意法半导体发布2—40A1200 V SiC JBS二极管
rohm p02sct3040kr-evk-001 sic mosfet for to-247-4l
TO-247-4LHalf-Bridge Evaluation Board Operation ManualNotice ＜High Voltage Safety Precautions＞◇ Read all safety precautions before usePlease note that this document covers only the SiC MOSFET for TO-247-4L evaluation board (P02SCT3040KR-EVK-001) and its functions. For additional information, please refer to the product specification.To ensure safe operation, please carefully read all precautions before handling the evaluation boardDepending on the configuration of the board and voltages used,Potentially lethal voltages may be generated.Therefore, please make sure to read and observe all safety precautions described inthe red box below.This evaluation board is intended for use only in research and development facilities and should by handled only by qualified personnel familiar with all safety and operating procedures.We recommend carrying out operation in a safe environment that includes the use of high voltage signage at all entrances, safety interlocks, and protective glasses.User’s GuideSiC MOSFET 评估板TO-247-4L 半桥评估板 使用说明书在SiC MOSFET 等功率元器件的评估中，一般会涉及到高电压和大电流，因此要求恰当地构建其评估环境。
st意法半导体sic 200°结温
意法半导体（STMicroelectronics）是一家全球知名的半导体制造公司，总部设在瑞士日内瓦。
意法半导体的产品在汽车、工业控制、消费电子、通信设备以及计算机设备等领域中得到广泛应用。
在半导体行业中，STMicroelectronics以其创新的技术和高质量的产品享有盛誉。
近年来，STMicroelectronics不断加大对碳化硅（SiC）功率半导体器件的研发和生产力度，意图在新能源汽车、工业化和再生能源等领域大力推广碳化硅器件的应用。
SiC材料是一种新型的功率半导体材料，在高温、高电压和高频等应用场景下具有更高的性能和更低的功耗。
SiC功率半导体器件具有很高的市场潜力，被广泛认为是未来功率半导体技术的发展方向。
在SiC器件的应用领域中，其工作温度是一个非常重要的参数。
由于SiC材料的热导率较高，因此SiC功率器件具有较好的耐高温性能，可以在较高的工作温度下正常工作。
对于汽车和工业设备等领域，SiC器件的较高工作温度意味着可以在恶劣的环境条件下正常工作，提高了设备的可靠性和稳定性。
SiC器件的工作温度成为了衡量其性能和优势的重要标准之一。
而对于意法半导体的SiC 200°结温技术，其主要特点和优势包括：1. 高温稳定性：SiC 200°结温技术可以保证器件在200°C工作温度下的稳定性和可靠性，适用于各种高温环境下的电力控制和转换系统。
2. 提高效率：SiC 200°结温技术的器件在较高工作温度下具有更低的导通电阻和开关损耗，可以提高系统的效率和节能性能。
3. 更小的散热设计：由于SiC器件在高温下依然稳定工作，因此可以采用更紧凑的散热设计，减小设备的体积和重量。
4. 更广泛的应用范围：SiC 200°结温技术可以满足更多高温应用场景的需求，拓展了SiC器件在工业、汽车、航空航天等领域的应用范围。
总的来看，意法半导体的SiC 200°结温技术为SiC功率器件的应用开辟了更广阔的空间，提高了其在高温环境下的可靠性和性能表现。
S1_03_英飞凌单管IGBT_,_Si二极管_,_SiC二极管1200V以及相关应用
Copyright © Infineon Technologies AG 2016. All rights reserved.
6
英飞凌单管IGBT：总览
1200V 1200/1350V
IFX T2
IFX H3 / RC-H5
600/650V 600V
Non SC rated IFX L5
IFX TRENCHSTOP DPAK IFX RC-D/DF
Vcemax [V] 600 Single IGBT 650 IDC @ 100°C [A] 40 60 90 7 10 15 20 30 40 50 60 90 160 15 40 50 60 90 160 TO-262 TO-251 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . D-PAK . . . IRGR4607D IRGR4610D . . . . . . . . . . . . . . D2PAK . . . IRGS4607D IRGS4610D IRGS4615D IRGS4620D IRGS4630D IRGS4640D . . . . IRGS4715D . . . . . TO-220 . . . IRGB4607D IRGB4610D IRGB4615D IRGB4620D IRGB4630D IRGB4640D . . . . IRGB4715D . . . . . TO-220 FullPak . . . IRGIB4607D IRGIB4610D IRGIB4615D IRGIB4620D IRGIB4630D IRGIB4640D . . . . . . . . . . TO-247-3 IRGP4640 IRGP4760 IRGP4790 . . . IRGP4620D IRGP4630D IRGP4640D IRGP4650D IRGP4660D IRGP4690D . . IRGP4740D IRGP4750D IRGP4760D IRGP4790D . TO-247 TO-247-PLUS (Long Lead) (Super247) IRGP4640-E IRGP4760-E IRGP4790-E . . .
电子企业-元器件承认内容及标准
APT40GR120B_S 1200V 40A 电子管参数表说明书
SymbolParameterRatingsUnitV ces Collector Emitter Voltage 1200VV GE Gate-Emitter Voltage±30I C1Continuous Collector Current @ T C = 25°C 88AI C2Continuous Collector Current @ T C = 100°C 40I CM Pulsed Collector Current 1160SCWT Short Circuit Withstand Time: V CE = 600V, V GE = 15V, T C =125°C 10μs P D Total Power Dissipation @ T C = 25°C500W T J ,T STGOperating and Storage Junction Temperature Range -55 to 150°C T LMax. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.300MAXIMUM RATINGSAll Ratings: T C = 25°C unless otherwise speci fi ed.STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICSAPT40GR120S 1200V, 40A, V CE(on)= 2.5V TypicalMicrosemi Website - CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.SymbolParameterMinTyp Max UnitV (BR)CES Collector-Emitter Breakdown Voltage (V GE = 0V, I C = 1.0mA)1200VoltsV CE(ON)Collector-Emitter On Voltage (V GE = 15V, I C = 40A, T j = 25°C) 2.5 3.2Collector-Emitter On Voltage (V GE = 15V, I C = 40A, T j = 125°C) 3.5Collector-Emitter On Voltage (V GE = 15V, I C = 88A, T j = 25°C) 3.2 I CES Collector Cut-off Current (V CE = 1200V, V GE = 0V, T j = 25°C) 2101000μA Collector Cut-off Current (V CE = 1200V, V GE = 0V, T j = 125°C) 2100I GESGate-Emitter Leakage Current (V GE = ±20V)±250nAThe Ultra Fast NPT - IGBT ® is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-Punch-Through Technology, the Ultra Fast NPT-IGBT ® offers superior ruggedness and ultrafast switching speed.Features• Low Saturation Voltage • Low Tail Current• RoHS Compliant• Short Circuit Withstand Rated • High Frequency Switching to 50KHz • Ultra Low Leakage CurrentUnless stated otherwise, Microsemi discrete IGBTs contain a single IGBT die. This device is recommended for applications such as induction heating (IH), motor control, general purpose inverters and uninterruptible power supplies (UPS).V GE(TH) Gate Threshold Voltage (V CE = V GE , I C = 2.0mA, T j = 25°C)3.55.06.5052-6400 R e v B 5-2020APT40GR120B_STHERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICSDYNAMIC CHARACTERISTICSSymbolCharacteristicMinTypMaxUnitR θJC Junction to Case Thermal Resistance .25°C/W R θJA Junction to Ambient Thermal Resistance40W T Package Weight.22oz 6.2gTorqueMounting Torque (TO-247 Package), 4-40 or M3 screw10in-lbf 6.2N ∙m1 Repetitive Rating: Pulse width and case temperature limited by maximum junction temperature.2 Pulse test: Pulse Width < 380μs , duty cycle < 2%.3 See Mil-Std-750 Method 3471.4 R G is external gate resistance, not including internal gate resistance or gate driver impedance. (MIC4452)5 E on2 is the clamped inductive turn on energy that includes a commutating diode reverse recovery current in the IGBT turn on energy loss. A combi device is used for the clamping diode.6 E off is the clamped inductive turn-off energy measured in accordance with JEDEC standard JESD24-1.Microsemi reserves the right to change, without notice, the speci fi cations and information contained herein.SymbolParameterTest ConditionsMin TypMax UnitC ies Input Capacitance Capacitance V GE = 0V, V CE = 25Vf = 1MHz 3980pF C oes Output Capacitance320C res Reverse Transfer Capacitance 80V GEP Gate to Emitter Plateau Voltage Gate Charge V GE = 15V V CE = 600V I C = 40A7VQ g 3Total Gate Charge 210nCQ ge Gate-Emitter Charge 25Q gc Gate- Collector Charge 90t d(on) Turn-On Delay Time Inductive Switching (25°C)V CC = 600V V GE = 15V I C = 40A R G = 4.3 Ω 4T J = +25°C22nst r Current Rise Time 25 t d(off) Turn-Off Delay Time163t f Current Fall Time40E on2 5Turn-On Switching Energy 13753000μJE off 6Turn-Off Switching Energy 9061650t d(on Turn-On Delay Time Inductive Switching (125°C)V CC = 600VV GE = 15V I C = 40A R G = 4.3 Ω 4T J = +125°C22nst r Current Rise Time 25t d(off)Turn-Off Delay Time 185t f Current Fall Time47E on2 5Turn-On Switching Energy 19163500μJE off 6Turn-Off Switching Energy11862500052-6400 R e v B 5-2020APT40GR120B_STYPICAL PERFORMANCE CURVES204060801001200 25 50 75 100 125 1501.01.52.02.53.03.54.04.55.0246810121416180 100 200 3001234566 8 10 12 14 1650100150200250***********501001502002503000 4 8 12 16 20 24 28 32010203040506070800 1 2 3 4 5 6V CE , COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)FIGURE 1, Output Characteristics (T = 25°C)I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (A )V CE , COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)FIGURE 2, Output Characteristics (T J = 25°C)I C , C O L L E C T O R C U R R E N T (A )V GE , GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V) FIGURE 4, Transfer CharacteristicsI C , C O L L E C T O R C U R R E N T (A )V GE , GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to-Emitter VoltageV C E , C O L L E C T O R -T O -E M I T T E R V O L T A G E (V )GATE CHARGE (nC)FIGURE 8, Gate chargeV G E , G A T E -T O -E M I T T E R V O L T A G E (V )T J , Junction Temperature (°C)FIGURE 3, On State Voltage vs Junction Temperature V C E , C O L L E C T O R -T O -E M I T T E R V O L T A G E (V )T C , Case Temperature (°C)FIGURE 7, DC Collector Current vs Case TemperatureI C , D C C O L L E C T O R C U R R E N T (A )0.750.800.850.900.951.001.051.10 -.50 -.25 0 25 50 75 100 125 150T J , JUNCTION TEMPERATUREFIGURE 6, Threshold Voltage vs Junction Temperature V G S (T H ), T H R E S H O L D V O L T A G E (N O R M A L I Z E D )052-6400 R e v B 5-202011010020 30 40 50 60 70 8010100100010 20 30 40 50 60 70 80 9010010001000070010005000***********10010001000010 20 30 40 50 60 70 80I CE , COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A) FIGURE 11, Turn-On Time vs Collector CurrentS W I T C H I N G T I M E (n s )I CE , COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A) FIGURE 12, Turn-Off Time vs Collector Current S W I T C H I N G T I M E (n s )R G , GATE RESISTANCE (Ω)FIGURE 14, Energy Loss vs Gate ResistanceI CE , COLLECTOR-TO-EMITTER CURRENT (A) FIGURE 13, Energy Loss vs Collector CurrentS W I T C H I N G E N E R G Y L O S S (μJ )T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)FIGURE 15, Energy Losses vs Junction TemperatureS W I T C H I N G E N E R G Y L O S S E S (μJ )S W I T C H I N G E N E R G Y L O S S (μJ )1.0E −111.0E −101.0E −91.0E −8***********V CE , COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS) C , C A P A C I T A N C E (p F )0.1110100300 1 10 100 1000 2000V CE , COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE FIGURE 16, Minimum Switching Safe Operating AreaI C , C O L L E C T O R C U R R E N T (A )V CC FIGURE 10, Inductive Switching Test Circuit 052-6400 R e v B 5-2020APT40GR120B_STYPICAL PERFORMANCE CURVES00.050.100.150.200.250.3010-410-310-20.1 1 10Z θJ C , T H E R M A L I M P E D A N C E (°C /W )RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)Figure 17, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse DurationDimensions in Millimeters and (Inches )1.22 (.048)1.32 (.052){3 Plcs}Dimensions in Millimeters (Inches)and Leads are Platede3 SAC: 100% Sn PlatingTO-247 Package OutlineD 3PAK Package Outlinee3 SAC: 100% Sn Plating052-6400 R e v B 5-2020。
40v2a肖特基二极管参数
40v2a肖特基二极管参数一、肖特基二极管简介肖特基二极管（Schottky diode）是一种特殊的二极管，由金属与半导体P型或N 型材料的接触形成。
它以德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter H. Schottky）的名字命名。
与普通的PN结二极管相比，肖特基二极管具有较低的开启电压和快速的开关特性。
肖特基二极管的结构相对简单，由金属与半导体的接触组成。
金属与半导体的接触界面形成了一个肖特基势垒，该势垒的高度取决于金属与半导体材料的选择。
肖特基二极管的工作原理是基于金属与半导体之间的肖特基势垒形成的。
二、肖特基二极管的参数1. 最大反向电压（Vrmax）最大反向电压是指肖特基二极管能够承受的最大反向电压。
一旦超过这个电压，肖特基二极管将会击穿，导致失效。
40v2a肖特基二极管的最大反向电压为40V，表示在正向偏置时，电压不应超过40V。
2. 正向导通电压（Vf）正向导通电压是指肖特基二极管在正向电流下的电压降。
肖特基二极管的正向导通电压较低，通常在0.2V至0.5V之间，这使得肖特基二极管在低电压应用中非常有用。
40v2a肖特基二极管的正向导通电压为2V。
3. 最大正向电流（Ifmax）最大正向电流是指肖特基二极管能够承受的最大正向电流。
超过这个电流，肖特基二极管可能会过热并损坏。
40v2a肖特基二极管的最大正向电流为2A，表示在正向偏置时，电流不应超过2A。
4. 导通电阻（Rd）导通电阻是指肖特基二极管在正向导通状态下的电阻。
肖特基二极管由于金属与半导体的接触，具有较低的导通电阻，因此能够在高频应用中提供更好的性能。
40v2a肖特基二极管的导通电阻较低。
5. 反向漏电流（Ir）反向漏电流是指肖特基二极管在反向电压下的泄漏电流。
肖特基二极管的反向漏电流较小，这是因为金属与半导体的接触形成的肖特基势垒可以有效地阻止电流的流动。
40v2a肖特基二极管的反向漏电流较小。
6. 响应时间（tr、tf）响应时间是指肖特基二极管从关断到导通或从导通到关断的时间。
碳化硅mosfet的集成式体二极管-概述说明以及解释
碳化硅mosfet的集成式体二极管-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分可以介绍碳化硅MOSFET和集成式体二极管的背景和意义。
碳化硅MOSFET是一种新型的功率器件，具有较高的开关速度、较低的导通电阻和较高的工作温度等优势。
其主要应用领域包括电动车辆、太阳能和风能发电系统等。
随着碳化硅半导体材料的发展和成熟，碳化硅MOSFET已经成为了替代传统硅功率器件的热门选择。
而集成式体二极管是一种结合了功率MOSFET和快速恢复二极管的器件，通过优化二极管与MOSFET的布局和工艺，可以实现更低的开关损耗和更高的开关速度。
集成式体二极管的应用范围广泛，特别适用于需要高效能转换和快速开关的场合，如电源供应、电动车辆和工业自动化等领域。
本文将重点介绍碳化硅MOSFET与集成式体二极管的结合意义以及其带来的优势。
同时，将探讨碳化硅MOSFET与集成式体二极管的发展前景和应用领域，为读者提供更深入的了解和应用指导。
1.2 文章结构文章结构是指文章的组织框架和内容安排，通过清晰的结构可以使读者更好地理解文章的主题和观点。
本文的结构主要包括引言、正文和结论三个部分。
引言部分概述了本文要讨论的内容，介绍了碳化硅MOSFET的集成式体二极管这一主题，并说明了文章的目的。
在本文中，我们将首先介绍碳化硅MOSFET的基本原理，然后深入探讨集成式体二极管的基本原理。
最后，我们将分析和讨论碳化硅MOSFET与集成式体二极管的结合意义，并展望其发展前景与应用。
正文部分将详细介绍碳化硅MOSFET的基本原理。
我们将讨论碳化硅材料的特点以及其在MOSFET中的应用前景。
同时，我们将解释碳化硅MOSFET的工作原理和关键特性，包括高温特性、高电压特性和高频特性等。
接着，我们将探讨集成式体二极管的基本原理。
首先，我们将介绍集成式体二极管的概念和优势，解释其与传统二极管的区别。
然后，我们将详细讲解集成式体二极管的工作原理和特性，包括正向导通和反向截止特性等。
安森美半导体全新sic MOSFET方案NTHL020N120SC1
安森美半导体全新sic MOSFET方案NTHL020N120SC1谈起半导体，我们很容易联想到硅、锗、砷化镓等半导体材料，由于他们突出的电子性能，目前已经成为非常受欢迎的电子电力材料，像我们经常接触的二极管，就是半导体的应用之一。
在互联网、物联网迅猛发展的新时代，节能高效成为技术革新的主流方向，半导体的需求日益凸显。
日前安森美半导体新推出了一种sic半导体材料，并创建了最低RDSon的sic MOSFET之一，助力产能翻新、高效升级。
安森美1200V，20mΩN沟道SiC MOSFET NTHL020N120SC1的设计旨在在1200V的阻断电压(VDSS)下，提供极低的导通损耗，此外，它被设计为以低内部门极电阻（Rg =1.81Ω）和低输出电容（Coss = 260pF）快速驱动，使用更加便利。
NTHL020N120SC1拥有强大的氧化物性能（VGS额定值为+25V/-15V），无Vth漂移，无体二极管漂移，搭载了高开关速度，更将具有dv/dt控制的平滑门极驱动以及强大的体二极管用于硬开关，这样一来，1200V SiC MOSFET器件运行快、极大程度的减少了开关和导通损耗、强固耐用、具有超过100V/ns的快速瞬态抗扰度，它可以轻松满足或超越大多数客户的规格，在市场上非常有竞争力。
SiC具有比硅高10倍的介电击穿场强，高2倍的电子饱和速率，高3倍的导热率，不仅可以降低功率损耗，还能提高功率密度、工作频率，更重要的是，用sic为材料的话，可以极大程度减少成本和系统尺寸，很多消费者都逐渐倾向sic的使用，在未来，它的发展道路将更加宽阔。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
ＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ Ｓ ｔ ｒ ｕ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ ｗｉ ｔ ｈ ｅ ｘ ｔ ｒ ｅ ｍｅ ｌ ｙ ｒ ｅ ｄ ｕ ｃ ｅ ｄ ｏ ｎ — ｒ ｅ ｓ ｉ ｓ ｔ ａ ｎ ｃ ｅ ［ Ｊ ］ ．
Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔ ｒ ａ ｎ ｓ Ｅｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ Ｄｅ ｖ ｉ ｃ ｅ ｓ ， １ ９ ８ ５ ， ３ ２ （ １ ） ： ２ — ６ ．
［ ５ １ 】 姚 ｆ ｎ 』 ｔ ４ 鑫，
ｆ Ｉ 匕 ．・ 种 新 低 压 功 率 ＭＯ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ结 构
信 息 报 道
意法半导体发布 ２ — ４ Ｏ Ａ １ ２ ０ ０ Ｖ Ｓ ｉ Ｃ Ｊ Ｂ Ｓ二极 管
意法 ’ 卜 体 （ 以 下简称 ｓ Ｔ ） 近期 发布 了一款 ２ — ４ ０ Ａ ｌ ２ （ １ ０ Ｖ的 Ｓ ｉ Ｃ Ｊ Ｂ Ｓ ： 极管 ， 具 有高 转 换 率 、 高 回收 率 、 恒 温 特
ｌ ７长翦 ６ 期
（ ４） ： ２ ７ ７— ２ ７ ８ ．
电
子 与
封
装
分析［ Ｊ ］ ． 半 导 体技 术 ， ２ ０ ０ ５ ， ３ ０ （ １ １ ） ： ５ ３ — ５ ６
［ ２ 】 Ｃ ＯＬ Ｉ Ｉ ＮＳ Ｈ Ｗ， Ｐ Ｅ Ｌ ｆ ＹＢ ， Ｈ Ｅ ＸＦ Ｅ Ｔ Ａｎ ｅ ｗｐ ｏ ｗ ｅ ｒ ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ｃ ｕ ｔ ｓ ｏ ｎ — ｒ ｅ ｓ ｉ ｓ ｔ ａ ｎ ｃ ｅ ， ｂ ｏ ｏ ｔ ｓ ｒ ａ ｔ ｉ ｎ ｇ ｓ ［ Ｊ 】 ． Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ Ｄ ｅ ｖ ｉ ｃ ｅ ｓ ， ｌ ９ ７ ９ ，
新 加坡科 学技 术研 究院开发 出可 用于光学器件批量生产 的混合硅 激光器
徒一 刈 Ｉ 生 产’ 导体 激 光 器 ・ 直 以 束是 半 导 体 行 业 的【 ， １ 这种制造 Ｉ 艺向 来 极 具挑 战 。 近 日， 新 加坡 科 学 技 术 ｆ 究院 Ａ ＇ Ｓ Ｔ Ａ Ｒ 发出 ・ 种 新 颖ｆ ｌ ｇ ￣ ， ｑ 造 方法 ， 成本低廉 、 过 简 他 Ｉ ｌ ＿ ・ ， Ｊ ‘ 扩 腱性 强 。 法混 合硅 激 光 器将 Ｉ Ｉ Ｉ — Ｖ 族 半 导 体 （ ￣ ｉ ｌ Ｏ ｔ ｌ ｆ Ｅ 镓干 【 】 磷 化 ） 的 发 光 特性 当 前 成 熟 的 硅 制 造 技 术 Ａ Ｓ Ｔ ＡＲ研 究 院 的 Ｄｏ ｒ ｉ ｓ Ｋ ｅ ｈ — Ｔ ｉ ｎ ｇ Ｎ ｇ肢 其 同 事 开 发 ｒ
师， 现 在 中 国 电 子 科 技 集 团 公 司第 ５ ５ 研 究所 围 盛 公 司从 事 硅 外 延 生 产 质 量 管 理 工作 。
［ ４ １ ： 延 埒， 刘 奘川Ｉ ． Ｔ ｒ ｅ ｎ ｃ ｈ ＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ的 研 究 与进 展 ［ Ｊ ］ ｌ 半 导
体｛ 史 术， ２ ０ ０ ７（ ４ ） ： ２ ７ ７ — ２ ８ ０ ．
ｊ 此…ｆ Ｊ ｌ ｆ ， 性 能 导 向 应 用埘 Ｓ ｉ Ｃ的 效 能 、 重量 、 尺 寸和
原 文 链 接 ： ｈ ｔ ｔ ｐ ： ／ ／ ｗ ｗｗ． ｓ ｅ ｍｉ ｃ ｏ ｎ ｄ ｕ ｃ ｔ ｏ ｒ — ｔ ｏ ｄ ａ ｙ ． ｃ ｏ ｍ ／ ｎ ｅ ｗｓ
ｉ ｔ ｅ ｍｓ ／ ２ ０ １ ７ ／ ｍａ ｙ ／ ｓ ｔ １ １ ０ ５ １ ７ ． ｓ ｈｔ ｍｌ
１ ７ ｆ １ ２ ） ： ３ ６ ．
作者简介 ：
孙 健 （ １ ９ ８ ０ 一） ， 男， 江 苏 泰 州
【 ３ １ ＵＥ Ｄ ＡＤ ，Ｔ ＡＫ ＡＧＩ Ｈ ，Ｋ Ａ ＮＯ Ｇ． Ａ ｎ ｅ ｗ ｖ ｅ ｒ ｔ ｉ ｃ ａ ｌ ｐ ｏ ｗｅ ｒ
人， 南京航空航天大学本科毕业 ， 工 程
，
热 性 能 部 有 极 高要 求 。Ｓ Ｔ的 Ｓ ｉ Ｃ Ｊ Ｂ Ｓ二 极 管 通 过 低 达 到 效 能优势 ， 在 蓄电池 （ ＯＢ Ｃ ） 和混动／ 电动 （ Ｐ Ｈ Ｅ Ｖ／ Ｅ Ｖ ） 插 电 式 充 电桩 等汽 车 设 备领 域 具 有 竞 争 力 。 另一 方 面 ， 该 ■极 管 住 通 小、 供 电、 高功 率 工业 化 开 关 电源 （ Ｓ ＭＰ Ｓ ） 、 电动 机 、 不 间 断 电源 （ ＵＰ Ｓ ） 和 大 型 光 伏 转 换 器 等 领 域 的 电 性 能 表 现 部非 常 好 。该 Ｓ ｉ Ｃ Ｊ Ｂ Ｓ二 极 管 达 到 最 低 ，还 能 降 低 器件 工 作 温 度， 延 长 Ｔ作 寿 命 。 （ 编 译 李 星 悦）
种生产混 合 Ｉ Ｉ Ｉ — Ｖ半导体 和绝缘体 上硅光学微腔 的方法 ， 大大降低 了 ． 制造 工 艺 的 复 杂性 ， 使器件结构更加紧凑。 此外 ，
该 作 次 使 用 ｒ 一 种新 型异 质核 配 置 和集 成制 造 Ｔ 艺 ， 将 低温 Ｓ ｉ Ｏ 层 键 合 与 双 硬 掩 模 、 单 光 刻 图案 结 合起 来 。
（ 编 译 赵 博）
广泛Ｉ １ ｌ Ｊ 碳 化 辟技 术 领域 。
ｓ Ｔ夫爪 ， Ｓ ｉ Ｃ＿ ＿ ＝ 极 管＝ 【 艺线生 产的 器件具 有最 佳的 正
电 （ 山 毒 低） ， 波 计人 员 ｆ ｉ 『 通 过 使 用 低 额 定 电 流 和 低 成 小 ＝ 的 ： ： 极 管 脱 高 有 效 性 和 可 靠 性 的 电路 设 讣 。 此， Ｓ ｉ Ｃ ｝ 支 术 钉 … 埘 成 本 更 敏 感 的 应 用 领 域 突 破 ， 例 如 光 伏 、Ｉ 业 ｂ 达 动 、 家Ｊ ｔ Ｉ 电器手 ¨ 电 源适 配 器 等 。