低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长及特性研究的开题报告

低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长及特性研究的开
题报告
1. 研究背景
随着微电子技术的发展，硅材料及其在电子器件中的应用得到了广泛的发展。

其中，Poly-Si薄膜是一种重要的材料，在太阳能电池、液晶显示器等领域中有着广泛的应用，并且还有着潜在的应用价值。

目前，Poly-Si薄膜的制备方法有很多种，其中ECR-PECVD生长方法具有高生长速率、低温度等优点，因此备受关注。

2. 研究目的
本课题旨在研究低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长方法，并深入探讨其生长特性
和性能。

具体研究内容包括：在不同处理条件下，ECR-PECVD生长Poly-Si薄膜的生
长速率、结晶度、晶粒尺寸等性能的变化规律，以及对生长过程中的物理机制进行探究。

3. 研究方法
本研究将采用ECR-PECVD生长法制备Poly-Si薄膜，通过改变反应气体压强、反应温度、射频功率、衬底温度等参数，研究Poly-Si薄膜的性质和生长规律。

通过SEM、XRD、EDS等分析手段，对材料的微观结构及成分进行表征和分析，以探究不同处理
条件对Poly-Si薄膜性能的影响。

4. 预期成果
通过本研究，将深入了解低温下Poly-Si薄膜的ECR-PECVD生长特点，建立其生长的
动力学模型，系统分析其物理机制，为Poly-Si薄膜在光电器件领域中的应用提供理论基础和技术支持。

预期在相关领域或行业具有先进的应用价值和潜在的经济效益。