FOSAN富信电子 二级管 SS315-SS320-产品规格书
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安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
SS315-SS320
SMA Schottky Barrier Rectifier Diode
肖特基势垒整流二极管
■Features 特点
Low forward voltage drop 低正向压降High current capability 高电流能力Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMA(DO-214AC)
■Maximum Rating 最大额定值
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数
Symbol 符号SS315SS320Unit 单位Peak Reverse Voltage 反向峰值电压V RRM 150200V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 150200V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)
105
140
V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 3A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 80A
Thermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 10℃/W
Junction Temperature 结温T J 175℃Storage Temperature 储藏温度
T stg
-65to+175℃
℃
■Electrical Characteristics 电特性
(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)
Characteristic 特性参数Symbol 符号
SS315
SS320
Unit 单位
Condition 条件
Forward Voltage 正向电压V F 0.92V I F =3A Reverse Current 反向电流I R (25℃)(100℃)0.022mA V R =V RRM Diode Capacitance 二极管电容
C D
250
pF
V R =4V,f=1MHz
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
SS315-SS320■Typical Characteristic Curve典型特性曲线
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
SS315-SS320■Dimension外形封装尺寸。