CMOS图像传感器及其制造方法[发明专利]
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专利名称：CMOS图像传感器及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：郑善旭
申请号：CN200610126883.6
申请日：20060907
公开号：CN1929145A
公开日：
20070314
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了CMOS图像传感器及其制造方法。
CMOS图像传感器包括：器件隔离层、多个光电二极管区、中间绝缘层、折射层、平坦化层、滤色器层、以及多个微透镜。
折射层具有的折射率大于中间绝缘层的折射率，折射层穿过中间绝缘层形成在器件隔离层的部分上，以分隔中间绝缘层，并使得中间绝缘层的经分隔的部分具有波导管的特性。
申请人：东部电子株式会社
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：余刚
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