MOS管防止电源反接的一些总结

合集下载

结合实际聊聊防反接电路(防反接电路总结)

结合实际聊聊防反接电路（防反接电路总结）•前言•一、二极管防反接▪ 1.1 基本电路▪ 1.2 桥式整流电路•二、保险丝和二极管防反接•三、MOS管防反接▪ 3.1 PMOS电路▪ 3.2 NMOS电路•结语前言又到了电路小课堂时间，今天我们要聊的是防反接电路，防反接电路是硬件工程师必备的基础知识，在网上已经有大量的防反接电路总结文章，我也查阅了大量文章。

虽然说实用的电路就那么几种，这个可谓英雄所见略同，但是大部分文章的说明部分都一样，那么这就……（不符合我的风格，不浮夸，不将就。

即便是总结，原理可以一样，但是说明照搬那就说不过去了~ ~）说明一下，本文的防反接电路主要针对是单片机系统，因为博主是在智能家居领域工作的，我会结合自己的工作经验，设计的产品来说说这些电路。

一、二极管防反接又是从二极管开始（和MOS管一样，用得这么多，我得写一篇全面认识二极管的文章了），利用PN结的单向导电性（不要钻牛角尖说反向漏电流）。

1.1 基本电路直接在电源入口处串联一个二极管，电路简单，成本低，如下图（本图就是实际使用过的）：在这里插入图片描述上图是最简单也是最常用的防反接方式，上图是二极管接在入口Vin 端，也可以接在GND端，二极管反着接，是一样的效果。

电路分析在单片机系统中，使用此电路一般一般一般只需要注意一个参数：最大整流电流。

首先你在设计自己电路的时候应该知道自己的负载功率，比如一般来说STM32 最小系统，也就是20/30 mA，加上其他的一些传感器，可以知道系统平时运行的功耗，要注意STM32 的功耗是3.3V状态下的，入口电源是 5V 或者 12V，电流需要就更小了，当然不要忘记DC/DC, 或者 LDO 的转换效率之类的。

每个二极管都有一个参数，最大整流电流，比如上图中的SS34：电路设计需要冗余，所以我一般直接使用一个SS34，基本上所有的项目都能满足要求，当然SS34封装稍微大一点。

网上的大部分介绍这个电路的时候都说到，二极管0.7V 的压降，2A电流或者更多电流的时候发热之类，我怎么看？首先，这个说法没有错，理论上就是这么分析的！实际应用我从以下几个点分析：二极管的选型，二极管压降与电流的关系，应用领域。

防止mos管串电烧坏芯片的方法

防止mos管串电烧坏芯片的方法为了防止MOS管串电烧坏芯片，我们可以采取以下几种方法：1. 合理设计电路结构在设计电路时，我们应该合理布局MOS管的位置，避免产生电流互连的情况。

尽量将MOS管与其他元件相隔一定距离，减少互相干扰的可能性。

2. 使用保护电路为了保护芯片免受MOS管串电的影响，我们可以在电路中引入保护电路。

保护电路可以监测MOS管电流是否超过限定值，并在超过限定值时切断电路，保护芯片不受损坏。

3. 控制MOS管的使用条件为了避免MOS管串电烧坏芯片，我们可以通过控制MOS管的使用条件来降低串电的风险。

例如，控制MOS管的工作温度，避免温度过高导致电流过大；控制MOS管的工作电压，避免电压过高引起串电。

4. 选择合适的MOS管在选用MOS管时，我们应该选择质量可靠的产品，避免购买假冒伪劣的产品。

同时，根据实际需求选择合适的MOS管型号，避免过度使用或使用不当导致串电问题。

5. 进行严格的产品测试在生产过程中，应该对产品进行严格的测试，确保MOS管的质量和性能符合要求。

通过测试可以及时发现潜在的串电问题，并采取相应的措施进行修复或更换。

6. 定期维护和检查在使用过程中，应该定期对电路进行维护和检查，以确保MOS管的正常工作。

检查时应注意观察MOS管的外观是否有损坏或异常情况，并进行必要的清洁和修复。

7. 加强人员培训为了防止MOS管串电烧坏芯片，需要加强相关人员的培训，提高他们对MOS管的使用和维护的认识。

培训内容可以包括MOS管的特性、使用注意事项以及故障处理方法等。

为了防止MOS管串电烧坏芯片，我们应该从电路设计、保护电路、使用条件、产品选择、测试、维护和培训等方面综合考虑，采取综合措施来降低串电的风险，确保芯片的正常运行和使用寿命。

mos管d、s反接的问题

mos管d、s反接得问题P沟道得，本来就就是MOS管本身里有一个体二极管，就是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它得体二极管到S级得。

S级有高电平后，不就S大于G了吗？这时候沟道不就打开了？电流就开始走沟道，而不走体二极管了如果D加正电位当然电流从D流向S，而S加正电位对于NMOS管就是不推荐得。

因为MOS管从结构上来说实际上有4个电极，G/D/S与B衬底Bulk。

虽然说NMOS 电流可以从D流向S也可以从S流向D，但就是衬底B应该接最低电位，对于N 管就就是负电位，对于P管就就是正电位。

也就就是说D/S互换使用时，B也要改变连接得位置。

而在多数分立得MOS管中已经把B与定义为S得沟道一端连在一起了，只引出G/D/S三个电极，除非有得MOS管B极另有用途而单独引出。

这样一来如果D/S交换，开启电压/跨导/通导电阻等参数都会变坏，所以一般不建议这样使用。

要求双向导电得场合，可以用N管与P管并联得电路结构不过有些DC/DC得防反接保护就就是使用N型MOS管得S至D导通方向来实现得，那样应怎么解释呢？正如您自己所说得这就是一个反接保护电路，一反接D就为正了，保护管就起作用了。

您还忽略了IRL3103得DS间还并联了一个保护二极管，当您没有接反时，正常电流主要通过这个二极管回流到电源负端，而反得DS电压不会超过二极管正向压降。

当您接反时，二极管不导电，电流全靠MOS控制，而MOS得G端变负或0而截止了。

不过注意IRL3103得GS就是可以承受正负电压得。

实际上这里接触到功率MOS管得另一个问题，就就是体二极管。

几乎所有得功率MOS管得DS端都并联了一个二极管，这个二极管得方向就决定了DS不可以交换使用，接反了二极管通导，G就没有控制了。

这个二极管本来就是为了避免分布晶体管造成栓锁效应而产生得，但客观上起到了保护DS，并使DS不能反接得作用。

这个二极管在多数小功率MOS上与集成电路中就是没有得，而在功率MOS得图上经常也不画出来。

nmos防反接_原理_概述说明以及解释

nmos防反接原理概述说明以及解释1. 引言1.1 概述引言部分旨在介绍本篇长文的主题，即NMOS防反接。

本文将详细说明NMOS 防反接的原理、方法和解释。

NMOS防反接是一种必要的电路设计策略，用于保护NMOS（MOSFET的一种形式）不被反向电压损坏。

1.2 文章结构为了展现逻辑性和层次清晰性，本文按照以下结构进行组织：引言部分提供了一个总体概述，紧接着是NMOS防反接原理、概述说明和解释三个主要部分。

每个部分都进一步细分为几个小节，以便更全面地探讨该主题。

1.3 目的文章的目标是向读者介绍和解释NMOS防反接的原理，并提供各种常见的防反接电路方案及其优缺点。

同时，我们还将详细解释如何保护NMOS不受到反向电压损坏，并对电流流向、开关特性以及直流偏置和交流耦合解决方法进行分析和说明。

通过这篇长文，读者将能够全面了解NMOS防反接，并且可以根据自身需求选择合适的设计方案。

以上是“1. 引言”部分的详细内容。

2. NMOS防反接原理：2.1 NMOS工作原理:NMOS（Negative-channel Metal-oxide-semiconductor）是一种常见的场效应晶体管。

它由金属电极、绝缘层和半导体材料构成。

当在栅极施加正电压时，形成电子气，使得通道内的N型半导体导电。

当源极施加正电压，漏极为负电压时，NMOS开启并允许电流通过。

2.2 反接的危害与问题:反接指的是在驱动NMOS过程中，源极与漏极之间的电压方向与NMOS设计要求相反。

如果源极为负电压且漏极为正电压，就会出现反接状况。

这样会导致两个主要问题：首先，会产生大量倒偏击穿电流损坏器件；其次，在大功率情况下可能引起温度升高，并使晶体管失效。

2.3 防止NMOS反接的方法:有几种常见的方法可以防止NMOS发生反接现象：- 使用二级保护回路：可以通过添加二级保护来控制源漏电路方向，以避免外部条件导致的误操作。

- 添加反向并联二极管：在NMOS的漏极和源极之间添加一个并联的反向二极管，这样当出现反接时，电流会通过二极管流回。

mos管加二极管防反接电路

mos管加二极管防反接电路
MOS管加上二极管可以构成防反接电路，保护电路不受电源反接的损害。

以下是一些常见的实现方式：
1. NMOS防反接电路：在电源正确连接时，电流流过NMOS的体二极管（寄生二极管），由于体二极管压降很小，可以忽略不计。

此时，通过电阻分压网络使得NMOS的栅极电压足以使其导通，从而允许电流通过。

如果电源反接，NMOS则不会导通，从而防止了电流流向负载。

2. PMOS防反接电路：与NMOS类似，PMOS管也可以用于防反接，但连接方式不同。

当电源正确连接时，PMOS的寄生二极管导通，而PMOS管本身也会导通，允许电流流通。

电源接反时，PMOS管不导通，防止了电流流向负载。

3. 二极管防反接：这是最简单的防反接方法，利用二极管的单向导通特性。

但二极管会有一定的压降，例如硅管约0.7V，锗管约0.2-0.3V，这在电压较低的应用中可能不太合适。

此外，在大电流应用中，二极管上的功耗和发热可能会较大。

4. 整流桥防反接：使用四个二极管构成整流桥，无论电源正接还是反接，电路都能正常工作。

但这种方法的缺点与单一二极管防反接相同，且压降是两个二极管的总和。

在选择防反接电路时，需要根据具体的应用场景和要求来决定使用哪种方式。

例如，对于低压或大电流的应用，可能需要考虑压降和功耗的问题。

而对于一些小功率或者对成本敏感的应用，简单的二极管防反接可能就足够了。

n沟道mos管的防反接电路

n沟道mos管的防反接电路【引言】在电子设备中，MOS管是一种常见的电子元件，其广泛应用于功率放大、开关控制等领域。

然而，MOS管在使用过程中往往容易受到电路中的防反接电路的影响。

本文将详细探讨n沟道MOS管的防反接电路，介绍其原理、设计和应用等方面的内容，帮助读者全面了解和理解该电路的作用及其在电子领域的重要性。

【正文】1. n沟道MOS管的工作原理n沟道MOS管是一种场效应管，其工作原理基于电场控制。

当控制电压施加在栅极上时，电场将改变沟道中的载流子密度，从而控制器件的电导。

n沟道MOS管的源极、栅极和漏极分别对应器件的供电、输入信号和输出信号，因此其在电路中具有重要的作用。

2. 防反接电路的作用防反接电路是一种用于防止器件在电路中被反向偏置的保护电路。

由于n沟道MOS管本身对电压的极性很敏感，如果电路中的输入信号或供电电压出现反向连接的情况，将导致器件损坏甚至烧毁。

使用防反接电路是保护n沟道MOS管安全工作的重要手段。

3. 防反接电路的设计原理防反接电路的设计原理基于对n沟道MOS管的特性和逻辑判断。

一种常见的设计思路是使用二极管作为开关，当输入信号或供电电压出现反向连接时，二极管将截断电路，阻断反向电流的流动，从而保护n沟道MOS管。

4. 防反接电路的设计方法与实例4.1 二极管反向连接保护一种简单而常见的防反接电路设计是采用二极管反向连接保护。

如图1所示，当输入信号或供电电压正常时，二极管正向偏置，电路正常工作；当输入信号或供电电压反向连接时，二极管截断，阻断反向电流。

图1 二极管反向连接保护电路示意图4.2 器件级别的保护设计除了电路级别的防反接电路设计外，还可以在器件级别对n沟道MOS 管进行保护。

在芯片设计过程中，可以通过引入保护结构来实现对器件的保护。

这种保护结构可以在器件内部添加保护二极管或其他保护元件，以提高器件的耐压和抗反向偏置能力。

5. n沟道MOS管防反接电路的应用n沟道MOS管的防反接电路在实际应用中具有广泛的应用场景。

MOS管防止电源反接的一些总结

MOS管防止电源反接的一些总结MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），又称金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率开关元件。

在使用MOS管时，有时会遇到电源反接的情况，即将正极和负极接反，这会对MOS管造成损坏，并可能引发电路故障。

为了防止这种情况的发生，人们提出了一系列的解决方案和建议。

下面我将对这些方案进行总结。

一、使用保护电路1.反向电压自动保护电路：这是一种常见的保护电路，其原理是当电源反接时，电压从原来的正向变为反向，保护电路会感知到这个变化，并对MOS管进行保护，使其不受损坏。

2.MOS管反接保护电路：这种保护电路包括一个快速二极管和一个电流传感器。

当电源反接时，快速二极管会引导反向电流，同时电流传感器作用于MOS管的栅极，将其关闭，从而保护MOS管。

3.电源反接继电器保护电路：这种保护电路包括一个电源反接继电器和一个触发电路。

当电源反接时，触发电路感知到电压的改变，使电源反接继电器开关动作，切断电路中的MOS管，以保护MOS管的安全。

二、对MOS管进行正确的极性标识在PCB设计或电路布局时，应当对MOS管的引脚进行正确的极性标识。

通常，MOS管的源极为负极，栅极为控制输入极，漏极为输出极。

正确的极性标识可以帮助操作人员正确的连接电源，防止电源反接。

三、使用防反接电源防反接电源是一种特殊设计的电源装置，可以防止电源反接。

这种电源通常包含了保护电路和反向电源连接接口，当电源反接时，保护电路会对电源进行保护，从而保护MOS管和其他电路元件。

四、人工操作措施1.双手操作：在连接电源时，应该使用双手同时握住电源线和MOS管的引脚，确保正确的连接。

2.标识警示：在MOS管附近设置明显的标识，提醒操作人员正确连接电源，防止电源反接。

3.熟悉电路布局：操作人员应该熟悉电路的布局，并知道正确的连接方式，以避免错误操作。

综上所述，为了防止MOS管的电源反接，我们可以采取保护电路、正确极性标识、使用防反接电源和人工操作措施等措施。

mos管防接反电路

mos管防接反电路mos管防接反电路是一种常见的电路设计，用于避免mos管在开关过程中产生的接反现象。

接反现象指的是当mos管在切换过程中，由于电流和电压的突变，会导致mos管的源极和漏极之间出现反向电压，从而损坏mos管或者影响电路的正常工作。

为了解决接反问题，设计者通常会在mos管的源极和漏极之间添加一种电路，即mos管防接反电路。

这种电路可以有效地保护mos 管，防止接反现象的发生。

下面将介绍mos管防接反电路的原理和实现方法。

mos管防接反电路的原理是利用二极管的特性，在mos管的源极和漏极之间串联一个二极管。

当mos管处于导通状态时，二极管处于反向偏置状态，不导通。

这样可以避免mos管的源极和漏极之间出现反向电压。

当mos管处于截止状态时，二极管处于正向偏置状态，也不导通。

这样就可以保护mos管，避免接反现象的发生。

mos管防接反电路的实现方法有多种，下面将介绍其中两种常见的方法。

第一种方法是使用二极管防接反电路。

这种方法的实现比较简单，只需要在mos管的源极和漏极之间串联一个二极管即可。

二极管的正极连接到漏极，负极连接到源极。

这样当mos管处于导通状态时，二极管处于反向偏置，不导通。

当mos管处于截止状态时，二极管处于正向偏置，也不导通。

这种方法适用于大部分情况，可以有效地防止接反现象的发生。

第二种方法是使用二极管和电阻组成的防接反电路。

这种方法相对复杂一些，但是在一些特殊情况下更有效。

具体实现方法是在mos 管的源极和漏极之间串联一个二极管和一个电阻。

二极管的正极连接到漏极，负极连接到源极。

电阻连接在二极管的负极和mos管的源极之间。

这样当mos管处于导通状态时，二极管处于反向偏置，不导通。

当mos管处于截止状态时，二极管处于正向偏置，也不导通。

同时，通过电阻可以限制mos管源极和漏极之间的电流，避免过大的电流对mos管造成损坏。

除了上述方法，还有其他一些变种的mos管防接反电路。

防止MOSFET驱动器与电池反接

处于关断状态，从而切断电池与系统的连接。
图１外加Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ防止ＭＯＳＦＥＴ驱动器与电池的反接和反向负载电流的产生）
本设计方案还可以防止启动过程中
为几百ｍＶ。功耗等于负载电流乘以正向压降，因此，用ＭＯＳＦＥＴ代替二极管可以提高效率。
当电池反向接入时，ＶＤＳ为负的电池电压。在一些应用中，Ｑ１暂态压降为电池电压的数倍，因此，Ｑ１所能
电设备。
度。ＸＥＮＰＡＫＡＰＳ也要求有０．１％
电阻Ｒ７提供ＡＰＳ＿ＳＥＮＳＥ与模块未连接情况下的自动防故障模式，这种情况下，ＡＰＳ只能部分调
允许偏差。用Ｒ９代替ＸＥＮＰＡＫ模块控制
电阻，本方案也可以方便地配置为
节。
恒压电源。对于任意输出电压，可
采用背板电源和模块集成控制以利用相同阻值的Ｒ９作为控制电电阻可能是ＸＥＮＰＡＫＡＰＳ最独特阻。
93 ＸＥＮＰＡＫ模块供电。电阻将短路电流峰值限定为４Ａ。
当电源接至ＡＰＳ＿ＰＯＷＥＲ和ＧＮＤ供电时，模块电压由ＡＰＳ＿ＳＥＮＳＥ感测。通过补偿ＡＰＳ输出和模块之间的压降，可以改善模块的电压调整，但是回路（ＧＮＤ）压降不能通过ＡＰＳ补偿。回路压降由ＸＥＮＰＳＫＭＳＡ的接地阻抗决定。为实现严格的电压调节，ＡＰＳ＿ＳＥＮＳＥ应尽可能接近ＸＥＮＰＡＫ模块的需
的需求。电阻Ｒ１、Ｒ３和Ｒ４调整感
插入ＸＥＮＰＡＫ模块即可启动
测引脚的电压以满足输出电压的要ＡＰＳ。当ＸＥＮＰＡＫ模块连接ＡＰＳ时，

mos管防反接保护电路讲解

mos管防反接保护电路讲解
1. 电路结构
mos管防反接保护电路是一种常见的电路结构，通常被使用于单片机和其他电子设备中，能够有效地保护设备免受反向电压的损坏。

该
电路包含多个元件，如二极管、大电容、保险丝和mos管等。

其中mos 管是该电路的核心元件。

2. 反向电压损坏
在使用电子设备时，有时会不小心把电源接反，造成设备受损，
甚至被烧坏。

这种损坏是由于反向电压超过了元件的承受范围，导致
元件损坏而发生的。

因此，在设备的设计中，反向电压保护非常重要。

3. mos管的工作原理
mos管，在正向电压下，可以将电流从源端流到漏端，从而使设备正常工作。

而在反向电压下，其栅极和源端之间的pn结将被反向偏置，此时mos管将被关断，从而防止电流从漏端回流到源端，保护装置。

4. 整个电路的工作流程
当设备的电源连接正确时，mos管导通，正常工作。

当电源反接时，mos管被关断，电流无法流通，反向电压得到保护。

如果mos管发生故障，二极管将起到保护作用，避免电流从漏端
回流到源端，造成设备损坏。

电容的作用是为电路提供额外的电流。

保险丝起着保护电源和其他元件的作用，如果电流超过设定值，将被自动切断。

5. 总结
mos管防反接保护电路是一种重要的电路结构，能够有效地保护电子设备免受反向电压的损坏。

该电路使用简单、成本低廉，也易于维护。

因此，在电子设备的设计中，mos管防反接保护电路值得设计师们深入研究和应用。

mos管 ovp和防接反复合电路

文章标题：深度解析 MOS 管 OVP 和防接反复合电路1.引言在当今电子产品中，为了确保电路和电子设备的安全和稳定运行，MOS 管 OVP（过压保护）和防接反复合电路成为了至关重要的组成部分。

本文将对这两个主题进行深度探讨，以期帮助读者全面了解它们的作用、原理和应用。

2. MOS 管 OVP 的概念与作用MOS 管 OVP，即过压保护，是指一种在电路中起到保护作用的器件或电路。

它的主要作用是在电压超过设定值时，迅速切断电路，防止电子元件受到过压的损坏。

在电子设备中，MOS 管 OVP 素被广泛应用，例如在电源供应器、充电器和电池管理系统中。

3. MOS 管 OVP 的原理和设计MOS 管 OVP 的设计原理基于过压保护的需求，通过对电路进行合理设计，使其能够在电压超过设定范围时，及时触发切断电路。

通常采用电压比较器和触发器等电路元件来实现。

在设计时，需要考虑电路的响应速度、误差范围和稳定性等因素。

4. 防接反复合电路的概念与作用防接反复合电路是用于防止电路中的接反和反复合现象的保护电路。

接反是指电路中电源和载荷之间接错极性，而反复合则是指在开关动作后电路自动闭合。

防接反复合电路可以有效避免这些不良现象的发生，保护电子设备和电路。

5. 防接反复合电路的原理和设计防接反复合电路的设计原理主要是基于对接反和反复合现象的分析和理解，通过合理设计电路结构和添加保护元件来实现。

在设计时，需要考虑电路的响应时间、灵敏度和稳定性，以确保其可靠地发挥作用。

6. 个人观点和总结从以上的探讨可以看出，MOS 管 OVP 和防接反复合电路在电子设备中起着举足轻重的作用。

合理设计和应用这些保护电路可以有效保护设备和电路，延长其使用寿命，提高系统稳定性。

在实际应用中，需要根据具体的电路和设备要求进行精心设计，并且不断优化和改进。

通过本文的阐述，相信读者对于 MOS 管 OVP 和防接反复合电路有了更加深入的了解。

在实际工程与应用中，希望读者能够灵活运用这些知识，为电子设备的稳定运行保驾护航。

mos防反接烧保险丝电路

mos防反接烧保险丝电路
MOSFET是一种针对数字和模拟应用的晶体管。

MOSFET具有高的开关速度和低的开关损耗，因此在很多应用领域得到广泛应用。

但是，当使用MOSFET的时候，可能会遇到一个问题，就是反向电压可能会对MOSFET造成破坏。

对于这个问题，我们可以使用反接烧保险丝电路来避免MOSFET的破坏。

首先，让我们来看一下MOSFET反向电压会造成什么影响。

在正常的使用情况下，MOSFET的源极应该是连接到地的，而漏极应该是连接到电源的。

这样，当门极上加上适当的电压，MOSFET就会导通，从而允许电流从电源流向负载。

然而，如果反向电压太大，MOSFET就会烧毁。

这是因为当反向电压大到MOSFET的击穿电压时，就会发生反向击穿，从而导致MOSFET 内部过热并最终烧毁。

为了避免这种情况发生，可以使用反接烧保险丝电路。

这个电路的作用是在MOSFET的漏极和负载之间插入一个电阻器和烧保险丝。

这个烧保险丝会在反向电压超过它的额定值时断开，从而保护MOSFET。

通常，我们应该选择一个能够承受电路中最大电流、保护MOSFET 并使之失效的烧保险丝。

同时，烧保险丝的额定电压应该高于负载或电源的最大电压，以便在电路中出现意外情况时保护MOSFET。

总之，反向电压可能会对MOSFET造成破坏，但是使用反接烧保险丝电路可以避免这种情况的发生。

在实际使用MOSFET之前，必须要做好对其反向电压的保护工作。

用MOS管实现电源防反接电路

用MOS管实现电源防反接电路
在接电源到板子的时候，如果一个疏忽接反了，极有可能烧毁芯片或器件，所以需要设计防反接的电路。

本文就介绍如何用MOS管来实现电源防反接电路。

使用PMOS或者NMOS都是可以的，下面先来看一下PMOS怎么实现。

如图所示，MOS管G极接地，D极为VBAT，续流二极管导通，使得S极为VBAT-0.7V左右，Vgs<Vgs(th)，MOS管导通，之后DS 相当于直连，二极管不再起作用，S极的电压也基本上是VBAT。

电源正常
如果电源反接，G极的电压为VBAT，如果是阻性或感性负载，S 极的电压也为VBAT，Vgs>Vgs(th),MOS管不导通，电路不工作。

如果是容性负载，电路断路，Vgs>Vgs(th)（这里S极的状态怎么确定我不清楚，只知道不可能大于G极，求小伙伴解答），同样MOS管没法导通。

电源反接
这里MOS管的DS极不可以对调，否则反接的时候D极电压会大于S极使得续流二极管导通。

如果使用NMOS，需要将MOS管接到电路下边，如下图所示。

电源正常
正常情况下，G极为VBAT，如果是阻性或感性负载，S极的电压大于D极，续流二极管导通，进而拉低S极的电压，Vgs>Vgs(th)，MOS管导通。

容性负载直接G极电压高于S极，MOS管导通。

如果电源反接，G极电压为0V，正常情况下无论如何都不会大于S极的电压，所以MOS管不会导通，电路不工作。

电源反接
同样，这里MOS管的DS极不可以对调，否则反接的时候S极电压会大于D极使得续流二极管导通。

防反接，4种常用简单的电路

防反接，4种常用简单的电路防反接电路，在电子设计中非常重要，一个好的防反接电路，虽然只是增加了一点点元器件，却可以很好的保护我们的后级电路，下面介绍4种常用简单的电路：二极管防反接电路原理我们一看就懂，利用二极管的单向导电性，实现防反接功能，这种方法简单，安全可靠，成本也最低，但是输出端会有0.7V左右的压降，还有就是如果线路上的电流过大，比如有2A的电流，那么就会一直有1.4W的损耗，发热也非常大，而且，如果反向电压稍微偏大，并非完全截止，会有一个比较小的漏电流通过，使用时需要留足余量。

PMOS管防反接电路上图是PMOS接法的电路，这里简单的说明原理，刚上电时，MOS管的寄生二极管导通，S级电压为VCC-0.6，G级为0，PMOS 导通；当电源反接时，G级为高电平，不导通，保护后级。

实际应用中PMOS 栅极与源级之间再加一个电阻比较好，这种办法也有PMOS跟NMOS之分，都是利用MOS管的寄生二极管以及其导通性，不过NMOS的导通电阻比PMOS小，比PMOS会降低一丢丢功耗，不过还是很小很小了，如果算10毫欧的导通电阻，2A的电流才0.04W的功耗，是非常低了，电源反接后，MOS管就是断路，可以很好的保护后级电路，这种方法也是应用比较广泛的一种电路，推荐使用，实际使用中可以使用NMOS。

整流桥防反接电路上图是桥式整流电路，无论什么级性都能工作，但是导通之后会有两个二极管的压降，发热了也是第一种方式的两倍，有优点但缺点也很明显，除非是一些特殊的场合需要用到，否则不推荐使用。

保险丝+稳压二极管防反接电路上图是保险丝+稳压二极管防反接电路（第四种方法来自CSDN 博客，硬件工程师修炼之路），非常简单，既可以防止反接，又可以防止过压，这个电路设计非常巧妙，下面介绍下其原理：当电源Vin接反时，稳压二极管D1正向导通，负载的负压为二极管的导通电压Vf，Vf一般比较低，不会烧坏后级负载电路。

同时，Vin反接时，D1正向导通，电压主要落在F1上，因此开始时电流会迅速上升，直至超过F1的熔断电流，保险丝F1熔断，电源断开，不会因为电流过大而烧坏D1。

MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流

MOS管电流方向能反吗？体二极管能过多大电流今天说两个问题：1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？2、MOS管体二极管能过多大的电流？为啥会有这两个问题？我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。

而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电路（仅仅是个示意图，实际电路需要多考虑一些因素）。

原理我还是先大致说下。

1、在电源正常接入的时候电源正极VCC经过后级负载电路接到体二极管，那么体二极管就会导通，于是此时S极的电压就约为0.7V左右（体二极管导通电压）。

同时栅极G极接的是VCC，所以Vgs=Vcc-0.7V>Vgsth，NMOS管会导通。

NMOS管导通之后，导通压降基本为0，那么Vgs=Vcc，MOS 管维持导通状态。

这样整体电源通路就是通的，电源给后级负载供上了电，后级电路正常工作。

这里有一点需要特别注意，就是此时MOS管的电流是S到D的，与往常我们经常见的D到S是反的。

2、在电源接反的时候（电源和地接反了）栅极G接电源负极，也就是0V，S极经过负载接到了电源负极，也就是0V，所以Vgs=0V，MOS管也不导通。

与此同时， D极为Vcc，S极为0V，体二极管反向偏置，也不导通，所以无法通过NMOS管流过电流。

对于负载来说，就是电源断开了。

接反的电源不会怼到后面的负载上面，所以后级电路就不会烧了，我们只要把前面的电源正负极接对，那么后级电路又能正常工作了，如此，便实现了防反接的功能。

需要说一点，这里的防反接并不是说电源接反了，后级电路也还能工作。

而是电源接反了，后级电路不会冒烟烧坏了。

我以前乍一看到这个电路的时候，其实是心里打鼓的这个MOS管导通时，电流能反着流？D到S，S到D无所谓吗？除了这个电流的方向问题，还有就是MOS管的体二极管问题，这个二极管能过多大的电流？如果不了解，会认为这个二极管能流过的电流非常小，因为它还有一个名称叫“寄生二极管”，很容易被它骗。

mos管防反接软启动电路

mos管防反接软启动电路
首先，我们需要了解什么是MOS管防反接软启动电路。

MOS管防反接软启动电路是一种电路设计，主要用于保护电路中的MOS管不受反向电压的损坏，并且能够实现软启动，避免电路启动时瞬间电流过大，对电路元件造成损坏。

回答这个问题，我们可以将回答分为以下几个章节：
一、MOS管防反接电路的原理
MOS管防反接电路的原理是通过使用二极管和电阻器来形成一个反向保护回路，当输入电压反向时，二极管会导通，将反向电流引导到地，从而保护MOS管不受反向电压的损坏。

二、软启动电路的原理
软启动电路的原理是通过使用电容器和电阻器来控制电路启动时的电流，从而避免电路启动时瞬间电流过大，对电路元件造成损坏。

在电路启动时，电容器会逐渐充电，从而控制电路的启动电流。

三、MOS管防反接软启动电路的设计
MOS管防反接软启动电路的设计需要考虑电路的输入电压、输出电流、MOS 管的额定电压和电流等因素。

通常，设计时需要选择合适的二极管、电容器和电阻器，以及合适的电路拓扑结构，从而实现MOS管防反接和软启动的功能。

四、MOS管防反接软启动电路的应用
MOS管防反接软启动电路广泛应用于各种电子设备中，如电源、逆变器、电机驱动器等。

通过使用MOS管防反接软启动电路，可以保护电路元件不受损坏，从而提高设备的可靠性和稳定性。

总结：
MOS管防反接软启动电路是一种常用的电路设计，可以保护电路元件不受反向电压和瞬间电流过大的损坏。

设计时需要考虑电路的输入电压、输出电流、MOS 管的额定电压和电流等因素，选择合适的二极管、电容器和电阻器，以及合适的电路拓扑结构。

mos管和三极管防倒灌电路

mos管和三极管防倒灌电路摩斯管和三极管防倒灌电路摩斯管和三极管防倒灌电路是电子电路中常用的保护电路，用于防止电流逆向流动，保护电路元件不受损坏。

本文将介绍摩斯管和三极管防倒灌电路的工作原理、应用场景以及设计注意事项。

一、摩斯管防倒灌电路1.工作原理摩斯管防倒灌电路通过摩斯管（MOSFET）的特性来实现对电流的控制和保护。

当电源正极施加电压时，摩斯管的栅极和源极之间的电压大于摩斯管的阈值电压，摩斯管处于导通状态，电流可以正常流动。

但当电源反向施加电压时，摩斯管的栅极和源极之间的电压小于摩斯管的阈值电压，摩斯管会进入截止状态，电流无法流动，从而实现了防倒灌的效果。

2.应用场景摩斯管防倒灌电路常用于电子设备中的开关电路、功率放大电路等，用于保护电路元件不受反向电流的损坏。

例如在功率放大器的输出端，当输出信号与电源电压反向时，摩斯管防倒灌电路可以防止反向电流流入功率放大器，保护功率放大器的输出级。

3.设计注意事项在设计摩斯管防倒灌电路时，需要注意以下几点：（1）选择合适的摩斯管型号。

不同型号的摩斯管具有不同的特性参数，如阈值电压、漏电流等，需要根据具体应用场景选择合适的型号。

（2）合理设置摩斯管的栅极和源极之间的电压。

根据摩斯管的特性曲线，设置栅极和源极之间的电压，使摩斯管在正常工作区域内，既能正常导通，又能有效截止。

（3）考虑摩斯管的功耗和散热问题。

摩斯管在导通状态下会有一定的功耗，需要考虑散热措施，以防止过热导致损坏。

二、三极管防倒灌电路1.工作原理三极管防倒灌电路通过三极管的特性来实现对电流的控制和保护。

当电源正极施加电压时，三极管的发射极和基极之间的电压大于三极管的正向压降，三极管处于导通状态，电流可以正常流动。

但当电源反向施加电压时，三极管的发射极和基极之间的电压小于三极管的正向压降，三极管会进入截止状态，电流无法流动，从而实现了防倒灌的效果。

2.应用场景三极管防倒灌电路常用于电子设备中的信号放大电路、开关电路等，用于保护电路元件不受反向电流的损坏。

使用MOS管的注意事项

使用MOS管的注意事项发表于 2019-07-08 16:39:47功率器件+关注MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

所有MOS 集成电路（包括P 沟道MOS，N 沟道MOS，互补MOS —CMOS 集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。

一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm 50nm 80nm 三种。

在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此，器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害（ESD），实验指出，在高电压放电时器件会失效，器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。

按损伤的严重程度静电损害有多种形式，最严重的也是最容易发生的是输入端或输出端的完全破坏以至于与电源端VDD GND 短路或开路，器件完全丧失了原有的功能。

稍次一等严重的损害是出现断续的失效或者是性能的退化，那就更难察觉。

还有一些静电损害会使泄漏电流增加导致器件性能变坏。

MOS管应用的一些注意事项MOS管做为电压驱动大电流型器件，在电路尤其是动力系统中大量应用，MOS管有一些特性在实际应用中是我们应该特别注意的1、MOS管体二极管，又称寄生二极管，在单个MOS管器件中有，在集成电路光刻中没有，这个二极管在大电流驱动中和感性负载时可以起到反向保护和续流的作用，一般正向导通压降在0.7-1V左右，因为这个二极管的存在，MOS器件在电路中不能简单地看到一个开关的作用，比如充电电路中，充电完成，移除电源后，电池会反向向外部供电，这个通常是我们不愿意看到的结果，一般解决的方法是在后面增加一个二极管来防止反向供电，这样虽然可以做到，但是二极管的特性决定必须有0.6-1V的正向压降，在大电流的情况下发热严重，同时造成能源的浪费，使整机能效低下。

mos管漏极源极反接

MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常见的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。

在实际应用中，有时会出现漏极源极反接的情况，这可能会导致设备无法正常工作，甚至损坏。

首先，我们需要了解MOS管的工作原理。

MOS管主要由栅极、漏极和源极三个电极组成。

当栅极上加有电压时，会在其下方形成一个电场，这个电场会控制源极和漏极之间的电流。

如果栅极上的电压为正，那么源极和漏极之间的电流就会增加；如果栅极上的电压为负，那么源极和漏极之间的电流就会减少。

在正常情况下，MOS管的漏极和源极是按照正常的电路连接方式进行连接的，即漏极连接到电源的正极，源极连接到电源的负极。

但是，如果在实际应用中，由于操作失误或者其他原因，将漏极和源极反接，那么就会导致电流的方向发生改变，从而影响设备的正常工作。

具体来说，如果MOS管的漏极和源极反接，那么在栅极上加有电压时，源极和漏极之间的电流就会反向流动。

这种情况下，如果设备的设计是按照正常的电流方向进行设计的，那么设备就无法正常工作。

例如，如果设备是一个放大器，那么在漏极和源极反接的情况下，放大器的输出信号就会反向，从而导致设备无法正常工作。

此外，如果MOS管的漏极和源极反接，还可能会导致设备的损坏。

因为在反向电流的作用下，MOS管的工作状态会发生改变，可能会导致其击穿或者烧毁。

因此，我们在使用MOS 管时，必须注意避免漏极和源极反接的情况发生。

总的来说，MOS管的漏极和源极反接会导致电流的方向发生改变，从而影响设备的正常工作，甚至可能导致设备的损坏。

因此，我们在使用MOS管时，必须注意避免这种情况的发生。

如果不小心发生了漏极和源极反接的情况，那么我们需要立即断开电源，检查MOS管是否已经损坏，然后再进行相应的处理。