检测逆变器IGBT好坏的方法
教你如何检测IGBT管好坏的方法
教你如何检测IGBT管好坏的方法IGBT管好坏的检测方法IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G-E两极与G-c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e-C极间均有4k正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5k左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50k左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。
对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e-C极间正向压降约为0.5V。
内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。
实际工作中IGBT管多为击穿损坏。
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断。
对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反用二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT出现故障怎么办？测试IGBT的方法有哪些？
IGBT全动态参数测试设备，是深圳威宇佳智 能控制有限公司开发制造的一款专业测试设 备，可以测试IGBT、SiC等开通、关断、短路、 栅极电荷以及二极管反向恢复各项动态参数。 同时还能够测试单管、半桥、四单元、六单 元、PIM等绝大多数封装的IGBT模块及DBC。
这台测试设备是半自动化的，可以自动进出料，具有自动短路测试、Qg测试 功能。电压电流规格最大2000V/2000A，短路电流最高5000A，可以按照用户
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IGBT出现故障怎么办？测试IGBT的方法有哪些？
在工作中经常会遇到IGBT出现故障的问题， 想要分析IGBT故障的原因却不知道该怎么做。 有时候还得判断外观完好的IGBT模块是否出 现异常，该用什么方法去测试呢？
一般情况下，可以选择使用数字万用表，来 快速判断IGBT的好坏。使用万用表的二极管 档来测试FWD芯片是否正常；用电阻档判断 CE、GE、GC有没有发生短路；用电容档来测 试门极正常正常与否。不过这些方法也只能 作为初步判别手段，并不具有通用性。想要 更加准确地判断IGBT出现故障的原因，还需 要使用到专门的测试设备。
IGBT的检测方法
IGBT的检测办法【1 】IGBT有三个电极,分离称为栅极G(也叫掌握极或门极).集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一.用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的PN结正.反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极.具体办法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分离测出其正.反向电阻值.当某两个电极的正.反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分离是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极可交换,剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）随意率性接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当消失两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分离为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,解释是PN结的反向,即都是反向电阻,可以剖断是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,解释是正向PN结,等于正向电阻,剖断为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.若不消失上述情形,可以更换黑.红表笔按上述办法进行测试,直到判别出栅极为止.（2）用测电阻法判别场效应管的利害测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极.栅极与源极.栅极与漏极.栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的利害.具体办法：起首将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,平日在几十欧到几千欧规模（在手册中可知,各类不合型号的管,其电阻值是各不雷同的）,假如测得阻值大于正常值,可能是因为内部接触不良;假如测得阻值是无限大,可能是内部断极.然后把万用表置于R ×10k档,再测栅极G1与G2之间.栅极与源极.栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无限大,则解释管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则解释管是坏的.要留意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.（3）用感应旌旗灯号输人法估测场效应管的放大才能具体办法：用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V 的电源电压,此时表针指导出的漏源极间的电阻值.然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压旌旗灯号加到栅极上.如许,因为管的放大感化,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要产生变更,也就是漏源极间电阻产生了变更,由此可以不雅察到表针有较大幅度的摆动.假如手捏栅极表针摆动较小,解释管的放大才能较差;表针摆动较大,标明管的放大才能大;若表针不动,解释管是坏的.依据上述办法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F.先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指导的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,解释该管是好的,并有较大的放大才能.应用这种办法时要解释几点：起首,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动（电阻值减小）,也可能向左摆动（电阻值增长）.这是因为人体感应的交换电压较高,而不合的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不合（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致,实验标明,多半管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动.但无论表针摆动偏向若何,只要表针摆动幅度较大,就解释管有较大的放大才能.第二,此办法对MOS场效应管也实用.但要留意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G 许可的感应电压不该过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿.第三,每次测量完毕,应该G-S极间短路一下.这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,树立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放失落才行.（4）用测电阻法判别无标记的场效应管起首用测量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对换表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S.用这种办法判别出来的S.D极,还可以用估测其管的放大才能的办法进行验证,即放大才能大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种办法检测成果均应一样.当肯定了漏极D.源极S的地位后,按D.S的对应地位装人电路,一般G1.G2也会依次瞄准地位,这就肯定了两个栅极G1.G2的地位,从而就肯定了D.S.G1.G2管脚的次序.（5）用测反向电阻值的变更断定跨导的大小对VMOSN沟道加强型场效应管测量跨导机能时,可用红表笔接源极S.黑表笔接漏极D,这就相当于在源.漏极之间加了一个反向电压.此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳固的.将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高.当用手接触栅极G时,会发明管的反向电阻值有显著地变更,其变更越大,解释管的跨导值越高;假如被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变更不大.二.场效应管的应用留意事项（1）为了安然应用处效应管,在线路的设计中不克不及超出管的耗散功率,最大漏源电压.最大栅源电压和最大电流等参数的极限值.（2）各类型场效应管在应用时,都要严厉按请求的偏置接人电路中,要遵照场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不克不及加正偏压;P沟道管栅极不克不及加负偏压,等等.（3）MOS场效应管因为输人阻抗极高,所以在运输.贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏障包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要留意,不克不及将MOS场效应管放人塑料盒子内,保管时最好放在金属盒内,同时也要留意管的防潮.（4）为了防止场效应管栅极感应击穿,请求一切测试仪器.工作台.电烙铁.线路本身都必须有优越的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全体引线端保持互相短接状况,焊接完后才把短接材料去失落;从元器件架上取下管时,应以恰当的方法确保人体接地如采取接地环等;当然,假如能采取先辈的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较便利的,并且确保安然;在未关断电源时,绝对不成以把管插人电路或从电路中拔出.以上安然措施在应用处效应管时必须留意.（5）在装配场效应管时,留意装配的地位要尽量防止接近发烧元件;为了防管件振动,有须要将管壳体紧固起来;管脚引线在曲折时,应该大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等.对于功率型场效应管,要有优越的散热前提.因为功率型场效应管在高负荷前提下应用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超出额定值,使器件长期稳固靠得住地工作.总之,确保场效应管安然应用,要留意的事项是多种多样,采纳的安然措施也是各类各样,宽大的专业技巧人员,特殊是宽大的电子快活爱好者,都要依据本身的现实情形动身,采纳切实可行的办法,安然有用地用好场效应管.三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新成长起来的高效.功率开关器件.它不但继续了MOS场效应管输入阻抗高（≥μA阁下）,还具有耐压高（最高1200V）.工作电流大（1.5A～100A）.输出功率高（1～250W）.跨导的线性好.开关速度快等优秀特征.恰是因为它将电子管与功率晶体管之长处集于一身,是以在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）.功率放大器.开关电源和逆变器中正获得普遍应用.VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等长处,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情形下,导通电流会随管温升高而减小,故不消失因为“二次击穿”现象所引起的管子破坏现象.是以,VMOS管的并联得到普遍应用.众所周知,传统的MOS场效应管的栅极.源极和漏极大大致处于统一程度面的芯片上,其工作电流根本上是沿程度偏向流淌.VMOS管则不合,从图1上可以看出其两大构造特色:第一,金属栅极采取V型槽构造;第二,具有垂直导电性.因为漏极是从芯片的不和引出,所以ID不是沿芯片程度流淌,而是自重掺杂N+区（源极S）动身,经由P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D.电流偏向如图中箭头所示,因为流畅截面积增大,所以能经由过程大电流.因为在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,是以它仍属于绝缘栅型MOS场效应管.国内临盆VMOS场效应管的重要厂家有877厂.天津半导体器件四厂.杭州电子管厂等,典范产品有VN401.VN672.VMPT2等.下面介绍检测VMOS管的办法.1．剖断栅极G将万用表拨至R×1k档分离测量三个管脚之间的电阻.若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,因为它和别的两个管脚是绝缘的.2．剖断源极S.漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,是以依据PN结正.反向电阻消失差别,可辨认S极与D 极.用交换表笔法测两次电阻,个中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧.因为测试前提不合,测出的RDS（on）值比手册中给出的典范值要高一些.例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典范值）.4．检讨跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有显著偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高.留意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多半产品属于N 沟道管.对于P沟道管,测量时应交换表笔的地位.（2）有少数VMOS管在G-S之间并有呵护二极管,本检测办法中的1.2项不再实用.（3）今朝市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交换电机调速器.逆变器应用.例如美国IR公司临盆的IRFT001型模块,内部有N沟道.P沟道管各三只,组成三相桥式构造.（4）如今市售VNF系列（N沟道）产品,是美国Supertex公司临盆的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小旌旗灯号低频跨导gm=2000μS.实用于高速开关电路和广播.通讯装备中.（5）应用VMOS管时必须加适合的散热器后.以VNF306为例,该管子加装140×140×4（mm）的散热器后,最大功率才干达到30W.（6）多管并联后,因为极间电容和散布电容响应增长,使放大器的高频特征变坏,经由过程反馈轻易引起放大器的高频寄生振荡.为此,并联复合管管子一般不超出4个,并且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻.检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）利害的简略单纯办法1.断定极性起首将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它南北极阻值为无限大,更换表笔后该极与其它南北极的阻值仍为无限大,则断定此极为栅极（G）.其余南北极再用万用表测量,若测得阻值为无限大,更换表笔后测量阻值较小.在测量阻值较小的一次中,则断定红表笔接的为集电极（C）;黑表笔接的为发射极（E）.2.断定利害将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极（C）,红表笔接IGBT的发射极（E）,此时万用表的指针在零位.用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）,这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的偏向,并能站住指导在某一地位.然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E）,这时IGBT被阻断,万用表的指针回零.此时即可断定IGBT是好的.3.留意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.留意断定IGBT利害时,必定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测利害时不克不及使IGBT导通,而无法断定IGBT的利害.此办法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的利害.变频器.软起动器.PLC.人机界面.低压电器.电气主动化工程.恒压供水装备.音乐喷泉掌握体系.变频器维修等.。
用万用表检查IGBT方法
Freqcon变流器_现场故障信息记录表附件A：
用万用表检查IGBT方法
1、目的：当变流柜内功率模块出现损坏后，必须对柜内除IGBT4上半桥以外的所有IGBT进行测量，防止故障扩大化。
2、工具：万用表
3、操作方法：
注意：所有操作必须在主断路器断开，正、负直流母排放电完毕后才可进行！
打开IGBT柜门，用直流电压档测量直流母线电压，确认电压低于24V。
然后将万用表设为二极管档位，按照下表测量功率模块，并记录数据。
表格 1 IGBT模块压降测量
注：二极管导通压降为
左右，请在《国产Freqcon变流器_现场故障信息记录手册_20100408_A0》中记录所有模块上下桥臂二极管导通压降。
IGBT4上桥臂与制动电阻并联无法测试反并联二极管导通压降，可测阻值为0.9ohm。
如要测量导通压降可将IGBT4交流端AC连线断开。
表格 2 DIODE模块压降测量
如果现场测量与上述现象不符，则IGB模块损坏，请更换模块并和电控联系。
IGBT模块测量与判断
IGBT模块测量与判断简介IGBT模块是现代电力电子技术中的重要器件，主要用于变频器、逆变器、交直流混合电源等电力设备中。
在实际运用中，IGBT模块的电性能、热性能和可靠性往往是影响整个电力设备工作性能的关键因素之一。
因此，IGBT模块的测量和判断非常重要。
本文将介绍IGBT模块测量方法和判断方法，帮助读者更好地了解和使用IGBT 模块。
IGBT模块测量方法1. DC电阻测量DC电阻测量是IGBT模块测试中最常见的方法之一。
通过测量IGBT模块正负级之间发生通断的DC电阻来判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到DC电阻档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负极间电阻。
3.将正负级引脚交换后再次测量，记录正负极间电阻。
4.比较两次测量结果，如果读数相同，则IGBT模块正负级之间没有短路。
如果读数大幅变化，则IGBT模块正负级之间可能存在短路。
2. 电压测量电压测量是IGBT模块测试中常用的方法之一，测量IGBT模块正负级引脚是否有电压，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电压档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负级之间的电压。
3.如果读数为0，则正负级之间没有电压，说明IGBT模块正负级之间不存在导通问题。
3. 电流测量电流测量是IGBT模块测试中比较常用的方法之一，测量IGBT模块负载电流是否正常，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电流档位。
2.将正负级之间连接负载，分别记录正负级引脚的电流。
3.如果读数过大或过小，则说明IGBT模块存在问题。
IGBT模块判断方法1. 观察外观首先，可以通过观察IGBT模块的外观，判断器件是否受损或破碎。
如果IGBT 模块外观有破损、变形、划痕等，说明器件可能存在损伤，需要进一步检查。
2. 测量IGBT模块正负级引脚间电阻通过DC电阻测量方法，可以判断IGBT模块正负级之间的通断（正常应该读数接近无穷大，如果出现很小的电阻值，表示器件存在短路现象）。
IGBT怎么测量好坏
IGBT怎么测量好坏l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C ) ：黑表笔接的为发射极（E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接IGBT 的集电极（C ) ，红表笔接IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G ）和集电极（C ) ，这时工GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G ）和发射极（E ) ，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管( P 一MOSFET ）的好坏。
IGBT功率模块的万用表检测方法IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻，对于正常的 IGBT 管（正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时， e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接 e 极，若所测值在 3 ． 5k Ωl 左右，则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管，若所测值在 50k Ω左右，则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。
如何判断IGBT的好坏？
图1 N沟道IGBT结构 图2 IGBT的结构剖面图
由图2可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR ，其简化等效电路如图3所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。
N沟道IGBT的图形符号有两种，如图4所示。实际应用时，常使用图2－5所示的符号。对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图4所示。
判断极性
将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔（红表笔）分别接其它
两只管脚，若阻值均为无穷大，对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔
（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。其余两
Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同 样也可以用于检测功率场效应来自体管（P-MOSFET）的好坏。
IGBT 简介
1.IGBT的基本结构
绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。
正是由于 IGBT 是在N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加一层 P+ 基板，形成了四层结构，由PNP－NPN晶体管构成 IGBT 。但是，NPN晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说， IGBT 的基本工作与NPN晶体管无关，可以认为是将 N 沟道 MOSFET 作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。
图1所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。
IGBT故障及测试方法
一、斩波升压IGBT温度故障原因：1、风道有堵塞情况、风扇变频器控制有问题、风扇问题。
2、变流板到变流子站传输信号回路接线及模块有问题。
3、IGBT功率模块问题、15针驱动线缆问题。
4、变流板问题。
检查步骤：第一步：检查IGBT散热风道是否有塑料薄膜等堵塞现象，在吊装时候有时候可能忘记拆掉塑料薄膜或者没有拆干净，导致散热较差。
第二步：检查变频器设置是否正确，本地控制风扇到满功率状态，确认风扇是否有问题，如果风扇轴承有问题，也会发出较大热量，影响散热，可以感觉风扇振动是否较大来初步判断。
第三步：检查模拟量采集模块及37针模拟量电缆是否有问题。
第四步：IGBT温度超过100°会报此故障，检查IGBT15针驱动线缆是否有问题，如没有问题，可能IGBT本身存在问题，其内部温度传感器损坏，更换IGBT模块。
二、制动单元IGBT过流故障可能原因：1、信号干扰，收到假的IGBT过流信号。
2、制动单元IGBT故障，15针控制线缆故障。
3、制动电阻与制动单元接线问题。
4、变流板故障。
检查步骤：第一步：检查变流板前面板OC chop指示灯是否亮红灯，检查变流板到变流子站信号回路，确定不是干扰误报。
第二步：检查IGBT4是否损坏，测量管压降的时候需要将交流端与制动电阻脱离，否则无法测量。
检查15针控制线缆是否有问题，测量其针引脚，是否接头处有虚接干扰。
第三步：测量制动电阻的阻值，正常为0.9欧姆，检查其接线。
检查整个制动控制主回路的接线。
第四步：检查变流板，更换变流板。
第五步：变流板内部采集信号转换有问题，更换变流板。
三、直流电流过流故障可能原因：1、直流电流设定值偏高。
2、变流板故障。
3、斩波升压IGBT故障。
4、斩波升压IGBT过流、15针驱动线缆问题。
检查步骤：第一步：首先检查IGBT是否有损坏，检查斩波升压IGBT驱动线缆是否有问题。
第二步：由于I_DC随着DC setpoint走，如果电流设定较大，目前程序上限制在1600A，故障文件上的I_DC*5/3为实际值，程序上I_DC在超过1500A持续100ms报故障。
IGBT的测试好坏、驱动电路和开关过程
万用表测量IGBT好坏一共有三步发布时间: 2009-04-01 14:21:38开关电源维修中会接触到IGBT,那么用万用表怎么测量IGBT好坏呢？用万用表怎么测量IGBT好坏一共有三步：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。
挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。
2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接IGBT 的集电极（C ) ，红表笔接IGBT 的发时极( E ) ，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G ）和集电极（ C ) ，这时工GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G ）和发射极（ E ) ，这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT 。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管( P 一MOSFET ）的好坏。
IGBT的开通过程发布时间: 2009-04-02 14:37:52IGBT的开通过程按时间可以分为四个过程,如下:第一, 门射电压VGE小于阀值电压VTh时。
其门极电阻RG和门射电容CGEI的时间常数决定这一过程。
当器件的集电极电流IC 和集射电压VCE均保持不变时，CGEI就是影响其导通延迟时间tdon的唯一因素。
第二, 当门射电压VGE达到其阀值电压?时，开通过程进入第二阶段，IGBT开始导通，其电流上升速率dI/dt 的大小与门射电压VGE 和器件的跨导gfs有如下关系：dIc/dt = gfs（Ic）＊dVGE/dt其中，dVGE/dt由器件的门极电阻RG和门射电容CGEI所决定（对于高压型IGBT来说，门集电容CGC可忽略不计）。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种集大功率Bipolar Transistor和MOSFET优点于一身的器件，具有高开关速度、低功耗和高电压能力等特点，广泛应用于电力电子设备中。
IGBT的检测方法主要包括静态电特性测试、动态电特性测试和可靠性测试等。
1.静态电特性测试：-静态电流放大因子（HFE）测试：通过对基极电流和集电极电流之间的关系进行测试，可以评估IGBT的放大性能。
-开关特性测试：测试IGBT的开启电压和关闭电压，以及开启和关闭过程中的电流波形，以评估其开关速度和效率。
-静态电阻测试：通过测量IGBT的导通电阻和截止电阻，可以评估其导通和截止状态下的能量损耗和热特性。
2.动态电特性测试：-开关速度测试：通过测量IGBT的开启时间和关闭时间，以及电流和电压之间的响应时间，评估其动态响应和开关速度。
-反馈电容测试：IGBT内部的反馈电容对开关速度和功耗有重要影响，通过测试反馈电容的大小和频率特性，可以评估IGBT的性能。
-热响应测试：IGBT工作时会有一定的热功耗，通过测试其温度响应和热传导性能，可以评估其传热和温度稳定性。
3.可靠性测试：-温度稳定性测试：测试IGBT在不同温度下的静态和动态特性，评估其在不同工作温度下的性能和可靠性。
-电压应力测试：通过施加不同电压和电流的应力，测试IGBT在额定工作条件下的可靠性和耐压能力。
-寿命测试：通过长时间连续工作或循环工作，评估IGBT的寿命和可靠性。
-环境适应性测试：测试IGBT在不同工作环境、湿度和振动条件下的性能和可靠性，以评估其适应各种工作环境的能力。
以上是IGBT的检测方法的基本介绍，具体的测试方法和设备会根据不同的应用、需求和标准有所差异。
IGBT的测试对于确保其正常工作、提高产品质量和可靠性非常重要，因此在生产过程中需要进行严格的测试和筛选。
IGBT测量方法
IGBT电路图IGBT测量方法一正常IGBT测量：用数字万用表的二极管档测量，红表笔是+正极，黑表笔是-负极。
1IGBT的G端(门级)与E端（发射极）、C端（集电极）是不导通，所以Rge和Rgc理论阻值是100M Ω以上。
若G端和E端外围有并接电阻，Rge阻值=并接电阻阻值。
（用电阻档测）；2因IGBT的C\E端并接二极管.2.1若G\E端不加触发电压，E端（发射极）、C端（集电极）是单向导通。
用二极管档测，红表笔在E端，黑表笔在C端，表显示345，导通，导通压降为0.345V。
表笔相反测，表显示1，表示不导通；（表显示345，表示导通的压降为0.345V,万用表不同，IGBT不同，测量值有偏差，偏差值不大）2.2若G\E端加触发直流电压VGE=6V（VGE>Vt）, 红表笔在C端，黑表笔在E端,C端和E端正向导通，表显示345；2.3因G\E端相当一个小电容，当撤离外加触发电源，触发电压还存在，C端和E端正向还导通，电线短接G\E端，IGBT正向就不导通2.4 正常C/E端耐压测试：为什么用测量电机绝缘的摇表测试：1数字万用表的电压在DC9V内,电压低不能正确判断其耐压真实性。
2 因摇表的电压在DC500V内，与IGBT C/E端正常工作电压相同，可真实检测IGBT状况。
其电压可以通过速度控制，而且电源功率小，测量时不会发生意外。
3 摇表的正极接在C端，负极接在E端。
摇动摇表，显示的数值在100MΩ以上，同时用万用表测量电压，电压可以在150V以上。
二故障IGBT1 G端和C\E端阻值在KΩ以下，并接电阻除外；2 C\E端，用用二极管档测, 表显示100以下，并有声音提示，表示C\E短路；或者用电阻档测，阻值很小。
3 G\E端加触发电压，C\E端正向不导通；4 C/E端耐压测试: 摇表测试，显示的数值在1MΩ以下。
同时用万用表测量电压，电压在15V以下；。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体功率开关器件，广泛应用于电力电子设备中的逆变器、变频器、交流调速器等领域。
为确保IGBT的正常运行，需要进行定期的检测和维护。
下面将介绍IGBT的检测方法。
1.IGBT的外观检测外观检测是最简单的IGBT检测方法之一、操作人员应检查IGBT外壳是否有破损、变形、漏油等情况。
同时还要检查IGBT引脚是否完好、连接是否松动。
若发现任何异常，应及时进行修复或更换。
2.IGBT的导通和绝缘检测IGBT在正常工作时应处于导通状态，即正向极化。
可以使用数字万用表或特殊的IGBT检测仪进行导通测试。
通过记录测试值，可以得知IGBT是否导通正常。
此外，还可以使用绝缘电阻测试仪测量IGBT的绝缘电阻，确保其与外壳之间的绝缘性能良好。
3.IGBT的耐压测试耐压测试是测试IGBT的绝缘性能的一种方法。
通过对IGBT的引脚与壳体之间施加高电压，检测其是否能够承受所需的工作电压。
耐压测试也可以用来检测IGBT之间的电气隔离性能。
4.IGBT的正向和反向电流测试正向电流测试可以用来验证IGBT的导通性能。
通过施加正向电流，检测IGBT的导通特性是否符合要求。
反向电流测试可以用来检测IGBT的阻断能力。
通过施加反向电流，检测IGBT是否能够正常阻断电流。
5.IGBT的温度测试6.IGBT的电路参数测试7.IGBT的堆叠测试堆叠测试是针对IGBT模块的一种检测方法。
可以通过串联多个IGBT 模块，来测试其整体的性能。
堆叠测试可以验证IGBT模块的通流能力、散热性能等。
总结起来，IGBT的检测方法包括外观检测、导通和绝缘检测、耐压测试、正向和反向电流测试、温度测试、电路参数测试和堆叠测试。
通过这些检测方法，可以确保IGBT的正常工作和长期稳定性能。
IGBT模块的测试方法
IGBT模块的测试方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种高性能的功率开关器件，主要用于交流电转直流电的变换和功率控制。
为了确保IGBT模块的正常运行和可靠性，需要进行相应的测试和检验。
1.外观检查：首先要对IGBT模块的外观进行检查，包括外壳是否完好，引脚是否弯曲或者损坏，有无明显的划痕或者焊接痕迹等。
如发现问题应及时处理或更换。
2.规格参数测试：对IGBT模块的规格参数进行测试，包括额定电压、额定电流、耐压、漏电流等参数的测试。
可以使用测试仪器如万用表、电桥等进行测试，确保IGBT模块符合规格要求。
3.电性能测试：通过测试IGBT模块的电性能来评估其性能指标。
包括静态工作特性测试、开关特性测试和动态电流特性测试等。
-静态工作特性测试：分别测量IGBT模块的输入电阻、输出电阻和反向漏极电阻。
可以利用电桥或者万用表进行测试。
-开关特性测试：测试IGBT模块的开关特性，包括导通电压降、截止电流、开启时间、关断时间等。
可以利用示波器和信号发生器等仪器进行测试。
-动态电流特性测试：测试IGBT模块在不同负载和工作频率下的电流响应能力。
可以通过施加正弦波或方波负载来进行测试。
4.温度测试：IGBT模块的工作温度是其可靠性和寿命的重要参数，需要进行温度测试。
可以使用红外测温仪或者热电偶进行测量，确保IGBT模块在规定的工作温度范围内。
5.保护功能测试：IGBT模块通常具有过流保护、过压保护、过温保护等功能，需要进行相应的保护功能测试。
可以通过模拟过流、过压、过温等情况来检验模块的保护功能是否正常。
除了以上测试方法，还需要注意以下几点：-测试环境：IGBT模块的测试环境应该干燥、无尘、温度适宜，避免灰尘和湿气对模块的影响。
-测试设备：使用高质量的测试设备和仪器，确保测试的准确性和可靠性。
-测试记录：进行测试时，应有详细的测试记录，包括测试时间、测试环境、测试设备和仪器、测试结果等信息，便于后续分析和检查。
如何用数字万用表检测IGBT好坏？
如何用数字万用表检测IGBT好坏？展开全文“如何判断IGBT模块是否失效，是硬件工程师和现场支持工程师经常面临的一个问题。
数字万用表是常用设备，用万用表来准确的判断IGBT好坏对故障分析大有裨益。
”我采用的检测IGBT模块步骤如下：1、万用表打到二极管测量档。
GE短接，黑表笔接C极，红表笔接E极。
万用表显示二极管正向压降值正确；(2)、万用表打到高电阻档。
GE短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。
正向压降为100KΩ级以上；CG短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。
正向压降为几十Ω级以下；3、万用表打到电容测量档。
测量GE两端电容大小。
有几十nH的电容值；二极管的测量可以比较准确的判断其好坏。
IGBT测试其正向压降就可以判断其好坏。
目前常用的数字万用表，而且在高电阻档测量的时候测量电压一般是9V，可以开启IGBT，因此可以测量得到IGBT开启时的等效电阻，这个时候电阻值是非常小的了。
这一步重要的是可以明确判断门极可以控制CE之间的等效电阻，有两种电阻值。
所谓的半导体就是指具有高电阻和低电阻两种状态么。
我认为忽略第二步直接测量门极电容是一种便捷准确的方法，绝大部分的IGBT模块失效模式下，内部IGBT晶元门极结构都会遭到破坏。
无论是短路还是开路，是都测量不到有效的电容值的。
只有在IGBT良好的情况下才能测量到有效的几十nH的电容值。
测量的时候，尽量让GE处于短接状态。
防止操作不注意碰到门极引起门极击穿损坏。
本文是作者自己理解和整理，可能会有误解和偏差，欢迎加我微信交流指正。
检测逆变器IGBT好坏的方法
检测逆变器IGBT好坏的方法
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在
有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块检测:
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反
向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，
黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，
万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为
400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大，
这时可判定IGBT模块门极正常。
如果有数值显示,则门极性能变差，此模块应更换。
当正反向测试
结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。
门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。
现场教你如何去检测一个IGBT是否有问题
现场教你如何去检测一个IGBT是否有问题
变频器最贵元器件是什么,毫无疑问IGBT一定名列前茅.说实话,作为维修工程师,我最担心的事情就是炸IGBT模块,特别是在维修的过程中,所以在维修工作中,一定要做到万无一失,比如上电前,要确保驱动板正常,还可以串联灯泡防止短路炸毁IGBT,或者IGBT的供电电压用低压来测试.
那怎么取检测一个IGBT好坏了,其实也很简单
这个模块里面有两个串联的IGBT, 1267四个端子是一组,1345四个端子是另一组
首先我们看到1和2端子间有个二极管,也叫续流二极管,起保护作用,当管子关断时,反向电压从这里开辟出一条通路释放能量.一般我们在现场测量,都是测量这个二极管的好坏,大部分情况这个测量正常,IGBT 一般是好的,这个坏了,那IGBT就是坏的.
二极管的单相导电性测量,很简单,打到1k档位(指针万用表)或二极管档位(数字万用表)
可以很明显看到指针的摆动位置,一个无穷大,一个几百欧
这只是测了一个二极管,那我们怎么来测量IGBT的功能呢
第一步:打到10K档并调零,因为大功率的IGBT需要的开启电压相对也要大一些
第二步: 黑表笔放在集电极(1脚),红表笔放在发射极(2脚),我们知道指针万用表电阻档黑表笔内部接的是正极,红表笔内部接的是负极.这时我们看到指针不会动,说明两端的阻值无穷大
第三步:把门级(6脚,上图绿色夹子所夹的脚)和黑表笔(正极)短接起来,这时我们看到指针摆动了,电阻变小了,说明IGBT导通了
第四步:把1脚和6脚断开,阻值没变,还是保持在导通状态
第五步:把6脚和7脚(或2脚)短接一下,对内部电容放电,指针迅速向左摆动,回到无穷大的位置
测试完成,以上为一个好的IGBT测试过程.手上有IGBT的同学可以试下。
使用万用表等测试IGBT模块的方法
G/E（下桥臂）：短路 G/E（上桥臂）：G(+), E(-) C（上桥臂）：开路 CVCC电源输出电流：＜1mA CVCC电源输出电压：0V~15V(＜20V) 从0V开始，慢慢地增加VGE，如果只有很小 的电流流过，就说明G/E端并没有短路 备注：当上桥臂测试时，下桥臂G/E端必须短 路，用鳄鱼夹夹好 确保VGE不超过20V！
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二、用更多的测试设备测量IGBT好坏
(a)
(b) VCE测试电路实例图
(c)
测试实例，如上图 (a)所示，VCE从0V慢慢地升到20V，很小的电流流过，其 中(b)的测试结果模块是好的；若电流很大，如(c)的测试结果模块是坏的， C/E端短路。
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注意事项
• 以上方法适用于没有专业IGBT测试仪器时初步判断IGBT失效。如需要 做更为详尽的分析，请联系IGBT生产厂家做失效分析。
快速测试IGBT模块好坏的方法
--使用万用表、电流源、电压源来快速检测IGBT模块好坏 邱勉为 杨雪 2015.9
一、万用表初步判断IGBT好坏
• 在没有其他精密测量仪器时可以用万用表初步判断IGBT模块好坏。模 块正常情况下，G/E和C/E端的电阻值是无穷大或者兆欧级的，如果两 端的电阻值在欧姆级别或者千欧级时，请不要将此模块上电或者上机 运行。 • 以两单元IGBT模块来说，将数字万用表调至欧姆档，分别测量上桥和 下桥，具体方法如下面图片所示。注意在测C/E端时红黑表笔的位置不 能颠倒，否则测量的是续流二极管而不是IGBT。
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备注：当下桥臂测试时，上桥臂G/E端必须短 路，用鳄鱼夹夹好
确保VGE不超过20V！
二、用更多的测试设备测量IGBT好坏
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检测逆变器IGBT好坏的方法
来源：机电商情网日期：2011-12-10 点击：30
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在
有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块检测:
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反
向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大，
这时可判定IGBT模块门极正常。
如果有数值显示,则门极性能变差，此模块应更换。
当正反向测试
结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。
门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏
变频器里的IGBT中含有整流，逆变，请问怎么用数字万用表测好坏？
2009-11-26 16:30
提问者：kqizhang|浏览次数：2131次
P N R S T U V W 怎么测?万用表是都显示有电阻值吗？
我来帮他解答
2009-11-27 02:08
满意回答
有啊。
你量的时候象量二极管一样量就可以了。
粗部测量。
红表笔对P，黑表笔分别对R S T 量！阻直一样是正常的。
要是那相不一样那就是烂了那相整流了。
在用黑表笔对N，红表笔分别对R S T 。
同上要是那相阻直之不一样就是烂了。
2 量逆变前最好对模块放电。
也是同量整流这样量。
红表笔对P1 ，黑表笔分别对U V W。
阻直一样是正常的。
不一样就是烂了。
黑表笔对N1，红表笔分别对U V W。
同上。
精密测量。
整流要打过耐压。
逆变要用电容表量驱动脚。
也要打耐压看有没有漏电。
就那么多先咯！到时在教你精密测量。
怎样判断西威变频器IGBT的好坏
2010-4-18 17:00
提问者：deng4321000|浏览次数：563次
我来帮他解答
回答共2条
2010-4-18 17:38yangggm2010|二级
用万用表二极管档,测试,R,S,T,对直流母线P+应该是呈二极管特性的
|评论
2010-4-20 12:2315921409233|二级
不一定的。
有的触发坏了也不好说，具体你看下薄的什么故障，但西威的坏模块比较少，报MODO OT的很多，！这个都可以修的
变频器IGBT模块怎么检测好坏？
2011-6-23 12:04
提问者：匿名|浏览次数：1075次
我来帮他解答
2011-6-23 12:36
满意回答
欧姆挡检测：一表笔接直流母线正另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常一表笔接直流母线负另一表笔分别接RST和UVW，前三个阻值比较接近和后三个阻值比较接近都是千欧姆级别正常否则就是坏啦。