2019年高考物理二轮练习题型增分练习专项三计算题专练(二)

2019年高考物理二轮练习题型增分练习专项三计算题专练（二）
注意事项：认真阅读理解，结合历年的真题，总结经验，查找不足！重在审题，多思考，多理解！
无论是单选、多选还是论述题，最重要的就是看清题意。

在论述题中，问题大多具有委婉性，尤其是历年真题部分，在给考生较大发挥空间的同时也大大增加了考试难度。

考生要认真阅读题目中提供的有限材料，明确考察要点，最大限度的挖掘材料中的有效信息，建议考生答题时用笔将重点勾画出来，方便反复细读。

只有经过仔细推敲，揣摩命题老师的意图，积极联想知识点，分析答题角度，才能够将考点锁定，明确题意。

(限时：60分钟)
1、(14分)离子扩束装置由离子加速器、偏转电场和偏转磁场组成、偏转电场由加了电压的
相距为d＝0.1m的两块水平平行放置的导体板形成，如图1甲所示、大量带负电的相同离子(其重力不计)由静止开始，经加速电场加速后，连续不断地沿平行于导体板的方向从两板正中间射入偏转电场、当偏转电场两板不带电时，离子通过两板之间的时间为3×10－3s，当在两板间加如图乙所示的电压时，所有离子均能从两板间通过，然后进入水平宽度有限、竖直宽度足够大、磁感应强度为B＝1T的匀强磁场中，最后通过匀强磁场打在竖直放置的荧光屏上、求：
图1
(1)离子在刚穿出偏转电场两板之间时的最大侧向位移与最小侧向位移之比为多少？
(2)要使侧向位移最大的离子能垂直打在荧光屏上，偏转电场的水平宽度L为多大？
2、(2018·江苏·15)(16分)如图2所示，待测区域中存在匀强电场和匀强磁场，根据带电
粒子射入时的受力情况可推测其电场和磁场、图中装置由加速器和平移器组成，平移器由两对水平放置、相距为l的相同平行金属板构成，极板长度为l、间距为d，两对极板间偏转电压大小相等、电场方向相反、质量为m、电荷量为＋q的粒子经加速电压U0加速后，水平射入偏转电压为U1的平移器，最终从A点水平射入待测区域、不考虑粒子受到的重力、
图2
(1)求粒子射出平移器时的速度大小v1；
(2)当加速电压变为4U0时，欲使粒子仍从A点射入待测区域，求此时的偏转电压U；
(3)粒子以不同速度水平向右射入待测区域，刚进入时的受力大小均为F.现取水平向右
为x轴正方向，建立如下图的直角坐标系Oxyz.保持加速电压为U0不变，移动装置使粒
.
3、(19分)在如图3所示区域中，x轴上方有一匀强磁场，磁感应强度的方向垂直纸面向里，
大小为B，今有一质子以速度v0由y轴上的A点沿y轴正方向射入磁场，质子在磁场中运动一段时间以后从C点进入x轴下方的匀强电场区域中，在C点速度方向与x轴正方向夹角为45°，该匀强电场的电场强度大小为E，方向与y轴的夹角为θ＝45°且斜向左上方，质子的质量为m，电荷量为q，不计质子的重力，磁场区域和电场区域足够大，求：
图3
(1)C点的坐标；
(2)质子从A点出发到第三次穿越x轴时的运动时间；
(3)质子第四次穿越x轴时速度的大小及速度方向与电场E方向的夹角、(角度用反三角
函数表示)
4、(19分)如图4所示，两根电阻不计的足够长光滑平行金属导轨与水平面夹角为θ，导轨
间距为l，所在平面的正方形区域abcd内存在有界匀强磁场，磁感应强度大小为B，方向垂直于斜面向上、将甲、乙两阻值相同，质量均为m的相同金属杆放置在导轨上，甲金属杆处在磁场的上边界，甲、乙相距l.从静止释放两金属杆的同时，在金属杆甲上施加一个沿着导轨的外力F，使甲金属杆在运动过程中始终沿导轨向下做匀加速直线运动，且加速度大小a＝g sinθ，乙金属杆进入磁场即做匀速运动、
图4
(1)求每根金属杆的电阻R；
(2)从释放金属杆开始计时，写出从计时开始到甲金属杆离开磁场的过程中外力F随时
间t变化的关系式，并说明F的方向；
(3)假设从开始释放两杆到乙金属杆离开磁场，乙金属杆共产生热量Q，试求此过程中
外力F对甲做的功、
答案
1、(1)2∶1(2)0.2m
2、(1)2qU 0
m (2)4U 1
(3)(a)由沿x 轴方向射入时的受力情况可知B 平行于x 轴、 且E ＝F
q (1分)
(b)由沿±y 轴方向射入时的受力情况可知：E 与Oxy 平面平行、 F 2＋f 2＝(5F )2，那么f ＝2F 且f ＝qv 1B (2分)
解得B ＝F q 2m
qU 0(1分)
(c)设电场方向与x 轴方向夹角为α
假设B 沿x 轴方向，由沿z 轴方向射入时的受力情况得
(f ＋F sin α)2＋(F cos α)2＝(7F )2(2分)
解得α＝30°，或α＝150°(1分)
即E 与Oxy 平面平行且与x 轴方向的夹角为30°或150°. 同理，假设B 沿－x 轴方向
E 与Oxy 平面平行且与x 轴方向的夹角为－30°或－150°.
3、(1)⎝ ⎛⎭⎪⎫－mv 0qB 1＋220(2)7πm 4qB ＋2mv 0
qE (3)5v 0arctan 12
4、(1)B 2l 22gl sin θ2mg sin θ(2)mg 2sin 2θ
2gl sin θt ，方向沿导轨向下(3)2Q －mgl sin θ。