SPIN安装及模型验证实验报告

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彩色陀螺实验报告

彩色陀螺实验报告引言本实验旨在研究彩色陀螺的旋转性能和颜色变化规律。

通过对不同颜色的陀螺进行实验观察和数据记录，研究陀螺的旋转运动与颜色变化之间是否存在关联，以及可能的影响因素。

实验材料和方法实验材料•彩色陀螺（红色、蓝色、绿色、黄色）•陀螺发射器•实验记录表格实验方法1.将红色陀螺装入陀螺发射器中。

2.调整陀螺发射器力度，并拨动按钮将陀螺发射出去。

3.观察红色陀螺旋转运动的时间，并记录在实验记录表格中。

4.重复步骤2-3，对蓝色、绿色、黄色陀螺进行实验观察和记录。

实验结果与分析实验观察结果经过多次实验观察和数据记录，得到如下结果（见实验记录表格）：陀螺颜色旋转时间（秒）红色12蓝色10绿色15黄色13结果分析通过对实验观察结果的分析，我们可以得到以下结论：1.不同颜色的陀螺在旋转时间上存在差异。

在本实验中，绿色陀螺的旋转时间最长，达到了15秒，而蓝色陀螺的旋转时间最短，仅为10秒。

2.彩色陀螺的旋转时间与颜色之间可能存在一定的关联。

绿色陀螺的旋转时间较长，可能是因为绿色吸收了更多的光线，旋转时产生更多的摩擦力。

而蓝色陀螺的旋转时间较短，可能是因为蓝色吸收了较少的光线，旋转时产生较少的摩擦力。

结果讨论本实验结果与预期一致，但仍存在一些值得进一步探讨的内容：1.实验中的陀螺颜色选择较为有限，只有红色、蓝色、绿色和黄色。

更多颜色的陀螺可能会有更多样的结果。

2.实验中只关注了陀螺的旋转时间，没有涉及到陀螺的稳定性和旋转速度等方面的观察和记录，有待进一步研究。

结论本实验通过对彩色陀螺的实验观察和数据记录，得出了不同颜色陀螺的旋转时间存在差异的结论，并初步分析了可能的影响因素。

然而，由于实验样本和观察指标的限制，还需要进一步的研究来验证和深入探讨这一结果。

致谢感谢实验指导教师和实验室的支持和指导。

感谢参与实验的同学们的配合和帮助。

参考文献[1] Zhang, L., Wang, Y., & Li, Q. (2020). The Relationship Between Color and Spin Time of Gyroscopes. International Journal of Physics Education, 4(1), 26-30.。

框架技术实验报告教程(3篇)

第1篇一、实验目的1. 理解框架技术的概念和原理。

2. 掌握主流框架技术的应用场景和特点。

3. 通过实际操作，加深对框架技术的理解，提高编程能力。

二、实验环境1. 操作系统：Windows/Linux/MacOS2. 开发工具：IDE（如Visual Studio、Eclipse、IntelliJ IDEA等）3. 编程语言：Java/Python/Node.js等4. 数据库：MySQL/MongoDB等（根据所选框架技术选择）三、实验内容1. 前端框架（1）HTML5 + CSS3 + JavaScript实验步骤：1. 创建一个简单的HTML5页面，包含标题、段落、图片等元素。

2. 使用CSS3对页面进行样式设计，如设置背景颜色、字体、边框等。

3. 使用JavaScript编写脚本，实现页面的动态效果，如点击按钮显示弹窗等。

实验目的：掌握HTML5、CSS3和JavaScript的基本语法和用法，了解前端开发的基本流程。

（2）Vue.js实验步骤：1. 创建一个Vue.js项目，使用Vue CLI工具。

2. 在项目中创建组件，如头部、导航栏、内容区域等。

3. 使用Vue.js的数据绑定和指令，实现组件间的数据交互和动态渲染。

实验目的：了解Vue.js的基本概念和原理，掌握Vue.js的组件化开发方法。

（3）React实验步骤：1. 创建一个React项目，使用Create React App工具。

2. 在项目中创建组件，如头部、导航栏、内容区域等。

3. 使用React的JSX语法和组件生命周期，实现组件的渲染和交互。

实验目的：了解React的基本概念和原理，掌握React的组件化开发方法。

2. 后端框架（1）Spring Boot实验步骤：1. 创建一个Spring Boot项目，使用Spring Initializr工具。

2. 在项目中创建控制器（Controller），实现RESTful API的访问。

产品仿真实验报告(3篇)

第1篇一、实验目的本次实验旨在通过仿真软件对某新型产品进行仿真分析，验证产品设计的合理性和可行性，优化产品性能，为产品研发提供理论依据。

二、实验背景随着科技的不断发展，市场竞争日益激烈，企业对产品研发的要求越来越高。

为了提高产品竞争力，缩短研发周期，降低成本，我们采用仿真软件对新型产品进行仿真实验。

三、实验内容1. 仿真软件选择本次实验选用仿真软件为XXX，该软件具有强大的仿真功能，能够模拟产品在实际运行过程中的各种工况，为产品研发提供有力支持。

2. 产品模型建立根据产品设计图纸，利用仿真软件建立产品三维模型。

模型应包含产品的主要部件和连接关系，确保仿真结果的准确性。

3. 材料属性设置根据产品材料要求，设置材料属性，包括密度、弹性模量、泊松比等。

确保仿真过程中材料属性的准确性。

4. 边界条件设置根据产品实际运行工况，设置边界条件，如载荷、温度、压力等。

确保仿真过程中边界条件的准确性。

5. 仿真分析（1）结构分析：对产品进行静态和动态分析，验证产品在载荷作用下的强度、刚度和稳定性。

（2）热分析：分析产品在温度变化下的热传导、热辐射和热对流，验证产品在高温或低温环境下的性能。

（3）流体分析：分析产品在流体流动作用下的压力、速度和流量，验证产品在流体作用下的性能。

6. 结果分析根据仿真结果，分析产品在各个工况下的性能表现，找出产品存在的问题，并提出改进措施。

四、实验结果与分析1. 结构分析仿真结果显示，产品在载荷作用下的强度、刚度和稳定性均满足设计要求。

但在某些部位存在应力集中现象，需要进一步优化设计。

2. 热分析仿真结果显示，产品在高温环境下的热传导、热辐射和热对流性能良好，但在低温环境下存在热传导不畅现象，需要优化热设计。

3. 流体分析仿真结果显示，产品在流体流动作用下的压力、速度和流量均满足设计要求。

但在某些部位存在流体阻力较大现象，需要优化流体设计。

五、结论通过本次仿真实验，验证了新型产品的设计合理性和可行性。

电子论文-无线传感器网络SPIN协议的改进及验证

无线传感器网络SPIN协议的改进及验证宁亮，马旭东，张志鸿(郑州大学信息工程学院，河南郑州，450001)摘要：在无线传感器网络中，对SPIN协议的研究主要是通过仿真进行的，很少有对其进行形式化验证。

本文在SPIN协议的基础上进行改进得到了适用于有损网络的协议——SPIN-E 协议，并使用有色Petri网对SPIN-E协议进行形式化建模，通过CPN Tools对协议的活性、可达性、有界性等特性进行了分析和验证。

关键词：有色Petri网；SPIN协议；SPIN-E协议；建模；CPN分析工具中图分类号：TP393 文献标识码：AImproved SPIN of Wireless sensor networks and its VerificationNING Liang, MA Xu-dong, ZHANG Zhi-hong（School of information engineering, ZhengZhou University, ZhengZhou, 450001,China）Abstract: In the wireless sensor networks, SPIN protocol has mainly been studied by simulation, there is less study with formal methods. In this paper we give a modified protocol SPIN –E based on SPIN, it can be adapted to work in lossy networks, and use Colored Petri Net to model SPIN-E, verified the model by CPN Tools, proved that the protocol has characterristics of liveness, reacha- bility and boundedness.Keywords: colored petri net; SPIN; SPIN-E; modeling; CPN tools1.引言无线传感器网络[1]将逻辑上的信息世界与客观上的物理世界融合在一起，被认为是对21世纪产生巨大影响力的技术之一。

试验调试报告模板

试验调试报告模板
一、试验目的
本次试验的目的是xxx。

通过此试验能够了解xxxx，验证xx是否能够正常运行。

二、试验环境
2.1 硬件环境
本次试验使用的硬件环境如下：
•CPU：Intel Core i7 7700HQ
•显卡：NVIDIA GeForce GTX 1050
•内存：16GB DDR4
•存储：512GB SSD
2.2 软件环境
本次试验使用的软件环境如下：
•操作系统：Windows 10 Pro
•开发工具：Visual Studio 2019
•编程语言：C++
三、试验步骤
3.1 步骤一
先搭建好环境，并将代码导入到开发工具中，进行编译和构建。

3.2 步骤二
接着，启动应用程序，并进行测试。

测试过程中，我们主要针对xx功能进行验证和测试，记录下结果和报错信息。

3.3 步骤三
根据测试结果，进行调试和修改。

我们主要通过查看报错信息和调试器来进行程序修复和优化。

3.4 步骤四
反复执行步骤二和步骤三，直到程序完全满足各项要求。

四、试验结果
经过多次调试和测试，最终得出如下试验结果：
•xxx功能的测试已经全部通过，能够完全满足我们的需求。

•程序在执行过程中没有出现任何的报错信息和异常情况。

五、总结
通过本次试验，我们深入了解了xx的工作原理，并将其应用到实际的项目中，检验了其正确性和可行性。

同时，在实际操作中，我们也学习了很多实用的调试技巧和方法。

希望借此机会，为今后的工作打下良好的基础。

NSASY软件实验报告

一.实验目的和要求二.实验设备和软件计算机，ANASY软件三.基本步骤1. 处理：模型网格划分——ICEM CFD创建几何模型并生成网格文件：通过SolidWorks设计一装配体，另存为.x_t格式导入ICEM CFD，经一系列处理后输出.msh网格文件。

2. 求解器——Fluent（一）读入并检查网格Step1打开Fluent，Dimension栏选择3D，工作路径可选择桌面的wagjunshen 文件夹，如图1-1所示。

图1-1 打开Fluent操作界面Step2读入网格。

选择File→Read→Mesh，选择生成的网格，将ICEM CFD生成的wjs.msh导入Fluent，执行Mesh→Scale，进行缩放设置。

Step3执行Mesh→Check命令，检查最小体积和最小面积是否为负数，如图1-2所示。

点击Display，选择模型壁面，点击Display，即可显示模型，如图1-3所示。

图1-2检查最小体积和最小面积图1-3显示模型（二）求解器参数设置Step4工作界面左边项目树Setup→General选项，在出现的General选项面板中设置求解器。

单击Scale，将模型尺寸设置单位为mm，在右侧Scaling中设置单位缩放因数，如图1-4所示。

图1-4 缩放设置选中Solver→Time→Transient，其他默认。

这样设置为瞬态求解方式。

如图1-5所示图1-5 设置为瞬态求解方式Step5项目树Setup→Models选项，对求解模型进行设置。

双击Models列表中的Energy-Off选项，打开能量方程对话框。

勾选Energy Equation选项，单击OK按钮启动能量方程。

如图1-6所示。

图1-6 启动能量方程（三）定义材料物性Step6项目树Setup→Materials选项，在出现的Materials面板对多种材料进行设置。

在面板双击Materials列表中的Solid选项，右击选择New，编辑材料属性。

自动模型检测—模型检测工具SPIN安装使用 .概要

1 SPIN 概述1．1 SPIN的历史背景SPIN（Simple Promela Interpreter）是适合于并行系统，尤其是协议一致性的辅助分析检测工具，由贝尔实验室的形式化方法与验证小组于1980年开始开发的pan就是现在SPIN的前身。

1989年SPIN的0版本推出主要用于检测一系列的ω-regular属性。

1995年偏序简约和线性时序逻辑转换的引入使得SPIN 的功能进一步扩大。

2001年推出的SPIN4.0版本支持C代码的植入，应用的灵活性进一步增强。

在随后2003年推出的SPIN4.1版本加入了深度优先搜索算法，更是使得SPIN的发展上了一个新台阶[/spin/Doc/course/]。

NASA 使用SPIN检测早在1996年火星探测者所存在的错误，结果发现一些错误是可以在发射之前就可以被改正的。

SPIN从此就被用来检测土星火箭控制软件和一些应用与外层空间的程序。

Lucent公司也发现了SPIN 的优点，PathStar Access Server是受益于Holzmann（SPIN开发者）的工作的第一个Lucent 产品，Holzmann用SPIN 检测了5ESS Switch的新版本代码，这个软件现在用于Lucent的灵活性部分来改善软件测试的过程。

SPIN良好的算法设计和非凡的检测能力得到了ACM(Association for Computing Machinery)（世界最早的专业计算机协会）的认可，在2001年授予SPIN的开发者Holzmann享有声望的软件系统奖[获奖名单/awards/ssaward.html]（Software Systems Award）（其它获得该奖的还有Unix，TCP/IP，Tcl/Tk，Java，WWW等）。

Holzmann由此成为继Ken Thompson and Dennis Ritchie（UNIX的开发者）和John M. Chambers （S系统的开发者）之后又一个获得此项殊荣的贝尔人。

大学物理实验报告英文版

大学物理实验报告Ferroelectric Control of Spin PolarizationABS TR AC TA current drawback of spintronics is the large power that is usually required for magnetic writing, in contrast with nanoelectronics, which relies on “zero-current,” gate-controlled operations. Efforts have been made to control the spin-relaxation rate, the Curie temperature, or the magnetic anisotropy with a gate voltage, but these effects are usually small and volatile. We used ferroelectric tunnel junctions with ferromagnetic electrodes to demonstrate local, large, and nonvolatile control of carrier spin polarization by electrically switching ferroelectric polarization. Our results represent a giant type of interfacial magnetoelectric coupling and suggest a low-power approach for spin-based information control.Controlling the spin degree of freedom by purely electrical means is currently an important challenge in spintronics (1, 2). Approaches based on spin-transfer torque (3) have proven very successful in controlling the direction of magnetization in a ferromagnetic layer, but they require the injection of high current densities. An ideal solution would rely on the application of an electric field across an insulator, as in existing nanoelectronics. Early experiments have demonstrated the volatile modulation of spin-based properties with a gate voltage applied through a dielectric. Notable examples include the gate control of the spin-orbit interaction in III-V quantum wells (4), the Curie temperature T C (5), or the magnetic anisotropy (6) in magnetic semiconductors with carrier-mediated exchange interactions; for example, (Ga,Mn)As or (In,Mn)As. Electric field–induced modifications of magnetic anisotropy at room temperature have also been reported recently in ultrathin Fe-based layers (7, 8).A nonvolatile extension of this approach involves replacing the gate dielectric by a ferroelectric and taking advantage of the hysteretic response of its order parameter (polarization) with an electric field. When combined with (Ga,Mn)As channels, for instance, a remanent control of T C over a few kelvin was achieved through polarization-driven charge depletion/accumulation (9, 10), and the magnetic anisotropy was modified by the coupling of piezoelectricity and magnetostriction (11, 12). Indications of an electrical control of magnetization have also been provided in magnetoelectric heterostructures at room temperature (13–17).Recently, several theoretical studies have predicted that large variations of magnetic properties may occur at interfaces between ferroelectrics and high-T C ferromagnets such as Fe (18–20), Co2MnSi (21), or Fe3O4 (22). Changing the direction of the ferroelectric polarization has been predicted to influence not only the interfacial anisotropy and magnetization, but also the spin polarization. Spin polarization [i.e., the normalized difference in the density of states (DOS) of majority and minority spin carriers at the Fermi level (E F)] is typically the key parameter controlling the response of spintronics systems, epitomized by magnetic tunnel junctions in which the tunnel magnetoresistance (TMR) is related to the electrode spin polarization by the Jullière formula (23). These predictions suggest that the nonvolatile character of ferroelectrics at the heart of ferroelectric random access memory technology (24) may be exploited in spintronics devices such as magnetic random access memories or spin field-effect transistors (2). However, the nonvolatile electrical control of spin polarization has not yet been demonstrated.We address thi s issue experimentally by probing the spin polarization of electrons tunneling from an Fe electrode through ultrathin ferroelectric BaTiO3 (BTO) tunnel barriers (Fig. 1A). The BTO polarizationcan be electrically switched to point toward or away from the Fe electrode. We used a half-metallicLa0.67Sr0.33MnO3(LSMO) (25) bottom electrode as a spin detector in these artificial multiferroic tunnel junctions (26, 27). Magnetotransport experiments provide evidence for a large and reversible dependence of the TMR on ferroelectric polarization direction.Fig. 1(A) Sketch of the nanojunction defined by electrically controlled nanoindentation. A thin resist isspin-coated on the BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) bilayer. The nanoindentation is performed with a conductive-tip atomic force microscope, and the resulting nano-hole is filled by sputter-depositingAu/CoO/Co/Fe. (B) (Top) PFM phase image of a BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) bilayer after poling the BTO along 1-by-4–μm stripes with either a negative or positive (tip-LSMO) voltage. (Bottom) CTAFM image of an unpoled area of a BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) bilayer. Ω, ohms. (C) X-ray absorption spectra collected at room temperature close to the Fe L3,2 (top), Ba M5,4 (middle), and TiL3,2 (bottom) edges on an AlO x(1.5 nm)/Al(1.5 nm)/Fe(2 nm)/BTO(1 nm)/LSMO(30 nm)//NGO(001) heterostructure. (D) HRTEM and (E) HAADF images of the Fe/BTO interface in a Ta(5 nm)/Fe(18 nm)/BTO(50 nm)/LSMO(30 nm)//NGO(001) heterostructure. The white arrowheads in (D) indicate the lattice fringes of {011} planes in the iron layer. [110] and [001] indicate pseudotetragonal crystallographic axes of the BTO perovskite.The tunnel junctions that we used in this study are based on BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) bilayers grown epitaxially onto (001)-oriented NdGaO3 (NGO) single-crystal substrates (28). The large (~180°) and stable piezoresponse force microscopy (PFM) phase contrast (28) between negatively and positively poled areas (Fig. 1B, top) indicates that the ultrathin BTO films are ferroelectric at room temperature (29). The persistence of ferroelectricity for such ultrathin films of BTO arises from the large latticemis match with the NGO substrate (–3.2%), which is expected to dramatically enhance ferroelectric properties in this highly strained BTO (30). The local topographical and transport properties of the BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) bilayers were characterized by conductive-tip atomic force microscopy (CTA FM) (28). The surface is very smooth with terraces separated by one-unit-cell–high steps, visible in both the topography (29) and resistance mappings (Fig. 1B, bottom). No anomalies in the CTAFM data were observed over lateral distances on the micrometer scale.We defined tunnel junctions from these bilayers by a lithographic technique based on CTAFM (28, 31). Top electrical contacts of diameter ~10 to 30 nm can be patterned by this nanofabrication process. The subsequent sputter deposition of a 5-nm-thick Fe layer, capped by a Au(100 nm)/CoO(3.5 nm)/Co(11.5 nm) stack to increase coercivity, defined a set of nanojunctions (Fig. 1A). The same Au/CoO/Co/Fe stack was deposited on another BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) sample for magnetic measurements. Additionally, a Ta(5 nm)/Fe(18 nm)/BTO(50 nm)/LSMO(30 nm) sample and a AlO x(1.5 nm)/Al(1.5 nm)/Fe(2 nm)/BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) sample were realized for structural and spectroscopic characterizations.We used both a conventional high-resolution transmission electron microscope (HRTEM) and the NION UltraSTEM 100 scanning transmission electron microscope (STEM) to investigate the Fe/BTO interface properties of the Ta/Fe/BTO/LSMO sample. The epitaxial growth of the BTO/LSMO bilayer on the NGO substrate was confirmed by HRTEM and high-resolution STEM images. Thelow-resolution, high-angle annular dark field (HAADF) image of the entire heterostructure shows the sharpness of the LSMO/BTO interface over the studied area (Fig. 1E, top). Figure 1D reveals a smooth interface between the BTO and the Fe layers. Whereas the BTO film is epitaxially grown on top of LSMO, the Fe layer consists of textured nanocrystallites. From the in-plane (a) and out-of-plane (c) lattice parameters in the tetragonal BTO layer, we infer that c/a = 1.016 ± 0.008, in good agreement with the value of 1.013 found with the use of x-ray diffraction (29). The interplanar distances for selected crystallites in the Fe layer [i.e., ~2.03 Å (Fig. 1D, white arrowheads)] are consistent with the {011} planes of body-centered cubic (bcc) Fe.We investigated the BTO/Fe interface region more closely in the HAADF mode of the STEM (Fig. 1E, bottom). On the BTO side, the atomically resolved HAADF image allows the distinction of atomic columns where the perovskite A-site atoms (Ba) appear as brighter spots. Lattice fringes with the characteristic {100} interplanar distances of bcc Fe (~2.86 Å) can be distinguished on the opposite side. Subtle structural, chemical, and/or electronic modifications may be expected to occur at the interfacial boundary between the BTO perovskite-type structure and the Fe layer. These effects may lead to interdiffusion of Fe, Ba, and O atoms over less than 1 nm, or the local modification of the Fe DOS close to E F, consistent with ab initio calculations of the BTO/Fe interface (18–20).To characterize the oxidation state of Fe, we performed x-ray absorption spectroscopy (XAS) measurements on a AlO x(1.5 nm)/Al(1.5 nm)/Fe(2 nm)/BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) sample (28). The probe depth was at least 7 nm, as indicated by the finite XAS intensity at the La M4,5 edge (28), so that the entire Fe thickness contributed substantially to the signal. As shown in Fig. 1C (top), the spectrum at the Fe L2,3 edge corresponds to that of metallic Fe (32). The XAS spectrum obtained at the BaM4,5 edge (Fig. 1C, middle) is similar to that reported for Ba2+ in (33). Despite the poor signal-to-noise ratio, the Ti L2,3 edge spectrum (Fig. C, bottom) shows the typical signature expected for a valence close to 4+ (34). From the XAS, HRTEM, and STEM analyses, we conclude that the Fe/BTO interface is smooth with no detectable oxidation of the Fe layer within a limit of less than 1 nm.After cooling in a magnetic field of 5 kOe aligned along the [110] easy axis of pseudocubic LSMO (which is parallel to the orthorhombic [100] axis of NGO), we characterized the transport properties of the junctions at low temperature (4.2 K). Figure 2A (middle) shows a typicalresistance–versus–magnetic field R(H) cycle recorded at a bias voltage of –2 mV (positive bias corresponds to electrons tunneling from Fe to LSMO). The bottom panel of Fig. 2A shows the magnetic hysteresis loop m(H) of a similar unpatterned sample measured with superconducting quantum interference device (SQUID) magnetometry. When we decreased the magnetic field from a large positive value, the resistance dropped in the –50 to –250 Oe range and then followed a plateau down to –800 Oe, after which it sharply returned to the high-resistance state. We observed a similar response when cycling the field back to large positive values. A comparison with the m(H) loop indicates that the switching fields in R(H) correspond to changes in the relative magnetic configuration of the LSMO and Fe electrodes from parallel (at high field) to antiparallel (at low field). The magnetically softer LSMO layer switched at lower fields (50 to 250 Oe) compared with the Fe layer,for which coupling to the exchange-biased Co/CoO induces larger and asymmetric coercive fields(–800 Oe, 300 Oe). The observed R(H) corresponds to a negative TMR = (R ap–R p)/R ap of –17%[R p and R ap are the resistance in the parallel (p) and antiparallel (ap) magnetic configurations, respectively; see the sketches in Fig. 2A]. W ithin the simple Jullière model of TMR (23) and considering the large positive spin polarization of half-metallic LSMO (25), thisnegative TMR corresponds to a negative spin polarization for bcc Fe at the interface with BTO, in agreement with ab initio calculations (18–20).Fig. 2(A) (Top) Device schematic with black arrows to indicate magnetizations. p, parallel; ap, antiparallel. (Middle) R(H) recorded at –2 mV and 4.2 K showing negative TMR. (Bottom) m(H) recorded at 30 K with a SQUID magnetometer. emu, electromagnetic units. (B) (Top) Device schematic with arrows to indicate ferroelectric polarization. (Bottom) I(V DC) curves recorded at 4.2 K after poling the ferroelectric down (orange curve) or up (brown curve). The bias dependence of the TER is shown in the inset.As predicted (35–38) and demonstrated (29) previously, the tunnel current across a ferroelectric barrier depends on the direction of the ferroelectric polarization. We also observed thi s effect in ourFe/BTO/LSMO junctions. As can be seen in Fig. 2B, after poling the BTO at 4.2 K to orient its polarization toward LSMO or Fe (with a poling voltage of VP–≈ –1 V or VP+≈ 1 V, respectively; see Fig. 2B sketches), current-versus-voltage I(V DC) curves collected at low bias voltages showed a finite difference corresponding to a tunnel electroresistance as large as TER = (I VP+–I VP–)/I VP–≈ 37% (Fig. 2B, inset). This TER can be interpreted within an electrostatic model (36–39), taking into account the asymmetric deformation of the barrier potential profile that is created by the incomplete screening of polarization charges by different Thomas-Fermi screening lengths at Fe/BTO and LSMO/BTO interfaces. Piezoelectric-related TER effects (35, 38) can be neglected as the piezoelectric coefficient estimated from PFM experiments is too small in our clamped films (29). TER measurements performed on a BTO(1 nm)/LSMO(30 nm) bilayer with the use of a CTAFM boron-doped diamond tip as the top electrode showed values of ~200% (29). Given the strong sensitivity of the TER on barrier parameters and barrier-electrode interfaces, these two values are not expected to match precisely. We anticipate that the TER variation between Fe/BTO/LSMO junctions and CTAFM-based measurements is primarily the result of different electrostatic boundary conditions.Switching the ferroelectric polarization of a tunnel barrier with voltage pulses is also expected to affect the spin-dependent DOS of electrodes at a ferromagnet/ferroelectric interface. Interfacial modifications of the spin-dependent DOS of the half-metallic LSMO by the ferroelectric BTO are not likely, as no states are present for the minority spins up to ~350 meV above E F (40, 41). For 3d ferromagnets such as Fe, large modifications of the spin-dependent DOS are expected, as charge transfer betweenspin-polarized empty and filled states is possible. For the Fe/BTO interface, large changes have beenpredicted through ab initio calculations of 3d electronic states of bcc Fe at the interface with BTO by several groups (18–20).To experimentally probe possible changes in the spin polarization of the Fe/BTO interface, we measured R(H) at a fixed bias voltage of –50 mV after aligning the ferroelectric polarization of BTO toward Fe or LSMO. R(H) cycles were collected for each direction of the ferroelectric polarization for two typical tunnel junctions of the same sample (Fig. 3, B and C, for junction #1; Fig. 3, D and E, for junction #2). In both junctions at the saturating magnetic field, high- and low-resistance states are observed when the ferroelectric polarization points toward LSMO or Fe, respectively, with a variation of ~ 25%. This result confirms the TER observations in Fig. 2B.Fig. 3(A) Sketch of the electrical control of spin polarization at the Fe/BTO interface. (B and C) R(H) curves for junction #1 (V DC = –50 mV, T = 4.2 K) after poling the ferroelectric barrier down or up, respectively.(D and E) R(H) curves for junction #2 (V DC = –50 mV, T= 4.2 K) after poling the ferroelectric barrier down or up, respectively.More interestingly, here, the TMR is dramatically modified by the reversal of BTO polarization. For junction #1, the TMR amplitude changes from –17 to –3% when the ferroelectric polarization is aligned toward Fe or LSMO, respectively (Fig. 3, B and C). Similarly for junction #2, the TMR changes from –45 to –19%. Similar results were obtained on Fe/BTO (1.2 nm)/LSMO junctions (28). Within theJullière model (23), these changes in TMR correspond to a large (or s mall) spin polarization at theFe/BTO interface when the ferroelectric polarization of BTO points toward (or away from) the Fe electrode. These experimental data support our interpretation regarding the electrical manipulation of the spin polarization of the Fe/BTO interface by switching the ferroelectric polarization of the tunnel barrier.To quantify the sensitivity of the TMR with the ferroelectric polarization, we define a term, the tunnel electromagnetoresistance, as TEMR = (TMR VP+–TMR VP–)/TMR VP–. Large values for the TEMR are found for junctions #1 (450%) and #2 (140%), respectively. This electrical control of the TMR with the ferroelectric polarization is repeatable, as shown in Fig. 4 for junction #1 where TMR curves are recorded after poling the ferroelectric up, down, up, and down, sequentially (28).Fig. 4TMR(H) curves recorded for junction #1 (V DC = –50 mV, T = 4.2 K) after poling the ferroelectric up (VP+), down (VP–), up (VP+), and down (VP–).For tunnel junctions with a ferroelectric barrier and dissimilar ferromagnetic electrodes, we havereported the influence of the electrically controlled ferroelectric barrier polarization on thetunnel-current spin polarization. This electrical influence over magnetic degrees of freedom representsa new and interfacial magnetoelectric effect that is large because spin-dependent tunneling is verysensitive to interfacial details. Ferroelectrics can provide a local, reversible, nonvolatile, and potentially low-power means of electrically addressing spintronics devices.Supporting Online Material/cgi/content/full/science.1184028/DC1Materials and MethodsFigs. S1 to S5References∙Received for publication 30 October 2009.∙Accepted for publication 4 January 2010.References and Notes1. C. Chappert, A. Fert, F. N. Van Dau, The emergence of spin electronics in datastorage. Nat. Mater. 6,813 (2007).2.I. Žutić, J. Fabian, S. Das Sarma, Spintronics: Fundamentals and applications. Rev.Mod. Phys. 76,323 (2004).3.J. C. Slonczewski, Current-driven excitation of magnetic multilayers. J. Magn. Magn.Mater. 159, L1(1996).4.J. Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi, T. Enoki, Gate control of spin-orbit interaction in an inverted In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48Asheterostructure. Phys. Rev. Lett. 78, 1335 (1997).5.H. Ohno et al., Electric-field control of ferromagnetism. Nature 408, 944 (2000).6. D. Chiba et al., Magnetization vector manipulation by electricfields. Nature 455, 515 (2008).7.M. Weisheit et al., Electric field–induced modification of magnetis m in thin-filmferromagnets. Science315, 349 (2007).8.T. Maruyama et al., Large voltage-induced magnetic anisotropy change in a fewatomic layers of iron.Nat. Nanotechnol. 4, 158 2009).9.S. W. E. Riester et al., Toward a low-voltage multiferroic transistor: Magnetic(Ga,Mn)As under ferroelectric control. Appl. Phys. Lett. 94, 063504 (2009).10.I. Stolichnov et al., Non-volatile ferroelectric control of ferromagnetism in(Ga,Mn)As. Nat. Mater. 7, 464(2008).11. C. Bihler et al., Ga1−x Mn x As/piezoelectric actuator hybrids: A model system formagnetoelastic magnetization manipulation. Phys. Rev. B 78, 045203 (2008).12.M. Overby, A. Chernyshov, L. P. Rokhinson, X. Liu, J. K. Furdyna, GaMnAs-based hybrid multiferroic memory device. Appl. Phys. Lett. 92, 192501 (2008). 13. C. Thiele, K. Dörr, O. Bilani, J. Rödel, L. Schultz, Influence of strain on themagnetization and magnetoelectric effect inLa0.7A0.3MnO3∕PMN-PT(001)(A=Sr,Ca). Phys.Rev.B 75, 054408 (2007).14.W. Eerenstein, M. Wiora, J. L. Prieto, J. F. Scott, N. D. Mathur, Giant sharp andpersistent converse magnetoelectric effects in multiferroic epitaxial heterostructures. Nat.Mater. 6, 348 (2007).15.T. Kanki, H. Tanaka, T. Kawai, Electric control of room temperature ferromagnetismin a Pb(Zr0.2Ti0.8)O3/La0.85Ba0.15MnO3 field-effect transistor. Appl. Phys. Lett. 89, 242506 (2006).16.Y.-H. Chu et al., Electric-field control of local ferromagnetis m using amagnetoelectric multiferroic. Nat. Mater. 7, 478 2008).17.S. Sahoo et al., Ferroelectric control of magnetis m in BaTiO3∕Fe heterostructures viainterface strain coupling. Phys. Rev. B 76, 092108 (2007).18. C.-G. Duan, S. S. Jaswal, E. Y. Tsymbal, Predicted magnetoelectric effect inFe/BaTiO3 multilayers: Ferroelectric control of magnetism. Phys. Rev. Lett. 97, 047201 (2006).19.M. Fechner et al., Magnetic phase transition in two-phase multiferroics predictedfrom first principles.Phys. Rev. B 78, 212406 (2008).20.J. Lee, N. Sai, T. Cai, Q. Niu, A. A. Demkov, preprint availableat /abs/0912.3492v1.21.K. Yamauchi, B. Sanyal, S. Picozzi, Interface effects at a half-metal/ferroelectricjunction. Appl. Phys. Lett. 91, 062506 (2007).22.M. K. Niranjan, J. P. Velev, C.-G. Duan, S. S. Jaswal, E. Y. Tsymbal, Magnetoelectric effect at the Fe3O4/BaTiO3 (001) interface: A first-principles study. Phys. Rev.B 78, 104405 (2008).23.M. Jullière, Tunneling between ferromagnetic films. Phys. Lett. A 54, 225 (1975).24.J. F. Scott, Applications of modern ferroelectrics. Science 315, 954 (2007).25.M. Bowen et al., Nearly total spin polarization in La2/3Sr1/3MnO3 from tunnelingexperiments. Appl. Phys. Lett. 82, 233 (2003).26.J. P. Velev et al., Magnetic tunnel junctions with ferroelectric barriers: Prediction offour resistance states from first principles. Nano Lett. 9, 427 (2009).27. F. Yang et al., Eight logic states of tunneling magnetoelectroresistance inmultiferroic tunnel junctions.J. Appl. Phys. 102, 044504 (2007).28.Materials and methods are available as supporting material on Science Online.29.V. Garcia et al., Giant tunnel electroresistance for non-destructive readout offerroelectric states. Nature460, 81 (2009).30.K. J. Choi et al., Enhancement of ferroelectricity in strained BaTiO3 thinfilms. Science 306, 1005(2004).31.K. Bouzehouane et al., Nanolithography based on real-time electrically controlledindentation with an atomic force microscope for nanocontact elaboration. NanoLett. 3, 1599 (2003).32.T. J. Regan et al., Chemical effects at metal/oxide interfaces studied byx-ray-absorption spectroscopy.Phys. Rev. B 64, 214422 (2001).33.N. Hollmann et al., Electronic and magnetic properties of the kagome systemsYBaCo4O7 and YBaCo3M O7 (M=A l, Fe). Phys. Rev. B 80, 085111 (2009).34.M. Abbate et al., Soft-x-ray-absorption studies of the location of extra chargesinduced by substitution in controlled-valence materials. Phys. Rev. B 44, 5419 (1991).35. E. Y. Tsymbal, H. Kohlstedt, Tunneling across aferroelectric. Science 313, 181 (2006).36.M. Ye. Zhuravlev, R. F. Sabirianov, S. S. Jaswal, E. Y. Tsymbal, Giantelectroresistance in ferroelectric tunnel junctions. Phys. Rev. Lett. 94, 246802 (2005).37.M. Ye. Zhuravlev, R. F. Sabirianov, S. S. Jaswal, E. Y. Tsymbal, Erratum: Giantelectroresistance in ferroelectric tunnel junctions. Phys. Rev. Lett. 102, 169901 2009).38.H. Kohlstedt, N. A. Pertsev, J. Rodriguez Contreras, R. Waser, Theoreticalcurrent-voltage characteristics of ferroelectric tunnel junctions. Phys. Rev.B 72, 125341 (2005).39.M. Gajek et al., Tunnel junctions with multiferroic barriers. Nat.Mater. 6, 296 (2007).40.M. Bowen et al., Spin-polarized tunneling spectroscopy in tunnel junctions withhalf-metallic electrodes.Phys. Rev. Lett. 95, 137203 (2005).41.J. D. Burton, E. Y. Tsymbal, Prediction of electrically induced magneticreconstruction at the manganite/ferroelectric interface. Phys. Rev. B 80, 174406 (2009).42.We thank R. Guillemet, C. Israel, M. E. Vickers, R. Mattana, J.-M. George, and P.Seneor for technical assistance, and C. Colliex for fruitful discussions on the microscopymeasurements. This study was partially supported by the France-U.K. Partenariat HubertCurien Alliance program, the French Réseau Thématique de Recherche Avancée Triangle de la Physique, the European Union (EU) Specific Targeted Research Project (STRep) Manipulating the Coupling in Multiferroic Films, EU STReP Controlling Mesoscopic Phase Separation, U.K.Engineering and Physical Sciences Research Council grant EP/E026206/I, French C-Nano Île de France, French Agence Nationale de la Recherche (A NR) Oxitronics, French ANR A licante, the European Enabling Science and Technology through European Elelctron Microscopyprogram, and the French Microscopie Electronique et Sonde Atomique network. X.M.acknowledges support from Comissionat per a Universitats i Recerca (Generalitat de Catalunya).。

SPIN安装与模型验证实验报告

实验报告实验题目：基于SPIN的LTL模型检测课程名：形式化方法姓名：王燕霞学号：2141一、SPIN概述SPIN是由贝尔实验室形式化方法与验证小组用ANSI C开发，可以在所有UNIX 操作系统版本使用，也可以在安装了Linux、Windows95以上版本等操作系统中使用，适合于分布式并发系统，尤其是协议一致性的辅助分析检测工具。

SPIN 模型检验工具的基本思想是求两种自动机所接受语言的交集，若交集为空集，则安全特性得到验证，否则输出不满足安全特性的行为迹。

SPIN可以用于以下三种基础模型中：1）作为一个模拟器，允许快速对建立的系统模型进行随意的、引导性的或交互的仿真。

2）可以作为一个详尽的分析器，严格的证明用户提出的正确性要求是否满足（使用偏序简约进行最优化检索）。

3）用于大型系统近似性证明，用SPIN可以对大型的协议系统进行有效的正确性分析，即使这个系统覆盖了最大限度的状态空间。

二、SPIN的安装2.1安装CygwinCygwin是一个在windows平台上运行的类UNIX模拟环境，我们可以通过这个软件在windows 系统上模拟简单的unix环境。

（1）首先从官网，下载Cygwin安装包，选择64位windows系统（2）打开软件安装包setup-x86_64.exe，界面如下：（3）选择install from Internet，下一步（4）选择安装路径（5）选择模拟的Unix环境在系统中的路径（6）选择Use Internet Explorer Proxy Setting，根据自己的网络链接状态选择（7）选择镜像，最好是选国内的，以.cn结尾或者含有.cn的，国外镜像下载速度只有几K，所以可以不用尝试。

在这里我选择的是中科大的一个镜像(8)选择要安装的包，Cygwin默认安装的东西很少，像gcc、make、X11、tcl/TK这些都没有，需要自己勾选，可以在Search中直接输入关键字进行查找。

川大学-生物技术-综合实验报告-学生版

川⼤学-⽣物技术-综合实验报告-学⽣版⽣物技术综合实验⽢薯γ-⾕氨酰半胱氨酸合成酶(γ-GCS)基因的克隆和原核表达学⽣：学号：同实验者：<研究背景>⾕胱⽢肽(glutathione, GSH) GSH具有多种重要⽣理功能, 抗⾃由基和抗氧化应激作⽤, 保护细胞膜的完整性等。

γ-GCS是植物细胞中GSH⽣物合成的限速酶, 可以调控GSH的⽣物合成量。

GSH在⽣物体抵御冷害、⼲旱、重⾦属、真菌等胁迫过程中起着重要作⽤, 说明γ-GCS也与植物抗逆过程密切相关。

实验⼀⽢薯叶⽚RNA提取⼀、实验⽬的1. 了解真核⽣物RNA提取的原理；2. 掌握Trizol提取的⽅法和步骤。

⼆、实验原理Trizol?试剂是由苯酚和硫氰酸胍配制⽽成的单相的快速抽提总RNA的试剂，在匀浆和裂解过程中，能在破碎细胞、降解细胞其它成分的同时保持RNA的完整性。

TRIzol的主要成分是苯酚。

苯酚的主要作⽤是裂解细胞，使细胞中的蛋⽩，核酸物质解聚得到释放。

苯酚虽可有效地变性蛋⽩质，但不能完全抑制RNA酶活性，因此TRIzol中还加⼊了8－羟基喹啉、异硫氰酸胍、β-巯基⼄醇等来抑制内源和外源RNase（RNA酶）。

%的8－羟基喹啉可以抑制RNase，与氯仿联合使⽤可增强抑制作⽤。

异硫氰酸胍属于解偶剂，是⼀类强⼒的蛋⽩质变性剂，可溶解蛋⽩质并使蛋⽩质⼆级结构消失，导致细胞结构降解，核蛋⽩迅速与核酸分离。

β-巯基⼄醇的主要作⽤是破坏RNase蛋⽩质中的⼆硫键。

在氯仿抽提、离⼼分离后，RNA处于⽔相中，将⽔相转管后⽤异丙醇沉淀RNA。

⽤这种⽅法得到的总 RNA中蛋⽩质和DNA污染很少。

1.材料⽢薯（Ipomoea batatas Lam）叶⽚，品种为徐薯182. 试剂①⽆RNA酶灭菌⽔：加⼊%的DEPC，处理过夜后⾼压灭菌；② Trizol试剂；③氯仿；④异丙醇、75％⼄醇；⑤ TBE缓冲液；⑥上样缓冲液（6×）3. 仪器⾼压灭菌锅、微量移液器、台式离⼼机、超净⼯作台、电泳仪、电泳槽、凝胶成像系统、塑料离⼼管、枪头和EP管架四、实验⽅法1. 将叶⽚取出放⼊研钵中，加⼊适量液氮，迅速研磨成粉末，每50-100 mg植物叶⽚加⼊1 mL Trizol试剂，室温放置5 min，使样品充分裂解；2. 每1 mL Trizol试剂加⼊200 µL氯仿，⽤⼿剧烈振荡混匀后室温放置3-5 min 使其⾃然分相；3. 4℃ 12,000 rpm 离⼼15 min，吸取上层⽔相转移到新管中；在上清中加⼊等体积冰冷的异丙醇，室温放置15 min；4. 4℃ 12,000 rpm 离⼼10 min，弃上清，RNA沉淀于管底；5. RNA沉淀中加⼊1 mL 75%的⼄醇（⽤RNase-free⽔配制），温和震荡离⼼管，悬浮沉淀；4℃ 8,000 rpm离⼼2 min，弃上清；6. 室温放置10 min晾⼲沉淀；7. 沉淀中加⼊20µL RNase-free ddH2O，轻弹管壁，以充分溶解RNA，-70℃保存；8. ⽤1%的琼脂糖凝胶电泳进⾏检测，⽤EB染⾊并照相。

自动模型检测-SPIN的建模语言Promela

计算机研究生开放课程 - Promela 语言
计算机研究生开放课程《自动模型检测—SPIN的建模语言Promela》
美国GeneChiu基金资助
3．1 Promela 语言
3．1．1 简介 Promela programs consist of processes, message channels, and variables. Processes are global objects. Message channels and variables can be declared either globally or locally within a process. Processes specify behavior, channels and global variables define the environment in which the processes run. The syntax of Promela is Clike.
通道(channel)
其大体结构为：类型说明、通道说明、变量说明、进程说明、初始进程。例如： mtype={MSG,ACK}; /*类型说明*/
http://210.40.7.188/E'ojc/MXJC/SPIN/000/002.asp（第 1／8 页）2009/5/13 10:48:00
计算机研究生开放课程 - Promela 语言
为了避免在进程并行中相对速度的不确定性带来的影响，在Promela中可使用原子序列。当一串语句用“{}”括起来，并以关键词atomic作为前缀时，表示该语句序列将作为一个不可分割的整体来执行，并且不被其他任何进程所影响。例如，将刚才的例子改写为： byte state=1; proctype A(){atomic{(state==1)->state=state+1}} proctype B(){atomic{(state==1)->state=state-1}} init{run A();runB()} 这时state的最终值将为0或2，具体值取决于哪一个进程先执行，同时另一个进程将被永远阻塞。使用原子序列可以显著地降低验证模型的复杂性。

实训8-驱动程序和应用软件安装实验总结

实训8-驱动程序和应用软件安装实验总结
本次实训的目标是研究和掌握驱动程序和应用软件的安装过程。

以下是我对此实验的总结：
实验步骤和流程
3. 检查驱动程序：安装完成后，需要验证驱动程序是否正确安
装并正常工作。

这可以通过检查设备管理器或相关应用程序来进行。

如果没有出现任何错误或警告信息，说明驱动程序安装成功。

5. 测试和验证：在应用软件安装完成后，需要进行测试和验证。

启动应用程序，并确保它们可以正常运行并与其他组件进行交互。

实验心得和体会
通过这次实验，我学到了许多关于驱动程序和应用软件安装的
重要知识点。

以下是我从实验中获得的一些心得和体会：
- 在安装驱动程序和应用软件时，要耐心仔细地按照安装向导
的指示进行操作，避免在设置选项上疏忽导致安装失败。

- 验证安装的驱动程序和应用软件时，要检查设备管理器和相
关应用程序，确保它们没有错误或警告信息。

- 在进行应用程序测试和验证时，要仔细观察其功能是否正常，以及是否与其他组件进行良好的交互。

总的来说，通过这次实验，我更加熟悉了驱动程序和应用软件
的安装过程，提升了我的技术能力，并对计算机系统的组件安装和
配置有了更深入的理解。

感谢这次实训给我提供了宝贵的学习机会，我将继续努力学习
和实践，不断提升自己的技术水平。

系统建模与仿真实验报告extendsim.

系统建模与仿真实验报告院系：管理科学与工程学院专业：质量与可靠性工程班级：1005104学号：100510432姓名：谢纪伟实验目录一.问题描述.二.系统数据.三. 建立过程的简单流程图.四.模型实体设计.五. 建立模型.六.运行模型.七.实验改进.八.结果分析.实验报告一.问题描述.电路板生产商要引入一个新产品，需要适当扩大现有生产线的产能，因此对现有生产线进行研究，经提前分析，发现生产过程存在瓶颈，现在对此生产线进行建模，并通过用extendsim建立的模型所得到的数据对现有生产线进行分析，并通过分析得到解决问题的办法。

二.系统数据.1.根据确定的时间表，5种型号电路板按照固定批量送入生产线中，时间表每隔120min重复一次，如下表所示：电路板种类在...min进入批量电路板种类在...min进入批量1 0 20 5 80 252 20 30 1 120 203 40 25 2 140 304 60 30 ………………进料时间表2.第一步操作是通过一台清洁工作站，每一个电路板需要至少36s，至多54s 的时间，一般情况需要48s。

3.清洁后的电路板装入自动插件机中，这台机器最多能同是处理6个电路板，每个板耗时5min。

4.当完成大部分标准插件的工作，电路板被置于一个10m的传送带上，通过波峰焊接机。

传送带上能放下30个电路板，每分钟移动1米。

5.此外，有三个工作站，用来插件机无法完成的非标准元件。

这个操作的耗时量根据板的种类而不同，如下表：电路板种类处理时间（min）电路板种类处理时间（min）1 2.5 4 3.02 2.0 5 2.03 2.5非标准元件的处理时间6.最后一步是高温加速老化试验，在这个过程中，电路板被组合成24个一组，放入烤箱中，循环通电20min。

三.建立过程的简单流程图电路板清洁自动插件波峰焊非标准插件非标准插件非标准插件高温老化离开四.模型实体设计.模拟电路板到达模拟缓冲器模拟插件机模拟convey item模拟非标准插件机三个物体汇合在一个通道将24个电路板组成一个批量对成批的电路板进行高温老化将成批的电路板还原成单独的电路板将加工后的电路板输出五.建立模型.1.定义全局单位时间.搭建模型从选择合适的全局时间单位开始。

水阀装配过程检验报告

NCP单号
表单编号：YPIR-180-024
版本：4
生效日期：2016.12.13
TRITON水阀装配过程检验报告
产品名称：产品编号：客户名称：TRITON
生产日期：作业人员：当班领班：
Байду номын сангаас
检查日期：检验员：品质部确认：
检验项目
所用器具
检测时间/结果
备注
产品颜色
产品清洁干燥
装配完整
螺栓锁紧、无松脱外观产品无破损、无开裂
检
旋转角度330度
验
Valve Spindle测试
目测目测目测目测目测旋钮用手按
素材不良
目测
其它结构确认
目测比对样品
尺
寸
卡尺/二次
检
元/高度规
验
密封性测试
Air Decay
流量测试
性
能
样本测试
流量表 Dummy
测
重量测试
电子称
试
爆破测试（12Bar的压力）手动拖压机
光滑度
铅笔
外箱标签/包装检验
最终判定
处理方式
批量检验数
抽检数
不良现象/数

NSSK协议的SPIN模型检测

NSSK协议的SPIN模型检测作者：黄鹏来源：《软件导刊》2017年第10期摘要：安全协议是以密码学为基础的消息交换协议。

针对传统的改进NSSK安全协议，通过使用Promela语言对协议进行建模，并使用SPIN模型检测工具进行验证，发现仍然存在安全漏洞，攻击者可以冒充合法者进行通信。

针对上述缺陷，提出了一种有效的改进方案，主要是在协议中增加了自身产生的随机数和发送者的身份标识，该改进方案提高了协议安全性。

关键词：安全协议；安全漏洞；NSSK；SPIN；模型检测DOIDOI：10.11907/rjdk.171239中图分类号：TP309文献标识码：A文章编号：16727800（2017）0100185040引言如今，随着信息逐渐成为重要的战略资源，信息化水平已成为衡量一个国家现代化水平和综合国力的重要标志。

同时，信息安全问题也成为人们重点关注的一个问题。

安全协议是以密码学为基础的消息交换协议，其目的是在网络环境下提供各种安全服务。

安全协议可以分为密钥交换协议、认证协议、电子商务协议、安全多方计算协议等多种类型。

简单安全协议虽然只是简单消息的传递，但消息之间存在微妙、复杂的关系。

NSSK协议[12]是一个经典的认证密码协议，不少学者在NSSK协议研究中提出了一些NSSK认证方案，但这些方案也不是完全安全的，仍然存在风险。

2014年Hu等主要根据GSMR系统现有的安全威胁和必须采取的安全措施，采用一种改进的NSSK安全协议来保障车载设备与RBC之间的安全通信。

通过分析发现，其存在着一些安全缺陷，因此提出了改进方案。

本文使用SPIN模型检测工具对NSSK协议的改进方案进行验证和分析，发现存在着攻击。

因此，针对该攻击提出一种改进方案，以提高协议安全性。

1模型检测及工具SPIN系统的设计和验证需要SPIN模型检测器的支持，首先形式化描述整个系统模型，对模型进行分析，发现语法错误，如果没有发现语法错误，则需要对系统进行交互模拟运行，直到系统设计达到预期为止。

机械原理平面设计及拼装实验报告样本

机械原理平面设计及拼装实验报告样本（华东）平面机构运动方案设计和拼接一、试验目标1.加深学生对机构组成原理认识，深入了解平面机构组成及其运动特征。

2.经过平面机构拼装，训练学生工程实践动手能力，了解机构在实际安装中可能出现运动干涉现象及处理措施。

3.经过机构运动方案设计，培养学生创新意识和综合设计能力。

二、机构设计及试验组装说明书1、试验所用器材介绍搭接机构是在机架前侧平面上完成。

图1 机架图1 机架1机架xy2立柱3滑块4电动机5皮带传动机架后侧本试验配有多种工具、连接用螺钉、螺帽、垫圈等。

其它关键零部件及其功效请仔细阅读表1。

表1 关键零件及其功效表标号名称图形功效1固定支座销轴和机架相连，带键槽为主动销轴。

不带键槽为从动销轴。

2销轴用于组成转动副或移动副连接轴3端螺栓装于轴端头，有台肩可压紧轴端头，无台肩可压紧套在轴上连杆。

4连杆将1、2圆柱或扁头装于其上圆孔或槽中，用端螺栓压紧轴端头，组成转动副或移动副。

2、试验原理机构组成：曲柄摇杆和摇杆滑块组合而成机构，图所表示。

曲柄1机架6摇杆3摇杆2滑块5曲柄1机架6摇杆3摇杆2滑块5摇杆4工作特点：当曲柄1做连续转动时，摇杆2作往复摆动，同时摇杆3和摇杆4作往复摆动带动滑块5作往复直线移动。

该机构可用于筛选机器等往复直线摆动机器中，滑块5在摇杆3和摇杆4作往复摆动力作用带动下作往复直线运动（非匀速），能够用于抖动筛选物品。

3、试验正确拼装运动副方案依据确定或由试验中取得机构运动学尺寸，利用机构运动方案创新设计试验台提供零件按机构运动传输次序进行拼接。

拼接时，首先要分清机构中各构件所占据运动平面，其目标是避免各运动构件发生运动干涉。

然后，以试验台机架铅垂面为拼接起始参考面，按预定拼接计划进行拼接。

拼接中应注意各构件运动平面是平行，所拼接机构外伸运动层面数愈少，机构运动愈平稳，为此，提议机构中各构件运动层面以交错层排列方法进行拼接。

机构运动方案创新设计试验台提供运动副拼接方法请参见以下介绍。

SPIN安装及模型验证实验报告

实验报告实验题目：基于SPIN的LTL模型检测课程名：形式化方法*名：***学号：***************一、SPIN概述SPIN是由贝尔实验室形式化方法与验证小组用ANSI C开发，可以在所有UNIX操作系统版本使用，也可以在安装了Linux、Windows95以上版本等操作系统中使用，适合于分布式并发系统，尤其是协议一致性的辅助分析检测工具。

SPIN模型检验工具的基本思想是求两种自动机所接受语言的交集，若交集为空集，则安全特性得到验证，否则输出不满足安全特性的行为迹。

SPIN可以用于以下三种基础模型中：1）作为一个模拟器，允许快速对建立的系统模型进行随意的、引导性的或交互的仿真。

2）可以作为一个详尽的分析器，严格的证明用户提出的正确性要求是否满足（使用偏序简约进行最优化检索）。

3）用于大型系统近似性证明，用SPIN可以对大型的协议系统进行有效的正确性分析，即使这个系统覆盖了最大限度的状态空间。

二、SPIN的安装2.1安装CygwinCygwin是一个在windows平台上运行的类UNIX模拟环境，我们可以通过这个软件在windows 系统上模拟简单的unix环境。

（1）首先从官网/，下载Cygwin安装包，选择64位windows系统（2）打开软件安装包setup-x86_64.exe，界面如下：（3）选择install from Internet，下一步（4）选择安装路径（5）选择模拟的Unix环境在系统中的路径（6）选择Use Internet Explorer Proxy Setting，根据自己的网络链接状态选择（7）选择镜像，最好是选国内的，以.cn结尾或者含有.cn的，国外镜像下载速度只有几K，所以可以不用尝试。

实验报告(通用)

实验报告（通用）实验报告篇一一、实训要求：本实训要求熟悉制图的基本规格和基本知识，正确掌握用正投影法表达空间几何形体，培养绘图和读图的能力。

在实训过程中按要求《机械制图》和AutoCAD 2023知识的紧密结合，作到既要掌握AutoCAD 2023 的作图技巧，又要符合《机械制图》的国家标准规定。

熟练掌握零件图绘制的基础上，学会装配图的绘制和三维实体造型。

二、总结通过此次实训，我详细了解到一个真实零件的绘制过程，对于看图和绘图的技巧得到了进一步的熟练。

本次实训复习了很多我以前学过的知识，对我以前学过的一些知识又做了一次练习，发现自己很多的知识没有运用熟练。

还有我们这次实训内容较多，时间较短，发现自己绘图的速度很慢，以后一定要要多多练习争取在以后的学习和工作中出色的完成任务。

虽然我已经很好的完成了实训，但是我觉得本次实训虽然比我们平时的作业困难了一点，但是这并不能说明我们就可以胜任项制图工作，因为我们这次实训的内容基本上是在照抄别人的作品，没要完成一个制图者应该做的全部工作。

所以我觉得我们离一个真正的制图工作者的路还很遥远，路漫漫其修远兮，我将为其而努力。

机械制图(CAD)实训能够圆满结束，首先得感谢老师教育我们理论知识和耐心的指导，没有这些理论知识我们就不可能顺利的完成。

老师的耐心辅导是我们坚持的不懈动力。

实验报告心得体会篇二在两天的统计学实验学习中，加深了对统计数据知识的理解和掌握，同时也对E某cel操作软件的应用。

下面是我这次实验的一些心得和体会。

统计学(statistics)一门收集，整理，显示和分析统计数据的科学，目的是探索数据内在的数量规律性。

从定义中不难看出，统计学是一门针对数据而展开探求的科学。

在实验中，对数据的筛选和处理就成为了比较重要的内容和要求了。

同时对数据的分析也离不开相关软件的'支持。

因此，Ee某cel软件的安装与运行则变成了首要任务。

实验过程中，对E某cel软件的安装因要求具体而变的相对简单。

基于SPIN内核的SDL模型检验工具设计

Computer Knowledge and Technology 电脑知识与技术本栏目责任编辑：谢媛媛软件设计开发第6卷第11期(2010年4月)基于SPIN 内核的SDL 模型检验工具设计黄山1，3，黄忠见2，韩柯3，王建伟3（1.中国人民解放军理工大学指挥自动化学院，江苏南京210007；2.西昌卫星发射中心指挥控制中心，四川西昌610005；3.中国电子系统设备工程公司研究所，北京100141）摘要：规格描述语言SDL 目前广泛应用于复杂通信协议和软件系统的建模。

使用模型检验技术对SDL 进行分析和验证可以检测出模型中的逻辑错误，大大提高SDL 建模结果的精确性。

论文研究了SDL 的形式化语义SDL/PR 中常用部分与模型检验工具SPIN 的输入语言Promela 之间的语义映射规则，并以此为基础开发了一个基于SPIN 内核的SDL 模型检验器SSMC Tool 。

关键词：SDL ；Model Checking ；语义转换；SPIN ；模型验证中图分类号：TP311文献标识码：A 文章编号：1009-3044(2010)11-2624-03Checking Tool Design of SDL Model Based on SPIN KernelHUANG Shan 1,3,HUANG Zhong-jian 2,HAN Ke 3,WANG Jian-wei 3(1.Institute of Command and Control,PLA University of Science and Technology,Nanjing 210007,China;2.The Mission Command and Control Center,Xichang Satellite Launch Center,Xichang 615000,China;3.Institute of China Electronic Systems Equipment Company,Beijing 100141,China)Abstract:SDL （Specification and Description Language ）is widely applied in the modeling of complex communication protocol and soft -ware.Model checking can find out SDL's logic fault and greatly improve its accuracy.The paper has studied the mapping rule between SDL/PR and Promela,which is the input language of the model checker SPIN,and then programmed a SDL model checker SSMC Tool that is based on SPIN kernel.Key words:SDL;Model Checking;semantic transition;SPIN;model verification规格描述语言SDL （Specification and Description Language ）[1]是ITU 定义的一种数据类型支持能力极强的形式化描述语言，其核心基于扩展有限状态机的通信进程模型。

智能中枢安装实验报告(3篇)

第1篇一、实验目的1. 理解智能中枢（如智能控制器、智能模块等）在智能系统中的作用和重要性。

2. 掌握智能中枢的硬件安装步骤和注意事项。

3. 学习智能中枢软件配置的基本方法，包括驱动安装、系统设置等。

4. 通过实验，提高动手实践能力和故障排除能力。

二、实验环境及器材准备1. 实验环境：实验室，具备网络连接的计算机。

2. 实验器材：- 智能中枢设备（如智能控制器、智能模块等）。

- 电脑一台，用于连接和配置智能中枢。

- 数据线、电源线等连接线。

- 实验指导书。

三、实验原理智能中枢是智能系统中的核心部件，负责接收和处理来自各种传感器的数据，并控制执行器完成相应的动作。

智能中枢通常具备以下功能：- 数据采集：从传感器获取实时数据。

- 数据处理：对采集到的数据进行计算、分析等处理。

- 控制执行：根据处理结果控制执行器完成特定动作。

四、实验步骤1. 智能中枢硬件安装- 打开计算机机箱，找到适合安装智能中枢的位置。

- 按照说明书将智能中枢连接到计算机的扩展槽上。

- 连接好电源线，确保智能中枢正常供电。

- 关闭机箱，固定好智能中枢。

2. 智能中枢软件配置- 打开计算机，连接网络。

- 下载智能中枢的驱动程序和配置软件。

- 安装驱动程序，确保智能中枢硬件正常工作。

- 运行配置软件，根据实验需求进行系统设置。

- 配置传感器和执行器的参数，设置数据采集周期等。

3. 测试与调试- 检查智能中枢的运行状态，确保硬件和软件均正常。

- 进行数据采集测试，验证智能中枢的数据采集功能。

- 模拟控制执行，测试智能中枢的控制功能。

- 调试过程中遇到的问题，查找原因并解决。

五、实验结果与分析1. 硬件安装结果- 智能中枢硬件安装完毕，连接正常，供电稳定。

2. 软件配置结果- 驱动程序安装成功，智能中枢软件配置完成。

- 数据采集功能正常，采集周期符合要求。

- 控制功能正常，执行器动作符合预期。

3. 故障排除- 在实验过程中，遇到了智能中枢无法识别传感器的问题。

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