模拟电子技术选择填空
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
UO 7.3V
16
4.图所示，设二极管导通压降为0.7V，判断二极管是否
导通，并求输出电压 U O 。
VD1截止V，D2导通 UO 5.3V
2021/5/27
VD导通 UO 11.3V
17
u tV u 5.电路如图所示，设 E，6V i 1s2in ()，二极管
的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o1的波形。
零或反向
反向
2021/5/27
27
8.当＿三正＿极向＿管＿工偏作置在，＿集＿饱电＿和极＿＿区＿正时＿向，＿U偏CE置≈。0。发射极
9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿集极电的电位最高，＿＿＿发＿射极电位最低， ＿＿＿＿极基和＿＿＿＿极发电射位差等于＿＿＿＿。
10.当0.7PVNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，
17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反 接，则____电_源__短_路，如果任意一只二极管脱焊，则
成_为__半__波_整_。流
2021/5/27
6
二、选择题：
1.二极管的导通条件是( )。
A. UD 0 B. UD 死区电压 C.UD 击穿电压。
2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％，它的 电流( )。
2021/5/27
8
7 .在图示电路中稳压管VDZ1的稳定电压为9V， VDZ2的 稳定电压为15V，输出电压 U O 等于( )。
A．15V B．9V C．24V
8.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽 灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。
A. B B. C C. A
＋
＋
约
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空(16分)1．半导体二极管的主要特性是。
2．三极管工作在放大区时，发射结为偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结为偏置，集电结为偏置。
3．当输入信号频率为和时，放大倍数的幅值约下降为中频时的倍，或者是下降了，此时及中频时相比，放大倍数的附加相移约为。
4．为提高放大电路输入电阻应引入反应；为降低放大电路输出电阻，应引入反应。
5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可到达，但这种功放有失真。
6．在串联型稳压电路中，引入了——负反应；为了正常稳压，调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，那么这只三极管是( )。
A．型硅管 B．型锗管 C．型硅管 D．型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。
A．P沟道增强型管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型管D．N沟道耗尽型管3．在图示2差分放大电路中，假设 = 20 ，那么电路的( )。
A．差模输入电压为10 ，共模输入电压为10 。
B．差模输入电压为10 ，共模输入电压为20 。
C．差模输入电压为20 ，共模输入电压为10 。
D．差模输入电压为20 ，共模输入电压为20 。
4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的( )。
A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中为其输入电阻，为常数，为使下限频率降低，应( )。
A．减小C，减小 B．减小C，增大C．增大C，减小 D．增大C，增大6．如下图复合管，V1的 b1 = 30，V2的 b2 = 50，那么复合后的 b 约为( )。
A．1500 B．80 C．50 D．307．桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A．根本共射放大电路 B．根本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．某电路输入电压和输出电压的波形如下图，该电路可能是( )。
模拟电子技术基础期末试题填空选择复习题
填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
模拟电子技术(填空题)
7．理想情况下，_高通滤波器___________________在f→无穷时的电压增益就是其通带电压增益。
6、在电压放大电路中，输入交流信号在整个周期内都有电流流过放大器件，这种工作方式通常称为 甲 类放大。
7、产生正弦波振荡的条件是 1 。
8、集成运放电路由 差分输入级 电压放大级 输出级（电流放大） 、直流偏置电路等四部分组成。
6、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、___选频网络、稳幅环节____四部分组成。
7，在小功率稳压电源中，其整流电路的任务是_____将交流电变成直流电（或将交流电变成小幅脉冲直流）____。
ten
1．当PN结外加正向电压时，扩散电流 远大于， 漂移电流，耗尽层 变窄 。
three
1．稳压二极管稳压时是处于 反向 偏置状态，而二极管导通时是处于 正向 偏置状态。
2．在有源滤波器中，运算放大器工作在 线性 区；在电压比较器中，运算放大器工作在 非线性 区。
3．差分放大电路能够抑制 共模 信号，放大 差模 信号。
5、乙类互补对称功率放大电路的效率较高，但具有 交越 失真，如设置合适的偏置电路使其工作在甲乙类，就能克服这一缺点。
6、根据反馈信号在放大电路输入端与输入信号的求和形式不同，可将反馈分为 串联 反馈和 并联 反馈，其中以电流形式求和的为 并联 ห้องสมุดไป่ตู้ 反馈，以电压形式求和的为 串联 反馈。
one
1．PN结正向偏置时 导通 ，反向偏置时 截止 ，所以PN结具有 单向 导电性。
模拟电子技术复习考试题(填空选择)
填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合，阻容耦合，变压器耦合。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为1800；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为0。
、三极管工作在放大区时，它的发射结保持正向偏置，集电结保持反向偏置。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
41、场效应管属于电压控制电流型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制电流型器件。
、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。
模拟电子技术复习题(填空选择)
填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V ；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V ，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V 。
2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。
3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变 窄 。
4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个 电 阻 。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、 连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。
6、PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 增强 。
PN 具有 单向导电 特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压 V th 约为 0.5 伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。
9、P 型半导体的多子为 空穴 、N 型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子—空穴 对 。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P ） 半导体和 电子（N ） 半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为 0.5 V ，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V 。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下， 输出随频率连续变化的稳态响应 。
15、N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是结 电容。
18、在 NPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则 I BQ 增大 ， I CQ 增大 ，U CEQ 减 小 。
模拟电子技术填空题答案
1，半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2，本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是自由电子，若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。
3，PN结在正偏是导通，反偏是截止，这种特性称为单向导电性。
4，当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向电压将减小。
5，整形电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单项脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6，发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7，光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8，测得某二极管的正向电流为1mA，正向压降为0.65V，该二极管的直流电阻等于650Ω，交流电阻等于26Ω。
1，晶体管从结构上可以分为PNP和NPN两种类型，它工作时有两种载流子参与导电。
2，晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
3，晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。
4，当温度升高时，晶体管的参数增大，I增大，导通电压减小。
5，某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10uA变化到20uA时，集电极从1mA变为1.99mA，则交流电流放大系数约为99.6，场效应管从结构上可分为两大类：MOS场效应管、结型场效应管；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：增强型、耗尽型。
7，Ugs(off)表示夹断电压，Idss表示饱和漏极电流，它们是耗尽型场效应管的参数。
1，放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压Uo=1V，该放大电路的电压放大倍数为100，电压增益为40dB。
2，放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越小，输入电阻也就越大；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越小，放大电路的负载能力就越强。
3，共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相，电压放大倍数近似为1，输入电阻大，输出电阻小。
模拟电子技术试题(含答案)
模拟电子技术基础试卷及答案一、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是（ A ）。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻，R S 为常数，为使下限频率f L 降低，应（ D ）。
A ． 减小C ，减小R i B. 减小C ，增大R i C. 增大C ，减小 R i D. 增大C ，增大 R i5.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D ）。
A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路6.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器7．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 8．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
a ．正向导通区 b ．反向截止区 c ．反向击穿区9.理想集成运放具有以下特点：（ B ）。
A. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞B. 开环差模增益A u d =∞，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =0C. 开环差模增益A u d =0，差模输入电阻R i d =∞，输出电阻R o =∞D. 开环差模增益A ud =0，差模输入电阻R id =∞，输出电阻R o =010.在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ D ） ，则说明引入的是负反馈。
模拟电子电路技术试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题1一、填空题(每空1分，共32分)1、空穴为( )载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体.2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为( ）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成,其大小决定于( ），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=（) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO( ）所以Ic 也( ) .7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压,采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用( )负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=( )。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制( )信号，放大（)信号.11、OCL电路是（)电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。
低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而( ）.共基极电路比共射极电路高频特性( ）。
14、振荡电路的平衡条件是（)，（)反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（).二、选择题（每空2分，共34分）1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是( ）A 5vB 9vC 12v2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、—6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（),该管是( )。
A (E、C、B）B（C、B、E) C（B、C、E) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（)失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了( )而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）A Uo高B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中，以下哪种元件不是基本的模拟电路元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案：D2. 运算放大器的主要作用是什么？A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案：A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号？A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A4. 在模拟电路设计中，为了减小温度对电路性能的影响，通常采用哪种方法？A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案：A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性？A. 锗（Ge）B. 硅（Si）C. 氮化镓（GaN）D. 氧化锌（ZnO）答案：B二、填空题1. 在模拟电子技术中，______和______是构成振荡器的基本元件。
答案：电阻、电容2. 为了实现信号的放大，通常需要在电路中引入______。
答案：负反馈3. 在模拟信号处理中，______是用来描述信号频率内容的工具。
答案：傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案：低频5. 在模拟电路中，为了提高电路的稳定性和可靠性，常常使用______电源。
答案：稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件，主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中，晶体管可以作为放大器使用，通过小信号控制大信号的放大过程，实现信号的增益。
同时，晶体管还可以用作开关，控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中，运算放大器因其优良的放大性能和灵活性，被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中，是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
《模拟电子技术》试卷及答案
《模拟电子技术》试卷及答案（本题共5小题，每小题4分，共20 分）一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。
2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
（本题共10小题，每小题1分，共10分）二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。
（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。
（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。
（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空16分1．半导体二极管的主要特性是___________ ;2．三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;3．当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;5．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;6．在串联型稳压电路中,引入了——负反馈；为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;二、选择正确答案填空24分1．在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是 ;A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为 ;A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ;A．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV;B．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV;C．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV;D．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV;4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ;A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ; A．减小C,减小Ri B．减小C,增大RiC．增大C,减小Ri D．增大C,增大 Ri6．如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ;A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和 ; A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ;A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路;1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro;12分四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = 10分五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率8分六、分析图示两个电路的级间反馈;回答：12分1．它们是正反馈还是负反馈2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有3．它们属于何种组态4．各自的电压放大倍数大约是多少七、电路如图所示;试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件2．如不满足,应如何改动使之有可能振荡如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路3．在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少 10分八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200 μF;求：8分1．整流滤波后的直流电压UIAV 约为多少伏2．当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大模拟试卷二一、填空：18分1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式;2．在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器;3．单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W,整流二极管IDAV =___A;4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数即传输系数、jF = ;5．在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时,可选用滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用滤波器；有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器;6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为 ;二、选择正确答案填空9分1．图示电路中二极管是理想的,电阻R为6 W;当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时,用黑表笔通常带正电接A点,红表笔通常带负电接B点,则万用表的指示值为 ;a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W ;2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下测得A的输出电压小;这说明A 的 ;a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V;这说明放大电路的输出电阻为 ;a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW ;三、判断下列管子的工作状态10分1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态饱和、截止、倒置;设所有的三极管和二极管均为硅管;2．电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区饱和区、夹断区、可变电阻区;四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知 b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = 0.7 V,其它参数如图所示;1．求静态工作点IB、IC、UCE；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = 12分五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率;8分六、图示电路中各运算放大器是理想的,试写出各输出电压Uo的值;10分七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件;1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf; 10分八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA;1．写出图a中的I0的表达式,并算出具体数值；2．写出图b中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能;9分九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值;设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V;12分模拟试卷三一、填空26分1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种;2．图中二极管为理想器件,V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V;3．三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V,则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管;4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA;图中电压表中流过的电流忽略不计;当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时,其读数分别为__ 、 __、 ;5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍;6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ ;7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V;一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = 5.1 kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V;试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro;12分三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益 8分四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V;1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区3．若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大 12分五、电路如图所示;1．正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少3．若R1 = 2 kW,求Rf的最小值;12分六、图为一高通有源滤波电路;设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uojw/Uijw 的表达式,并求出截止频率fp;8分七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax; 1．指出这是两个什么类型的电路；2．画出它们的电压传输特性;10分八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0 V;1．为稳定输出电压uO,正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf =3．求最大不失真输出电压功率Pomax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少 12分模拟试卷四一、填空20分1．在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V; 2．场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制型器件;3．某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管是 N或P沟道增强或耗尽型的结型或绝缘栅场效应管,图中UGS = －2 V称为该管的电压;4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为____,上限频率为 ,中频的电压增益为__dB,输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ ;5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压 DUI1 = DUI2,则输出电压 DUo = ;若 DUI1 = +1500 mV,DUI2 = +500 mV,则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ,差模输入信号分别为 DUId1 = ,DUId2 = ,共模输入信号 DUIc = ;6．设计一个输出功率为20 W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选至少为 W的功率管两个;二、两级放大电路如图所示,已知三极管 b1 =b2 =50,rbe1 = 1.6 kW,rbe2 = 1.3 kW,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路; 共14分1．试说明V1和V2各组成什么电路组态2．画出中频区的H参数微变等效电路；3．计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；4．计算中频区源电压放大倍数Aus;三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件;10分1．为对运算放大器形成负反馈,应对uI2的极性有何限制2．推导uo与uI1、uI2之间的关系式,指出该电路具有何种运算功能;3．设K = 0.1 V-1,R1 = 10 kW,R2 = 1 kW,uI1与uI2极性相同且绝对值均为10 V,问输出电压uo =四、电路如图所示,设满足深度负反馈条件,电容C1、C2的容抗很小,可以忽略不计;10分1．试判断级间反馈的极性和组态；2．估算其闭环电压放大倍数;五、图示电路为一阶低通有源滤波器;设A为理想运算放大器,试推导该电路的传递函数,并求出通带截止频率fp;8分六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡;如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等,并估算其振荡频率;已知这两个电路中的L = 0.5 mH,C1 = C2 = 40 pF;10分七、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图所示;已知W7805的输出电压为5 V,IQ = 8 mA,晶体管的 b = 50,|UBE| = 0.7 V,电路的输入电压UI = 16 V,求输出电压Uo是多少伏 6分八、在图示电路中,设运算放大器是理想的,电阻R1 = 33 kW,R2 = 50 kW,R3 = 300 kW,R4 = Rf = 100 kW,电容C = 100 mF;试计算下列各值：1．当uI1 = 1 V时,uo1 =2．要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V,uI2应为多大设电容两端的初始电压uc = 0;设t = 0时uI1 = 1 V,uI2 = -2 V,uc = 0 V,求t = 10 s时uo = 12分九、OCL电路如图所示,负载电阻RL = 50 kW,设晶体管的饱和管压降可以忽略;10分1．若输入电压有效值Ui = 12 V,求输出功率Po、电源提供功率PDC以及两管的总管耗PC；2．如果输入信号增加到能提供最大不失真的输出,求最大输出功率Pomax、电源此时提供的功率PDC以及两管的总管耗PC；3．求两管总的最大管耗PCM;模拟试卷五一、填空题20分1．处于放大状态的NPN型晶体管,UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ；2．理想运算放大器的开环电压放大倍数为__,输入电阻为___,输出电阻为___；工作在线性区时,运放两个输入端电压___,称做___；流入输入端的电流为___,称做___;3．如果变压器二次即副边电压的有效值为10 V,桥式整流后不滤波的输出电压为___V,经过电容滤波后为___ V,二极管所承受的最大反向电压为______ V; 4．差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO =___；若u I1 = 100 mV,u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =___；共摸电压uIc =____;5．某晶体管的极限参数PCM = 200 mW,ICM = 100 mA,UBRCEO = 30 V,若它的工作电压UCE为10 V,则工作电流不得超过___mA；若工作电流IC = 1 mA,则工作电压不得超过________ V;6．某放大电路的电压增益为80 dB,相当电压放大倍数为______ 倍;7．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________,相位平衡条件是___ ;二、选择题7分1．工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在 ;a．开环或正反馈状态 b．深度负反馈状态 c．放大状态 d．线性工作状态2．某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用 ;a．低通滤波器 b．高通滤波器 c．带通滤波器 d．带阻滤波器3．某传感器产生的是电压信号几乎不能提供电流,经过放大后希望输出电压与信号成正比,电路形式应选 ;a．电流串联负反馈 b．电流并联负反馈 c．电压串联负反馈 d．电压并联负反馈4．与甲类功率放大方式相比,OCL互补对称功放的主要优点是 ;a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真5．集成运放的输入级采用差分电路是因为可以 ;a．增大放大倍数 b．减小温漂 c．提高输入电阻6．稳压二极管稳压时,其工作在 ,发光二极管发光时,其工作在 ;a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区三、放大电路如下图所示,已知：VCC = 12 V,RB1 = 120 kW,RB2 = 39 kW,RC = 3.9 kW,RE = 2.1 kW,RL = 3.9 kW,rbb = 200 W,电流放大系数 b = 50,电路中电容容量足够大,要求：1．求静态值IBQ,ICQ 和UCEQ 设UBEQ = 0.6 V ；2．画出放大电路的微变等效电路；3．求电压放大倍数Au,源电压放大倍数Aus,输入电阻Ri,输出电阻Ro ;4．去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au ,输入电阻Ri ; 14分四、设图中A为理想运放,请求出各电路的输出电压值;12分五、题图四个中间级电路,假设各电路都设置有合适的静态工作点图中未画出;12分1．指出其级间反馈的极性,若为负反馈说明组态；2．写出其中的负反馈电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数表示式;六、同学们在实验中用集成运放组成了四个LC正弦波振荡电路,请说出每个振荡电路的类型,并判断它们是否都能振荡起来 6分七、题图电路,A1,A2为理想运放;1．说明电路由哪些基本单元电路组成；2．画出u0与u01的电压传输特性曲线；3．设t = 0时,uc0 = 0,u0 = 12 V,现接入uI = -10 V,经过多长时间u0 翻转到 -12 V4．若uI 输入如图所示的矩形波,请画出u01和u0的波形; 14分八、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路;已知IQ = 9 mA,电路的输入电压为16 V,求电路的输出电压UO = 5分九、图示电路中,输入信号是正弦电压,V1,V2管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小,VCC = VEE = 15 V,RL = 8 W;1．请说明该功放电路的类型；2．负载上可能得到的最大输出功率；3．每个管子的最大管耗PCM为多少电路的最大效率是多大 10分模拟试卷一答案一、填空16分1．单向导电性;2．正向、反向；正向、正向;3．0.707、3dB、±45°;4．交流串联负反馈、交流电压负反馈;5．0、0、78.5%、交越;6．电压串联负反馈,放大;二、24分1．A 2．D 3．C 4．C 5．D 6．A 7．D 8．A三、12分1．V1组成共射放大电路,V2组成共集电极放大电路；2．图略；3．四、10分五、8分电压放大倍数：Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14 下限频率：fL = 1/2pRC = 40.8 Hz六、12分图a：负反馈,交、直流反馈兼有,电压并联组态,；图b：负反馈,交、直流反馈兼有,电压串联组态,;七、10分1．满足相位平衡条件；2．电容三点式正弦波振荡电路；3．八、8分1．U IAV " 24 V;2．故求得100 W ￡ RL ￡ 133 W ;模拟试卷二答案一、填空18分1．直接、变压器;2．-200,共基极,共发射极,共集电极;3．27 V,0.135 A;4．RC串并联、1/3、0°;5．低通,高通,带阻,带通;6．2p,p,大于 p 小于2p;二、9分a、b、c ;三、10分1．V1截止,V2倒置,V3饱和；2．V4工作在饱和区放大区,V5工作在可变电阻区;四、13分1．, , UCE1 = UC - UE = 8.7 V；2．图略；3．,, uo = -548 mV;五、8分fL = 1/2pR1C1 = 79.5 Hz , fH = BWG/Auf = 20 kHz ;六、10分a Uo = 0.45 V；b Uo = 0.15 V;七、10分1．a为电压并联负反馈,b为电流串联负反馈；2．八、10分1．IO = U23 / R + IQ " 1 A ；2．UO = U231 + R2 / R1 + IQR2 " 10 V ；3．a 为恒流源电路,b 为可调的稳压电源;九、12分模拟试卷三答案一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、12分1．IB = 18.5 mA,IC = 1.11 mA,UCE = 6.25 V；2．图略；3．,Ri = 1.58 kW, Ro = 4.9 kW;三、8分电压串联负反馈； ;四、12分1．A1组成反相比例电路,A2组成单值比较器,A3组成电压跟随器；2．A1和A3工作在线性区,A2工作在非线性区；3．uO1 = -10 V,uO2 = 12 V,uO3 = 6 V;五、12分1．A与P、B与N分别相连；2．；3．Rf > 4 kW;六、8分七、10分1．图a为反相迟滞比较器,图b为同相比例运算电路;2．见图：八、12分1．电压串联负反馈；2．, Rf = 90 kW；3．,最大输出时Uom = VCC = AufUim,Uim = 1.5V;模拟试卷四答案一、填空20分1．0.5 V,0.7 V；0.1 V,0.2 V;2．电压,电流;3．P,增强,绝缘栅,开启电压;4．10 Hz,106 Hz,60 dB,-180°;5．0,1 000 mV,500 mV,-500 mV,1 000 mV;6．4 W;二、14分1．V1组成共射电路；V2组成共集电极电路2．图略;3．4． ,Au2 " 1,Au = Au1Au2 " -27.5,;三、10分1．要求uI2 > 0,即为正极性;2．u o = KuI2 uo,且,故得到该电路具有除法运算功能;3．uo = -1 V;四、10分1．电压并联负反馈；2． ;五、8分六、10分图a不能振荡;图b可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电路;振荡频率为七、6分答Uo ＝9 V也算正确;八、12分1．u o1 = 3 V；2．令,得uI2 = -1 V；3．;九、10分1．PC = PDC - PO " 32 W ；2．PC = PDC - POmax " 22 W ；3．PCM = 0.4POmax " 31.2 W ;模拟试卷五答案一、填空题20分1．UC > UB > UE ；UB> UC > UE 或UB > UC、UB > UE ;2．∞,∞,0；相等,虚短；零,虚断;3．9 V,12 V,14.1 V;4．0,20 mV,90 mV;5．20 mA；30 V;6．104 ;7．AF = 1,j A + jF = 2np ;二、选择题7分1．a； 2．c； 3．c； 4．c； 5．b； 6．c,a三、14分四、12分U01 = 6 V, U02 = 6 V, U03 = 4 V, U04 = 10 V, U05 = 2 V, U06 = 2 V;五、10分1．a 电压串联负反馈； b 正反馈； c 电流并联负反馈； d 正反馈;2．六、6分a能振荡,为电感三点式；b不能振荡;七、14分1．由积分电路和具有滞回特性的电压比较器组成； 2．传输特性曲线;3．∴ t = 20 mV; 4．波形八、5分九、10分1．OCL；2．；3．PCM = 0.2Pmax = 2.8 W, hmax = 78.5%;。
模拟电子技术(西安交大2版)试题及答案
《模拟电子技术基础》试题（A 卷）一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。
（10分） （1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（ ） （2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（ ） （3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（ ） （4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（ ） （5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。
（ ） （6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（ ） （7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。
（ ） （8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（ ） （9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（ ） （10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（ ） 二、选择填空 （10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 。
（A ）电流负反馈 （B ）电压负反馈 （C ）直流负反馈 （D ）交流负反馈 （2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ）阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ）差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是 ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 。
（A ）共基放大电路 （B ）共集放大电路 （C ）共射放大电路 （6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。
（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。
模电复习题(2012)
模拟电子技术复习题（1）一.选择填空题1.当温度升高时,晶体管的β值______ , I CEO________ , U BE_______ 。
（a.不变, b.增大, c.减小）2.当晶体管工作在放大区时,其发射结处于_______ , 集电结处于_______ 。
（a.零偏置, b. 正向偏置, c. 反向偏置）3.场效应管是通过改变_______（a.栅极电流, b.栅源电压, c.漏源电压）来控制漏极电流的。
可等效为一个_______（a. 电流, b. 电压）控制的_______（a.电流源 b.电压源）。
4. 单管共集电极放大电路的电压放大倍数_______（a. Au＜０, b. 0＜Au＜1, c. Au＞1）其输入电阻_______ , 其输出电阻_______ 。
（a.,大, b.小, c.不大不小）又称为射极输出器。
5.长尾式差动放大电路中，Re的阻值越大则:________（a.Ａd越大，b.Ａd越小,c.Ac 越大，d.Ac越小）则电路的共模抑制比KCMR_______（a.越大，b.越小）。
这种电路主要是为了_______（a.稳定放大倍数，b.克服零点漂移，c.提高输入电阻，d.扩展通频带）。
6. 电流串联负反馈组态可以稳定_______ ,（a. 输出电压, b. 输出电流）其输入电阻比反馈前_______ , 其输出电阻比反馈前_______。
（a.无改变, b.増大, c.减小）7. 集成运算放大器工作在_______（a.线性区，b.非线性区）时，可用“虚短”和“虚断”的方法来分析电路。
8. 整流电路的主要目的是_______（a.将交流变直流，b.将正弦波变方波，c.将高频信号变为低频信号）。
主要是采用_______（a.过零比较器，b.二极管，c.电容、电感）来实现的。
二.分析判断题1.测得放大电路中的晶体管的直流电位如下图所示,试在圆圈中画出晶体管的符号,注明三个引线各属什么电极（b, e , c）,判断晶体管的类型（NPN, PNP）及晶体管是硅管还是锗管。
模拟电子技术单选
一．填空题。
1. N型半导体中多数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是 B 。
A．自由电子 B．空穴2. N型半导体 C ；P型半导体 C 。
A．带正电 B．带负电 C．呈电中性3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 B ，而少子的浓度则受 A 的影响很大。
A．温度 B．掺杂浓度 C．掺杂工艺 D．晶体缺陷4. PN结中扩散电流方向是 A ；漂移电流方向是 B 。
A．从P区到N区 B．从N区到P区5. 当PN结未加外部电压时，扩散电流 C 飘移电流。
A．大于 B．小于 C．等于6. 当PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。
A．大于 B．小于 C．等于D．变宽 E．变窄 F．不变7. 二极管的正向电阻 B ，反向电阻 A 。
A．大 B．小8. 当温度升高时，二极管的正向电压 B ，反向电流 A 。
A．增大 B．减小 C．基本不变9. 稳压管的稳压区是其工作在 C 状态。
A．正向导通 B．反向截止 C．反向击穿1. 晶体管能够实现放大的内部结构条件是 ( D )。
A.两个背靠背的PN结B.空穴和电子都参与了导电C.有三个掺杂浓度不一样的域D.发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大2. 晶体管能够实现放大的外部条件是 ( B )。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的β为( A )。
A.60B.61C.100D.504. 射极输出器的特点是( C )。
A.uA ＜l，输入电阻小，输出电阻大 B.u A ＞1，输入电阻大，输出电阻小C.uA ＜1且u A ≈ l，输入电阻大，输出电阻小 D.u A ＞l，输入电阻小，输出电阻大5. 有两个放大电路A1和A2分别对同一电压信号进行放大。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
第一章 半导体二极管及其应用电路 第六章 运放应用电路
第二章
半导体三极管及其放大电路
第七章
功率放大电路
第三章
场效应晶体管及其放大电路
第八章
波形发生和变换电路
第四章
集成运算放大器
第九章
直流稳压电源
第五章
负反馈放大电路
第十一章～第二十一章
应用篇
第一章 半导体二极管及其应用电路
一、填空： 绝缘体 之间的物 导体 和_______ 1．半导体是导电能力介于_______ 质。 掺杂 特性，制成杂质半导体；利 2．利用半导体的_______ 光敏 特性,制成光敏电阻，利用半 用半导体的_______ 热敏 特性,制成热敏电阻。 导体的_______ 导通 ，加反向电压时 3．PN结加正向电压时_______ 截止 ，这种特性称为PN结的 单向导电 _______ _______ 特性。
饱和 8.当三极管工作在＿＿＿＿区时， UCE ≈0。发射极 正向 正向 ＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。 9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 集电 发射 以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低， 基 发射 ＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。 0.7V 10.当 PNP锗管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低， 发射 集电 UBE等于＿＿＿＿。 -0.3V 三个电极的电位分别为 11.晶体三极管放大电路中 ,试判断三极管的 V ,V2 1.2V ,V3 1.5V 类型是 ＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。 1 4V 锗 PNP
T 10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足 RLC （3～5） 2 时，负载电阻上的平均电压为_______。 A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2
模拟电子技术试题及答案
《模拟电子技术》试题（1卷）一、填空题（每空1分，共20分）1。
PN结中内电场阻止的扩散，推动的漂移运动.2. BJT工作在放大区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。
3。
射极输出器的输入信号从极间输入，而输出是从极间取出。
因此，射极输出器是一个共极放大器。
4。
甲类功放BJT的导通角为；乙类功放BJT的导通角为；甲乙类功放BJT的导通角为；5。
若两个输入信号电压的大小，极性，就称为差模输入信号.6。
为了稳定放大器的工作点，应引入负反馈；为了稳定放大器的性能，应引入负反馈。
7.自激振荡电路主要由和两部分组成,前者要求有足够的放大倍数，后者要求反馈信号与输入信号。
8.在电感反馈三点式振荡器中，BJT c-e极间的回路元件是；b-e极间的回路元件是；c—b极间的回路元件是 .二、判断题（每小题1分，共10分）1.P型半导体中的多数载流子是空穴,因此，P型半导体带正电。
（ )2.发射结处于反偏的BJT,它一定工作在截止区。
( ）3.BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使用.( ）4.BJT的输入电阻r be是对交流而言的一个动态电阻,在小信号情况下为常数。
5。
射极输出器的输入信号加在BJT的基极,输出取自发射极。
因此，输出电压的大小可用公式V E=V B—V BE进行计算。
（ )6。
乙类功放中的两个BJT交替工作,各导通半个周期。
( )7。
与接入反馈前相比较，接入负反馈后,净输入量增大了.( )8。
在运放电路中，闭环增益Àf是指广义的放大倍数.（）9。
凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。
（）10.由LC元件组成的并联谐振回路谐振时的阻抗呈纯电阻性，且为最小值.（ )三、选择题（每小题1分，共10分)1。
PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）.a。
不变 b.变宽 c.变窄2。
测得BJT各电极对地电压为：V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V，则该BJT工作在（ )状态。
模拟电子技术期末试题及答案
模拟电子技术期末试题及答案一、选择题1. 下列哪个元器件是用来放大电流信号的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：C. 晶体管2. 下列哪个元器件是用来存储电荷的？A. 电容器B. 电感器C. 晶体管D. 电阻器答案：A. 电容器3. 以下哪个不属于模拟电子技术的基本元器件？A. 电容器B. 晶体管C. 可编程逻辑门D. 电感器答案：C. 可编程逻辑门4. 模拟信号与数字信号最主要的区别在于：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的B. 模拟信号是离散的，数字信号是连续的C. 模拟信号只有两种状态，数字信号有多种状态D. 模拟信号只能用模拟器件处理，数字信号只能用数字器件处理答案：A. 模拟信号是连续的，数字信号是离散的5. 下列哪个元器件是用来稳压降压的？A. 二极管B. 可变电阻C. 三极管D. 电容器答案：A. 二极管二、填空题1. 以下哪个公式可以计算功率？答案：功率 = 电压 ×电流2. 电流的单位是什么？答案：安培（A）3. 以下哪个单位可以表示电压？答案：伏特（V）4. 以下哪个单位可以表示电阻？答案：欧姆（Ω）5. 模拟信号的频率单位是什么？答案：赫兹（Hz）三、简答题1. 请解释什么是反馈电路，并说明其作用。
答案：反馈电路是将输出信号的一部分再次输入到输入端，用来改变输入端的输入量，以达到控制输出信号的目的。
反馈电路的作用是能够稳定放大器的放大倍数、提高频率响应和抑制信号失真。
2. 简述运放的作用和基本构造。
答案：运放（操作放大器）是一种重要的模拟电子元件，可以放大电压信号，具有高放大倍数、输入阻抗高、输出阻抗低等特点。
它的基本构造包括差分放大电路、级联放大电路和输出级电路。
3. 请解释什么是滤波器，并列举两种常见的滤波器类型。
答案：滤波器是用于剔除或选择特定频率范围内信号的电路。
常见的滤波器类型有低通滤波器（只允许低于截止频率的信号通过）和高通滤波器（只允许高于截止频率的信号通过）。
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《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极共集电极共基极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数A F=（A/1+AF ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=（1+AF ）BW，其中BW=（f H–f L），（1+AF）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ B ）状态，但其两端电压必须（C ），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（F）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C ），该管是（D）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（NPN）E、（PNP）3、对功率放大器的要求主要是（ B ）、（C ）、（ E ）。
A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ），此时应该（ E ）偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了（C ）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是（A ）。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ（B）倍。
A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A ）负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是（A）、（B）。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=1《模拟电子技术》模拟试题二。
10、共模信号是大小（），极性（）的两个信号。
11、乙类互补功放存在（）失真，可以利用（）类互补功放来克服。
12、用低频信号去改变高频信号的频率称为（），低频信号称为（）信号，高频信号称高频（）。
13、共基极放大电路的高频特性比共射极电路（），fa=（）fβ。
14、要保证振荡电路满足相位平衡条件，必须具有（）网络。
15、在桥式整流电阻负载中，理想二极管承受最高反压是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、A2、C E3、B A4、C5、A6、B7、C8、A B9、B C E 10、C1、三端集成稳压器CW7812的输出电压是（）。
A、12VB、5VC、9V2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、（PNP）E、（NPN）3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真，下半周失真时为（）失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移5、共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A、放大差模抑制共模B、输入电阻高C、输出电阻低6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）之间变化。
A、0~20B、20~200C、200~10007、单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）UzA、0.45B、0.9C、1.29、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A、U0高，B、P0大C、效率高D、Ri大E、波形不失真10、振荡器的输出信号最初由（）而来的。
A、基本放大器B、选频网络C、干扰或噪声信号试题二答案一、填空（每空1分共32分）1、2、导通截止单向3、少数温度无关4、电流电压5、增加减小6、正偏反偏7、共射极共集电极共基极8、9、A/1+AF 1/F10、相等相同11、交越甲乙12、调频调制高频载波13、好1+β14、正反馈15、√2U2《模拟电子技术》模拟试题三一、填空题（每空1分，共32分）1、空穴为（）载流子。
自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P 型半导体。
2、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3、由漂移形成的电流是反向电流，它由（）栽流子形成，其大小决定于（），而与外电场（）。
4、稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=( ) 所以它是（）控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（）所以Ic也（) 。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（）负反馈，为了提高输入电阻采用（）负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降，但它可以（）通频带（）失真。
9、反馈导数F=（）。
反馈深度是（）。
10、差分放大电路能够抑制（）信号，放大（）信号。
11、OCL电路是（）电源互补功放，OTL是（）电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为（）。
低频信号称为（）、高频信号称为（）。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（）。
共基极电路比共射极电路高频特性（）。
14、振荡电路的平衡条件是（），（）反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共34分）1、A2、C D3、B A4、C5、B C E6、B7、C8、A B9、B C E 10、C1、三端集成稳压器CXX7805的输出电压是（）A 5vB 9vC 12v2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）。
A (E、C、B) B(C、B、E) C(B、C、E) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有（）（）（）A Uo高B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。
A 0-20B 20 -200C 200-10007、单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。
A 0.45B 0.9C 1.28、当集成运放线性工作时，在两条分析依据（）（）。
A U-=U+B I-=I+=0C Uo=UiD Au=19、对功率放大器的主要要求有（）（）（）。
A Uo高B Po大 C效率高 D Ri大 E 波形不失真10、振荡器的输出信号最初是由（）而来的。
A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声信号试题三答案一、填空（每空1分共32分）1、多数少数2、正偏反偏3、少数温度无关4、反向正向5、β电流6、增加也增加7、直流电压串联8、扩展减少9、X f/Xo 1+AF10、共模差模11、双单12、调相调制载波13、下降好14、AF=1 正15、√2U2《模拟电子技术》模拟试题四一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、A2、C E3、B A4、C5、A6、B7、C8、A B9、B C E 10、C1、三端集成稳压器 CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
A放大差模抑制共模 B 输入电阻高C输出电阻低6、LM386是集成功率放大器，它可以使电压放大倍数在（）变化。