1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟
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1MeV中子辐照SiGe HBT器件的数值模拟
王祖军;刘书焕;唐本奇;陈伟;黄绍艳;肖志刚;张勇;刘敏波
【期刊名称】《核电子学与探测技术》
【年(卷),期】2010(030)003
【摘要】分析了SiGe HBT器件中子辐照效应损伤机理.运用MEDICI软件,对SiGe HBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究.计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律.通过对SiGe HBT器件辐照效应的数值模拟计算,验证了相关辐照实验得出的规律.
【总页数】7页(P321-327)
【作者】王祖军;刘书焕;唐本奇;陈伟;黄绍艳;肖志刚;张勇;刘敏波
【作者单位】清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京,100084;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024;西北核技术研究所,陕西,西安,710024
【正文语种】中文
【中图分类】O571.33
【相关文献】
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