【KR20190022584A】半导体器件及其制造方法【专利】

半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朴济民
申请号：CN200410056780.8
申请日：20040818
公开号：CN1612348A
公开日：
20050504
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：在制造包括具有改进结构稳定性和增加电容量的电容器的半导体器件的方法中，在半导体衬底的表面部分上形成接触区。

在衬底上形成铸模层之后，形成围绕存储电极的稳定部件。

穿过铸模层形成接触孔，以露出稳定部件的侧壁和接触区。

在稳定部件的露出接触区和露出侧壁上形成存储电极。

在存储电极上连续地形成介质层和板电极。

即使当电容器具有非常高的高宽比，包括存储电极和稳定部件的电容器也将具有改进的结构稳定性，该结构防止机械倒塌。

申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法
专利类型：发明专利
发明人：西和夫,安达广树,丸山纯矢,楠本直人,菅原裕辅,青木智幸,杉山荣二,高桥宽畅
申请号：CN200410090504.3
申请日：20040930
公开号：CN1606174A
公开日：
20050413
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种形成在绝缘衬底上的半导体器件，通常半导体器件具有如下结构：其中在光学传感器、太阳能电池或使用TFT的电路中可提高与布线板的安装强度，并且可以使其以高密度安装在布线板上，并且本发明还提供一种制造该半导体器件的方法。

根据本发明，在半导体器件中，半导体元件形成在绝缘衬底上，凹部形成在半导体器件的侧面上，并且在凹部中形成电连接到半导体元件的导电膜。

申请人：株式会社半导体能源研究所
地址：日本神奈川县
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：王中磊
申请号：CN201811086052.X
申请日：20180918
公开号：CN110911276A
公开日：
20200324
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：提供一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成介电层；在所述介电层中形成接触窗开口，所述接触窗开口的底部暴露出所述衬底；在所述接触窗开口底部表面形成金属层，在第一衬底温度下对所述金属层进行热处理以形成金属硅化物层；以及在第二衬底温度下将所述金属硅化物层在不存在等离子体的条件下暴露于还原性气体氛围中进行浸润处理。

本发明是在形成阻挡层之前，向接触窗的开口内通入还原气体对金属硅化物层进行预处理，选择性还原表面的硅氧化物，进而减少接触阻值以及减少RC延迟，提高电信号传输的速度。

申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：北京律智知识产权代理有限公司
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：根本道生,中泽治雄
申请号：CN200910009888.4
申请日：20090122
公开号：CN101494223A
公开日：
20090729
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种其中在防止半导体基板断裂的同时可防止元件被快回现象毁坏的半导体器件。

在MOS栅极结构在FZ晶片的正面形成之后，研磨FZ晶片的背面。

然后，用质子照射并且用不同波长的两种类型的激光束同时照射经研磨的表面，从而形成N第一缓冲层2以及N第二缓冲层12。

然后，P集电极层3以及集电电极9在经质子照射表面形成。

从N第一缓冲层2的净掺杂浓度被局部最大化的位置到P集电极层3与N第二缓冲层12之间界面的距离被设置为在大于等于5μm且小于等于30μm的范围内。

申请人：富士电机电子技术株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：张鑫
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法
专利类型：发明专利
发明人：韩赫,朴济宪,尹基炫,李彰原,林炫锡,河周延申请号：CN201610756035.7
申请日：20160829
公开号：CN106486461A
公开日：
20170308
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种半导体器件包括：包含下部导体的下部结构、在下部结构上的具有暴露出下部导体的开口的上部结构、和填充该开口并连接到下部导体的连接结构。

连接结构包括覆盖开口的内表面并在开口中限定凹进区的第一钨层、和在第一钨层上填充凹进区的第二钨层。

在连接结构的上部中的第二钨层的晶粒尺寸大于在连接结构的下部中的第二钨层的晶粒尺寸。

申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：屈玉华
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：岛贯好彦
申请号：CN200510117027.X
申请日：20051028
公开号：CN1779951A
公开日：
20060531
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：在布线板的上表面上方形成第一阻焊剂部分和第二阻焊剂部分。

经由置入其间的粘合剂，将半导体芯片粘合到该第一阻焊剂部分上。

经由键合线，将半导体芯片的电极分别电连接到通过第二阻焊剂部分的开口露出的连接端子。

在布线板的上表面上方形成包封树脂，使得覆盖半导体芯片和键合线。

该第一阻焊剂部分的平面尺度小于半导体芯片的平面尺度，并且将包封树脂也填充在半导体芯片的背表面的外围部分之下。

申请人：株式会社瑞萨科技
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：王茂华
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朴日穆
申请号：CN201810287765.6
申请日：20180330
公开号：CN108695433A
公开日：
20181023
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：公开了一种半导体器件。

该半导体器件包括第一字线、第一位线，模制膜和第一存储单元。

第一位线与第一字线的方向交叉并且与第一字线隔开。

模制膜填充第一字线与第一位线之间的空间。

第一存储单元在模制膜中并且在第一字线与第一位线之间。

第一存储单元包括在第一字线上的第一下电极、在第一下电极上的第一相变膜、在第一相变膜上的第一中间电极、在第一中间电极上的第一双向阈值开关(OTS)以及在第一OTS和第一位线之间的第一上电极。

第一下电极的电阻率在约1至约30mΩ·cm的范围内。

申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：范心田
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半导体器件及其制作方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：袁理
申请号：CN201310533220.6
申请日：20131101
公开号：CN104599957A
公开日：
20150506
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在所述硅衬底的所述第一表面上形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族化合物器件；对所述硅衬底的第二表面进行刻蚀工艺，以在所述硅衬底中形成暴露出所述三五族化合物层的沟槽，且所述沟槽位于所述三五族化合物器件的下方；利用离子注入工艺对所述沟槽底部暴露出的所述三五族化合物层注入强电负性离子；在所述沟槽底部和内壁形成钝化层。

本发明的技术方案提供的半导体器件获得较高的击穿电压，实现了基于硅衬底的三五族化合物器件的生产。

申请人：中航(重庆)微电子有限公司
地址：401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：李仪萍
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朴圣根
申请号：CN200710196044.6
申请日：20071130
公开号：CN101192625A
公开日：
20080604
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。

该半导体器件包括具有源区和漏区的半导体衬底；位于该源区和漏区之间的具有已编程和已擦除状态的浮置栅极，从而控制源区和漏区之间的电流；以及适用于根据施加于源区、漏区和/或隧道栅极的电压而对浮置栅极进行编程或擦除的隧道栅极。

本发明提供一种半导体器件，可以在其中储存功率控制状态，并且可以根据该功率控制状态来施加功率。

另外，本发明还提供作为功率控制开关的半导体器件，可以在其中储存功率控制状态而不须施加额外的控制功率。

申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司
代理人：郑小军
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法
专利类型：发明专利
发明人：杉本雅裕,加地彻,上杉勉,上田博之,副岛成雅申请号：CN200680018146.2
申请日：20060525
公开号：CN101180734A
公开日：
20080514
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明旨在抑制III－V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。

本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。

申请人：丰田自动车株式会社
地址：日本爱知县
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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半导体器件的制造方法及半导体器件[发明专利]

专利名称：半导体器件的制造方法及半导体器件专利类型：发明专利
发明人：木村雅俊
申请号：CN201510303567.0
申请日：20150604
公开号：CN105140249A
公开日：
20151209
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种具有固态图像传感器的半导体器件的制造方法。

固态图像传感器通过多次曝光对整个芯片进行分割曝光处理而形成，由此便可提高固态图像传感器的性能，所述固态图像传感器包括在像素阵列部配置有多个像素的多个光电二极管。

在制造固态图像传感器时而进行的分割曝光过程中，将分割曝光区域的边界线DL规定在像素PE2的有源区AR内按第1方向排列的光电二极管PD1和光电二极管PD2之间、且沿着与第1方向垂直相交的第2方向排列。

申请人：瑞萨电子株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市金杜律师事务所
代理人：陈伟
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半导体器件的制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：松井嘉孝,小寺雅子
申请号：CN03119529.6
申请日：20030310
公开号：CN1444259A
公开日：
20030924
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包含以下工序：在半导体衬底上形成将包含Ti 或Ta的阻挡层金属以及铜布线露出表面的结构，或在半导体衬底上形成将Ti、W、及Cu中的至少一个、以及Al露出表面的布线结构，向所述结构或布线结构的表面供给溶解了氢气的氢溶存溶液。

申请人：株式会社东芝
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市中咨律师事务所
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半导体器件及其制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：姜守昶,金荣载
申请号：CN201310521766.X
申请日：20131029
公开号：CN104037228A
公开日：
20140910
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：提供了半导体器件及其制造方法。

所述半导体器件包括：设置在衬底内的沟槽，所述沟槽包括宽度比下沟槽部宽的上沟槽部；设置在沟槽中的栅极；设置在沟槽中的栅极上方的层间绝缘层图案；设置在衬底内并且与上沟槽部的侧壁接触的源极区；设置在衬底中的源极区下方的本体区；以及设置在本体区上方并且填充有导电材料的接触沟槽。

申请人：美格纳半导体有限公司
地址：韩国忠清北道
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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半导体器件的制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：吉田浩二
申请号：CN02801486.3
申请日：20020311
公开号：CN1462474A
公开日：
20031217
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种制造半导体器件的方法，即使采用超声波键合法也可以通过下填树脂容易和适当地密封封装，由此提供高度可靠的倒装片式封装。

该方法包括形成下填树脂层(16)以便覆盖电路板(10)上的布线图形(12)的第一步骤；将具有突起电极(24)的半导体芯片(20)定位于电路板(10)的布线图形(12)上，并通过给(20)施加超声波振动，同时对着布线图形(12)通过下填树脂层(16)压突起电极(24)，将布线图形(12)连接到突起电极(24)的第二步骤；用于使置于电路板(10)和半导体芯片(20)之间的下填树脂层(16)固化的第三步骤。

申请人：索尼公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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半导体器件的制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：薛兴涛,何智清
申请号：CN201510660932.3
申请日：20151014
公开号：CN106601632A
公开日：
20170426
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。

该制造方法包括：步骤
S101：提供半导体晶圆，在所述半导体晶圆上形成焊盘以及覆盖所述半导体晶圆并且暴露所述焊盘的钝化层；步骤S102：在所述焊盘上形成凸块；步骤S103：对所述钝化层进行表面处理，以增加所述钝化层的表面粗糙度；步骤S104：执行回流工艺，以使所述凸块形成稳定合金。

本发明的半导体器件的制造方法，可以提高钝化层和填料之间的粘结力，从而可以提高倒装封装工艺的成品率。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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半导体器件制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件制造方法专利类型：发明专利
发明人：孟令款
申请号：CN201210229309.9申请日：20120703
公开号：CN103531459A
公开日：
20140122
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积介质材料层；执行主刻蚀，刻蚀介质材料层形成侧墙，并在衬底上留有介质材料层的残留；执行过刻蚀，去除介质材料层的残留。

依照本发明的半导体器件制造方法，不采用氧化硅的刻蚀阻挡层，而是采用含氦气的刻蚀气体进行两步刻蚀，降低对衬底的损伤的同时还降低了工艺复杂性，此外还能优化阀值电压、有效降低EoT、提高栅控能力以及驱动电流。

申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3#
国籍：CN
代理机构：北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陈红
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半导体器件的制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：渡边启仁
申请号：CN98103380.6
申请日：19980715
公开号：CN1210362A
公开日：
19990310
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：在制造半导体器件的方法中,在预定条件下,在气体气氛中,在晶片的非晶硅表面上形成晶核。

在预定时间内对晶片退火,以便生长晶核和形成半球形颗粒(HSGs)。

在完成退火时,供应用于防止硅原子表面迁移的气体,由此停止HSG生长。

申请人：日本电气株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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半导体器件的制造方法[发明专利]

专利名称：半导体器件的制造方法专利类型：发明专利
发明人：李来赫
申请号：CN200810180591.X 申请日：20081201
公开号：CN101447410A
公开日：
20090603
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：一种用于半导体器件的制造方法简化了用于形成高压器件的氧化膜的工艺，从而降低了高压器件的制造成本和制造时间。

该制造方法包括在半导体晶片上方涂覆栅极氧化物材料，在栅极氧化物材料上方涂覆光刻胶材料，在光刻胶材料上实施曝光工艺和第一显影工艺以形成光刻胶图样，实施使用了光刻胶图样的刻蚀工艺以形成栅极氧化膜，以及实施第二显影工艺以去除光刻胶图样。

申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
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半导体器件及其制造方法

半导体器件及其制造方法
半导体器件是指由半导体材料制成的元件，可以实现电信号的转换、放大和控制功能。

半导体器件包括晶体管、集成电路、光电池（太阳能电池）、薄膜电阻、光学器件等。

半导体器件的制造方法主要有硅片制备、集成电路封装、焊接和测试四个步骤。

硅片制备是将半导体材料制成特定形状的硅片，用于后续的制造过程。

集成电路封装就是将半导体元件封装在一个小封装内，使元件得到保护和引出外部连接。

焊接是把封装好的半导体元件焊接在PCB 上，以便进行连接和测试。

测试是对半导体器件进行性能测试，以确保其可靠性和质量。