10 memory
关于回忆的英语单词翻译
关于回忆的英语单词翻译recall[英][r'k：l] [美][rkl]vt.叫回，召回；使想起，回想；取消；调回工厂n.召回，唤回；记忆力，回想；罢免；收回通告复数：recalls第三人称单数：recalls过去式：recalled过去分词：recalled现在分词：recalling1、Do you recall saint dominique?还记得圣多米尼克吗？2、Will it result in a massive product recall?这会导致大面积产品召回吗？3、I can recall this evening scene even now.直到现在我还能回忆起这幅夜景。
4、Investors might recall the history of tobacco companies.投资者也许会想起烟草公司的历史。
5、The preceding paragraph shall be applied to the recall of public officials.前项规定于公职人员之罢免准用之。
recollect[英][rek'lekt] [美][rklkt]vt.记起，想起v.想起；回想，追忆，回忆，记忆；使（自己）想起一时忘掉的事；想到第三人称单数：recollects过去式：recollected过去分词：recollected现在分词：recollecting1、Can you recollect what you was wearing, my lady?夫人您能记起当晚您穿了什么吗?2、As far as I recollect, there were few people in the village then.据我回忆，那时候村子里没几个人。
3、Try hard to recollect what you saw just now.请你尽力地回想一下方才看到什么了。
Memory介绍
DDR的一些定义:DDR显存：。
// DDR2显存：// DDR3显存：，耗电量较DDR2明显降低。
SDRAM内存一般工作电压都在伏左右，上下浮动额度不超过伏；DDR266/DDR333/DDR400/DDR533的标准电压是~（DDR266、DDR333可以将内存电压设定为，DDR400内存电压设定为或，）；而DDR2 SDRAM内存的工作电压一般在左右。
具体到每种品牌、每种型号的内存，则要看厂家了，但都会遵循标准电压，在允许的范围内浮动。
DDR2的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR2与DDR的区别：在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。
1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。
memory词源
memory词源Memory一词源于拉丁语的'memoria'，意为'记忆、回忆'。
这个词源又可以追溯到古希腊语的'mneme'，意为'记忆、提醒'。
在古代文化中，记忆被视为一个重要的能力，它有助于人们记录和传递知识、经验和故事。
记忆是人类大脑中的一个关键功能，它使我们能够存储、保持和检索过去的经历和信息。
记忆可以分为短期记忆和长期记忆两种类型。
短期记忆是指能够记住和处理信息的能力，但这些信息很快会被遗忘。
长期记忆是指能够长期保存和回忆信息的能力。
记忆的形成和存储是一个复杂的过程，涉及到大脑中多个区域和神经元之间的相互作用。
当我们经历某个事件或学习新知识时，大脑会对相关的神经元进行调整和连接，从而形成新的神经网络。
这些网络在我们回忆和提取信息时发挥重要作用。
科学研究表明，记忆受到多种因素的影响，包括情绪、注意力、意识状态和睡眠等。
情绪可以在一定程度上增强或阻碍记忆的形成和回忆。
注意力和意识状态则决定了我们对信息的注意和处理程度。
睡眠被认为是记忆巩固的重要过程，它可以帮助我们将短期记忆转化为长期记忆。
在日常生活中，人们使用各种方法来改善记忆能力。
例如，通过反复学习和复习可以帮助记忆的巩固。
使用记忆技巧，如联想、编码和组织信息，也可以提高记忆效果。
此外，保持身体健康、保持良好的睡眠习惯和控制压力等，也对记忆力有积极的影响。
总而言之，记忆是人类大脑中重要的功能之一，它不仅帮助我们存储和回忆过去的经历和信息，还对学习、决策和问题解决等认知活动起到关键的作用。
对记忆的研究不仅有助于我们更好地了解人类思维和认知过程，还为改善记忆能力提供了科学依据。
MEMORY介绍ppt课件
Foxconn Confidential
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PCEBG YDC CT
内存大体经历的几个形式
从一有计算机开始，就有内存。内存发展到 今天也经历了很多次的技术改进，从最早的 DRAM一直到FPMDRAM、EDODRAM、SDRAM、 DDR-SDRAM、RDRAM、DDR2 SDRAM等，内存的 速度一直在提高且容量也在不断的增加。
Foxconn Confidential
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PCEBG YDC CT
主频
内存主频和CPU主频一样，习惯上被用来表 示内存的速度，它代表着该内存所能达到的 最高工作频率。 内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。 内存主频越高在一定程度上代表着内存所能 达到的速度越快。内存主频决定着该内存最 高能在什么样的频率正常工作。
記憶體顆粒 核心工作時脈
DDR266 SDRAM
133MHz
DDR333 SDRAM
166MHz
DDR400 SDRAM
200MHz
理論傳輸頻寬 /資料寬度 2.1GB/Sec 64bit 2.7GB/Sec 64bit 3.2GB/Sec 64bit
DDR2-400 SDRAM
200MHz
DDR2-533 SDRAM
Foxconn Confidential
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PCEBG YDC CT
DDR-II内存的其它一些改变包括电压下降为1.8v，因此 功率消耗、芯片温度和写入延迟不定性都得到了下降。 这也是因为带宽增加而内存延迟时间增加带来的结果。
尽管DDR-II内存采用的DRAM核心速度和DDR一样，我 们仍然要使用新主板才能搭配DDR-II内存，因为DDR-II 规格和DDR是不兼容的。首先DDR-II的针脚数量为240 针，而DDR内存为184针，接口不一样；此外，DDR-II 内存的VDIMM电压为1.8v，也和DDR内存的2.5到2.8v 不同。
memory的意思用法总结
memory的意思用法总结memory有记忆，记忆力,回忆的意思。
这一词汇在英语阅读中常出现，今天给大家带来了memory的用法,希望能够帮助到大家，一起来学习吧。
memory的意思n. 记忆，记忆力,回忆，往事,[计]存储器，内存memory用法memory可以用作名词memory的基本意思是“记忆”,可指记忆的能力,也可指记住的“人或事物”。
memory作“记忆能力,记性”解时是不可数名词,可指把已不复存在的事物在脑海中复现的能力,也指记忆所学到的事物(如单词)的能力,还指辨认从前知晓的事物的能力。
memory作“记忆中的人或事物”解时是可数名词,可指单一事物,也可指整体事物,强调记在心里、珍藏于心中。
memory用作名词的用法例句He has a good visual memory.他有良好的视觉记忆力。
She is always moaning about her bad memory.她总是抱怨自己的记性不好。
His best music was inspired by the memory of his mother.他最好的乐曲创作灵感来自怀念他的母亲。
memory用法例句1、"His memory must be completely back, then?" — "Just about."“这么说，他的记忆一定是完全恢复了?”——“差不多。
”2、The memory of it all was locked deep in my subconscious.关于它的一切记忆都深植于我的潜意识里。
3、Intoxication interferes with memory and thinking, speech and coordination.醉酒影响记忆、思考、语言与协调性。
memory词组| 习惯用语in memory of 纪念…shape memory 形状记忆;外形记忆from memory 根据记忆shape memory alloy 形状记忆合金memory card 记忆卡，存储插件working memory 内存储器;工作存储器main memory [电脑]主存储器memory management [计]内存管理memory space 存储空间;存储量flash memory 闪速存储器virtual memory 虚拟内存memory effect 记忆效应;存储存应memory function 记忆功能;记忆函数shared memory 共享内存;共享存储器memory stick 记忆棒computer memory 计算机内存;计算机存储器memory capacity [计]记忆容量;[计]存储器容量cherish the memory of 怀念(某人)short-term memory 短期记忆，短时记忆。
memory的用法及短语
memory的用法及短语1. 用作名词时，表示记忆力或记忆储备：- My memory is not what it used to be. (我的记忆力不如以前了。
)- She has a very sharp memory and never forgets anything. (她的记忆力非常好，从不忘记任何事情。
)- I have a good memory for faces. (我对面孔的记忆力很好。
)2. 用作名词时，表示存储信息的设备或组件：- The computer's memory is full. (电脑的内存已满。
)- The game requires a minimum of 8GB of memory. (这个游戏需要至少8GB的内存。
)- I need to upgrade my phone's memory. (我需要升级手机的存储空间。
)3. 用作名词时，表示回忆的事物：- That song brings back memories of my childhood. (那首歌让我想起了童年。
)- We shared so many memories together. (我们一起分享了很多回忆。
)- I want to make some great memories on this vacation. (我想在这次假期中留下一些美好的回忆。
)4. 用作动词时，表示记忆或牢记：- I can't seem to memory all the details of that event. (我似乎记不住那件事的所有细节。
)- We need to memory this information for the exam. (我们需要记住这些信息以备考试。
)一些和“memory”相关的短语包括：- In memory of (纪念某人)- Childhood memories (童年记忆) - Memory lane (怀旧之地)- Memory loss (记忆丧失)- Memory foam (记忆棉)- Memory card (存储卡)- Memory stick (闪存盘)- Memory game (记忆游戏)。
高级计算机体系结构10存储器结构
1. Dynamic traces of the executed instructions vs. static sequences of instructions as determined by layout in memory
– Every time process is switched logically must flush the cache; otherwise g false hits
» Cost is time to flush + “compulsory” misses from empty cache
– Dealing with aliases (sometimes called synonyms); Two different virtual addresses map to same physical address
• Remember danger of concentrating on just one parameter when evaluating performance
Reducing Miss Penalty Summary
• Five techniques
– Read priority over write on miss – Subblock placement – Early Restart and Critical Word First on miss – Non-blocking Caches (Hit under Miss, Miss under Miss) – Second Level Cache
as long as covers index field & direct mapped, they must be unique; called page coloring
(整理)proteus英文对照表
AD芯片-----TECHWELL TW6805A仿真软件里的AD0809有问题,用0808代替定时/计数器的使用方法：CLK：计数和测频状态时，数字波的输入端。
（counter enable)CE：计数使能端；通过属性设置高还是低有效。
无效暂停计数RST:复位端（RESET),可设上升沿（Low-High)或者下降沿（High-Low）有效。
4种工作方式：通过属性Operating Mode 来选择。
Default : 缺省方式，计数器方式。
Time(secs):100S定时方式，由CE和RST控制暂停和重新开始。
Time(hms)：10小时定时方式，同上。
Frequency: 测频方式，CE和RST有效时，显示CLK端数字波频率Count:计数方式。
+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 常用元件列表：POT-HG 可调电位器7SEG-MPX8-CC-BLUE 8位数码管COMPIM 串口SW- 开关7SEG-BCD 含译码驱动的数显Speaker 扬声器2N5771和2N5772，15V对管300MARES , CAP,BUTTON 按钮开关KEYPAD-PHONE 3*4电话键盘KEYPAD-SMALLCALC 4*4计算器键盘KEYPAD-CALCULATOR 4*6计算器键盘PG160128A 128*128液晶++++++++元件库详细分类1.analog ics 模拟集成器件8个子类：amplifier 放大器comparators 比较器display drivers 显示驱动器filters 滤波器miscellaneous 混杂器件regulators 三端稳压器timers 555定时器voltage references 参考电压2，capacitors CAP电容，23个分类别animated 可显示充放电电荷电容audio grade axial 音响专用电容axial lead polypropene 径向轴引线聚丙烯电容axial lead polystyrene 径向轴引线聚苯乙烯电容ceramic disc 陶瓷圆片电容decoupling disc 解耦圆片电容high temp radial 高温径向电容high temp axial electrolytic高温径向电解电容metallised polyester film 金属聚酯膜电容metallised polypropene 金属聚丙烯电容metallised polypropene film 金属聚丙烯膜电容miniture electrolytic 微型电解电容multilayer metallised polyester film 多层金属聚酯膜电容mylar film 聚酯薄膜电容nickel barrier 镍栅电容non polarised 无极性电容polyester layer 聚酯层电容radial electrolytic 径向电解电容resin dipped 树脂蚀刻电容tantalum bead 钽珠电容variable 可变电容vx a xial electrolytic VX 轴电解电容3，CMOS 4000 series 4000系列数字电路adders 加法器buffers & drivers 缓冲和驱动器comparators 比较器counters 计数器decoders 译码器encoders 编码器flip-flops & latches 触发器和锁存器frequency dividers & tiner 分频和定时器gates & inverters 门电路和反相器memory 存储器misc.logic 混杂逻辑电路mutiplexers 数据选择器multivibrators 多谐振荡器phase-locked loops(PLL) 锁相环registers 寄存器signal switcher 信号开关4，connectors 接头；8个分类：audio 音频接头D-type D型接头DIL 双排插座header blocks 插头miscellaneous 各种接头PCB transfer PCB 传输接头SIL 单盘插座ribbon cable 蛇皮电缆terminal blocks 接线端子台5，data converters 数据转换器：4个分类：A/D converters 模数转换器D/A converters 数模转换器sample & hold 采样保持器temperature sensors 温度传感器6，debugging tools 调试工具数据：3个类别：breakpoint triggers 断点触发器logic probes 逻辑输出探针logic timuli 逻辑状态输入7，diodes 二极管；8个分类：bridge rectifiers 整流桥generic 普通二极管rectifiers 整流二极管schottky 肖特基二极管switching 开关二极管tunnel 隧道二极管varicap 稳压二极管8，inductors 电感：3个类别：generic 普通电感SMT inductors 表面安装技术电感transformers 变压器9,laplace primitives 拉普拉斯模型：7个类别：1st order 一阶模型2nd order 二阶模型controllers 控制器non-linear 非线性模型operators 算子poles/zeros 极点/零点symbols 符号10，memory ICs 存储器芯片：7个分类：dynamic RAM 动态数据存储器EEPROM 电可擦出程序存储器EPROM 可擦出程序存储器I2C memories I2C总线存储器memory cards 存储卡SPI Memories SPI总线存储器static RAM 静态数据存储器11，microprocessor ICs 微处理器：13个分类：12，modelling primitivvves 建模源：9个分类：13，operational amplifiers 运算放大器：7个分类：dual 双运放ideal 理想运放macromodel 大量使用的运放octal 8运放quad 4运放single 单运放triple 三运放14，optoelectronics 光电器件：11个分类：7-segment displays 7段显示alphanumeric LCDs 液晶数码显示bargraph displays 条形显示dot matrix displays 点阵显示graphical LCDs 液晶图形显示lamps 灯LCD controllers 液晶控制器LCD controllers 液晶面板显示LEDs 发光二极管optocouplers 光电耦合serial LCDs 串行液晶显示15，resistors 电阻：11个分类：0.6w metal film 0.6w金属膜电阻10 watt wirewound 10w绕线电阻2w metal film 2w 金属膜电阻3 watt wirewound 3w 绕线电阻7 watt wirewound 7w 绕线电阻generix 普通电阻high voltage 高压电阻NTC 负温度系数热敏电阻resistor packs 排阻variable 滑动变阻器varisitors 可变电阻参考试验中采用的可变电阻是：POT-HG16，simulator primitives 仿真源：3个类别：flip-flops 触发器gates 门电路sources 电源17，switches and relays 开关和继电器：4个类别：key pads 键盘relays 普通继电器relays(specific) 专用继电器switches 开关18,switching devices 开关器件：4个分类：DIACs 两端交流开关generic 普通开关元件SCRs 可控硅TRIACs 三端双向可控硅19，真空管：20，传感器：2个分类：pressure 压力传感器temperature 温度传感器21，晶体管：8个分类：bipolar 双极型晶体管generic 普通晶体管(错误）IGBT 绝缘栅双极晶体管JFET 结型场效应管MOSFET 金属氧化物场效应管RF power LDMOS 射频功率LDMOS管RF power VDMOS 射频功率VDMOS管unijunction 单结晶体管Electromechanical 电机MOTOR AC 交流电机MOTOR SERVO 伺服电机双相步进电机motor-bistepper（Bipolar Stepper Motor），四相步进电机motor-stepper（unipolar stepper motor）驱动电路，用ULN2003可以，proteus中推荐的L298和L6201(电子元件-步进电机中有L298资料）+++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 步进电机,可以用MTD2003,UN2916等专用芯片Proteus中图形液晶模块驱动芯片一览表LM3228 LM3229 LM3267 LM3283LM3287 LM4228 LM4265 LM4267LM4283 LM4287 PG12864F PG24064FPG128128A PG160128AAGM1232G EW12A03GL Y HDM32GS12-B HDM32GS12Y-BHDG12864F-1 HDS12864F-3 HDG12864L-4 HDG12864L-6NOKIA7110 TG126410GFSB TG13650FEYAMPIRE128x64 LGM12641BS1RPROTEUS原理图元器件库详细说明Device.lib 单双向可控硅、包括电阻、电容、二极管、三极管和PCB的连接器符号、ACTIVE.LIB 包括虚拟仪器和有源器件、拨动开关、键盘、可调电位器和开关、DIODE.LIB 包括二极管和整流桥、稳压管、变容二极管、大功率二极管、高速二极管、可控硅、DISPLAY.LIB 包括LCD、LED、LED阵列BIPOLAR.LIB 包括三极管FET.LIB 包括场效应管ASIMMDLS.LIB 包括模拟元器件AS 稳压二极管、全桥、74系列、及其他。
memory的动词和形容词形式
Memory的动词和形容词形式1. Introduction在英语中，名词memory可以被词形变换成动词和形容词形式。
在实际应用中，我们经常需要使用memory的不同形式来描述不同的情况或行为。
本文将介绍memory的动词和形容词形式，并给出一些例句来说明它们的用法和含义。
2. Memory的动词形式Memory作为一个名词，它的动词形式主要有两个：memorize和remember。
其中，memorize表示“记住，记忆”之意，常用于指定特定的信息或知识；remember表示“记得，记起”之意，用于指整体性或长期性的记忆。
例如：- She needs to memorize all the formulas for the math exam.（她需要记住数学考试的所有公式。
）- I can't remember where I put my keys.（我记不得我把钥匙放在哪儿了。
）3. Memory的形容词形式Memory作为名词，它的形容词形式主要有两个：memorable和memorial。
其中，memorable表示“值得纪念的，令人难忘的”，常用来形容有意义或特殊的事件、经历或场所；memorial表示“纪念的，纪念性的”，用来指代专门为纪念某人或某事而建立的纪念物。
例如：- Their wedding anniversary was a memorable occasion.（他们的结婚纪念日是一个难忘的场合。
）- The city has a memorial museum dedicated to the victims of the war.（这座城市有一个专门致力于战争受害者的纪念博物馆。
）4. 例句解析根据以上介绍，我们可以看出memory的动词和形容词形式在不同的语境中有着不同的使用方式和含义。
下面将给出一些例句来进一步说明它们的用法和作用。
4.1 例句使用memory的动词形式- He needs to memorize his speech for the presentation.（他需要记住他的演讲稿以备报告。
存储器(Memory)
存储器(Memory)存储器是计算机的记忆装置。
它的功能是存放原始数据、中间数据、运算结果和处理问题的程序。
存储器通常是按地址进行存取数据和程序的。
它由许多存储单元组成，每个单元存放一个若干二进制的数据代码。
为了区分不同的存储单元，把存储单元按一定的顺序编号，这个编号称为地址。
要进行数据的存取操作，应先指出存储单元的地址，然后由存储器按指定的地址“选择”相应的存储单元，才能进行数据的存取。
存储器容盘是以位(bit)为单位。
字节((Byte，一个字节为8个bit)，是衡量存储器容量的最基本单位。
1KB=1024Bytes1MB=1024KBIGB=1024MBITB二1024GB存储器可分为内存储器和外存储器:1.内主存储器(主存或内存):内存储器简称内存，是计算机的记忆装置。
它的功能是存放原始数据、中间数据、运算结果和处理问题的程序。
存储器通常是按地址进行存取数据和程序的。
它由许多存储单元组成.每个单元存放一个若干二进制的数据代码。
为了区分不同的存储单元，把存储单元按一定的顺序编号，这个编号称为地址。
要进行数据的存取操作，应先指出存储单元的地址，然后由存储器按指定的地址“选择”相应的存储单元，才能进行数据的存取。
主存储器的核心是MB，程序和数据存放在MB内.MB是大量存储单元(memoryunit)的结合，并组成一个线性区域，一个存储单元可存放一个存储字或若干个字节(Byte)的内容(根据存储单元编址的方式不同).存储单元由若干个记忆单元组成，记忆单元则是存储器最基本的元件，它记忆的是二进制数的一位(bit)主存储器分为:只读存储器(Readonlymemory,ROM)和随机存取存储器(Rademaccessmemory,RAM),(1)只读存储器。
只能从中读取代码，而不能写人操作。
只读存储器中的信息是在制造时用专门设备一次写入的。
只读存储器常用来在上文固定不变重复执行的程序，如开机自检程序、各种专用设备的控制程序等。
计算机专业英语10-Memory and Storage Management
计成可用内存顶部，
然后“后退”足够远， 满足操作系统本身的 要求。 假设操作系统运行 需要300KB。
software required to control the hardware subsystems of the computer. In our imaginary computer, the drivers take up
时怎么办。
is what to do when the 500-kilobyte application space is
filled.
Text
In most computers, it's possible to add memory beyond the original capacity. For example, you might expand RAM from 1 to 2 megabytes. This works fine, but tends to be relatively expensive. It also ignores a fundamental fact of computing -most of the information that an application stores in memory is not being used at any given moment. A processor can only access memory one location at a time, so the vast majority of RAM is unused at any moment. Since disk space is cheap compared to RAM, then moving information in RAM to hard disk can greatly expand RAM space at no cost. This
MEMORY存储芯片M25PE10-VMN6TP中文规格书
PAGE PROGRAMThe PAGE PROGRAM command allows bytes in the memory to be programmed, whichmeans the bits are changed from 1 to 0. Before a PAGE PROGRAM command can be ac-cepted a WRITE ENABLE command must be executed. After the WRITE ENABLE com-mand has been decoded, the device sets the write enable latch (WEL) bit.The PAGE PROGRAM command is entered by driving chip select (S#) LOW, followed bythe command code, three address bytes, and at least one data byte on serial data input(DQ0).If the eight least significant address bits (A7-A0) are not all zero, all transmitted data thatgoes beyond the end of the current page are programmed from the start address of thesame page; that is, from the address whose eight least significant bits (A7-A0) are allzero. S# must be driven LOW for the entire duration of the sequence.If more than 256 bytes are sent to the device, previously latched data are discarded andthe last 256 data bytes are guaranteed to be programmed correctly within the samepage. If less than 256 data bytes are sent to device, they are correctly programmed at therequested addresses without any effects on the other bytes of the same page.For optimized timings, it is recommended to use the PAGE PROGRAM command toprogram all consecutive targeted bytes in a single sequence rather than to use severalPAGE PROGRAM sequences, each containing only a few bytes.S# must be driven HIGH after the eighth bit of the last data byte has been latched in.Otherwise the PAGE PROGRAM command is not executed.As soon as S# is driven HIGH, the self-timed PAGE PROGRAM cycle is initiated; the cy-cles's duration is t PP. While the PAGE PROGRAM cycle is in progress, the status registermay be read to check the value of the write in progress (WIP) bit. The WIP bit is 1 duringthe self-timed PAGE PROGRAM cycle, and 0 when the cycle is completed. At some un-specified time before the cycle is completed, the write enable latch (WEL) bit is reset.A PAGE PROGRAM command is not executed if it applies to a page protected by theblock protect bits BP2, BP1, and BP0.Figure 15: PAGE PROGRAM Command SequenceDQ[0]Note: 1.Cx = 7 + (A[MAX] + 1).Table 16: AC Specifications (25 MHz, Device Grade 3, V CC[min]=2.7V) (Continued)Notes: 1.READ DATA BYTES at HIGHER SPEED, PAGE PROGRAM, SECTOR ERASE, BLOCK ERASE,DEEP POWER-DOWN, READ ELECTRONIC SIGNATURE, WRITE ENABLE/DISABLE, READ ID,READ/WRITE STATUS REGISTER2.The t CH and t CL signals must be greater than or equal to 1/f C.3.The t CLCH, t CHCL, t SHQZ, t HHQX, t HLQZ, t DP, t RES1, and t RES2 signal values are guaranteed bycharacterization, not 100% tested in production.4.The t CLCH and t CHCL signals clock rise and fall time values are expressed as a slew-rate.5.The t WHSL and t SHWL signals are only applicable as a constraint for a WRITE STATUS REGIS-TER command when SRWD bit is set at 1.Table 17: Instruction Times (25 MHz, Device Grade 3, V CC[min]=2.7V)Table 17: Instruction Times (25 MHz, Device Grade 3, V CC[min]=2.7V) (Continued)Notes: 1.Applies to the entire table: Typical values are given for T A = 85 °C.2.When using the PAGE PROGRAM command to program consecutive bytes, optimizedtimings are obtained in one sequence that includes all the bytes rather than in severalsequences of only a few bytes (1 < n < 256).3.int(A) corresponds to the upper integer part of A. For example, int(12/8) = 2 andint(32/8) = 4.Table 18: AC Specifications (75 MHz, Device Grade 3 and 6, V CC[min]=2.7V)Table 18: AC Specifications (75 MHz, Device Grade 3 and 6, V CC[min]=2.7V) (Continued)Notes: 1.Applies to entire table: 110nm technology devices are identified by the process identifi-cation digit 4 in the device marking and the process letter B in the part number.2.The t CH and t CL signal values must be greater than or equal to 1/f C.3.The t CLCH, t CHCL, t SHQZ, t HHQX, t HLQZ, t DP, and t RDP signal values are guaranteed by charac-terization, not 100% tested in production.4.The t CLCH and t CHCL signals clock rise and fall time values are expressed as a slew-rate.5.The t WHSL and t SHWL signal values are only applicable as a constraint for a WRITE STATUSREGISTER command when SRWD bit is set at 1.Table 19: Instruction Times (75 MHz, Device Grade 3 and 6, V CC[min]=2.7V)Notes: 1.Applies to the entire table: Typical values are given for T A = 25 °C.2.Applies to the entire table: 110nm technology devices are identified by the process iden-tification digit 4 in the device marking and the process letter B in the part number.3.When using the PAGE PROGRAM command to program consecutive bytes, optimizedtimings are obtained in one sequence that includes all the bytes rather than in severalsequences of only a few bytes (1 < n < 256).4.int(A) corresponds to the upper integer part of A. For example, int(12/8) = 2 andint(32/8) = 4.Micron M25P80 Serial Flash Embedded MemoryAC Characteristics。
CCH10_Virtual memory(操作系统)
CPU检索快表 检索快表
是 否
是
页表项是否在快表中？ 页表项是否在快表中 ？ 产生缺页中
是 断请求调页 是
否
访问页表 页是否在内存中 ？ 修改快表 修改访问位和修改位 形成物理地址
将一页从外存换入内存 地址变换结束 修改页表
Steps in Handling a Page Fault
Steps in handling a page fault
• • •
缺页中断在指令执行期间产生和处理中断信号， 缺页中断在指令执行期间产生和处理中断信号，而一般中断在一条 指令执行完后检查和处理中断信号。 指令执行完后检查和处理中断信号。 缺页中断返回到该指令的开始重新执行该指令， 缺页中断返回到该指令的开始重新执行该指令，而一般中断返回到 该指令的下一条指令执行。 该指令的下一条指令执行。 一条指令在执行期间，可能产生多次缺页中断。 一条指令在执行期间，可能产生多次缺页中断。
9.1 Background
Virtual memory is a technique that allows the execution of processes that may not be completely in memory.（虚拟内存是一 （ 种允许进程部分装入内存就可以执行的技术） 种允许进程部分装入内存就可以执行的技术） principle of locality局部性原理 : 时间局部性，空间局部性 局部性原理 时间局部性， Only part of the program needs to be in memory for execution （只有运行的部分程序需要在内存中）. 只有运行的部分程序需要在内存中） Logical address space can therefore be much larger than physical address space（逻辑地址空间能够比物理地址空间大）. （逻辑地址空间能够比物理地址空间大） Need to allow pages to be swapped in and out（必须允许页面 （ 能够被换入和换出） 能够被换入和换出）. Virtual memory can be implemented via（虚拟内存能够通过以下手 段来执行）: Demand paging （请求页式） Demand segmentation（请求段式）
MEMORY存储芯片MT29F32G08ABCABH1-10 A中文规格书
READ PARAMETER PAGE (ECh)The READ PARAMETER PAGE (ECh) command is used to read the ONFI parameter pageprogrammed into the target. This command is accepted by the target only when all die(LUNs) on the target are idle.Writing ECh to the command register puts the target in read parameter page mode. Thetarget stays in this mode until another valid command is issued.When the ECh command is followed by an 00h address cycle, the target goes busy for t R.If the READ STATUS (70h) command is used to monitor for command completion, theREAD MODE (00h) command must be used to re-enable data output mode. Use of theREAD STATUS ENHANCED (78h) command is prohibited while the target is busy andduring data output.After t R completes, the host enables data output mode to read the parameter page.When the asynchronous interface is active, one data byte is output per RE# toggle.When the synchronous interface is active, one data byte is output for each rising or fall-ing edge of DQS.A minimum of three copies of the parameter page are stored in the device. Each param-eter page is 256 bytes. If desired, the CHANGE READ COLUMN (05h-E0h) commandcan be used to change the location of data output. Use of the CHANGE READ COLUMNENHANCED (06h-E0h) command is prohibited.The READ PARAMETER PAGE (ECh) output data can be used by the host to configure itsinternal settings to properly use the NAND Flash device. Parameter page data is staticper part, however the value can be changed through the product cycle of NAND Flash.The host should interpret the data and configure itself accordingly.Figure 36: READ PARAMETER (ECh) OperationCycle type DQ[7:0]R/B#Parameter Page Data Structure Tables Table 8: Parameter Page Data Structure。
英语中memory的可数性以及用法搭配
英语中memory的可数性以及用法搭配
1. 表示“记忆（力）”，若指具体某人的记忆（力），通常为可数名词，若指抽象意义的记忆（力），通常为不可数名词。
如：
The boy has a good (bad) memory. 这孩子记忆力好（不好）。
Memory is a quality which is not highly developed in most animals. 记忆这种特性在大多数动物身上都不发达。
表示“对……的记忆”，一般用介词 for。
如：
John has a good memory for names (faces, figures). 约翰对人的名字（面孔、数字）有很好的记忆力。
2. 注意正确理解以下各句：
His name escaped my memory. 他的名字我记不起了。
If my memory serves me right (=If my memory doesn't fail me), he is 55 years old this year. 如果我没记错的话，他今年55岁了。
3. 用于in memory of, 意为“为了纪念”（注意不用冠词）。
如：
They're going to erect a monument in memory of the dead. 他们打算树碑纪念死者。
She set up the charitable trust in memory of her father. 她设立了慈善信托基金以纪念她的父亲。
memory种类
memory种类Memory（内存）是计算机中用来存放数据与指令的设备，它是计算机的重要组成部分之一。
随着计算机的发展，Memory种类也日益丰富。
下面介绍一些常见的Memory种类：1. DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）：这是目前应用最广泛的Memory种类之一，因其容量大、速度快而得到广泛应用。
然而，由于其存储周期短，需要不断地刷新电容，故而称为“动态”Memory。
2. SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存取存储器）：相对于DRAM而言，SRAM的存储周期长，速度也较快。
但由于电路结构的复杂性，SRAM的功耗和成本都比较高，因此主要应用在一些特殊领域，如高速缓存、流媒体等。
3. SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器）：这种Memory在DRAM的基础上进行了改进，增加了时钟控制单元，以提高传输速度和时序控制。
4. DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存取存储器）：DDR SDRAM在SDRAM的基础上加倍数据传输速率，同时还能降低电压，从而减少功耗。
5. Flash Memory（闪存）：这是一种非易失性的Memory，能在断电情况下保持数据不丢失。
闪存的速度相对较慢，但它有着体积小、重量轻、耐用等特点，因此被广泛应用于移动设备中，如手机、相机、MP3等。
总之，Memory种类多样，各有其优劣。
不同的应用场景需要不同的Memory来满足需求。
而在今天高端计算机应用领域，更多的是采用多种Memory共同作用的方式来提高计算机的性能。
memories翻译
memories翻译
memories
英/ˈmɛməriz
美/[ˈmɛməriz]
n.
记忆力;记性;记忆所及的时期;回忆所及的范围;回忆;记忆
memory的复数
双语例句
全部记忆力记性回忆记忆
1.The results do not mean that young adults need to start worrying about their memories.
这些结果并不意味着年轻人需要开始担心自己的记忆力。
2.And although their memories are vast, they are still likely to suffer from "false memories".
尽管这些人的记忆力非常强大，他们仍然很可能会承受“虚假记忆”之苦。
3.This moment will live in our memory for many years to come.
这一时刻将在我们的记忆中留存许多年。
4.My memory is not clear on that point.
那一点我记不清了。
5.The time we spent together is now a distant memory. 我们一起度过的时光现已成为久远的记忆。
Memory知识
Memory-知识memory，又称作存储器件，存储IC，是现在电子产品中几乎不可缺少的一部分，大量应用于各类消费及工业电子产品。
为便于初接触memory的朋友对memory有一个全面概括的认识，现做一个概括的介绍。
（有不足和错误之处请大家指出，大家一起学习，^_^）memory主要有三类产品。
1、DRAM，数据可丢失动态存储器，在断电后数据会消失。
DRAM有SDRAM 和DDR两种，SDRAM为同步动态随机存储器，DDR为双倍速率同步随机处理器，其中Main-DDR意思就是大家了解的主流消费类DDR，GDDR是在Main-DDR的基础上发展而来的。
2、FLASH，闪存，分为NOR FLASH和NANA FLASH两种。
3、MCP，Multy Chip Package，实际上就是将DRAM和FLASH两种晶体颗粒封装在一起。
详细分类：一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。
它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）：这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。
因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。
每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
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闲置空间管理：位图法
(a) Part of memory with 5 processes, 3 holes
– tick marks show allocation units – shaded regions are free
(b) Corresponding bit map
闲置空间管理：链表表示法
– 程序所在区域的起始地址<=有效地址<=程序所 在区域的起始地址+程序长度
基址与极限
• 设置两个端值：基址base和极限limit
– 基址：固定内存分区中各个区域的起始内存地址 – 极限：所加载程序的长度
基址与极限
动态地址翻译的优点
• 灵活
– 无需依赖编译器或者加载器来进行静态地址翻 译
• 地址保护
– Neither first-fit or best-fit is clearly better for storage utilization but first-fit is generally fast内存中 • 目的
– 为程序找到更大的空间 – 实行进程切换
基本内存管理
刘慧 上海对外贸易学院
程序执行
内存管理
• 理想地，程序员希望内存：大、快、稳 • 现实是——内存架构Hierarchy：
– 少量快速昂贵的内存：缓存 – 一些中等速度，中等价格的主存 – 上G的慢速、便宜的磁盘存储
内存管理
• 内存管理就是对内存架构进行管理，使程 序在内存架构的任何一个层次上的存放对 于用户来说都是一样的。 • 手段：虚拟内存
闲置空间管理：链表表示法
Four neighbor combinations for the terminating process X
位图表示与链表表示的比较
• • • • 如果程序数量很少，那么链表比较好 位图表示法的空间成本是固定的 位图表示法没有容错能力 时间成本上
– 位图表示法低 – 链表牵涉到合并节点
• 最简单的方式：划分为两个区域，操作系 统和用户程序各占用一个区域
0xFFF 用户程序 in RAM 操作系统 in RAM 0 操作系统 in RAM 用户程序 in RAM
操作系统在内存的位置
• 如果存在ROM
0xfff
操作系统 in ROM
用户程序 in RAM
操作系统 in ROM
用户程序 in RAM 操作系统 in RAM
固定分区的多道编程内存管理
• 多队列的固定分区
– 小程序加载到小分区
• 问题：
– 有空闲分区，但等待的 程序不在该分区的等待 队列上=>无法运行
地址翻译的方法
• 由于程序加载到内存的地址不固定，因此 需要对地址进行翻译 • 翻译过程
– 物理地址=虚拟地址+程序所在区域的起始地址
• 考虑到内存保护，有如下限制
内存管理的目标
• 地址保护
– 一个程序不能访问另一个程序地址空间
• 地址独立
– 程序发出的地址应与物理主存地址无关
虚拟内存
• 问题：
– 程序大小受制于主存 – 主存能够存放的程序数量有限
• 在不太增加成本的情况下扩大内存容量 • 虚拟内存的思想
– 把物理主存扩展到磁盘上
虚拟内存
操作系统在内存的位置
– 整个程序要加载到内存空间中去，大程序无法运行 – 只运行一个程序浪费 – 可能无法在不同的操作系统下运行
多道编程的内存管理
• 在多道编程下，无法使用静态地址翻译，必须在 程序加载完毕后才能计算物理地址——动态地址 翻译
固定分区的多道编程内存管理
• 将内存分为固定的几 个区域，每个区域的 大小固定； • 当需要加载程序时， 选择一个闲置且容量 够大的分区进行加载。 • 问题：小程序占用大 分区
操作系统 操作系统和I/O设备 I/O设备
0 右侧图优点：将输入输出和内存访问统一起来。将输入输出设备里面的寄存器 编入内存地址，使得访问输入输出设备如同访问内存一样。
操作系统在内存的位置
单道编程的内存管理
• 内存里只有两个程序
– 用户程序 – 操作系统
• 可以将用户程序总是加载到同一个内存地址上— —静态地址翻译 • 优点：无需地址翻译，速度快 • 缺点：
– 对每个地址访问进行检查
• 使虚拟内存的概念得以实现
非固定分区的内存管理
问题：碎片
非固定分区的内存管理
动态存储分配问题
• First-fit: 分配第一个足够大的分区
– Next-fit: 从上一次分配的地址开始寻找第一个足够大的分区
• Best-fit: 分配满足需要的最小分区。需要搜索整个内 存或者对分区进行排序。 • Worst-fit: 分配最大的分区。也需要搜索整个内存。 • First-fit and Best-fit are better than worst-fit in terms of decreasing both time and storage utilization
交换
重叠
• Overlay
– 将程序按照功能分成一 段一段功能相对完整的 单元； – 顺序、单向执行； – 将后面的程序单元覆盖 到当前的程序单元上。
• 问题：
– 内存管理取决于用户
双基址
• 让两个（相同的）程序共享部分内存空间， 例如程序代码 • 设定两组基址和极限，数据和代码分别用 一组基址和极限。