二极管参数符号解释

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管的结构及符号

二极管的结构及符号二极管（Diode）是一种最简单的半导体器件，它由P型半导体和N型半导体组成。

其结构一般可以分为结型二极管和功率二极管两种。

结型二极管的结构是P型半导体和N型半导体直接连接而成。

在过渡层，即P区和N区共同形成一个p-n结。

P区和N区之间为过渡层（即p-n结）。

该结构常用于一般用途的低功率电子元件中。

结型二极管的符号如下：P N──►┼─►┼─►┼─►┼─►Anode CathodeP型半导体被称为阳极（Anode），N型半导体被称为阴极（Cathode），箭头的方向表示电流的流向，即从阳极到阴极流动。

结型二极管可以理解为一种电流方向只允许单向流动的电阀，它只能在阳极到阴极方向上导通，当反向电压加到二极管上时，它将处于截止状态。

功率二极管是一种结构相对较为复杂的二极管，其主要特点是具有高压、大电流、高频率的特点。

功率二极管的结构是在结型二极管的基础上加入了内部层接触电极，使得正向电流能够更加容易地流动。

功率二极管的符号如下：│──────────────┼───►┼───►┼────┼│ C K其中，C和K分别代表控制端（Control）和阴极端（Cathode）。

与结型二极管不同的是，功率二极管在符号上加入了附加的箭头表示控制电流的方向。

功率二极管可广泛应用于电源、开关电路等高功率领域。

除了上述两种常见的二极管结构外，还有许多其他类型的特殊结构的二极管，以满足不同领域应用的需求。

例如，肖特基二极管由金属和半导体部分组成，具有高电压、大电流的特点，适用于高频电路的检波和混频电路等。

锗二极管是早期使用的一种材料，但由于其耐压能力和稳定性较差，现已被硅二极管所取代。

总结一下，二极管是一种由P型半导体和N型半导体组成的半导体器件。

结型二极管和功率二极管是两种常见的结构，其符号中P和N分别代表P型和N型半导体，通过箭头的方向指示电流的流动方向。

二极管在电子领域具有广泛的应用，不同类型的二极管可用于不同的场合，满足不同的需求。

各种二极管符号及作用

各种二极管符号及作用二极管是一种常见的电子器件，广泛应用于电路中。

它具有电流只能单向通过的特性，常用于整流、检波、稳压、开关等电路中。

下面将详细介绍各种二极管的符号及作用。

1.正向导通二极管（正向二极管）：正向导通二极管的符号为一个三角箭头指向一条直线。

它由P型半导体和N型半导体组成，P区称为阳极，N区称为阴极。

当外加正向电压时，两个半导体之间的势垒会被压低或消除，形成导电通道，电流可以顺利通过。

所以正向导通二极管主要用作整流器、放大器等电路中。

2.反向截止二极管（反向二极管）：反向截止二极管的符号为一个三角箭头指向一条直线，并且箭头与直线相连。

它同样由P型半导体和N型半导体组成，但是当外加反向电压时，两个半导体之间的势垒会增大，阻断电流流动。

所以反向截止二极管主要用作保护电路中的组件，防止过电压损坏其他器件。

3.发光二极管（LED）：发光二极管的符号与正向导通二极管相似，但在箭头顶部加了两条斜线，表示发光。

发光二极管在正向导通时会发出可见光或红外线，常用于指示灯、显示屏、数码管等场景中。

4. 齐纳二极管（Zener二极管）：齐纳二极管的符号与正向导通二极管相似，但在箭头上加了一个斜杠。

齐纳二极管是一种特殊的二极管，主要用于稳压电路中。

当反向电压达到其中一特定电压值时，齐纳二极管会出现反向击穿现象，即通过漏电流来维持固定电压输出。

因此，齐纳二极管可以用来实现稳定的电压源。

5. Schottky二极管：Schottky二极管的符号与正向导通二极管相似，但箭头底部加了一个横线。

Schottky二极管由金属与半导体的接触形成，具有快速开关速度和低导通压降的特性。

它广泛应用于高速开关电路、电源转换器、射频调制解调器等场景中。

6.多层结二极管（TPD）：多层结二极管的符号使用两个三角箭头，一个指向上方，一个指向下方，两个三角箭头之间有一个横线连接。

多层结二极管由多个PN结级联而成，可以在高电压条件下工作。

二极管标准符号

二极管标准符号二极管（Diode）是一种非线性电子元件，通常用于电子电路中的整流、调制、开关等功能。

为了方便人们理解和识别二极管，国际电工委员会（IEC）制定了二极管的标准符号。

本文将详细介绍二极管的标准符号及其含义。

1. 二极管的基本结构和工作原理二极管由一个正极（阳极）和一个负极（阴极）两个端子构成。

它的基本结构由P型和N型半导体材料组成，形成PN结。

当二极管处于正向偏置时，电流能够流通；而在反向偏置时，电流无法流通。

这种特性使二极管成为电流仅能单向通过的元器件。

2. 二极管的标准符号及其含义二极管的标准符号如下所示：|-----|>-----其中，“|”表示阴极，箭头“|>”表示阳极。

这个符号简洁明了，清晰地表示了二极管的结构和性质。

3. 针对不同类型的二极管的标准符号虽然标准符号适用于大多数普通二极管，但在实际应用中，根据二极管的类型和功能，还有一些特殊的标准符号。

下面是几种常见的二极管及其特殊标准符号：3.1 肖特基二极管（Schottky Diode）肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关和低失真的特点。

其标准符号如下所示：|--|↓|--|>--这里的“↓”表示金属与P型半导体的接触点。

3.2 发光二极管（Light Emitting Diode，简称LED）发光二极管是一种将电能转换为光能的二极管。

其标准符号如下所示：|-----|>-----↑光这个符号中的箭头上面添加了一个小的垂直线段，表示发光二极管的光输出。

3.3 可变电容二极管（Varactor Diode）可变电容二极管是一种可以通过改变电场来改变其电容值的二极管。

其标准符号如下所示：|----|◎|---↑可变“◎”表示可变电容二极管的可变电容效果。

4. 结论通过本文的介绍，我们了解了二极管的标准符号及其含义。

这些标准符号可以帮助工程师和电子爱好者更容易地识别和理解二极管的类型和功能。

半导体二极管参数符号及其意义

半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值）,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流;硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体二极管参数符号及其意义

半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管参数符号及意义

CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流(反向浪涌电流)Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流(反向测试电流)。

二极管符号及参数

二极管符号及参数二极管是一种最基本的电子元件，也是半导体器件中最简单的一种。

它是由半导体材料制成的，其特点是只能允许电流在一个方向上通过。

在电气电子领域中，二极管广泛应用于电源、放大器、整流器、翻转器和波形整形等电路中。

二极管的符号通常用一个三角形和一条直线表示。

其中，直线代表二极管的P端，对应于正极，而三角形代表二极管的N端，对应于负极。

直线上方有一个箭头，它表示二极管的导通方向，即电流的流动方向，也就是正向偏置方向。

箭头指向直线端口时，代表正向导通；箭头指向三角形端口时，代表反向截止。

这种符号常见于各种电路图中，用以表示二极管在电路中的位置和方向。

二极管的参数有很多，以下是其中一些重要的参数解释：1.正向电压降（Vf）：正向电压降是指在二极管正向导通时，两端的电压降。

正常情况下，二极管导通后，其电压降一般在0.6V至0.7V之间，这个电压也被称为二极管的开启电压。

不同类型的二极管，其正向电压降可能会有所不同。

2. 反向击穿电压（Vbr）：反向击穿电压是指二极管在反向电压作用下，达到截止状态的最大电压。

如果反向电压大于击穿电压，二极管将发生击穿，电流会急剧增大。

3.正向电流（If）：正向电流是指在正向电压下，通过二极管的电流大小。

在正向导通状态下，二极管可以允许电流通过，其大小取决于电压和二极管的电流-电压关系。

4.反向电流（Ir）：反向电流是指在反向电压下，通过二极管的电流大小。

在正常情况下，二极管在反向电压下应该截止，也就是反向电流应该非常小，接近于零。

除了以上几个参数外，还有一些其他重要的参数，如最大功耗（Pd），频率响应特性（fr）、响应时间（trr）等。

这些参数对于特定应用场景下的二极管选择和设计都非常重要。

总结起来，二极管是一种具有单向导通特性的电子元件。

它的符号简单明了，通常由一个三角形和一条直线组成。

而其参数则包括正向电压降、反向击穿电压、正向电流和反向电流等。

二极管符号大全

二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管参数对照表

功耗
P
二极管所消耗的功率，通常以瓦特（W）为单位表示。
最大工作温度
Tmax
二极管能够安全工作的最高温度。
包装类型
-
二极管的封装形式，例如表面贴装（SMD）封装或插针封装。
请注意，不同类型的二极管（如普通二极管、肖特基二极管、Zener二极管等）具有不同的参数和特性，因此具体的二极管参数对照表可能会根据不同类型的二极管而有所不同。在实际应用中，您可以参考具体的二极管数据手册或供应商提供的规格表，以获取更详细和准确的二极管参数信息。
二极管参数对照表
以下是二极管常见参数对照表的示例，其中列出了常用的二极管参数及其相应的符号表示和解释：
参数
符号
解释
正向电压
VF
当二极管正向导通时，通过二极管的电压降。通常以毫伏（mV）为单位表示。
反向电压
VR
当二极管反向施加电压时，二极管能够承受的最大电压。通常以伏特（V）为单位表示。
正向电流
IF
当二极管正向导通时，通过二极管的电流。通常以毫安（mA）为单位表示。
反向电流
IR
当二极管反向施加电压时，通过二极管的反向电流。通常以微安（μA）为单位表示。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ饱和电压
Vsat
当二极管正向导通时，电流达到最大值，进一步增加正向电压也无法增加电流的电压值。

二极管物理符号

二极管物理符号概述二极管是一种基本的电子元件，具有单向导电性，只允许电流从一个方向流过。

二极管的物理符号用于表示二极管的结构和类型。

以下是二极管物理符号的详细解释：1.阳极（A）阳极是二极管的正极，是电流输入的端子。

在电路图中，阳极通常用字母A表示。

2.阴极（K）阴极是二极管的负极，是电流输出的端子。

在电路图中，阴极通常用字母K表示。

3.箭头（-->）箭头表示电流的方向。

在二极管符号中，箭头指向阳极，表示电流只能从阳极流向阴极。

4.极性标记（P/N）二极管分为正极和负极，电路图中通常用P表示正极，用N表示负极。

5.结型标记（J）结型二极管是一种常见的二极管类型，其特点是电流-电压特性曲线比较陡峭。

在电路图中，结型二极管通常用字母J表示。

6.温度系数标记（T）温度系数是衡量二极管温度稳定性的指标。

在电路图中，温度系数低的二极管通常用字母T表示。

7.肖特基标记（S）肖特基二极管是一种高速、低功耗的二极管类型。

在电路图中，肖特基二极管通常用字母S表示。

8.快恢复标记（FR）快恢复二极管是一种具有快速恢复特性的二极管类型。

在电路图中，快恢复二极管通常用字母FR表示。

9.高压标记（HV）高压二极管适用于高电压应用场景。

在电路图中，高压二极管通常用字母HV表示。

10.稳压标记（Z）稳压二极管是一种用于稳压电路的二极管类型。

在电路图中，稳压二极管通常用字母Z表示。

11.整流标记（D）整流二极管用于整流电路，将交流电转换为直流电。

在电路图中，整流二极管通常用字母D表示。

12.发光二极管标记（LED）发光二极管是一种能够发光的半导体器件，常用于信号指示和照明等应用。

在电路图中，发光二极管通常用字母LED表示。

二极管半导体符号及意义

Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
Cre---共发射极反馈电容
Cic---集电结势垒电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cp---并联电容（外电路参数）
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 D---占空比
Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流； IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲 IH---恒定电流、维持电流。

二极管参数符号及意义

CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT—--势垒电容Cj—-—结(极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv—-—偏压结电容Co——-零偏压电容Cjo—--零偏压结电容Cjo/Cjn—-—结电容变化Cs———管壳电容或封装电容Ct———总电容CTV—-—电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC———电容温度系数Cvn--—标称电容IF-—-正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流;硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值）,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV)———正向平均电流IFM(IM）———正向峰值电流（正向最大电流).在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii--—发光二极管起辉电流IFRM———正向重复峰值电流IFSM———正向不重复峰值电流（浪涌电流) Io——-整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF（ov)--—正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID———暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM——-发射极峰值电流IEB10-—-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20———双基极单结晶体管中发射极向电流ICM——-最大输出平均电流IFMP-——正向脉冲电流IP-—-峰点电流IV———谷点电流IGT-—-晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)-—-反向平均电流IR(In）--—反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时,给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管符号大全

二极管符号大全CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

半导体二极管参数符号及其意义

半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

二极管符大全

二极管符大全内部编号：（YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128）二极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全图二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFTAV---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率;硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率;在给定使用条件下,稳压二极管允许承受的最大功率RFr---正向微分电阻;在正向导通时,电流随电压指数的增加,呈现明显的非线性特性;在某一正向电压下,电压增加微小量△V,正向电流相应增加△I,则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rsrs----串联电阻Rth----热阻Rthja----结到环境的热阻Rzru---动态电阻Rthjc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻rth---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降正向峰值电压VF---正向压降正向直流电压△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VFAV---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压反向直流电压VRM---反向峰值电压最高测试电压VBR---击穿电压Vth---阀电压门限电压VRRM---反向重复峰值电压反向浪涌电压VRWM---反向工作峰值电压Vv---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压信号电压或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压稳流二极管VL---极限电压CT---势垒电容Cj---结极间电容,表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数;在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流正向测试电流;锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流；硅整流管;硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流平均值,硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IFAV---正向平均电流IFMIM---正向峰值电流正向最大电流;在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流;发光二极管极限电流;IH---恒定电流;维持电流;Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流浪涌电流Io---整流电流;在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IFov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IRAV---反向平均电流IRIn---反向直流电流反向漏电流;在测反向特性时,给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中,加反向电压规定值时,所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下,产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流;IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流反向浪涌电流Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流反向测试电流;测试反向电参数时,给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向整流电流;在规定条件下,能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流;在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值品质因素δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率。

二极管物理符号

二极管物理符号摘要：1.二极管的基本概念2.二极管的物理符号3.二极管的分类及应用4.二极管的性能参数5.二极管的符号在电路中的作用正文：一、二极管的基本概念二极管（Diode）是一种最基本的电子元件，它具有两个电极，分别称为“正极”（Anode）和“负极”（Cathode）。

二极管在电子设备中有着广泛的应用，如整流、稳压、调制、开关等。

二、二极管的物理符号1.符号表示二极管的物理符号为一个直角三角形，其中一条直角边表示正极，另一条直角边表示负极。

三角形的高表示二极管的导通电压。

2.符号含义在二极管的符号中，箭头指向三角形的高，表示二极管的导通方向。

当二极管正向导通时，电流从正极流入，负极流出；当二极管反向截止时，电流几乎不流动。

三、二极管的分类及应用1.分类根据半导体材料、结构和工作原理的不同，二极管可分为以下几类：（1）硅整流二极管（Silicon Rectifier Diode，SRD）（2）锗整流二极管（Germanium Rectifier Diode，GRD）（3）快速恢复二极管（Fast Recovery Diode，FRD）（4）超快速恢复二极管（Ultra Fast Recovery Diode，UFRD）（5）肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）2.应用（1）整流：将交流电转换为直流电（2）稳压：利用二极管的导通电压与电流之间的关系，实现稳定输出电压（3）调制：在无线电通信中，用于调整载波信号的幅度或相位（4）开关：在数字电路中，实现逻辑门的控制四、二极管的性能参数1.正向压降（Forward Voltage，Vf）2.反向漏电流（Reverse Leakage Current，Ir）3.额定电流（Rated Current，Io）4.最高工作温度（Maximum Operating Temperature，Tm）5.寿命（寿命，Ty）五、二极管的符号在电路中的作用1.识别元件在电路图中，二极管的符号有助于识别和区分不同类型的二极管。

二极管及三极管电路符号大全

二极管及三极管符号大全【图】二极管符号参数二极管符号意义CT---势垒电容Cj---结(极间)电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流(正向测试电流)。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管。

硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF(AV)---正向平均电流IFM(IM)---正向峰值电流(正向最大电流)。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流。

维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流)Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR(AV)---反向平均电流IR(In)---反向直流电流(反向漏电流)。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。