实验三：内存储器部件实验

实验三内存储器部件实验

一、实验目的

1、通过学习TEC-2000教学计算机的存储器系统，深入理解计算机主存储器的功能和组成；

2、学习和理解只读存储器、静态存储器芯片的读写原理，掌握计算机存储器系统的扩展方法。

二、实验说明

TEC－2000教学计算机存储器系统由ROM和RAM两个存储区组成。ROM存储区由2个EEPROM芯片58C65（8192×8）组成，容

量为8192×16。RAM存储区由2个RAM芯片6116（2048×8）组成，容量为2048×16。TEC－2000教学计算机中还预留了2个存储

器芯片插座，可以插上相应存储器芯片进行存储器容量扩展的教学实验。

TEC-2000教学计算机存储器系统组成结构图

三、实验内容

1、完成存储器容量扩展实验，为扩展存储器选择一个地址，注意读写和/OE等控制信号的正确状态；

2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（58系列）存储特性的区别以及在读写上的差异；

3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。

四、实验步骤

1、RAM实验

RAM（6116）支持随机读写操作，可直接用A、E命令向存储器输入程序或改变存储单元的值。RAM中的内容在断电后会消失，重新启动教学机后会发现存储单元的值发生了改变。

1）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。

⑴在命令行提示符状态下输入：

E 2020↙

屏幕显示2020 内存单元原值。按如下形式键入：

2222（空格）3333（空格）4444（空格）5555

⑵在命令行提示符状态下输入：

D 2020↙

观察屏幕显示的从2020内存单元开始的值。

⑶断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020-2023的值。

2）用A命令输入一段程序，执行并观察结果。

⑴在命令行提示符状态下输入：

A 2000↙

键入如下汇编程序：

2000：MVRD R0, AAAA

2002：MVRD R1, 5555

2004：AND R0, R1

2006

⑵在命令行提示符状态下输入：

U 2000↙

观察屏幕显示的内容。

⑶在命令行提示符状态下输入：

T 2000↙

观察寄存器R0、R1的值。

T↙

观察寄存器R0、R1的值。

T↙

观察寄存器R0、R1的值。

⑷在命令行提示符状态下输入：

G 2000↙

⑸运行输入程序。在命令行提示符状态下输入：

R↙

观察寄存器R0、R1的值。

⑹断电后重新启动教学实验机，用U命令观察内存单元2000开始的内容。

2、扩展EPROM实验

将扩展EPROM芯片（HN 58C65）插入标有“EXTROMH”和“EXTROML”的插座（注意芯片与插座的半圆形缺口方向相同）；将2个插座右下方标有“/CS”的2个圆孔中的一个（内部已相连），与标有“MEM/CS”的一排圆孔中（存储器译码输出端）地址为“4000－5FFF”的圆孔用导线相连，表示扩展的EPROM的内存地址从4000H开始，可用空间是4000H-5FFFH，用户可在这个范围内输入程序或改变内存单元的值。

每个ROM插座的两边有4组插针，需根据选用的存储器芯片类型正确连接：

⑴将有“VCC∕MWR”的3个插针的上面2个短接；

⑵将标有“A11∕MWR”的3个插针的上面2个短接；

⑶将标有“2764”的2个插针断开；

⑷将标有“/MRD GND”的3个插针的上面2个短接。

1）用D命令观察地址从4000开始的内存单元的值。

2）用E命令改变地址从4000开始的4个内存单元的值，并用D命令观察结果。

3）断电后重新启动教学实验机，用D命令观察地址从4000开始的4个内存单元的值。

3、扩展EEPROM实验

HN 58C65的读操作和普通的RAM相同，但其写操作的完成需要较长的时间，大约为1毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对EEPROM进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。

1）将有“VCC∕MWR”的3个插针的下面2个短接。

2）用D命令观察地址从4000开始的内存单元的值。

3）用E命令改变地址从4000开始的4个内存单元的值，并用D命令观察结果。

4）断电后重新启动教学实验机，用D命令观察地址从4000开始的4个内存单元的值。

5）HN58C65存储器不能直接用A命令输入程序，单字的指令可能会写进去，双字指令的低位会出错（建议试一试），可将编写好的程序放到RAM（6116）中，访问HN58C65的内存单元时调用延时子程序。

下面的程序，在5000H-500FH单元中依次写入数据0000H、0001H、…000FH。

从2000H单元开始输入主程序：

（2000）MVRD R0，0000

MVRD R2，0010 ；R2记录循环次数

MVRD R3，5000 ；R3的内容位16位内存

；地址

（2006）STRR [R3]，R0 ；将R0寄存器的内容放到

；R3给出的内存单元中

CALA 2200 ；调用程序地址为2200的

；延时子程序

INC R0 ；R0加1

INC R3 ；R3加1

DEC R2 ；R2减1

JRNZ 2006 ；R2不为0跳转到2006H

RET

从2200H单元开始输入延时子程序：

（2200）PUSH R3

MVRD R3，FFFF

（2203）DEC R3