基于肖特基阻性二极管的140GHz二倍频器

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simetrix里的肖特基二极管

Simetrix是一款集成电路模拟软件，提供了丰富的元件库和功能强大的仿真工具，是电子工程师进行电路设计和仿真的重要工具。

其中，肖特基二极管是Simetrix元件库中的一个重要元件，本文将围绕Simetrix里的肖特基二极管展开讨论。

一、肖特基二极管的基本概念肖特基二极管又称肖特基势垒二极管，是一种具有肖特基结构的二极管。

其结构与普通的PN结二极管相似，但是在P型半导体和N型半导体之间存在一个金属与半导体的界面，形成肖特基势垒。

肖特基二极管具有正向导通特性好、反向漏电流小的特点，适合用于高频和高速开关电路中。

二、Simetrix中肖特基二极管的建模和参数设置1. 在Simetrix中，可以通过选择元件库中的Diode元件，并在弹出的元件属性对话框中选择“Model”为“Schottky”来建立肖特基二极管模型。

2. 在设置肖特基二极管的参数时，需要考虑肖特基势垒高度和串联电阻等特性参数。

在Simetrix中，可以通过修改元件属性对话框中的“Is”（饱和漏电流）、“N”（理想因子）和“Rs”（串联电阻）等参数来定制肖特基二极管的模型。

三、肖特基二极管在电路设计和仿真中的应用1. 肖特基二极管在射频前端模块中的应用肖特基二极管由于其快速开关特性和低反向漏电流，特别适合在射频前端模块中用作检波二极管、混频器等关键元件。

在Simetrix中，可以通过建立对应的射频前端电路模型并对肖特基二极管进行参数仿真，来验证其在射频电路中的性能。

2. 肖特基二极管在功率电子领域的应用肖特基二极管还被广泛应用于功率电子领域，用作开关电源、逆变器等电路中的整流和开关元件。

在Simetrix中，可以通过构建相应的功率电子电路模型，并对肖特基二极管进行频率响应和电压-电流特性的仿真分析，来评估其在功率电子应用中的可靠性和性能。

四、结语通过本文对Simetrix中肖特基二极管的建模和应用进行了讨论，可以看出Simetrix作为一款专业的集成电路仿真软件，为电子工程师提供了丰富的元件库和强大的仿真工具，极大地方便了电路设计和分析工作。

二极管 mos管肖特基二极管

肖特基二极管又称肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），是一种特殊的二极管，其结构和特性与普通的二极管有所不同。

它利用了肖特基效应（Schottky effect）的原理，具有低漏电流、快速开关速度和低压降等优点，因此在各种电子电路中得到广泛应用。

一、肖特基二极管的结构肖特基二极管由金属和半导体材料组成，其结构如下：1. 金属-半导体接触面：用金属和半导体材料制成金属-半导体接触面，形成势垒；2. P型半导体材料：通常采用P型硅（p-Si）材料制成。

二、肖特基二极管的特性肖特基二极管相比普通二极管具有以下特点：1. 低漏电流：由于金属-半导体接触面的势垒形成，使得肖特基二极管的漏电流比普通二极管小很多；2. 快速开关速度：肖特基二极管的导通和截止速度较快，因此在高频电路中得到广泛应用；3. 低压降：肖特基二极管在导通时的压降比普通二极管小，对电路的功耗影响较小。

三、肖特基二极管的应用肖特基二极管在电子电路中有广泛的应用，主要体现在以下几个方面：1. 短波无线电接收机：肖特基二极管可以作为高频检波二极管，实现无线电信号的检波和解调；2. 低功耗电路：由于肖特基二极管的低漏电流和低压降特性，适合用于设计低功耗的电路；3. 微波频率倍频器：肖特基二极管在微波频率电路中具有较高的性能，常被用作频率倍增器；4. 太阳能电池：肖特基二极管作为太阳能电池的组成部分，可以将光能转化为电能。

四、肖特基二极管与MOS管的比较肖特基二极管与MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构和特性上有所不同。

1. 结构：肖特基二极管由金属和P型半导体材料组成，而MOS管由金属氧化物和半导体材料组成。

2. 功能：肖特基二极管主要用于整流和高频开关电路中，而MOS管主要用于放大和开关电路中。

3. 特性：肖特基二极管的优点在于低漏电流和快速开关速度，但其直流特性和温度特性较差；MOS管的特点在于良好的输入输出特性和高集成度，但功耗较大。

基于肖特基二极管的450GHz二次谐波混频器_赵鑫

1 设计
1． 1 总体设计如图 1 所示，二次谐波混频器由二极管和无源
电路组成，它的设计过程就是设计射频ＲF、本振 LO、中频 IF 端口到非线性器件二极管的匹配网络，从而实现信号的高效转换［10］．二极管采用一对反向并联的肖特基二极管，对管在电路中通过合理接地，无需外加直流偏置，因此整个电路的形式简单、结构紧凑．对管的输出只含射频 fＲF 和本振 fLO 合成后的奇次分量［11］，通过合理设置滤波器和探针，让中频端口输出所需的频率分量 | 2fLO － fＲF | ．
Design of the 450 GHz sub-harmonic mixer based on Schottky diode
ZHAO Xin1* ， JIANG Chang-Hong1 ， ZHANG De-Hai1 ， Meng Jin1，2 ， YAO Chang-Fei3
（ 1． CAS Key Laboratory of Microwave Ｒemote Sensing，Center for Space Science and Applied Ｒesearch， Chinese Academy of Sciences，Beijing 100190，China；
引言
在大气遥感中，毫米波亚毫米波波段包含有丰富的气象信息．随着气象卫星的深入应用，探测频率在不断攀升，已经高达 300 GHz 以上．毫米波亚毫米波技术由此快速发展，该波段的辐射源和检测器等器件成为制约系统应用的瓶颈．
混频器是接收机前端中的关键部件，它将接收
到的射频信号转移到中频信号，它的性能直接影响着接收机的检测性能．由于技术水平的限制，国内对固态混频器的研究大部分都集中在 300 GHz 以下的波段［1-6］．国外的工艺水平较高，除了采用基片转移技术还可以采用全 GaAs 集成的薄膜电路，因此混频器的频率能做到 300 GHz 以上［7-9］．我们为解决 450 GHz 辐射计的应用问题，立足国内的工艺水平，采用分立二极管和石英基片，研制了 450 GHz 的二

肖特基二极管结构原理及参数知乎

一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。

普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。

具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。

二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。

其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。

它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。

另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。

三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。

它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。

肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。

四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。

在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。

在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。

在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。

五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。

肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。

希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。

140 GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路

140 GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健【期刊名称】《太赫兹科学与电子信息学报》【年(卷),期】2018(16()03)【摘要】通过在300μm厚度的Ga As衬底条件下,利用共面波导传输线实现了基波混频集成电路设计。

利用半导体分析仪测试I-U和C-U曲线,并成功提取了相应的肖特基二极管模型。

结合建立的肖特基二极管模型,代入Lange耦合器、中频结构和匹配网络等实现了140 GHz零中频基波混频片上电路,并加入了地-信号-地（GSG）测试封装。

最终仿真结果表明：在固定中频1 GHz的条件下,变频损耗最优为-7 dB,3 dB带宽大于40 GHz。

【总页数】5页(P369-373)【作者】蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健【作者单位】[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200;;[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;[2]中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川成都610200【正文语种】中文【中图分类】TN773.2【相关文献】1.4～8 GHz GaAs HBT单片双平衡混频器 [J], 张健;张海英;陈立强;李志强;陈普峰2.140GHz基于CPWG单平衡基波混频GaAs集成电路 [J], 蒋均;陆彬;何月;曾建平;缪丽;邓贤进;张健3.120GHz GaAs MMIC双平衡式基尔伯特混频器 [J], 张亮;陈凤军;罗显虎;韩江安;程序;成彬彬;邓贤进4.120GHz GaAs MMIC双平衡式基尔伯特混频器 [J], 张亮;陈凤军;罗显虎;韩江安;程序;成彬彬;邓贤进;;;;;;;;5.基于T形阳极GaAs肖特基二极管薄膜集成电路工艺的664 GHz次谐波混频器[J], 牛斌;钱骏;范道雨;王元庆;梅亮;戴俊杰;林罡;周明;陈堂胜因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

基于SiC肖特基二极管温度特性的研究

基于SiC肖特基二极管温度特性的研究
李金钊
【期刊名称】《电子设计工程》
【年(卷),期】2024(32)8
【摘要】碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料,其因优异的物理特性而被广泛研究。

针对SiC器件在高温环境下可能会因为不理想的散热导致器件失效从而引发可靠性问题,文中采用仿真的方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试,并研究了该型器件在高温下的伏安特性。

结果表明,Pt/SiC肖特基二极管器件在正偏的情况下,随着温度的升高,器件的电流水平会逐渐降低;器件反偏时,反向电流水平则随着温度的升高而急剧增大。

同时在高温下器件的反向电流基本趋于饱和,热电子发射电流占据主导地位,且200℃时电子的迁移率仅为500 cm2/(V·s)。

【总页数】5页(P32-35)
【作者】李金钊
【作者单位】新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院
【正文语种】中文
【中图分类】TN311
【相关文献】
1.基于Ag/SiNWs肖特基势垒二极管的I-V温度特性研究
2.4H-SiC肖特基势垒二极管温度特性研究
3.6H-SiC基混合肖特基/PiN二极管反向恢复及少子特性研究
4.Au／4H-SiC肖特基UV光电二极管的温度特性
5.1200V 4H-SiC结势垒肖特基二极管温度特性研究
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肖特基二极管主要参数

肖特基二极管主要参数
肖特基二极管是一种半导体二极管，它具有相比传统矽二极管更高的开关速度和低噪声特性。

以下是肖特基二极管的主要参数：
1. 正向电压降（Forward Voltage Drop）：肖特基二极管在正向导通状态下的电压降。

通常为0.2-0.5V，较低矽二极管的典型值更小。

2. 反向电压（Reverse Voltage）：肖特基二极管可以承受的最大反向电压。

通常为30-200V。

3. 正向电流（Forward Current）：肖特基二极管在正向导通状态下可以通过的最大电流。

通常为几十毫安到几安。

4. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：肖特基二极管在反向偏置状态下的漏电流。

通常非常小，一般为几微安到几毫安。

5. 开关速度（Switching Speed）：肖特基二极管的响应速度。

由于肖特基二极管中没有存储电荷，所以其开关速度较矽二极管更快。

6. 热稳定性（Thermal Stability）：肖特基二极管的温度特性。

肖特基二极管具有较低的温度导致电流变化的特点。

7. 噪声系数（Noise figure）：肖特基二极管的噪声性能。

由于肖特基二极管的结构特点，其在高频应用中具有较低的噪声系数。

这些参数可以帮助工程师选择合适的肖特基二极管用于特定应用，例如高频放大器、开关电路和功率电源等。

Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度

出完毕为止。另外。在Ｏｕｔｌ信号为高电平时，输出正通道，在Ｏｕｔ１信号为低电平时，输出负通道。
加速度通道输出的脉冲为正脉冲。在计时信号开始后，以固定频率输出脉冲。即检测到一个Ｉｎ３信号。输出一个脉冲，直至所需脉冲个数输出完毕为止。加速度通道符号标志为１时，负通道输出脉冲，正通道输出低电平；符号标志为０
予正通道。负通道赋值０。
３．４信号输出模块
【１】马芮，孔星炜．ＭＩＭＵ在机栽制导武器中的应用叨．飞航导
弹．２００８（６）：４５ — ５０．
ＭＡＲｕｉ．Ｋ０ＮＧＸｉｎｇ．ｗｅｎ．ＴｈｅｕｓｅｏｆＭＩＭＵｉｎｌ￣ｏａｍｅ
参考文献：
数据转换部分则是对上面接收的加速度、角速度值按前面介绍的增量当量和刷新时间转换成各个通道的脉冲数。在这里考虑到角速度和加速度的量程以及精度等因数，把
ＭＩＭＵ输出的每个通道数据的高八位以及低十二位舍去。取
中国惯性技术学报，２００８，１６（３）：３３０ — ３３３．
ＦＵＬｉ，ＳＨＩＧｕａｎｇ－ｙｕ．Ｄｅｓｉｇｎｏｆｓｐｅｃｉａｌｉｎｔｅｒｆａｃｅｂｏａｒｄｆｏ

肖特基二极管原理和常用参数和检测方法

肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V左右。

其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。

因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。

其正向起始电压较低。

其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。

其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。

这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。

由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。

其工作频率可达100GHz。

并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。

它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。

肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

基于平面肖特基二极管的300GHz平衡式二倍频器

Abstract院 The structure and dimension of Schottky diode were designed . The loss at high frequency was reduced using a quasi whisker contacted anode structure by a metal finger akin to an air bridge . The nonlinear model of Schottky anode and three dimen鄄 sional electromagnetic ( EM ) model were established respectively according to the measured data and structure of Schottky diode . The diodes were placed in waveguide using balanced circuit design. The EM mode orthogonality ensured very good input and output sig鄄 nal isolation , which simplified the circuit structure and reduced the circuit loss. A 300 GHz doubler was designed and fabricated successfully. The efficiency is higher than 5% at 312 耀319 GHz with a peak efficiency of 10 .1 % at 316 GHz. The output power is higher than 4 mW at 307 耀318 GHz with a peak output power of 8. 7 mW at 316 GHz. The diodes are replaced by one with higher doping concentration . The peak efficiency is 13 . 7% and the peak output power is 11 . 8 mW which reaches the similar level of re鄄 ported doublers. The results proved the ability of Schottky diode working at high frequency . Key words院 doubler 曰Schottky diodes曰 anti - series曰 balanced 曰 terahertz

基于140GHz高速无线通信技术分析

基于140GHz高速无线通信技术分析摘要：如今，随着社会的不断发展，人们在生活中也应用到了更多的互联网技术，因此，对互联网技术的要求也是越来越高。

对互联网技术中的无线通信的速度要求也是越拉越高。

随着互联网技术的发展，高速无线通信技术的研究也取得了很大的进步。

但目前来说，140GHz高速无线通信技术还存在着辐射功率低以及较复杂的调节调制过程的缺点，同时受到天气影响，高速无线通信的过程也会受到一定程度的影响。

本篇文章通过对太赫兹通信验证系统、光通信验证系统以及微波毫米波通信系统的研究分析，结果发现太赫兹通信验证系统在140GHz无线通信技术的应用中最为广泛。

关键词：高速；无线通信技术；太赫兹通信验证系统前言如今随着人们生活节奏的不断提高，人们对信息传输速度的要求也是越来越高。

对于不同领域要求的高低也是不同的。

据相关数据显示，2011年激光雷达的传输速率为160Mbps,而随着技术的不断提高，预计到2022年激光雷达的传输速率将达到2Gbps以上。

同时，根据美国国家航空航天局的相关数据表明，无线数据传输的速率将从2008年的900Mbps提升到2022年的120Gbps。

同时，将来为了满足人们对无线传输速度的更高要求，近来我们也需要投入更多的人力和物力在无线传输速率方面进行研究，以达到更高的无线传输速率。

一、微波毫米波通信系统最开始对微波毫米波通信系统无线数据传输的研究是在1970年由外国人发起的，对年以来也已经取得了相当成功的研究成果。

在数据传输方面美国采取的是卫星数字处理技术，该项技术是由40个124MHz组成，能够提供更多的通信容量。

二、光通信系统在光通信系统中，无线光通信技术和光纤通信技术在优点方面是相同的，不同的是二者传播的媒介不同。

无线光通信是在激光通信之后出现的一种新的通信方式，但在后来的光纤通信技术得到更好的发展之后，无线光通信技术受到天气影响的问题便日渐凸显。

无线光技术也只能在晴朗天气或者小雨的情况下使用，遇到恶劣天气，无线光通信的传输质量就会直线下降。

常用的肖特基二极管型号及参数

常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。

在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。

下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。

1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。

基于肖特基二极管的太赫兹二倍频器设计

基于肖特基二极管的太赫兹二倍频器设计何月;沈川;王成;陈鹏;陆彬【期刊名称】《太赫兹科学与电子信息学报》【年(卷),期】2015(013)005【摘要】固态倍频器是太赫兹源应用中的关键器件,如何利用非线性器件提高太赫兹倍频器件的效率是设计太赫兹固态电路的关键.本文介绍了利用肖特基二极管非线性特性设计固态太赫兹二倍频器的2种方法,即采用直接阻抗匹配和传输模式匹配设计了2种不同拓扑结构的170 GHz二倍频器,针对设计的结构模型,分别进行三维有限元电磁仿真和非线性谐波平衡仿真.仿真结果表明,在17 dBm输入功率的驱动下,倍频器在160 GHz～180 GHz输出频率范围内,倍频效率在15％左右,输出功率大于7 mW.最后对2种方法设计的倍频器结构进行了简单对比和分析,为今后太赫兹倍频研究和设计提供仿真方法.【总页数】6页(P691-695,711)【作者】何月;沈川;王成;陈鹏;陆彬【作者单位】中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川绵阳621999;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川绵阳621999;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川绵阳621999;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川绵阳621999;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999;中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心,四川绵阳621999【正文语种】中文【中图分类】TN771【相关文献】1.基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制 [J], 姚常飞;周明;罗运生;许从海;寇亚男;陈以钢2.基于肖特基二极管的太赫兹二倍频器设计 [J], 何月;沈川;王成;陈鹏;陆彬;3.基于二极管三维模型的太赫兹倍频器研究 [J], 李理;张勇;赵伟;钟伟;刘双;卢秋全;徐锐敏4.基于肖特基二极管的太赫兹准光探测器设计方法与成像性能研究 [J], 李明迅;牟进超;郭大路;乔海东;马朝辉;吕昕5.基于肖特基二极管的宽带低本振功率太赫兹四次谐波混频器 [J], 杨益林;张波;纪东峰;王依伟;赵向阳;樊勇因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

基于肖特基二极管的140GHz次谐波混频器

ＤＢＥＳ１５０ａ．Ｕｎｄｒｔｅｒｓａｃｎｐｓｃｌｓｒｃｕｅｏｉｄｅｉｏｄｃｏ．ｔｅｔｒｅｄｍｅｓｏａｅｈｅｅｒｈｏｈｙｉａｔｕｔｒｆｄｏｅｓｍｃｎｕｔｒｈｈｅ．ｉｎｉｎｌＥＭｄｏｅｍｏｅｓｅｔｂｉｈｅｉｄｄｌｉｓａｌｓｄ．ＴｈＨＭｅｐｏｉｇｓｓｅｄｄｍｉｒｓｒｐｓｒｃｕｒｓｄｅｉｎｄｗｉｇｅＳｍｌｙｎｕｐｎｅｃｏｔｉｔｕｔｅｉｓｇｅｔＨｉｈｈ
（ｓｉｔｏｌｃｒｎｃＥｇｎｅｉｇＣｉａＡｃｄｍｙｏｎｉｅｒｎｈｓｃ，ＭｉｎａｇＳｃｎｎ６０，ＣｉａＩｔｔｅｆＥｅｔｏｉｎｉｅｒ，ｈｎａｅｆｇｎｅｉｇＰｙｉｓｎｕｎＥａｙｎｉｈａ２０１９ｈｎ）
ＦｅｕｎｙＳｒｃｕｅＳｍｕａｏＨＦＳ＋ｖｎｅｓｇｙｔｍ（ｒｑｅｃｔｕｔｒｉｌｔｒ（Ｓ）ＡｄａｃｄＤｅｉｎＳｓｅＡＤＳＣ－ｉｌｔｎｍｅｈｄＳｍｕａｉｎ）Ｏｓｍｕａｉｔｏ．ｉｌｔｏｏ
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倍频器gaas肖特基二极管

倍频器gaas肖特基二极管
倍频器gaas肖特基二极管是一种高频器件，主要用于电子通信和雷达等领域。

它采用了高电子迁移率的GaAs半导体材料制成，具有高功率、低噪声、高灵敏度等优点。

肖特基二极管是一种非线性元件，可以将输入信号的频率提高到其倍数输出，因此倍频器gaas肖特基二极管被广泛应用于高频信号的倍频和调制等方面。

此外，它还具有快速响应、小尺寸等优点，适用于高速、高精度的信号处理。

随着通信技术的发展，倍频器gaas肖特基二极管的应用前景将更加广阔。

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肖特基(SCHOTTKY)系列二极管

肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。

介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。

对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。

最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。

本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。

150 GHz大功率二倍频器

第18卷第2期太赫兹科学与电子信息学报Vo1.18，No.2 2020年4月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Apr.，2020 文章编号：2095-4980(2020)02-0171-04150 GHz大功率二倍频器徐鹏1，杨大宝1，张立森2，梁士雄2，顾国栋2，吕元杰2，冯志红2(1.中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄 050051；2.专用集成电路重点实验室，河北石家庄 050051)摘要：基于六阳极结反向串联型砷化镓平面肖特基容性二极管，采用平衡式二倍频器结构，成功研制出一种大功率150GHz二倍频器。

使用三维电磁场与非线性谐波平衡联合仿真方法，提高了仿真结果和实际的吻合度，并根据设计结果完成倍频器的加工、装配和测试。

倍频器在输出频率为146~158GHz下的倍频效率达到7%以上；在输出频率为154GHz时，倍频效率达到12%，输出功率达到71mW。

关键词：太赫兹；二倍频；肖特基二极管；大功率中图分类号：TN45文献标志码：A doi：10.11805/TKYDA2018330150GHz high output power frequency doublerXU Peng1，YANG Dabao1，ZHANG Lisen2，LIANG Shixiong2，GU Guodong2，LYU Yuanjie2，FENG Zhihong2(1.The 13th Research Institute，China Electronics Technology Group Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China；2.National Key Laboratory of ASIC，Shijiazhuang Hebei 050051，China)Abstract：A 150 GHz high output power frequency doubler is designed and realized based on six anodes in anti-series GaAs planar Schottky varactors. The doubler is utilized by balanced construction.Co-simulation of 3-D electromagnetic simulator with nonlinear harmonic balance tool is utilized to improvethe precision of simulation. According to the design results, the 150 GHz high output power frequencydoubler is fabricated and tested. The measured efficiency is above 7%in 146 GHz-158 GHz. The peakefficiency is 12% at 154 GHz, and the output power is 71 mW.Keywords：Terahertz；frequency doubler；Schottky varactors；high power太赫兹(Terahertz，THz)频率是对0.1~10 THz的电磁波频率的统称，波长范围0.03~3 mm，典型脉宽在亚皮秒量级。