48所PECVD操作规程
PECVD作业指导书
CENTROTHERM管式PECVD操作说明书按压START真空泵启动按钮，启动真空泵。
（图
图6.1.2
打开并检查气源。
打开压缩空气阀，N2阀，NH3阀，
6kg /cm2—7kg /cm2。
其他气体4 kg /cm2—10kg /cm2范围
开启SIH4阀（图4）
图（4）阀（图6）
图（6）开总电源。
用手扳住电柜外部的红色按钮，机器上指示灯
图（8）
VAT控制器灯亮，可确定总电源已开启（图8）。
启动CMI程序。
开总电源后计算机自动启动。
输入密码后自动进入Windows桌面。
用鼠标左键双击“CMI”图标，启动CMI。
进入CMI 画面，检查设备状态：
SLS=UP ，DOOR=CLOSED ，PLC=OK ，LIFT=READY ，TUBE=READY ，TGA FREE=YES
SET/ACT POSITION=0 ，PROCFLAG=OK（整体界面图9）
选择工艺程序，生产。
插片。
用小车承载石墨舟，在插片房中插满硅片。
向机器进车。
向机器推入装完片的石墨舟小车。
计算机
在“LOTS”里输入自己名字的拼音缩写，在舟号里输入舟的号码。
选择对应的工艺文件。
设备自动进行工艺生产。
(整体界面图10)
图（10）。
PECVD操作规程
PECVD操作规程
1 目的：为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行
生产，特制定本规程。
2 适用范围：PECVD淀积车间。
3 职责：
3.1 操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，
务必仔细阅读本规程。
3.2 熟练掌握每道操作步骤。
4 定义：PECVD操作人员只负责按规程操作，更改数据需技术部授
权。
5 运行程序：
5.1 检查设备外围的水、电、气是否满足设备的运行条件。
5.1.1 水：压力、流入量（大于设定值5）、温度（20 20C）应
同时满足。
(6－8bar左右)、压缩空气（6bar左右）的压力同
5.1.2 气：N
2
时满足。
5.2 打开电源的主开关，开启机器。
5.3 抽真空：顺序为工艺腔→进料腔→出料腔。
5.4 真空小于设定压力2.0×10-2时，点击“加载工艺”→再点击“启
动”→再点“开启传输系统”，待满足设备运行条件时，即可
将装有电池片的载板送入腔体内，系统会自动运行。
5.5在运行过程中，要时刻观察操作界面系统运行是否正常，出腔
后，稍作冷却，然后将电池片在载板上取下。
6 附件：
6.1 插片及取片
6.1.1 用吸笔轻轻的将硅片小心的放入载板内，此时要注意硅
片的正反面，插片时要将硅片扩散面（即正面）冲下。
6.1.2 硅片出腔后，取片时应小心，防止氮化硅薄膜受损。
技术部第一版
2008.7.11。
^PECVD设备操作规程^
^PECVD设备操作规程^PECVD设备操作规程1(开机1.1 打开主氮气阀门(4-6bar)、主压缩空气阀门(5-7bar)、冷却水(2-4bar)、打开特气并确认。
1.2 确认六个红色急停按钮在正常位置状态。
1.3 打开主控制柜上的电源开关,打开电脑,此时电脑进入WINDOW操作界面。
1.4 自动进入软件程序。
1.5 作业员登录,输入名字和口令。
1.6 再次检查上式1.1项正常后,按F9。
1.7 在所有的门和盖子都关闭的情况下,在“system(系统)”状态下按“pu mps(真空泵)”按钮，先按中间的“evacuate(抽真空)”按钮，再按另外两个“evacuate”此时真空泵打开。
1.8 按“process chamber(工艺腔)”按钮，点“parameters(参数)”对加热“2”和加热“3”进行温度设定，设定“400”度，按“save”保存。
1.9 等待加热“2”和加热“3”达到设定的温度。
1.10 当加热“2”和加热“3”的温度达到设定的温度时进行工艺运行。
按“control(控制)”选择要加载的工艺名后(目前使用的预热工艺方案是“process prheating”),按“load(加载)”再按“start(开始)”，此时传输系统打开。
生产前，每次载板预热2次，载板预热结束后，点击停止，停止预热方案。
Test 01-25-07 low gas flow), 按“load1.11 选择生产工艺方案:点击工艺腔，选择工艺方案 ((加载)”再按“start(开始)”，待显示，工艺正在运行时，在传输台上放上预热过的载板。
(备注:开始工艺时，Test 01-25-07 low gas flow 下显示为:“等待温度达到设定值”------ “打开特气”------“打开微波源”------“工艺正在运行” )1.12 当硅片全部放入石墨框里的时候，同时按下传送台上的黑色按钮，石墨筐进入腔里进行镀膜。
PECVD岗位说明书
将硅片与舟很好的接触； 5.5.5 工艺运行，发生报警现象，立即通知设备人员，不要私自处理； 5.5.6 各线小车不可以通用，以免造成撞舟； 5.5.7 注意工艺圆点大小，工艺圆点尺寸大于 1.6mm 则停止使用该舟，记录并通知设备
5.2.8 插满一面后，将吸笔挂好，双手按住小推车把手，缓慢用力将舟放平,右手扶住小车底部，
缓慢转动小推车台面，将舟旋转 180 度，然后双手按住小车把手将舟倾斜 40 度，将另一面 插满，其间手不得接触硅片；
文件名称
PECVD 岗位作业指导书
文号： 版别： 页次： 4 / 11
5.2.9 片子插完后，双手按住小车把手将舟放平； 5.2.10 对石墨舟内片子进行确认，检查硅片是否与舟璧贴合，有无漏等现象； 5.2.11 确认电极孔的完好，无异物，同时确认电极孔的一端朝向炉内放置
b.冷却水压力、压差、流量、温度确认，真空泵工作状态确认；
c.自动上料机械臂状态确认，能否正常上下舟；
d.确认机器是否有其它报警现象；
e.作业环境洁净度要求：10 万级 温度：21~25 度 湿度 45--55%； f.发现报警等异常及时反馈给设备； 5.1.4 5S 及岗位工艺卫生: a.正确配戴好、口罩、手套， 每班上班后立即清理岗位现场及设备卫生，以保证车间的洁净度； b.禁止直接用手接触硅片或石英吸笔头，取出四盒后放于插片台，其他硅片应全部放在洁净柜
5.2.5 将放置有石墨舟的小推车缓慢推入净化工作台，注意小推车和石墨舟勿与工作台撞击;
文件名称
PECVD 岗位作业指导书
文号： 版别： 页次： 3 / 11
5.2.6 双手按住小推车把手，向下缓慢用力将舟倾斜 40 度，并检查舟的放置是否平稳；
PECVD工艺操作规程
PECVD 工艺操作规程(暂行)车间:电池车间编制:审核:审定:批准:时间:2010年7月5日为更好地保证PECVD镀膜的生产正常进行,稳定生产工艺,提高PECVD工序产品质量,进一步保证电池产品性能,特制定本作业指导书,以使操作人员的工艺操作有章可循,规范统一,同时,为新员工的上岗培训提供教材参考。
一、工艺目的二、使用范围三、责任四、设备及工具五、材料与工艺气体六、工艺描述1、工艺原理2、工艺条件3、工艺方案七、工艺准备1、工艺洁净准备2、设备准备3、原材料准备4、工装工具准备八、工艺操作1、工艺循环2、装载3、卸载九、测试膜厚及折射率十、安全、规范操作十一、记录及转交附1 椭偏仪操作规程PECVD工艺操作规程一、工艺目的：在硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜二、适用范围电池车间PECVD工序OTB设备三、责任本工艺操作规程由工艺工程师负责四、设备及工具OTB设备、石墨舟、高温隔热手套、PVC手套、口罩、镊子、不锈钢桌架、椭偏仪、机械手五、材料与工艺气体湿法刻蚀后合格的多晶硅片、硅烷、氨气\氩气、氮气、压缩空气。
六、工艺描述1、工艺原理6.1工艺原理本工艺过程是利用稳定持续的氩气氛围的直流电弧放电，氩轰击硅烷（SiH4)和氨气（NH3）将其激发为等离子体状态，Si原子与N原子以一定的比例沉积到硅片表面形成一层氮化硅（Si3N4）薄膜，起到减反射和钝化的作用。
反应如下：3SiH4+ 4NH3====Si3N4+12H2↑实际上生成物并不是完全的氮化硅（Si3N4），其中还有一定比例的氢原子（H），所以严格的分子式应为SixNyHz2、工艺条件冷却水压强为0.4-0.6MPa，氮气压强为5-7 bar,压缩空气压强4-6 bar，硅烷压强为40psi，氨气压强为40psi，温度400℃。
PSI表示磅每平方英寸。
七、工艺准备1、工艺洁净管理操作时戴洁净的手套、口罩，并且保证每班清理现场及设备卫生，以保证车间的洁净度。
PECVD工艺原理及操作
报告人:
15
镀膜工艺流程
16. fill tube with N2 充氮 17. move in paddle – lower position
桨在低位进入管内
18. SLS moving to upper position SLS移到高位 19. unloading boat 退舟
设备结构
冷却系统：
工艺部
报告人:
28
设备结构
特气柜：MFC 气动阀 • MFC：气体流量计（NH3、 SiH4 、O2 、 N2）
• 1
气动阀：之所以不用电磁阀是因为电磁阀在工作时容易 产生火花，而气动阀可以最大程度的避免火花。
工艺部
报告人:
29
设备结构
真空系统 真空泵 蝶阀 •真空泵：每一根石英管配臵一组泵，包 括主泵和辅助泵。 •蝶阀： 可以根据要求控制阀门的开关 的大小，来调节管内气压的 高低
注意事项：要保持放片时的声音最小，减小对硅片的碰撞而产生的损伤。
工艺部
报告人:
34
基本操作_板P
4、检查：装满一框后左手轻轻拍打石墨框（以检查石墨框内硅片是否装 好），观察框内硅片是否自由活动。确认后按下装载按钮，轻推石墨框进入 设备。 5、卸片: 左手拿吸笔轻放于硅片上，把硅片竖立从石墨框中吸出，转动吸笔 使硅片正面向内接近石墨框并与之成45度角。同时吸盘接近吸住吸笔放开， 吸盘与硅片上边成45度，抬起吸盘，让硅片两边对准黑篮两边齿缝平行装入 其中，注意一定要装到底，才能松开吸盘。 注意事项：一定要时刻关注镀膜片的颜色是否正常，如有异常，及时反馈给 工艺；卸片过程中切忌用手触摸镀膜面。
目录
一．基本原理
二．工艺流程 三．设备结构
PECVD说明书
本说明书内容--------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2 1.1 PECVD 设备的特点--------------------------------------------------------------------------------------------- 2 1.2 PECVD 设备的主要用途--------------------------------------------------------------------------------------- 2 1.3 PECVD 设备的品种规格--------------------------------------------------------------------------------------- 2 1.4 型号的组成及其意义 ------------------------------------------------------------------------------------------ 3 1.5 使用环境及工作条件 ------------------------------------------------------------------------------------------ 3 1.6 对环境及能源的影响 ------------------------------------------------------------------------------------------- 3 1.7 安全
PECVD作业指导书
PECVD作业指导书PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）被广泛应用于半导体、微电子和涂层行业，用于制备高品质的薄膜材料。
本文将介绍PECVD的基本原理，工作过程以及在不同领域的应用。
一、基本原理PECVD是一种基于化学气相沉积的薄膜制备技术，其核心原理是利用等离子体激活气体分子，在较低的温度下生成和沉积薄膜。
其主要步骤包括气体进样、气体激活、离子束加速和沉积薄膜。
通常，PECVD系统由真空室、进气系统、高频发生器和沉积室等部分组成。
二、工作过程1. 气体进样：待沉积的薄膜材料会以气体形式通过进气系统输入到PECVD系统中。
常用的气体包括硅烷、氨气、二甲基酮等。
2. 气体激活：高频发生器产生的高频电场作用下，原质子分解为阳极、阴极和自由电子，形成等离子体。
等离子体释放出的电子和原子之间发生碰撞，激活气体分子。
3. 离子束加速：在等离子体激活气体的作用下，离子在电场的作用下被加速，形成离子束。
离子束的能量和速度决定了薄膜生长的速度和质量。
4. 沉积薄膜：离子束撞击基片表面，使原子重新排列并沉积在基片上，形成薄膜。
具体沉积过程中，离子以电子作为中间体，通过吸附、解离和重组等反应形成化学键。
三、应用领域1. 半导体工业：PECVD被广泛应用于半导体器件的制造中。
例如，可以使用PECVD在晶圆上沉积硅氮氧化物作为绝缘层，或者沉积多晶硅用于构建晶体管等。
2. 微电子工业：PECVD可以在平板显示器、光伏电池和传感器等微电子器件的制造过程中发挥重要作用。
例如，PECVD可用于制备SiNx和SiOx薄膜用于光学薄膜和阻隔层。
3. 涂层工业：PECVD还被应用于不同类型的涂层，例如防反射涂层、耐磨涂层和阻隔膜等。
通过控制沉积参数，可以调节薄膜的光学、电学和机械性能，以满足不同的应用需求。
总之，PECVD作为一种重要的化学气相沉积技术，在半导体、微电子和涂层领域发挥着重要作用。
管式PECVD操作规程
管式PECVD操作规程
一、开机
1、打开冷却水（先开出水阀，再开进水阀）、压缩空气、N
2、特气（SiH4、NH3）开关。
将冷却水压力计调至5～6公斤；N2压力计调为2～3bar；特气压力计调为1～2bar；
2、打开设备侧面红色旋转式电源开关，打开位于真空泵正上方的黑色旋钮电源开关，绿色指示灯为开关已打开；
3、打开电脑电源，正常显示为“on line”的状态。
启动触摸屏。
打开相对应的加热开关，和24V电源控制开关；
4、打开CESAR控制开关，检查每根炉管的状态，将炉管温度设置为450℃；
5、待炉管内的温度高于400℃时，即可以进行正常生产。
二、关机
1、降温，确保每根炉管的温度降至100℃以下，将炉管内的压力设置为最小，打开大氮开关，向炉管内充气，当压力大于1000mbar时，关闭大氮阀门；
2、关闭特气阀门，氮气阀门。
关闭真空泵，关闭CESAR；
3、关闭总电源，真空泵电源，冷却水（先关进水阀，再关出水阀）；
4、清理工作场地。
三、注意
1、机械臂运行时严禁开门。
2、设备运行时禁止打开侧面盖板。
3、设备运行时，不要阻挡所有光电感应器，以防误动作。
4、设备运行时禁止接触电控柜中的元器件，避免电击和烫伤。
5、检修、维修设备时必须关闭总电源，冷却设备，防止烫伤。
PECVD SOP
PECVD SOP1．目 的为规范PECVD 操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。
2．适用范围上海超日太阳能科技发展有限公司辖区内的PECVD 淀积车间。
3. 职 责3.1操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。
3.2熟练掌握每道操作步骤。
4．定 义4.1PECVD 间只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。
5. 程 序5.1 开启设备抽风系统电源。
5.2 向设备部确认SiH 4 和NH 3的供气系统及SiH 4燃烧塔已开启。
5.3 打开分气箱中的SiH 4气体的阀门（图1-1）和NH 3气体的阀门，开始向设备供气，调节压力控制阀来控制所需压力（图1-2）。
（图15.3 开启电控柜中PECVD 总电源，开始向设备供电。
5.4打开冰水机电源（图2-1），检查温度控制器的显示温度是否正常（图2-2），打开制冷开关（图2-3），打开冷液泵（图2-4），开始向系统提供冷却水。
（图2）5.5 打开真空泵电源开关（图3）。
（图3）5.6 在各项检查确认无误后整机开始通电，按下“上电开”按钮（图4-1），按下“加热开”按钮（图4-3），炉体开始加热，通过温度控制器的设定温度控制所需要的温度（图4-2），。
在运行过程中报警器鸣叫（图4-4），可能是停水、超温或断偶其中之一，故障解除后即停止鸣叫。
（图4）5.7 待显示温度达到设定温度时即可进行生产，将插满硅片的石墨舟放置在悬臂桨上，双击桌面上的“PECVD 计算机工艺自动控制系统”快捷键，在登陆界面密码框中输入“SA”，即进入控制系统（图5）。
（图5）5.8点击屏幕左上角的“编辑”按钮（图6）来选取工艺执行文件。
（图6）5.9点击“启动”（图7-1）→点击“确定”→点击“自循环”（图7-2）→点击“加锁”（图7-3），系统按程序自动运行。
（图7）5.10 在运行过程中，要时刻观察操作界面各运行参数是否正常，出舟后，稍作冷却，然后将石墨舟取下，放上第二只石墨舟点击“确定”，即可进行第二次循环操作。
PECVD标准作业指导书
PECVD标准作业指导书1. 目的该标准作业指导书旨在指导操作人员正确进行PECVD（等离子增强化学气相沉积）工艺，确保设备的安全和产品的质量。
2. 适用范围本标准作业指导书适用于所有使用PECVD工艺的设备和产品。
3. 安全要求- 在操作PECVD设备时，必须穿戴适当的个人防护装备，包括但不限于安全眼镜、防护手套和工作服。
- 在操作前，需要对设备进行全面的安全检查，确保设备正常运作并且没有安全隐患。
- 禁止在操作时使用不符合要求的物品，以免引起危险或质量问题。
4. 操作步骤- 开机前检查：检查PECVD设备的各个部件是否完好，确保真空泵、气体流控制系统、加热系统等均正常运转。
- 处理前准备：将待处理的衬底清洗干净并放置在PECVD反应腔中。
- 气体处理：根据工艺要求设置气体流量和流程，确保设备内气体的稳定和纯度。
- 处理参数设置：根据要求设置反应腔的温度、压力、沉积时间等参数。
- 处理结束：待沉积结束后，关闭气体供给和真空泵，将处理后的产品取出并进行必要的后续工艺。
5. 质量控制- 在进行PECVD处理前需要进行质量控制样品的测试，确保设备的稳定性和处理的产品质量符合要求。
- 在处理过程中需要定期检测设备的气体流量、温度、压力等参数，发现异常情况及时进行调整。
- 处理结束后，需要对产品进行外观和性能检测，确保产品质量符合要求。
6. 后续处理- 处理结束后，需要将设备做必要的清洁和维护，确保下次操作的安全和质量。
- 如有异常情况发生，需要及时记录并向相关部门汇报，以便进行故障排除和改进。
7. 相关记录- 操作人员应当及时记录每次PECVD处理的工艺参数、产品质量、设备状态、异常情况等，以供后续追溯和分析。
8. 责任分工- 设备操作人员负责具体的操作过程和设备维护，同时要确保操作安全和产品质量。
- 监督员负责监督操作过程，确保操作符合标准作业指导书的要求，并且做好相应记录和报告。
9. 总结本标准作业指导书介绍了PECVD操作的基本要求和步骤，并指导了在操作过程中应注意的安全和质量控制问题。
PECVD(插片)岗位作业指导书
石墨舟、推车、吸笔、承载盒、卸片盒、周转箱。
三、岗位工作流程 下料插满单面台面旋转180度流程卡上记录舟号检查吸笔推车台面倾斜25度抬舟上机 检查 内硅片继续前面动作插满另面整理周转箱检查扩散面检查推车和石墨舟正确佩戴手套、口罩PECVD操作规范2 签收上道流入的硅片。
从传递窗内，接收硅检流入的硅片，确认批次信息，如：批号、来源、数量等。
拒收不合格品；作业指导书先检查石墨舟与推车定位是否吻合、贴近，确认石墨舟是否有裂纹破损，螺母是否有松动；5 插片：）左手拿花篮，扩散面朝上（花篮突出面是扩散面为标志），右手拿吸笔；（2）车台面倾斜25度，硅片放入舟中时，硅片要插在三个工艺点与石墨舟片之间；作业指导书（3）单面插满后，把舟平放然后慢速均匀转动台面180度，继续开始的动作，直到一舟全部插满，）在流程卡上记录石墨舟号作业指导书到位，整理承载盒与周转箱；作业指导书7舟上料：首先确认硅片是否插到位，再确认石墨舟电极朝向，确认舟在浆上的位置；作业指导书8 下班之前清洁责任区域车间六、作业注意事项、有缺陷的舟车、石墨舟立刻隔离，标记清楚，并上报班组长。
、按批号顺序把周转箱放置在在途产品指定位置。
、插片前必须检查吸笔贴膜是否完好。
4、插片前必须确认扩散面，凸出面为扩散面。
5、石墨舟旋转时要避免碰到其它物件。
6、中断片不能直接用手取放。
1、插片时，若发现吸不牢片子，调整吸笔吸气气量，使之达到正常力度。
2、吸笔头发黑，及时更换吸笔套。
3、镀膜后出现大量吸笔印，及时检查吸笔，用酒精清理或更换吸笔套。
浙江东辉新能源科技有限公司生产部。
PECVD操作规程
PECVD操作规程1.目的为规范PECVD操作流程，正确的操作设备、高效的进行生产，特制定本规程。
2.适用范围上海超日太阳能科技发展有限公司辖区内的PECVD淀积车间。
3.职责3.1操作不规范可能引起原材料硅片的损耗，在进行操作之前，务必仔细阅读本规程。
3.2熟练掌握每道操作步骤。
4. 定义4.1PECVD间只负责按规程操作，更改数据需技术部授权。
5. 程序5.1 开启设备抽风系统电源。
5.2 向设备部确认SiH4和NH3的供气系统及SiH4燃烧塔已开启。
5.3 打开分气箱中的SiH4气体的阀门和NH3气体的阀门，开始向设备供气，调节压力控制阀来控制所需压力。
5.3 开启电控柜中PECVD总电源，开始向设备供电。
5.4打开冰水机电源，检查温度控制器的显示温度是否正常，打开制冷开关，打开冷液泵，开始向系统提供冷却水。
5.5 打开真空泵电源开关。
5.5 在各项检查确认无误后整机开始通电，按下“上电开”按钮，按下“加热开”按钮，炉体开始加热，通过温度控制器的设定温度控制所需要的温度，。
在运行过程中报警器鸣叫，可能是停水、超温或断偶其中之一，故障解除后即停止鸣叫。
5.6 待显示温度达到设定温度时即可进行生产，将插满硅片的石墨舟放置在悬臂桨上，双击桌面上的“PECVD计算机工艺自动控制系统”快捷键，在登陆界面密码框中输入“SA”，即进入控制系统。
5.7点击屏幕左上角的“编辑”按钮来选取工艺执行文件。
5.8 点击“启动”→点击“确定”→点击“自循环”→点击“加锁”，系统按程序自动运行。
5.9 在运行过程中，要时刻观察操作界面各运行参数是否正常，出舟后，稍作冷却，然后将石墨舟取下，放上第二只石墨舟点击“确定”，即可进行第二次循环操作。
5.10 操作结束后，先关闭特气供气阀门，将空的石墨舟送入炉体内，炉内抽至真空。
5.11 关机时先按下“加热关”按钮，退出“PECVD计算机工艺自动控制系统”界面，关闭真空泵，等显示温度低于250℃时方可关闭冷却循环水,最后按下“上电关”按钮，切断总电源。
PECVD操作规程
一、目的规范设备操作保证产品质量，防止错误操作造成人身安全、产品质量和设备安全等不良后果特制定此规程。
二、范围本规程规定了M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备。
ADS602H真空泵及高频仪的操作方法、工艺要求及注意事项。
本规程适用于M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备。
ADS602H真空泵及高频仪设备的运行和产品判定。
三、工具石墨舟，石英吸笔，石墨舟钩子，万用表，承载盒，海绵垫，硅片托垫，手电筒，石英吸笔吸盘垫片。
四、设备M8Z200-3UM卧式等离子增强化学气相淀积设备五、原辅材料硅片，硅烷、氨气，氮气，酒精，棉布手套，乳胶手套六、操作要求准备工作1、上班时穿好防静电净化服，工作鞋，按要求戴好口罩，棉布手套和乳胶手套。
2、接班时要确认上个班及当前运行工艺、设备状况、片源等有利于当班正常生产的各种信息。
3、准备A.准备拿片（拿放石墨舟和硅片应轻拿轻放，防止碰撞，不能裸手操作以防污染）。
B.将石墨舟工作台将装片工作台拉至平面并用专用钩子提到工作台上，石墨舟脚必须卡到两侧定位硅胶棒外。
C.打开石英吸管所用压缩空气,调至适用压力。
D.检查石英吸管吸盘垫片是否污染,如污染应更换。
E.从传递窗中拿出工艺流程卡核对数目是否相符, 若不相符应与上一道工序协调。
F.边缘一排轻轻往内推一点，拿住装片花蓝边缘，慢慢取出放到手推车上，拿完一批后将空花蓝整齐放入传递窗中关掉传递窗。
取片时应注意防止与相邻花蓝擦刮造成跌落。
G.双手将手推车轻推至装片工作台旁，将装有硅片的花蓝放到准备插片的石墨舟旁。
4、装片A. 装片前用手扶住石墨舟上将装片工作台倾斜至自身装片方向。
B. 插片时注意花蓝开口方向为扩散面，片掉落不清楚时可用万用表欧姆档测试两面电阻，电阻值小的一面为扩散面。
C. 左手轻轻托起花蓝底部，右手拿住石英吸笔用食指或拇指压住吸笔控制孔，吸盘靠住硅片扩散面，将硅片从花蓝中取出，检查表面，有绒面不良的应返工。
pecvd作业流程标准
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PECVD生产操作规程
82024/2/8
Figure 12: Gas system
92024/2/8
02024/2/8
12024/2/8
22024/2/8
32024/2/8
42024/2/8
52024/2/8
62024/2/8
02024/2/8
5.1 停止工艺运行
鼠标点击“control”按 钮，弹出下拉菜单
点击工艺“stop”按钮 点击传动“stop”按钮
12024/2/8
5.2 关墙壁气箱中特气阀，特气 管路吹扫
关上位于墙壁气箱中特气阀
通知经过培训的设备人员进行特气管路 吹扫
22024/2/8
5.3 关掉真空泵，向腔体冲入 N2
进入“system”状态画面，点击“pumps”控 制按钮，弹出下拉菜单
等待真空泵净化N2气阀关闭 点击三个真 空泵“pump off”控制按钮关掉
真空泵 点击反应腔“vent”控制按钮,向机器腔体冲
入净化N2，等待冲好指示灯点亮
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5.4 退出控制程序，关主电源
进入“service”状态画面，点 击系统中“switch off”控制按 钮，计算机显示回到win-nt 画面
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4.1 开真空泵，预加热
检查机器无故障显示后，开 真空泵
加热腔和反应腔预加热 当反应腔真空压力小于
1.0e-2mbar,温度达到预设 定的值，方可启动工艺
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4.2 启动指定工艺
打开墙壁气箱中特气阀 点击“control”控制按钮，“
technology ”框中选择规定 的工艺单后，加载“ load ”, 启动工艺“ start ”，在“ transp-ortation ”框启动传动
PECVD操作规程1
PECVD设备操作作业指导书1.目的确保一次PECVD设备处于良好的运行状态。
2.适用范围PECVD设备操作及保养。
3.参考设备管理程序。
4.责任本规程由设备及工艺工程师负责制定，生产部PECVD员工负责日常的生产操作。
5 内容5.1操作顺序开机前确认水、电、气正常，具体解释为：水：冷却循环水压力（压差）达到0.2~0.4Mpa，电：符合说明书中设备规定的标准；气：包括氮气、硅烷、氨气、压缩空气；开启硅烷瓶阀门，检查压力表低压端压力指示处于0.1~0.2Mpa；开启氨气瓶阀门，检查压力表低压端压力指示处于0.4~0.5Mpa；开启气源柜内硅烷和氨气阀门；对于氮气和压缩空气，由于在设备停机后并不关闭，只要检查压力正常即可，氮气压力为0.2~0.3Mpa，压缩空气为0.5Mpa。
检查正常后可以合上墙上总电源。
注意此时设备部分地方已经带电，请注意安全。
5.2非连续性生产5.2.1按下控制面板的“上电开”按钮，计算机将自动启动；按下“加热开”按钮；5.2.2进入计算机的控制系统，并处于手动模式，将反应管内充氮至常压，打开炉门，检查反应管内有无石墨舟，如果有则必须执行一次“取片”动作，将推舟系统下沉至“升降舟下位”，然后进入自动界面跳转至“取片”步；如果反应管内没有石墨舟，则仍然要对推舟系统进行复位（升降舟中位和上位由旋转编码器定位，无断电保持功能），将推舟系统下沉至“升降舟下位”，在上升至“升降舟上位”，待石墨舟放上推舟杆后进入自动界面，跳转至“送片”，程序将执行正常的工艺步奏。
在运行的过程中应该注意每一步运行是否正常，正常的基本标准是：1慢抽步，主要确认炉门关闭良好，炉口无明显的漏气声音。
慢抽时间约三分钟后压力低于900Pa；主抽步，显示屏上“真空”灯变绿，两分钟后压力低于10Pa；恒温步，同主抽步；恒压步，压力低于300Pa，氨气阀打开，硅烷阀打开，主抽打开；淀积步，高频打开，其它同恒压，注意辉光稳定；抽空步，主抽和慢抽打开；清洗充氮步，充氮阀打开，主抽和满抽打开；充氮步，主抽和慢抽关闭，充氮阀打开，约1.5分钟常压灯亮；取片步，常压灯亮，注意推舟系统全过程，注意石墨舟和石英管的安全性；送片步，常压灯亮，注意推舟系统的全过5.3连续性生产：5.3.1按下控制面板的“上电开”按钮，计算机将自动启动；按下“加热开”按钮；5.3.2保证石英管内无石墨舟，将石墨舟放上后启动自动运行程序，并选择自循环方式，跳转至送片步即可。
PECVD软件操作手册
检验栏就像开关一样，选中该功能就在检验栏后打勾 ，不选中该功能就在检验栏后空白 。 用鼠标左键点击选框来打开或关闭该功能 重复按 Tab 键直到检验栏选框颜色变亮，然后按 Space 键以打开或关闭该功能
2.3 输入和输出框 输入和输出框是方形的窗口专供输入和输出文字和数字（比如，手动操作模式下设置点，或为程序输入参 数）。输入框为白底色，输出框为彩色底色，它们具有多种功能。
消息回馈ID 91 92 93 94 95 96 97 98
1.2.2 软件
控制和操作电脑的系统选择的是英文版的Windows NT工作站4.0版带Service Pack 6a。 向量模拟NT（VAC NT）系统3.0版本的图像系统 所有数据均可图像可视化，设置点，工艺状况和用户输入 通过键盘和触摸板应用菜单控制工艺过程 选择功能的手工操作
1 介绍 1.1 应用和使用
“SiNA”是一套用于控制表面涂覆系统的控制系统，该系统通过 5 个工艺仓来起到工艺流的控制功能。以 下所列出的就是对该系统的功能的大概介绍。 完全以图像形式反映系统的平面布置和目前工艺的顺序，同时还显示所有的设备状况指数和工艺条
件。 完全图像化的趋势功能，以当前的数值作为工艺趋势的依据 批处理模式的数据记录 安全功能：操作者登录和操作者管理 以下所列的操作模式：
用参数控制的自动操作 数据库控制和程序管理 事件控制消息纪录 工艺操作过程中记录工艺方案 诊断功能（I/O列表）
1.3 主要部件的安装指南 SIMATIC外围设备的安装方法请参见系统操作手册中“本地外围设备ET200M”章节中的描述，（定购编 号：6ES7 153-1AA01-8AA0）。 SINEC-L2的连接必须按照操作手册“CP5613”中的技术描述和安装指南。
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PECVD（48所）操作规程
1.打开各路气体阀门。
包括氮气，CDA以及反应特气。
注意：打开反应特气（硅烷、氨气）时候须小心。
2.打开冷却水管的开关。
先打开出水管，后打开进水管。
即先打开
上面4条水管，后打开下面4条水管。
切记顺序不能反，并且注意真空泵组以及设备有无水报警，检查水压。
3.打开电源总开关（在扩散车间），PECVD三相电源指示灯亮。
4.按下控制柜电源“上电”按纽，开启电脑。
5.手动设置工艺温度，然后按下加热“上电”开关，开始加热。
6.戴上工艺要求的手套开始将准备好的硅片放在石墨舟上，然后调
整，使片子紧贴石墨舟。
7.待温度升至工艺要求的温度后，把石墨舟放在悬臂杆上.
8.进入“PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0”程序，在“手
动”模式下，将悬臂杆降至“下位”归零，然后上升至“上位”
单击“工艺编辑”，然后在“工艺编辑”窗口中选择工艺程序文件，将工艺程序各步参数下载到工艺运行缓冲区中。
9.在主窗口中单击“系统图”图标，进入“系统图”窗口。
单
击“系统图”窗口工具栏中的“启动”图标，计算机会给出一些提示，逐条检查每一条提示，然后“确定”，即开始工艺运行。
10. 单击“系统图”窗口工具栏中的“自循环”图标。
保证工
艺运行到最后一步时间耗尽时，会自动跳转到第1步继续执行，而不会中止工艺运行。
11. 在悬臂杆将石墨舟推入石英管的过程中，密切注意悬臂杆与石墨
舟是否会撞到石英管。
并从炉尾处的小窗口观察，高频电源电极和石墨舟电极是否接触良好；悬臂杆后退时候，从炉口观察，是否会把石墨舟带出。
12. 工艺运行中…….，操作员工可准备其它石墨舟的上片工作。
13. 工艺运行至“取片”步，悬臂杆将石墨舟退出来以后，整个工艺
运行完毕，计算机会给出一个提示。
将其它上好片子的石墨舟放在悬臂杆上后，单击“确定”即进入下一个工艺循环。
14. 生产结束后，在“手动”模式下关掉炉门，关闭罗茨泵。
按下加
热“关”，退出PECVD设备计算机工艺自动控制系统V3.0，关闭电脑，但是不要断掉控制柜的电源。
15. 关闭各路气体阀门。
16. 注意观察控制柜温控仪实际温度读数，待温度降至200度以下方
可关闭控制柜电源以及冷却水的开关（先关闭进水管即下面4条水管，后关闭出水管即上面4条水管）
17. 关闭总电源。