔内制备高度稳定性的化学性和电绝缘性的二氧化硅等材料，所以将其归在“氧化、扩散、退火及其他热处理设备(制造半导体器件或集成电路用的)”（HS编码：8486201000）。

二、功能：扩散炉4 STACK FURN，其主要功能是将反应气体在高温炉管内和硅片表面发生化学反应，从而生成二氧化硅材料，也是用于制备各种特种纳米半导体工艺器件之一。

三、工作原理：扩散炉4 STACK FURN，由于二氧化硅被广泛用于半导体元器件的保护层和钝化层，以及电性能的隔离、绝缘材料和电容器的介质膜等。

当硅置于含洋气的环境下，氧分子将通过一层边界层达到硅的表面，并与硅原子反应生成二氧化硅，以形成的二氧化硅层阻止了氧化剂与Si表面的直接接触。

与此同时氧化剂以扩散的方式通过二氧化硅层到达SiO2—Si界面与硅原子反应，生成新的SiO2层，从而使SiO2膜不断生成增厚。

四、工艺流程：将反应气体由气相传输至硅表面生成SiO2，然后将位于SiO2表面的氧化剂穿透已经生成的SiO2膜扩散到SiO2—Si界面，最后将到达的SiO2—Si界面与硅原子反应，进而最终生成新的SiO2层。

五、品牌型号：品牌：SVG 型号：5200六、动力情况：因为设备运行需要完整的水电气等动力条件，该设备已经拆机并存放在仓库中，不具备通电检查的条件，故进口后会在现场准备完整的动力条件后恢复设备的正常功能。

苏州赛森电子科技有限公司2017年4月。

低压扩散[最新]

低压扩散管式炉特别是卧式扩散炉是光伏与半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，广泛适用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、太阳能电池、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，可用于2-8英寸工艺尺寸。

下面简单介绍管式炉适用的工艺：一、扩散工艺的主要用途是在高温条件下对半导体晶圆进行掺杂，即将元素磷、硼扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。

常用的低压磷扩散利用低压氛围可以得到更好的方块电阻均匀性和更大的生产批量，同时对环境的影响最小。

二、氧化工艺是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。

氧化方法有干氧和湿氧，湿氧包括水汽氧化和氢氧合成两种，对硅片或器件起保护、钝化、绝缘、缓冲介质等作用。

三、退火工艺包含杂质退火（氧化层退火、注入后退火等等）和金属退火，杂质退火两个目的，修复晶格激活杂质元素，工艺温度比较高；金属退火比较复杂，主要目的是解决金属与物质的接触和填充问题，每种退火的原理与适用材料也有所区别。

四、合金工艺主要是形成欧姆接触或者形成键合区。

五、烧结工艺主要应用于电真空、航空航天、电力电子、机械加工；可对不锈钢、无氧铜、金属化陶瓷件等不同零件进行无氧化钎焊、退火、烧结及对薄膜、厚膜电路、混膜集成电路等在氢气、氮气或氢氮混合气体的保护下，对工件进行焊接，封装和烧结等。

扩散炉是光伏与半导体集成电路工艺的基础设备，它与光伏、半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。

如果大家感兴趣的话稍后陆续推出更加详细的管式炉设备原理与工艺的介绍说明，欢迎留言发表您的看法，互相促进学习。

管式低压扩散炉低压扩散炉的问世，标志着sunred为晶体硅太阳电池扩散工艺设定了全新标准。

得益于全新的低压扩散工艺，我们的客户在高至150Ω/sq的方块电阻范围内实现了优异的发射极扩散均匀性。

高产能和低消耗的特性，让该产品能够在低拥有成本和占地面积的情况下生产高品质的太阳电池。

半导体扩散炉颗粒度控制

半导体扩散炉颗粒度控制引言：半导体扩散炉是半导体工业中常用的设备，用于在半导体材料表面进行杂质掺入或薄膜沉积。

而扩散炉颗粒度控制是确保扩散过程中颗粒尺寸的均一性，从而保证产品质量和性能的重要环节。

本文将从颗粒度控制原理、方法和应用角度探讨半导体扩散炉颗粒度控制的相关知识。

一、颗粒度控制原理半导体扩散炉颗粒度控制的原理主要基于热扩散过程中颗粒的运动和扩散效应。

在扩散过程中，杂质或薄膜会通过扩散炉中的载气传输到半导体材料表面。

而颗粒度控制的目的是使扩散过程中颗粒的尺寸保持均一，避免颗粒聚集或分散导致的质量问题。

二、颗粒度控制方法1. 温度控制：扩散炉中的温度是颗粒度控制的关键因素之一。

通过精确控制扩散炉的温度，可以确保杂质或薄膜的扩散速度均匀，从而实现颗粒度的控制。

2. 气氛控制：扩散炉中的气氛对颗粒度的控制也起到重要作用。

合理的气氛组成和流速可以调节扩散过程中的气氛浓度分布，从而影响颗粒的扩散速度和均一性。

3. 材料控制：扩散炉中使用的材料也会对颗粒度产生影响。

选择高纯度的扩散材料和载气可以减少杂质的引入，提高颗粒度的控制精度。

4. 设备控制：扩散炉的设备参数和操作方式也会对颗粒度产生影响。

合理的设备设计和操作流程可以减小颗粒度的波动，提高控制效果。

三、颗粒度控制的应用1. 半导体器件制造：在半导体器件制造中，颗粒度控制是确保器件性能和一致性的重要环节。

通过精确控制扩散炉颗粒度，可以保证器件中杂质分布的均匀性，提高器件的可靠性和性能。

2. 光伏产业：太阳能电池是光伏产业的核心产品，而颗粒度控制是确保太阳能电池性能的关键因素之一。

通过控制扩散炉颗粒度，可以提高太阳能电池的光吸收效率和转化效率，从而提高光伏产业的竞争力。

3. LED制造：LED是照明行业的新兴技术，而颗粒度控制对于提高LED的亮度和色彩一致性至关重要。

通过控制扩散炉颗粒度，可以提高LED芯片的发光效率和色彩还原能力，实现高质量照明产品的制造。

扩散炉研究报告

扩散炉研究报告扩散炉是一种用于在晶体上沉积或掺杂材料的设备，主要用于半导体工业中的制造过程。

扩散炉的原理是将材料固态沉积在晶体表面。

它的构造主要由炉管、炉膛、加热元件等组成。

本文将从工作原理、加热元件、应用情况和优缺点四个方面进行探讨和分析。

一、工作原理：扩散炉的工作原理是将半导体晶圆放置在炉膛中，然后通过加热炉管使得加热元件内的材料开始挥发。

挥发出来的材料沿着炉管流动，然后被晶圆吸收。

晶圆表面的材料会通过扩散的方式转移到晶圆内部，从而实现掺杂或沉积材料的目的。

二、加热元件：扩散炉的加热元件一般有两种：电阻加热和电子束加热。

电阻加热是使用电阻丝作为加热元件，通过通电产生热量来加热。

而电子束加热是通过电子束加热源将电子束聚焦在晶圆表面，使其快速加热，加热快速、定向性好、精度高，并且不会污染加热室环境等优点。

三、应用情况：扩散炉主要应用于半导体的制造过程中，如掺杂、沉积等工艺。

同时也广泛应用于太阳能电池、LCD显示、光通信等行业。

四、优缺点：扩散炉的优点是：1.可实现精度控制，能够满足不同的产品要求；2.制造成本相对较低，能够满足大批量生产；3.可应用于不同种类的晶体制造过程中。

扩散炉的缺点是：1.加热均匀性和控制精度较低，需要对晶片进行后续处理；2.会产生一些挥发性物质，可能会对加热室环境产生影响；3.只能实现单面掺杂或沉积。

总之，扩散炉作为半导体制造过程中的重要设备，在制造过程中起到了不可替代的作用。

随着制造技术的不断发展，扩散炉将不断地迎来更新换代，逐步满足更高质量、更高效率的要求。

扩散炉 (2)

扩散炉
扩散炉是一种用于半导体制造的设备，主要用于将掺杂源中的杂质扩散到硅晶圆表面的过程。

在半导体制造中，掺杂是一种重要的工艺步骤，它可以改变材料的导电性能。

扩散炉通过高温加热和控制气氛，使得杂质从掺杂源中扩散到硅晶圆的表面，并形成掺杂区域。

扩散炉通常由以下主要部分组成：
1. 炉体：用于容纳硅晶圆和掺杂源，并提供高温环境。

2. 加热系统：用于提供高温加热。

常用的加热方式包括辐射加热、电阻加热等。

3. 气氛控制系统：用于控制炉内的气氛，通常包括气体供应和流量控制等。

4. 温度控制系统：用于监测和控制炉内的温度，以确保扩散过程的稳定性和一致性。

5. 控制系统：用于实时监测和控制整个扩散过程的参数，如温度、气氛等。

在扩散过程中，常用的掺杂源包括磷、硼、砷等杂质，这些杂质可以通过扩散炉的加热和气氛控制被扩散到硅晶圆的表面，并形成掺杂区域，从而改变硅晶圆的导电性能。

扩散炉是半导体制造中的关键设备之一，它在半导体器件制造的各个阶段都扮演着重要的角色。

扩散炉的性能和工艺参数的控制对于半导体器件的性能和质量至关重要。

半导体电锅炉的结构原理

半导体电锅炉的结构原理
半导体电锅炉是一种利用半导体材料的热电效应实现加热的电热器具。

其结构原理如下：
1.半导体材料：半导体电锅炉的关键部分是半导体材料，常用的材料有硅(Si)和碳化硅(SiC)。

这些材料具有良好的热导性和电导性，能够将电能转化为热能。

2.电热片：电热片是安装在半导体材料上的电阻丝，通过通电产生加热效应。

电热片与半导体材料之间的接触面积较大，可以有效传导热量。

3.散热器：为了散发产生的热量，半导体电锅炉通常会设置散热器，增加热量的散发面积，使之能够更快速、高效地散热。

4.控制装置：半导体电锅炉通常带有温度控制装置，可以根据实际需要调整加热温度。

控制装置可以对电热片的加热电流进行调节，从而实现对锅炉内液体的温度控制。

5.输入输出接口：半导体电锅炉一般有电源输入接口和液体输出接口。

电源接口为电锅炉提供外部电能，液体输出接口用于将加热后的液体引出，供给其他需要加热的设备或场所。

工作原理：
当半导体电锅炉加通电流时，电热片开始产生热量，热量通过热导作用传递给半导体材料，使其升温。

升温后的半导体材料继续将热量传导给锅炉内的液体，使之达到所需温度。

同时，散热器能够将产生的热量迅速散发出去，保证半导体电锅炉的工作温度稳定。

温度控制装置根据温度设定值对电热片的工作电流进行调节，从而实现对液体温度的控制。

通过输入输出接口，半导体电锅炉可以与其他设备或系统进行连接，实现热能的传输和利用。

简介扩散炉中PLCFA

简介扩散炉中PLCFA
PLC = Programmable Logic Controller，可编程逻辑控制器，一种数字运算操作的电子系统，专为在工业环境应用而设计的。

它采用一类可编程的存储器，用于其内部存储程序，执行逻辑运算，顺序控制，定时，计数与算术操作等面向用户的指令，并通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程。

是工业控制的核心部分。

横河PLC FA-M3在扩散炉上的应用。

扩散炉工作区间内（800到1000mm）一般需要±01℃（个别要求±0.5℃）。

扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。

虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。

硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。

氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。

扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。

扩散炉工作区间内（800到1000mm）一般需要±01℃（个别要求±0.5℃）。

多数情况下只使用外温控制，内温只在数据测试（Profiling）和2-3周一次的矫正时使用。

不同晶片及数量的要求内温相对外温设定值由profiling给出。

使用内温时，使用串级控制，内温输出作为外温设定值使用。

Centrotherm扩散炉结构简介

4. Cell controller 其中包含用于创建和管理recipe的软件
CCC-RM（Centrotherm Cell Control Recipe Manager）,用于对CESAR电脑进行集中遥控。
5. Temperature controller 采用REG97温度控制器，硬件部分由
酸排
热排
Bubbl er放置区
尾气瓶放置区
冷却水及净化装置
尾气瓶放置区
酸排
Bubbler 放置区
冷却水及净化装置
气体控制柜
热排
气体控制柜
热排口
炉体位置
通向酸排热排口
尾气收集
尾气瓶放置区和尾气瓶
工艺气体（氧气，大小氮）进气口 Paddle TC
尾气管
Bubbler放置区
1.装载系统：用于将上料台上的石英舟及未扩散硅片送入炉内，以及将扩散完成的硅片传送到上料台。
2.TGA（Toxic Gas Exhaust）：用于驱动炉门，吸收在进舟和出舟过程中可能泄漏出来的有毒气体。
3.炉体部分：机台的核心部分，由五个炉体及相关的电源系统和控制系统组成。
4.气源柜：用于提供扩散工艺过程所需的各种工艺气体，以及将扩散过程中产生的尾气通过酸排风系统排出。
Centrotherm扩散炉设备结构简介
1
CONTENT
1、设备基本构成 2、炉体部分 3、Load station 4、Gas cabinate 5、控制及监控系统
基本构成—centrotherm
Centrotherm扩散炉机台主体由装载系统，TGA，炉体部分和气源柜四部分组成。其各部分功能如下：
皮带传送电机

扩散炉现状与展望

扩散炉现状与展望！一、概述进入21世纪，电子信息产业的持续高速发展激励和带动了集成电路产业的发展，这就为微电子产业发展提供了空前广阔的发展空间，也为半导体专用设备提供了巨大的市场潜力。

从微电子行业发展看，半导体器件设计向高密度、高集成度的方向迅速发展，对半导体集成电路新工艺、新技术、新设备提出了越来越高的要求。

当前硅片的尺寸由直径150mm发展到300mm,超大规模集成电路（ULSI）的特征尺寸已从0.5pm、0.35pm发展到0.25pm,集成密度高达1千万个元件，而且预计到2010年ULSI特征线宽要达到0.07pm，其芯片集成度达10亿个元件在所有半导体专用设备中，扩散炉是集成电路生产线前工序的重要工艺设备之一，它的主要用途是对半导体进行掺杂，即在高温条件下将掺杂材料扩散入硅片，从而改变和控制半导体内杂质的类型、浓度和分布，以便建立起不同的电特性区域。

虽然某些工艺可以使用离子注入的方法进行掺杂，但是热扩散仍是最主要、最普遍的掺杂方法。

硅的热氧化作用是使硅片表面在高温下与氧化剂发生反应，生长一层二氧化硅膜。

氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氢氧合成）两种，扩散炉是用这两种氧化方法制备氧化层的必备设备。

扩散炉是半导体集成电路工艺的基础设备，它与半导体工艺互相依存、互相促进、共同发展。

二、扩散炉发展简史扩散炉技术发展大体可以分为四个阶段第一阶段：1965年以前，这是扩散炉出现阶段，扩散炉随着半导体工艺的产生而出现，这一阶段的国产扩散炉水平与国外水平差距不大。

第二阶段：1965~1976年，这是扩散炉功能被逐步完善的阶段。

这个阶段是器件半导体进入集成电路时代，因而对工艺设备的功能提出了许多新的要求。

为适应工艺要求，在此阶段逐渐配备了工艺气路系统，送片系统以及净化台等，炉管口径逐渐加大，可处理3英寸硅片第三阶段：1976~1987年，这是扩散炉在技术上的成熟阶段。

这期间半导体工艺进入VLSI时代，在1983年6英寸生产线已经建立。