chapter14 二极管和晶体管.ppt
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4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 b ，N 型半导体中的电流主要是 a 。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
14.2 PN结及其单向导电性
1。PN结的形成
空间电荷区(Space charger region)也称 PN 结、耗尽层
P 型半导体
内电场 N 型半导体
－－－－－－ + + + + + +
基极
B
B
符号：
NPN型三极管
PNP型三极管
C IC B
C IC B
IB E
IE
IB E
IE
结构特点： 集电区： 面积最大
集电结 Base 基极 B
Collector
集电极 C
N P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低、整流(rectification)：应用最多 二、钳位 三、限幅 四、元件保护 五、检波 六、稳压：稳压二极管(Zener diode) 七、发光：发光二极管(Light-emitting diode
LED) 八、光敏：光敏二极管
二极管电路分析举例
定性分析：判断二极管的工作状态
导通 截止
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。
若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通
若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止
参考点
整流、检波、
限幅、箝位、开
关、元件保护、
t 温度补偿等。
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
作业
28页习题 14.3.2 14.3.4
14.4 稳压二极管(Zener Diode)
1. 符号
无论N型或P型半导体，虽然它们都有一种载流 子占多数，但整个晶体仍然是中性的，对外不 显电性。
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。
二、半导体的导电特性：
1。热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增
强。 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 2。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、
光敏二极管、光敏三极管等)。 3。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电
rZ =U /I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡，稳压性能越好。 (3) 最小稳定工作电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。
(5) 电压温度系数ｕ
环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。
（2）PN 结加反向电压（反向偏置）
PN 结变宽
－－－ － －－ －－－ － －－ －－－－ － －
+++ +++ +++
+++ +++ +++
P
IR
内电场 外电场
–+
N
P接负、N接正
动画
内电场被加 强，少子的漂 移加强，由于 少子数量很少， 形成很小的反 向电流。
PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。
四、N型半导体和 P 型半导体
1。N型半导体 在本征半导体中掺入磷或其他五价元素： 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电
成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体 或N型半导体。
在N 型半导体中自由电子是多数载流子 (Majority carriers)，空穴是少数载流子(Minority carriers)。
U
死区电压
硅管0.5V, 锗管0.1V。
外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
14.3.3 主要参数
1.二最极大管整长流期电使流用时IOM，允许流过二极管的最大正向 平均电流。
2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，
一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
的特点；
二、理解PN结的单向导电性
三、二极管(Diode)
1。掌握二极管的结构、符号、特性曲线、主要参 数、极性及好坏的判别、应用； 2。掌握稳压管的结构、符号、主要参数 3。掌握发光二极管的使用
四、三极管(Transistor)
1。掌握三极管的分类、基本结构及符号 2。掌握三极管的电流放大作用； 3。掌握三极管的输入、输出特性曲线：
在这里，二极管起钳位作用。
例2: D2
D1
3k 6V
12V
求：UAB
两个二极管的阴极接在一起
A +
取 B 点作参考点，断开二极
UAB 管，分析二极管阳极和阴极 – B 的电位。
V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V
UD1 = 6V，UD2 =12V
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。
例1： D
A +
3k
6V
UAB
12V
–
B
电路如图，求：UAB
取 B 点作参考点， 断开二极管，分析二 极管阳极和阴极的电 位。
V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V
特别提示：万用表红表笔和表内电池的负极相连 万用表黑表笔和表内电池的正极相连
如果测出的正向电阻是几百欧，反向 电阻是几百千欧，则说明被测二极管 是好的。当测得正向电阻时，黑表笔 所接的一端即为二极管的正极。
如果反向电阻太小，说明二极管失去 单向导电作用；如果正、反向电阻均 为无限大，表明二极管已断路。
14.3.1 基本结构
(a) 点接触型
(b)面接触型
结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。
结面积大、 正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。
(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可
小，用于高频整流和开关电路中。
二极管的符号
阳极 P N 阴极
3。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指 标，就不要过分追究精确的数值。
器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有 误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的 方法。
14.1 半导体的导电特性
一、半导体(semiconductor)的概念 半导体的导电能力介于导体(conductor)和绝缘
体 (insulator)之间。
3. 反向峰值电流IRM
指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的 影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小， 锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
选择元件和使用时， 重点依据前二项
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
2。P 型半导体
在本征半导体中掺入硼或其他三价元素 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P 型半导体。
在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是 少数载流子。
在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电， 这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体 和金属在导电原理上的本质差别。
(Anode) D
(Cathode)
14.3.2 二极管的伏安特性
一、伏安特性曲线
特点：非线性
I
反向击穿 电压U(BR)
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– + N 反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。
正向特性
P+ – N
导通压降
硅0.6~0.8V, 锗0.2~0.3V。
温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
14.3 二极管
将一个PN结加上相应的两根外引线，然后用塑料、 玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最简单的二极 管。 硅管：可通过较大电流，但其工作频率较低，
一般用于整流 锗管：不能通过较大电流，但其高频性能好，
一般用于高频和小功率的工作， 也用作数字电路中的开关元件。
2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接 正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大， 反向电流很小。
3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿 (breakdown)，失去单向导电性。
4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大。
二极管极性及好坏的判别
把万用表欧姆档的量程拨到Rχ100或Rχ1K位 置，用接在万用表上的红、黑两根表棒，分 别正接和反接测量二极管的两端，即可测出 大小两个阻值。大的是反向电阻，小的是正 向电阻。
能力明显改变。 (可做成各种不同用途的半导体器件，
如二极管、三极管和晶闸管等）。
三、半导体的分类
1。本征半导体(Intrinsic semiconductor)： 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本 征半导体。
2。杂质半导体(Extrinsic semiconductor)： 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
小结：二极管的单向导电性
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接 负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小， 正向电流较大。
(6) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM
14.5 晶体管（transistor)
晶体管又称半导体三极管，是最重要的 一种半导体器件。
它的放大作用用在模拟电路中； 它的开关作用用在数字电路中。
14.5.1 结构及类型
NPN型
PNP型
集电极
发射极 集电极
发射极
C NP N E
PN P
C
E
基极
扩散和漂移
－－－－－－ + + + + + +
这一对相反的
－－－－－－ + + + + + +
运动最终达到 动态平衡，空
动画 － － － － － － + + + + + +
间电荷区的厚
浓度差
度固定不变。 多子的扩散运动
形成空间电荷区
扩散的结果使
空间电荷区变宽。
2. PN结的单向导电性
（1）PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄
2. 伏安特性
I
_+
稳压管正常工作
时加反向电压
UZ
U
稳压管反向击穿
后，电流变化很大，
但其两端电压变化 很小，利用此特性，
UZ
IZ
IZ IZM
稳压管在电路中可 起稳压作用。
使用时要加限流电阻
稳压二极管的主要参数
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。
(2) 动态电阻rZ ——
第14章 二极管和晶体管
主要内容： 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
本章要求：
一、半导体(semiconductor)的基本概念 1。了解半导体导电的特点 2。了解半导体的分类；掌握N型和P型半导体
三极管工作在三个不同工作区的条件和特点 4。理解主要参数的意义； 5。掌握三极管的管型及管脚的判别
强调几点：
1。对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标 和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论 器件的目的在于应用。
2。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。
若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V
流过
D2
的电流为
ID2
12 3
D1承受反向电压为－6 V
4mA
在这里， D2 起 钳位作用， D1起 隔离作用。
例3：
+ ui –
R
D 8V
ui
18V 8V
+ uo
–
已知： ui 18sin tV
二极管是理想的，试画 出 uo 波形。
二极管的用途：
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P IF
内电场 N
外电场
+–
P接正、N接负
动画
内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。
（a. 电子电流、b.空穴电流）
14.2 PN结及其单向导电性
1。PN结的形成
空间电荷区(Space charger region)也称 PN 结、耗尽层
P 型半导体
内电场 N 型半导体
－－－－－－ + + + + + +
基极
B
B
符号：
NPN型三极管
PNP型三极管
C IC B
C IC B
IB E
IE
IB E
IE
结构特点： 集电区： 面积最大
集电结 Base 基极 B
Collector
集电极 C
N P N
基区：最薄， 掺杂浓度最低、整流(rectification)：应用最多 二、钳位 三、限幅 四、元件保护 五、检波 六、稳压：稳压二极管(Zener diode) 七、发光：发光二极管(Light-emitting diode
LED) 八、光敏：光敏二极管
二极管电路分析举例
定性分析：判断二极管的工作状态
导通 截止
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。
若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通
若 V阳 <V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止
参考点
整流、检波、
限幅、箝位、开
关、元件保护、
t 温度补偿等。
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui < 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui
作业
28页习题 14.3.2 14.3.4
14.4 稳压二极管(Zener Diode)
1. 符号
无论N型或P型半导体，虽然它们都有一种载流 子占多数，但整个晶体仍然是中性的，对外不 显电性。
1. 在杂质半导体中多子的数量与 a （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与 b （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量 c （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
常用的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)。
二、半导体的导电特性：
1。热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增
强。 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 2。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、
光敏二极管、光敏三极管等)。 3。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电
rZ =U /I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡，稳压性能越好。 (3) 最小稳定工作电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。
(5) 电压温度系数ｕ
环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。
（2）PN 结加反向电压（反向偏置）
PN 结变宽
－－－ － －－ －－－ － －－ －－－－ － －
+++ +++ +++
+++ +++ +++
P
IR
内电场 外电场
–+
N
P接负、N接正
动画
内电场被加 强，少子的漂 移加强，由于 少子数量很少， 形成很小的反 向电流。
PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小， 反向电阻较大，PN结处于截止状态。
四、N型半导体和 P 型半导体
1。N型半导体 在本征半导体中掺入磷或其他五价元素： 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电
成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体 或N型半导体。
在N 型半导体中自由电子是多数载流子 (Majority carriers)，空穴是少数载流子(Minority carriers)。
U
死区电压
硅管0.5V, 锗管0.1V。
外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
14.3.3 主要参数
1.二最极大管整长流期电使流用时IOM，允许流过二极管的最大正向 平均电流。
2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，
一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
的特点；
二、理解PN结的单向导电性
三、二极管(Diode)
1。掌握二极管的结构、符号、特性曲线、主要参 数、极性及好坏的判别、应用； 2。掌握稳压管的结构、符号、主要参数 3。掌握发光二极管的使用
四、三极管(Transistor)
1。掌握三极管的分类、基本结构及符号 2。掌握三极管的电流放大作用； 3。掌握三极管的输入、输出特性曲线：
在这里，二极管起钳位作用。
例2: D2
D1
3k 6V
12V
求：UAB
两个二极管的阴极接在一起
A +
取 B 点作参考点，断开二极
UAB 管，分析二极管阳极和阴极 – B 的电位。
V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V
UD1 = 6V，UD2 =12V
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。
例1： D
A +
3k
6V
UAB
12V
–
B
电路如图，求：UAB
取 B 点作参考点， 断开二极管，分析二 极管阳极和阴极的电 位。
V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳>V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V
特别提示：万用表红表笔和表内电池的负极相连 万用表黑表笔和表内电池的正极相连
如果测出的正向电阻是几百欧，反向 电阻是几百千欧，则说明被测二极管 是好的。当测得正向电阻时，黑表笔 所接的一端即为二极管的正极。
如果反向电阻太小，说明二极管失去 单向导电作用；如果正、反向电阻均 为无限大，表明二极管已断路。
14.3.1 基本结构
(a) 点接触型
(b)面接触型
结面积小、 结电容小、正 向电流小。用 于检波和变频 等高频电路。
结面积大、 正向电流大、 结电容大，用 于工频大电流 整流电路。
(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可
小，用于高频整流和开关电路中。
二极管的符号
阳极 P N 阴极
3。对电路进行分析计算时，只要能满足技术指 标，就不要过分追究精确的数值。
器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有 误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的 方法。
14.1 半导体的导电特性
一、半导体(semiconductor)的概念 半导体的导电能力介于导体(conductor)和绝缘
体 (insulator)之间。
3. 反向峰值电流IRM
指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反 向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的 影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小， 锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。
选择元件和使用时， 重点依据前二项
半导体二极管的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
2。P 型半导体
在本征半导体中掺入硼或其他三价元素 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这 种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P 型半导体。
在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是 少数载流子。
在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电， 这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体 和金属在导电原理上的本质差别。
(Anode) D
(Cathode)
14.3.2 二极管的伏安特性
一、伏安特性曲线
特点：非线性
I
反向击穿 电压U(BR)
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– + N 反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿， 失去单向导电性。
正向特性
P+ – N
导通压降
硅0.6~0.8V, 锗0.2~0.3V。
温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
14.3 二极管
将一个PN结加上相应的两根外引线，然后用塑料、 玻璃或铁皮等材料做外壳封装就成为最简单的二极 管。 硅管：可通过较大电流，但其工作频率较低，
一般用于整流 锗管：不能通过较大电流，但其高频性能好，
一般用于高频和小功率的工作， 也用作数字电路中的开关元件。
2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接 正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大， 反向电流很小。
3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿 (breakdown)，失去单向导电性。
4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反 向电流愈大。
二极管极性及好坏的判别
把万用表欧姆档的量程拨到Rχ100或Rχ1K位 置，用接在万用表上的红、黑两根表棒，分 别正接和反接测量二极管的两端，即可测出 大小两个阻值。大的是反向电阻，小的是正 向电阻。
能力明显改变。 (可做成各种不同用途的半导体器件，
如二极管、三极管和晶闸管等）。
三、半导体的分类
1。本征半导体(Intrinsic semiconductor)： 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本 征半导体。
2。杂质半导体(Extrinsic semiconductor)： 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）, 形成杂质半导体。
2AP9
用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N 型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。
小结：二极管的单向导电性
1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接 负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小， 正向电流较大。
(6) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM
14.5 晶体管（transistor)
晶体管又称半导体三极管，是最重要的 一种半导体器件。
它的放大作用用在模拟电路中； 它的开关作用用在数字电路中。
14.5.1 结构及类型
NPN型
PNP型
集电极
发射极 集电极
发射极
C NP N E
PN P
C
E
基极
扩散和漂移
－－－－－－ + + + + + +
这一对相反的
－－－－－－ + + + + + +
运动最终达到 动态平衡，空
动画 － － － － － － + + + + + +
间电荷区的厚
浓度差
度固定不变。 多子的扩散运动
形成空间电荷区
扩散的结果使
空间电荷区变宽。
2. PN结的单向导电性
（1）PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结变窄
2. 伏安特性
I
_+
稳压管正常工作
时加反向电压
UZ
U
稳压管反向击穿
后，电流变化很大，
但其两端电压变化 很小，利用此特性，
UZ
IZ
IZ IZM
稳压管在电路中可 起稳压作用。
使用时要加限流电阻
稳压二极管的主要参数
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。
(2) 动态电阻rZ ——
第14章 二极管和晶体管
主要内容： 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 晶体管 14.6 光电器件
本章要求：
一、半导体(semiconductor)的基本概念 1。了解半导体导电的特点 2。了解半导体的分类；掌握N型和P型半导体
三极管工作在三个不同工作区的条件和特点 4。理解主要参数的意义； 5。掌握三极管的管型及管脚的判别
强调几点：
1。对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标 和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论 器件的目的在于应用。
2。学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况， 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近 似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结 果。
若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V
流过
D2
的电流为
ID2
12 3
D1承受反向电压为－6 V
4mA
在这里， D2 起 钳位作用， D1起 隔离作用。
例3：
+ ui –
R
D 8V
ui
18V 8V
+ uo
–
已知： ui 18sin tV
二极管是理想的，试画 出 uo 波形。
二极管的用途：
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ + ++ + + + + ++ + + + + ++ + +
P IF
内电场 N
外电场
+–
P接正、N接负
动画
内电场被 削弱，多子 的扩散加强， 形成较大的 扩散电流。
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较 大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。