冷坩埚高纯小方锭单晶棒测试报告1
熔点实验报告
熔点实验报告熔点实验报告实验目的：本实验旨在通过测定不同物质的熔点，探究物质的性质，了解物质的熔化过程以及熔点与物质性质之间的关系。
实验器材：熔点仪、试管、石英坩埚、铝箔、燃料酒精灯、温度计、计时器。
实验步骤：1. 准备工作：将熔点仪的温度计插入仪器中，并将仪器加热到适当温度以消除温度计的误差。
2. 实验准备：取一只干净的试管，用铝箔包裹其底部以增加导热性。
3. 实验操作：将待测物质放入试管中，然后将试管插入熔点仪中，并将仪器加热。
4. 观察记录：当物质开始融化时，记录下温度，并在物质完全融化时停止计时。
5. 温度校正：将实测温度与已知物质的熔点进行比较，校正仪器的温度显示。
实验结果：通过本次实验，我们测得了几种物质的熔点如下：1. 蜡状物质A：熔点为60℃；2. 结晶物质B：熔点为120℃；3. 金属物质C：熔点为800℃。
实验讨论：通过对不同物质的熔点测定，我们可以得出以下结论：1. 熔点与物质的化学成分密切相关。
不同物质由于其分子结构和化学键的不同，导致其熔点差异较大。
例如，蜡状物质A由于其分子间力较弱，所以熔点较低；而金属物质C由于其金属键较强，所以熔点较高。
2. 熔点与物质的物理状态有关。
固体物质的分子排列有序，分子间力较强，所以熔点较高；而液体物质的分子排列无序，分子间力较弱，所以熔点较低。
例如，结晶物质B由于其分子排列有序，所以熔点较高。
3. 熔点与物质的纯度有关。
纯度较高的物质其分子间力较强，所以熔点较高；而纯度较低的物质其分子间力较弱，所以熔点较低。
通过实验可以发现，同一种物质的熔点会因纯度的不同而有所变化。
实验总结：通过本次熔点实验，我们深入了解了物质的熔化过程以及熔点与物质性质之间的关系。
熔点实验是一种常用的物质性质测定方法，通过测定物质的熔点可以判断其纯度、化学成分和物理状态等。
同时，我们还学会了使用熔点仪进行实验操作，并对实验结果进行观察和记录，提高了实验操作和数据处理的能力。
单晶实验报告
高级物理化学实验报告实验项目名称:X-射线单晶衍射实验:单晶结构分析及应用学生姓名与学号：指导教师：黄长沧老师成绩评定：评阅教师：日期：2014 年月日X-射线衍射法测定物质结构一. 实验目的1. 学习了解X 射线衍射仪的结构和工作原理。
2. 了解X-射线单晶衍射仪的使用方法。
3. 掌握X 射线衍射物相定性分析的方法及步骤。
二．实验原理根据晶体对X 射线的衍射特征－衍射线的位置、强度及数量来鉴定结晶物质之物相的方法，就是X 射线物相分析法。
利用晶体形成的X 射线衍射，对物质进行内部原子在空间分布状况的结构分析方法。
将具有一定波长的X 射线照射到结晶性物质上时，X 射线因在结晶内遇到规则排列的原子或离子而发生散射，散射的X 射线在某些方向上相位得到加强，从而显示与结晶结构相对应的特有的衍射现象。
利用单晶体对X 射线的衍射效应来测定晶体结构实验方法。
衍射X 射线满足布拉格（W.L.Bragg ）方程：2dsinθ=nλ式中：λ是X 射线的波长；θ是衍射角；d 是结晶面间隔；n 是整数。
波长λ可用已知的X 射线衍射角测定，进而求得面间隔，即结晶内原子或离子的规则排列状态。
将求出的衍射X 射线强度和面间隔与已知的表对照，即可确定试样结晶的物质结构。
样品X-射线衍射采集的数据采用Crystalclear 程序还原，使用multi-scan 或numberic 方式进行吸收校正。
结构解析使用SHELX-97程序包，用直接法解出。
非氢原子的坐标和各向异性温度因子采用全矩阵最小二乘法进行结构修正。
配合物的氢原子坐标由差傅里叶合成或理论加氢程序找出。
所有或部分氢原子的坐标和各向同性温度因子参加结构计算，但不参与结构精修。
结构分析过程中使用的最小二乘函数、偏离因子、权重偏离因子、权重因子等数学表达式如下：最小二乘函数： Ls ＝1()ncioi i FF =-∑2温度因子：Ueq=1/3∑i∑j U ij αi *.αj *.αi . αj偏离因子：11nci oii noii F F R F==-=∑∑权重偏离因子：()221/221221n i ci oi i noi i w F F wR F ==⎡⎤-⎢⎥⎢⎥=⎢⎥⎢⎥⎣⎦∑∑权重因子：()()2122o w F AP BP σ-⎡⎤=++⎣⎦，()222/3o c p F F =+每一种结晶物质都有各自独特的化学组成和晶体结构。
石英坩埚研究报告
石英坩埚研究报告石英坩埚研究报告石英坩埚是一种常见的实验室用具，广泛应用于化学实验、热学实验、物理实验等领域。
本次研究将对石英坩埚的材质、特性以及应用进行分析和总结。
一、石英坩埚的材质石英坩埚由石英制成，石英是一种优质的无机材料，具有高温稳定性、耐腐蚀性和耐磨性。
石英坩埚的制作材料主要是石英砂，经过高温烧结而成，保持了石英的特性。
二、石英坩埚的特性1. 高温稳定性：石英坩埚可以承受高温，通常可达到1400℃以上，部分高质量的石英坩埚甚至可达到1800℃以上，适用于高温实验。
2. 耐腐蚀性：石英坩埚具有优异的耐腐蚀性，可以耐受大部分化学试剂的侵蚀，尤其是酸碱性较强的试剂。
3. 耐磨性：石英坩埚表面光滑平整，不容易受到外界的磨损。
使用寿命较长。
4. 良好的热导性：石英坩埚具有良好的热导性，可以快速吸收热量并均匀散布，保证实验结果的准确性。
三、石英坩埚的应用1. 化学实验：石英坩埚常用于化学试验中，如加热反应溶液，蒸发溶液，燃烧物质等。
2. 热学实验：石英坩埚可以用于热传导实验，如热量传导、热容量等实验。
3. 物理实验：在物理实验中，石英坩埚可以用来测量物体的质量、测定密度等。
4. 工业应用：石英坩埚广泛应用于工业生产中，如金属熔炼、化合物合成、精细化工等领域。
四、石英坩埚的维护和保养1. 使用前需清洗：使用前应将石英坩埚清洗干净，避免污染试验。
2. 避免急温急冷：石英坩埚应避免急温急冷，以免破裂。
3. 避免冷热交替：石英坩埚在高温状态下应避免突然放在冷水中，以防热胀冷缩导致破裂。
4. 注意使用环境：避免与硬物接触，注意防摔防刮。
5. 定期检查：定期检查石英坩埚的表面是否平整，是否有磨损或破损。
综上所述，石英坩埚作为一种常用实验仪器，具有高温稳定性、耐腐蚀性、耐磨性和良好的热导性等特性。
广泛应用于化学、热学、物理等领域的实验中。
在使用过程中需要注意维护和保养，提高使用寿命。
第二组 八英寸直拉单晶棒氧和碳的检测
• 用红外吸收法测氧、碳含量时，所测得的氧和碳含量不是硅 单晶中的总氧和总碳含量。 • 对氧来说，测得的是晶格中的间隙氧。 • 非线性分子“Si—O—Si”的晶格振动有三种独立的简振模式。
Si Si Si
O Si υ1 (a) 图4.1
O Si υ2 (b)
O Si υ3 (c)
Si—O—Si分子简振模式
八英寸直拉单晶棒氧和碳的检测
目录
• • • • • • • • 样品的制备 样品的处理 检测的依据及设备 红外吸收法测试原理 红外线通过样品时的反射、吸收和透过 测准条件分析 单晶氧和碳的检测作业指导书 检测报告书
样品的制备（单晶棒 单晶片）
• 采样 • 单晶棒
• 因碳的分凝系数小于1，单晶尾部的碳浓度较高，测碳试样应从尾部 取样，以测得单晶最高的碳浓度。 • 样品的厚度根据样品中杂质浓度而定。 • 测氧的样品，若样品是用直拉法制备，厚度取2-4mm, 一般取２ｍｍ 即可；区熔样品取１０ｍｍ。 • 测碳的样品，厚度取２ｍｍ。若用差别法测量时，所用参比样品的厚 度应等于被测样品的厚度，偏差在０.５％以内。选择样品厚度的原则 是使吸收峰处的透射率为２０％－８０％
样品的处理
• 测试样品应双面抛光镜面。 • 测试样品的厚度一般在2mm。 • 测量区的厚度变化不超过0.005mm。
检测的依据及设备
范围
1、本标准规定了硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法。 2、本标准适用于载流子浓度小于5x1016 、室温电阻率大于0.1欧/厘米的硅单晶 中代位碳原子浓度的测定。 3、本标准也适用于多晶硅中代位碳原 子浓度的测定。
•
•
• 碳在硅晶体中以替位式出现，其红外吸收峰有两个，其振 动频率分别为６０７.２ｃｍ－１和１２１７ｃｍ－１
单晶硅棒检验和试验规范
⑦把抛光好的薄片放在Sirtl腐蚀液中腐蚀10-15分钟，取出用水冲洗干净；
⑧在白炽灯下能观察到位错排，在金相显微镜下观察四边形的位错坑；
⑨位错密度等于视场内的坑数，个/视场面积，cm2；
7）氧碳含量测试
3.常用工具
游标卡尺、卷尺、划线笔
4、划分标准
4.1单晶长度先切头尾
4.2所有直径大于153mm的晶体按153mm划分；直径大于152mm的按152mm划分；直径大于151按151mm划分；直径大于150mm按150mm划分;
长度：150mm-500mm切头尾；
500mm-800mm先切305；
800mm-1000mm的按中间切；
5将探头与成品的油石研磨面接触并压下来，使探针与研磨面充分接触；
6将功能开关调至测试，数字显示出成品的电阻率，在一次测量之后，再按一下极性开关，再测量一次，测量结果取两次测量的平均值；
5）分段划线
1、目的：
每一根单晶棒划分清楚、规范，减少不必要的损失。
2、试用范围
2.1适用测试人员
2.2适用于对单晶棒的分段
3）导电型号测试
使用导电型号鉴别仪STZ-8进行测量
操作步骤
1首先将电源打开，预热仪器15分钟；
2手持探头与成品的油石研磨面接触并轻用力按下，使探针与研磨面充分接触；
3采用热探针法时将K2拨向T，用手按一下K3（T）开关，即手放开，经过2-3秒后，即显示“P”或者“N”；
4采用整流法时，将K2拨向R，这是P、N灯会自动显示出正确的型号；
检验员检查单晶车间交送的单晶棒及“作业流程单”，并按单上的单晶编号用油笔写在单晶棒上。
单晶炉坩埚产品检测报告
单晶炉坩埚产品检测报告1. 引言本次检测报告旨在对单晶炉坩埚产品进行全面的检测和评估。
通过检测数据的分析和对比，以及对产品性能和质量的评价，我们将对该产品的优势和不足进行详细的说明，并提出改进的建议，以帮助产品制造商提高产品质量和性能。
2. 检测方法本次检测采用了以下几种常见的方法和设备：1. 显微镜观察：通过显微镜对单晶炉坩埚产品的表面和内部结构进行细致的观察，评估其晶体质量和坩埚的结构是否均匀。
2. 化学分析：采用化学分析方法对坩埚材料的成分进行分析，确保其符合相关标准。
3. 物理性能测试：对坩埚产品的导热性、热膨胀系数以及耐高温性能进行试验和评估。
3. 检测结果根据我们的检测数据和分析，得出以下结论：1. 外观和结构：单晶炉坩埚产品的外观质量较好，表面光滑，无明显的损伤和缺陷。
经过显微镜观察，内部结构均匀一致，无气孔和裂纹等问题。
2. 成分分析：通过化学分析，坩埚材料的成分符合标准，无杂质和不合格成分的存在，产品在化学组成上符合要求。
3. 导热性能：进行了导热性能测试，数据显示单晶炉坩埚具备良好的导热性能，能够高效地将热量传导到内部，保证单晶炉高温工作的稳定性。
4. 热膨胀系数：热膨胀系数测试结果表明，单晶炉坩埚产品的热膨胀系数与单晶材料相匹配，具有较好的热膨胀匹配性，不会在高温差环境下造成破裂和损伤。
5. 耐高温性能：经过长时间的高温测试，单晶炉坩埚产品表现出良好的耐高温性能，无明显的变形和破坏，能够满足单晶炉长时间稳定运行的需求。
4. 产品优势与不足4.1 产品优势- 外观质量良好：单晶炉坩埚产品经过精细的制造工艺，外观光滑，无明显的损伤和缺陷，能够提供较好的使用体验。
- 结构均匀一致：通过显微镜观察，内部结构均匀一致，无气孔和裂纹等问题，具备良好的物理性能和耐久性。
- 导热性能优异：单晶炉坩埚具备良好的导热性能，能够高效地将热量传导到内部，提高单晶炉的工作效率。
4.2 产品不足- 成本较高：由于单晶炉坩埚产品的材料和制造工艺要求较高，使得其生产成本较高，可能对一些用户造成一定的经济压力。
铸锭工艺
8.成本
• 高效免喷坩埚为3800元/只，普通坩埚2400元/只（为540 坩埚，480坩埚由于长时间未采购，价格未知），进口氮 化硅为1100元/kg（年前价格），国产氮化硅620元/kg。 • 高效工艺铸锭三炉，平均长晶用时31小时；普通工艺长晶 时间为26小时。需要多耗500度/炉（投炉量为500kg/炉）。 • 使用高效工艺方锭平均合格率为70.25%。使用普通工艺 合格率为68%. • 辅材及电费高效工艺增加了1400元/炉及2.8元/kg。 • 由于合格率提高，成品棒增加12.5kg/炉，成品棒按160元 /kg、边皮按80元/kg价格计算，成本降低了2元/kg 综上：使用高效工艺成本将提高0.8元/kg（仅包含辅材及电 费）
5.少子寿命
一、单个方棒扫描图
少子寿命空穴
正常少子寿命扫描图
新工艺少子寿命扫描图
少子寿命空穴
少子寿命截断标准：头部>2.5 us(微秒),尾部>2 us (微秒)
二、整批方棒少子寿命检测报告
此批方棒就检测数据分析后发现较我公司正常方锭有两个明显改变：1、 头尾截断有明显减少，成品率明显提高。2.平均少子寿命提高了0.3微秒
6.铸锭成品率
目前使用高效坩埚共铸锭3炉，其中使 用新工艺铸锭了2炉，一炉未更改工艺，两 炉新工艺合格率分别为：70.29%（新工艺 第一炉）、70.22%（新工艺第二炉）。从 上图检测报告可以看出，三炉使用高效坩 埚（其中第一炉为改工艺）头尾红区有明 显减少，所以使用高效坩埚有利于合格率 的提升。
1.配料
原料品名 OCI OCI 中能 多晶裸片 边皮 总计 规格 500 971 P型（1-3） 用量（kg） 120 20 140 70 150 500
石英坩埚检验规范
1.目的为指导石英坩埚检验作业活动，特制订本规范。
2.适用范围本规范适用于单晶生长使用。
3.外观检测要求表面平整，无裂纹、无崩边、无缺角等外观缺陷。
4.抽样方案4.1厂内进料检验：抽检产品的关键尺寸；关键尺寸参照图纸；抽样依MIL-STD-105E之S-Ⅱ，AQL为2.5。
4.2外出检验要求：全检5.检验项目（厂内进料检验）5.1尺寸5.2包装要求5.2.1 每批产品出厂时应附有相应的品质检验报告。
5.2.2 检验报告书上应写明产品名称、规格、数量、生产日期、制造厂名、商标和产品标准号。
5.3检验步骤5.3.1收到厂家检查报告单。
5.3.2检验外径5.3.3将检查后的合格坩埚用原纸箱盖好，做好相应标示；不合格的坩埚单独存放，并做好包装和标示，5.3.4填写辅材检验日报表6.外出检验要求：6.1表面：石英坩埚内表面必须光滑，不能太粗糙。
6.2气泡与气泡群：在石英坩埚直壁上直径小于2mm允许出现气泡群且小于5个。
气泡直径不允许大于2.5mm，1.5-2.5mm的气泡不允许超过2个，1.0-1.5mm 的气泡不允许超过4个，0.5-1.0 mm 的气泡不允许超过5个,0.5 mm 气泡以下的可忽略不计(气泡两间距大于80mm)。
6.3黑点：石英坩埚上口40mm内表面黑点直径小于3 mm 允许1个；弧度以下直径小于1mm黑允许2个；直壁上表面中直径小于1 mm 允许2个，内黑点直径0.5mm 以下的可忽略不计，两黑点间距大于80mm。
6.4白斑：石英坩埚内白斑直径0.5以下的忽略不计，0.5-3mm的白斑不能超过3个且均匀分布，白斑直径不能大于3 mm两点的间距大于80 mm。
6.5凸点：石英坩埚直壁上表面≤0.5mm且表面光滑允许一个。
6.6裂痕：石英坩埚里一律不准有裂痕。
6.7划痕: 石英坩埚里一律不准有划痕。
6.8凸起气泡：石英坩埚内不准有凸起气泡。
冷坩埚高纯小方锭单晶棒测试报告2
单晶实验检测报告报告编号：201608002名称：冷坩埚高纯小方锭单晶实验测试部门：包头市山晟新能源有限责任公司检测中心审核部门：内蒙古晟科创新科技有限公司拟制：胡雪松日期：2016.08.23审核：董志远日期：2016.08.23报告编号：201608002全部用冷坩埚高纯小方锭作为拉单晶原料，在单晶分厂第二次进行了试验，单晶棒编号为SS201608A2906，其结果如下：1|、配料名称电阻率范围合计重量（kg）冷坩埚高纯小方锭0.75-1.5 1402、拉制单晶后各物料数据明细2906 投料量140kg 埚底料 4.3kgA段A段晶棒重量67.25kg有效长度670mm 有效重量37.35kg A段头料重量 3.96kgA段样片重量0.81kgA段尾料重量3.38kg 圆棒编号圆棒重量圆棒长度圆棒编号圆棒重量圆棒长度SS1608A2906A139.11 450SS1608A2906A119.34kg 220B段B段晶棒重量68.37kg有效长度671mm 有效重量55.693kgB段头料重量 3.27kgB段尾料重量6.34kgB段样片重量0.85kg 圆棒编号圆棒重量圆棒长度圆棒编号圆棒重量圆棒长度SS1608A2906B129.22kg340mmSS1608A2906B228.02kg 338mm3、电阻率检测检测过程中从单晶棒头部转肩处开始测试，每50mm取一次数据，最后两个数据点在单晶尾部取点测试。
表1 试验晶体电阻率随晶体生长长度的变化测试数据A-长度（mm）A-电阻率（Ω·cm）B-长度（mm）B-电阻率（Ω·cm）0 1.45 0 1.1850 1.40 50 1.12100 1.28 100 1.11150 1.22 150 1.05200 1.2 200 1.03250 1.18 250 0.96300 1.14 300 0.97350 1.15 350 0.92400 1.12 400 0.98450 1.10 450 0.89500 1.09 500 0.87550 1.05 550 0.80600 1.01 600 0.79650 1.00 650 0.85700 0.78750 0.75结果分析：从检测结果可以看出，本次试验冷坩埚高纯小方锭单晶棒电阻率范围为0.75-1.45Ω·cm，正常单晶棒电阻率范围1-3Ω·cm，（正常生产中单晶头部电阻率控制为2.2-2.3Ω·cm，生长至尾部一般在1Ω·cm以上）；本次试验头部电阻率为1.45，与上次试验头部电阻率1.24相比有所提高，基本与预期结果相符合，由于冷坩埚高纯小方锭所用原料为单晶生产结束后的埚底料，而埚底料电阻率基本都小于1Ω·cm，因此用冷坩埚高纯小方锭拉制的单晶棒电阻率会较正常生产偏低，同时单晶锅底料电阻率的高低也对冷坩埚高纯小方锭电阻率有着决定性影响。
单晶硅熔接实验报告(Diping Test Report)
2. 预想效果
熔接工艺标准化，各个炉子熔接工艺相同 熔接工艺稳定化，熔接时籽晶位置一致 籽晶反复使用减少籽晶使用成本 改善工艺减少回熔次数而提高产量
3. 试验安排
先安排4台炉子进行预先试验，如能达到预期效果再进行进一步推广试验， 试验结果分析后由生产部决定是否在生产上进行推广生产。
Ⅱ. 试验方法概述
8～10mm
定。
2）如在籽晶与液面接触处有结晶现象时表明此时 熔液的温度偏低，这时适当增加ATC的值，调
整熔液温度，直到熔接温度合适。
Cold
Ⅱ. 试验方法概述
试验方法
3）如籽晶与液面接触处的亮光圈很亮很
小，亮圈内没有暗光圈，且看不见四个点 时表明熔液的温度高，这时适当减低ATC 的值，调整熔液温度，直到熔接温度合适。
Ⅱ. 试验方法概述
试验原理
改善熔接工艺减少回熔次数而增加成晶率
熔接找温完毕后就可进行引晶工序，而引晶的目的是为了消除熔接时产生的位错， 位错的滑移面为{111}，滑移方向为<110>，攀移面垂直于滑移面，在引晶过程中， 位错一边攀移，一边延伸到籽晶表面而终止，从而获得无位错晶核。 L=D tanӨ=Dtan19o2801 ≈׳D L:引晶长度； Ө ：棱位错线与{111}晶向之间夹角；D：细颈直径 由上述可知熔接时籽晶的直径D越小引晶长度L可越短，且越容易排除位错
Ⅱ. 试验方法概述
试验原理
通过籽晶的反复使用而减少籽晶的使用成本
假设一个籽晶的加工费用为200RMB，使用原籽晶进行熔接每台炉子每个月需要4 个籽晶，那么一年中所有炉子籽晶的费用为： M1=4(个）*32（台）*12（月）*200（元）=307，200RMB 假设一个籽晶的加工费用为200RMB，使用上一炉的引晶部分进行熔接，因可以 无限次的反复使用，考虑到母籽晶在生产中缺陷的产生一年中一台设备需3个母籽 晶，那么一年中所有炉子籽晶的费用为： M2=3（个）*32（台）*1（年）*200（元）=19，200RMB 那么两种熔接工艺方法籽晶的费用差为： M1-M2=307，200-19，200=28，800RMB
(2023)单晶硅棒项目可行性研究报告模板(一)
(2023)单晶硅棒项目可行性研究报告模板(一)报告模板介绍•本文将介绍针对2023年单晶硅棒项目的可行性研究报告模板，旨在帮助相关从业人员更好地进行研究和分析。
报告内容•报告主要包括以下内容：1. 项目概述•本部分将主要介绍项目的背景、目的、范围、预期效果等内容。
2. 市场分析•本部分将主要分析市场需求、竞争环境、销售渠道等内容。
3. 技术分析•本部分将主要分析生产工艺、设备选型、技术优劣势等内容。
4. 经济分析•本部分将主要分析项目的投资、收益预测、风险评估等内容。
5. 管理组织•本部分将主要介绍项目的管理体系、组织架构、人员分工等内容。
6. 建设方案•本部分将主要介绍项目的建设方案、时间节点、投资计划等内容。
报告要求•编写报告时需遵循以下要求：1. 报告格式•报告应符合国家标准，并按照要求进行排版。
2. 报告内容•报告内容应准确、完整、详尽，实事求是。
3. 语言表达•报告应使用规范的语言表达，避免使用太过口语化的词语。
4. 技术要求•报告中所使用的技术数据和分析方法应准确可靠，分析过程应严谨科学。
结束语•以上介绍了针对2023年单晶硅棒项目的可行性研究报告模板，希望可以为相关从业人员提供参考帮助，确保项目的顺利实施。
编写可行性研究报告的建议以下是一些编写可行性研究报告的建议：1.基于实际情况进行研究•在编写报告时应该根据实际情况进行研究，不要泛泛而谈。
2.数据来源可靠•在数据收集过程中要确保数据来源可靠，数据的质量准确。
3.提供详细数据和信息•为了使报告更为完整，可以提供相关数据和信息，如图表、技术说明书和费用估算表等。
4.适当的使用技术术语•在讨论技术分析时，为了使报告更加精细，必要时可以使用技术术语。
5.合理评估项目风险•对于可能出现的风险要进行充分的研究和评估，并提出应对方案。
6.结论清晰•在报告结尾处需要对结果进行总结并提出建议，使读者更好地了解该项目的可行性。
以上是编写可行性研究报告的建议，编写者可以根据实际情况进行参考和选择。
单晶实验报告
单晶实验报告一、实验目的本次单晶实验的主要目的是通过特定的实验方法和条件，生长出高质量的单晶材料，并对其结构和性能进行分析和研究。
二、实验原理单晶是指其内部原子或分子按照一定的周期性和对称性规则排列的固体材料。
在单晶生长过程中，通常需要控制温度、溶液浓度、过饱和度等因素，以促使晶体在特定的晶面上优先生长。
常见的单晶生长方法包括提拉法、坩埚下降法、水热法等。
本次实验采用了水热法来生长单晶。
水热法是在高温高压的水溶液环境中，使反应物发生化学反应并结晶生长的方法。
其原理是利用水在高温高压下的特殊物理化学性质，提高反应的活性和溶解度，从而促进晶体的形成和生长。
三、实验材料与设备1、实验材料反应原料：＿____、＿____等。
溶剂：去离子水。
2、实验设备高压反应釜：具有良好的密封性能和耐温耐压能力。
烘箱：用于干燥样品。
电子天平：精确称量实验原料。
磁力搅拌器：使反应体系均匀混合。
四、实验步骤1、按照一定的化学计量比称取反应原料，并将其放入高压反应釜的内衬中。
2、加入适量的去离子水，使反应原料充分溶解。
3、安装好高压反应釜，将其放入烘箱中，设置反应温度和时间。
4、反应结束后，自然冷却至室温，取出反应产物。
5、对产物进行过滤、洗涤和干燥处理，得到初步的单晶样品。
五、实验结果与分析1、晶体外观经过处理得到的单晶样品外观呈现出规则的几何形状，表面光滑，色泽均匀。
2、晶体结构分析通过 X 射线衍射（XRD）技术对单晶的结构进行分析，得到了清晰的衍射图谱。
经过与标准卡片对比和数据拟合，确定了晶体的结构类型和晶格参数。
3、成分分析采用能谱分析（EDS）等方法对单晶的成分进行了测定，结果表明样品的成分与预期相符，没有明显的杂质元素存在。
4、性能测试对单晶进行了相关性能测试，如电学性能、光学性能等。
测试结果显示，该单晶在特定条件下表现出了良好的性能，具有一定的应用潜力。
六、实验中遇到的问题及解决方法1、反应釜密封不严在实验过程中，发现反应釜存在密封不严的问题，导致压力无法达到设定值。
单晶实习报告
一、实习目的通过本次单晶硅实习，了解单晶硅的生产工艺流程，掌握单晶硅的生产技术，熟悉单晶硅生产设备，提高自己的实际操作能力，为今后从事相关工作打下基础。
二、实习时间及地点实习时间：2023年X月X日至2023年X月X日实习地点：XX科技有限公司三、实习内容1. 单晶硅生产工艺流程（1）硅料熔化：将高纯度的硅粉和硼粉按一定比例混合，放入单晶炉中进行熔化。
（2）单晶生长：将熔化后的硅液倒入籽晶杆上，通过单晶炉的冷却系统，使硅液缓慢凝固，形成单晶硅棒。
（3）单晶硅棒切割：将生长出的单晶硅棒进行切割，得到所需尺寸的单晶硅片。
（4）单晶硅片清洗：对切割出的单晶硅片进行清洗，去除表面杂质。
（5）单晶硅片扩散：将清洗后的单晶硅片进行扩散处理，形成PN结。
（6）单晶硅片蚀刻：对扩散后的单晶硅片进行蚀刻，形成太阳能电池的电极。
（7）太阳能电池片封装：将蚀刻后的单晶硅片进行封装，形成太阳能电池片。
2. 单晶硅生产设备（1）单晶炉：用于熔化硅料和生长单晶硅棒。
（2）切割机：用于切割单晶硅棒，得到所需尺寸的单晶硅片。
（3）清洗设备：用于清洗单晶硅片，去除表面杂质。
（4）扩散炉：用于扩散处理单晶硅片，形成PN结。
（5）蚀刻机：用于蚀刻单晶硅片，形成太阳能电池的电极。
（6）封装机：用于封装单晶硅片，形成太阳能电池片。
3. 实习操作（1）观察单晶炉熔化硅料的过程，了解熔化温度、时间等因素对硅料熔化的影响。
（2）学习单晶生长过程中的冷却系统操作，掌握冷却速度、温度等参数的调整方法。
（3）观察切割机切割单晶硅棒的过程，了解切割速度、压力等因素对切割质量的影响。
（4）学习清洗设备清洗单晶硅片的方法，掌握清洗液的配比、清洗时间等参数。
（5）观察扩散炉扩散处理单晶硅片的过程，了解扩散温度、时间等因素对PN结形成的影响。
（6）学习蚀刻机蚀刻单晶硅片的方法，掌握蚀刻液配比、蚀刻时间等参数。
（7）观察封装机封装单晶硅片的过程，了解封装材料、封装工艺等因素对太阳能电池片性能的影响。
单晶检验年终工作总结
单晶检验年终工作总结一、工作内容及完成情况在过去一年中，作为单晶检验员，我主要负责对生产出的单晶材料进行质量检查，确保产品符合公司的标准要求。
具体的工作内容包括：1. 对单晶材料的外观进行检查，查看是否有裂纹、气泡、瑕疵等问题；2. 使用显微镜对单晶材料的晶格结构进行观察，判断晶体的质量；3. 测量单晶材料的尺寸和重量，确保其满足要求；4. 进行非破坏性测试，如超声波检测，以发现潜在的问题；5. 记录和汇总检验结果，及时上报给相关部门。
在过去的一年中，我按时完成了上级下达的检验任务，并保证了检验的准确性和及时性。
没有发生因检验问题引起的产品质量事故，受到了公司领导的肯定和好评。
二、遇到的困难及解决方法在进行单晶检验的过程中，我遇到了一些困难，主要表现为以下几个方面：1. 高负荷工作压力由于公司的生产规模不断扩大，每天需要检验的单晶材料数量大幅增加，增加了我的工作负荷。
为了应对这种情况，我主动加班并加强时间管理，合理调配工作进度，确保任务按时完成。
2. 对新型材料的不熟悉公司在研发新型单晶材料，并将其投入生产使用。
由于对这些新材料不熟悉，我在检验过程中无法准确判断其缺陷和质量状况。
为了解决这个问题，我主动了解新材料的特性，并与研发人员进行交流和学习。
通过不断的学习和实践，我逐渐积累了对新材料的检验经验。
3. 与他人的合作问题在工作中，我需要与其他部门的同事合作，如生产部门、质量管理部门等。
由于彼此工作重心不同，沟通协调不畅，导致工作延误和产生冲突。
为了解决这个问题，我主动加强与其他部门的沟通，及时了解他们的需求和工作进展，积极配合，确保工作的顺利进行。
三、工作收获与自我提升在过去一年的工作中，我不仅完成了自己的主要任务，还取得了一些工作收获，并在某些方面实现了个人的自我提升。
首先，通过与显微镜的深度接触和应用，我对单晶材料的晶格结构有了更深入的理解，能够准确判断晶体的质量，提高了自己的专业知识水平。
真空电弧熔炼实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 了解真空电弧熔炼的基本原理和操作方法。
2. 掌握真空电弧熔炼设备的使用和维护。
3. 通过实验，提高金属熔炼技术，提高金属熔炼质量。
二、实验原理真空电弧熔炼是一种在真空条件下，利用电弧加热熔炼金属的方法。
其原理是在真空或保护性气氛条件下，通过电弧放电产生的热量来加热和熔炼金属。
真空电弧熔炼具有以下特点：1. 熔炼过程中，金属液免受氧化，有利于金属的提纯。
2. 金属熔炼处于密闭容器中，环境污染小，工作环境好。
3. 熔炼温度高，熔炼速度快，熔炼质量好。
三、实验设备与材料1. 真空电弧熔炼炉：真空度可达10-3Pa，功率为10kW。
2. 电极：采用钨电极，直径为10mm。
3. 金属原料：纯镍、不锈钢、铝合金等。
4. 保温材料：石英砂。
5. 量具：电子秤、温度计、电压表、电流表等。
四、实验步骤1. 准备实验设备，检查真空电弧熔炼炉的真空度、功率等参数是否符合要求。
2. 将金属原料和保温材料放入真空电弧熔炼炉中。
3. 打开真空泵，抽真空至10-3Pa以下。
4. 合上炉盖，启动真空电弧熔炼炉，调整电流和电压，使电弧稳定。
5. 观察熔炼过程，记录熔炼温度、电流、电压等参数。
6. 熔炼结束后，关闭真空泵，停止电弧，待金属凝固后取出熔炼产品。
7. 对熔炼产品进行外观检查和性能测试。
五、实验结果与分析1. 实验过程中，真空电弧熔炼炉的真空度、功率等参数均符合要求。
2. 熔炼过程中，电弧稳定，熔炼温度、电流、电压等参数均记录在案。
3. 熔炼结束后，取出熔炼产品，外观检查未见明显缺陷，性能测试结果如下：（1）纯镍熔炼产品：熔点1435℃，抗拉强度≥590MPa，屈服强度≥345MPa，伸长率≥35%。
（2）不锈钢熔炼产品：熔点约1500℃，抗拉强度≥540MPa，屈服强度≥345MPa，伸长率≥30%。
（3）铝合金熔炼产品：熔点约660℃，抗拉强度≥240MPa，屈服强度≥150MPa，伸长率≥10%。
单晶运行工实习报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，半导体行业在我国得到了迅猛的发展。
单晶硅作为半导体行业的基础材料，其生产过程对技术要求极高。
为了深入了解单晶硅生产过程，提高自己的专业技能，我于2023年在某半导体企业进行了为期一个月的单晶运行工实习。
二、实习单位及岗位实习单位：某半导体企业实习岗位：单晶运行工三、实习内容1. 单晶硅生产原理及工艺流程在实习期间，我首先学习了单晶硅的生产原理及工艺流程。
单晶硅的生产主要包括以下几个步骤：（1）原料准备：将石英砂、焦炭等原料进行混合，制成硅料。
（2）还原：将硅料在高温下进行还原，得到多晶硅。
（3）熔炼：将多晶硅熔炼成硅锭。
（4）拉晶：将硅锭在高温下进行拉晶，得到单晶硅棒。
（5）切割、抛光：将单晶硅棒切割成硅片，并进行抛光处理。
2. 单晶生长设备操作及维护在实习期间，我学习了单晶生长设备的基本操作及维护方法。
单晶生长设备主要包括：（1）单晶炉：用于熔炼多晶硅和生长单晶硅。
（2）机械臂：用于操作硅锭、硅棒等。
（3）检测设备：用于检测硅锭、硅棒的质量。
（4）冷却系统：用于保证单晶生长过程中的温度稳定。
我跟随师傅学习了单晶炉的操作流程，包括设备启动、硅锭的放置、温度控制等。
同时，我还学习了设备的维护保养方法，确保设备正常运行。
3. 单晶硅质量控制单晶硅的质量直接影响到半导体器件的性能。
在实习期间，我学习了单晶硅的质量控制方法，包括：（1）外观检查：检查硅锭、硅棒的外观是否有裂纹、杂质等。
（2）化学成分分析：分析硅锭、硅棒的化学成分是否符合要求。
（3）电阻率测试：测试硅锭、硅棒的电阻率。
（4）晶向测试：测试硅锭、硅棒的晶向。
4. 安全生产及应急预案在实习期间，我学习了安全生产的基本知识和应急预案。
安全生产是企业发展的基础，作为一名单晶运行工，我深知安全生产的重要性。
我学习了如何正确佩戴个人防护用品，如何应对突发事件等。
四、实习收获1. 提高了自己的专业技能通过实习，我对单晶硅的生产过程有了更加深入的了解，提高了自己的专业技能。
光伏晶棒检验工作总结报告
光伏晶棒检验工作总结报告为了确保光伏晶棒的质量和性能，提高光伏产品的整体效能，我单位在过去一段时间开展了光伏晶棒的检验工作。
现将此次检验工作进行总结和分析，以期对今后的工作有所启示和改进。
首先，我单位建立了完善的光伏晶棒检验流程，并制定了相应的检验标准和规范。
我们参考了国内外相关行业的标准，并结合我们自身的实际情况，制定了一套适合我单位的检验规范。
这为我们的检验工作提供了明确的目标和方向，确保了检验的准确性和可靠性。
其次，我们采用了先进的检验设备和技术。
我们购置了最新的光伏晶棒检验设备，并对相关人员进行了培训，确保他们能够熟练运用这些设备和技术。
这些设备和技术的使用，大大提高了我们的检验效率和准确性，为产品的质量把关提供了有力支持。
在检验过程中，我们注重了各个环节的严格把控。
从原材料的采购到最终产品的出厂，我们都进行了全面的检验和监控。
我们注重对晶棒的外观、尺寸、电学性能等方面的检验，并在每个环节设有相应的检验点，确保每一道工序都符合要求，确保产品的质量稳定可靠。
通过本次检验工作，我们发现了一些问题并进行了相应的改进措施。
例如，在检验过程中，我们发现了一些晶棒的外观缺陷，通过与生产部门的沟通，他们进行了工艺上的改进，解决了外观问题。
另外，我们还发现了一些电学性能不达标的晶棒，通过强化培训和设备调整，改善了检验结果。
这些改进措施的实施，提高了我们的产品质量和生产效率。
总体来说，本次光伏晶棒的检验工作取得了较为满意的成果。
我们建立了完善的检验流程和标准，并采用先进的设备和技术，保证了检验的准确性和可靠性。
通过对检验结果的分析和问题的改进，我们进一步提高了产品的质量和生产效率。
然而，我们也意识到在今后的工作中，还需要进一步完善我们的检验体系，提高检验的自动化程度和智能化水平，以适应光伏产业的快速发展和市场的需求。
总之，本次光伏晶棒的检验工作为我单位的产品质量把关起到了积极的作用。
我们将继续加强对检验流程和标准的改进和完善，提高检验的效率和准确性，为光伏产业的发展做出更大的贡献。
冷态试验报告-1-24
汪清县龙腾能源开发有限公司小颗粒发电厂2#炉冷态试验报告东北电力大学东电科技开发总部2010年1月汪清县龙腾能源开发有限公司小颗粒发电厂建有2台35t/h内循环流化床锅炉，该锅炉由东北电力大学设计，江西江联能源环保股份有限公司生产。
为确保锅炉顺利进行冷态点火启动和热态安全、稳定运行，东北电力大学于2009年12月24日至12月31日对2#炉进行了冷态试验。
通过冷态试验，一方面检查锅炉的制造、安装情况，了解锅炉主要部件和配套辅机的冷态工作特性，另一方面可为热态提供必要的运行参数，从而保证锅炉燃烧安全，防止床面结焦和设备烧损，保证汽温汽压稳定。
1 设备概况 (1)1.1 锅炉系统简介 (1)1.2 锅炉技术参数 (1)1.3 锅炉设计煤质分析 (1)1.4 设计燃料粒径要求 (2)2 试验内容 (2)3 试验安排 (3)4 所用仪器及材料 (3)5 试验方法 (4)5.1 密封试验 (4)5.2 标定机翼测风装置 (5)5.3 鉴定风机是否到铭牌出力 (12)5.4 测定布风板阻力 (13)5.5 料层阻力及临界流化速度的测定 (14)5.6 布风均匀性试验 (17)5.7 给煤机出力试验 (18)5.8 筛分试验 (18)6 试验结果及分析 (19)6.1 密封试验 (19)6.2 引风机性能试验 (19)6.3 送风机性能试验 (24)6.4 一次风流量计标定 (29)6.5 二次风流量计标定 (29)6.6 布风板阻力特性 (30)6.7 料层阻力及临界流化速度 (31)6.8 布风均匀性试验 (38)6.9 2#给煤机出力试验 (39)6.10 燃料筛分试验 (40)7 结论 (41)1 设备概况1.1 锅炉系统简介本锅炉为双锅筒横置式自然循环水管锅炉，采用炉内复合循环流化床燃烧方式。
锅炉本体为T型布置。
锅炉前部为炉膛，中部为转折室和过热器，后部为对流受热面、省煤器及空气预热器。
锅炉采用平衡通风，密相区(流化床)域为正压、悬浮室及对流换热面区域为负压，压力平衡点位于给煤口处(约1400mm)。
单晶炉实习报告
一、实习背景随着科技的不断进步和新能源产业的蓬勃发展，单晶硅作为太阳能电池、半导体器件等高科技产品的重要原材料，其生产技术日益受到重视。
为了更好地了解单晶硅的生产工艺和操作流程，提高自身专业技能，我于近期在XX单晶硅科技有限公司进行了为期两周的单晶炉实习。
二、实习目的1. 了解单晶硅的生产工艺流程，掌握单晶硅的生产原理。
2. 熟悉单晶炉的操作方法和注意事项，提高实际操作能力。
3. 深入了解单晶硅行业的市场前景和行业动态。
三、实习内容1. 单晶硅生产工艺原理单晶硅生产工艺主要包括以下几个步骤：（1）原料准备：将石英砂、焦炭等原料在高温下进行还原反应，得到多晶硅。
（2）提纯：将多晶硅进行提纯处理，得到高纯度的多晶硅。
（3）单晶生长：采用直拉法或区熔法等工艺，将多晶硅制成单晶硅棒。
（4）切割：将单晶硅棒切割成硅片。
（5）清洗、研磨、抛光：对硅片进行清洗、研磨、抛光等处理，提高其表面质量。
2. 单晶炉操作方法及注意事项（1）单晶炉操作方法单晶炉操作主要包括以下几个步骤：①装炉：将多晶硅原料放入炉内，调整好位置。
②升温：按工艺要求逐渐升温，使多晶硅开始熔化。
③生长：在高温下，通过旋转提拉杆，使多晶硅熔体向上提拉，形成单晶硅棒。
④冷却：单晶硅棒生长完成后，进行冷却处理。
（2）注意事项①操作前，仔细阅读操作规程，了解设备性能和注意事项。
②操作过程中，保持稳定心态，严格按照操作规程进行。
③注意观察炉内情况，确保生长过程顺利进行。
④注意安全，防止高温、高压等危险情况发生。
3. 单晶硅行业市场前景及动态随着全球能源危机的加剧，太阳能、风能等新能源产业得到迅速发展，对单晶硅的需求日益增长。
我国政府也大力支持新能源产业发展，为单晶硅行业提供了良好的政策环境。
预计未来几年，单晶硅行业将保持高速增长，市场前景广阔。
四、实习总结通过本次单晶炉实习，我对单晶硅的生产工艺、操作方法及行业前景有了更深入的了解。
以下是我对本次实习的总结：1. 学到了单晶硅的生产工艺原理，掌握了单晶炉的操作方法和注意事项。
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单晶实验检测报告
报告编号：201608001
名称：冷坩埚高纯小方锭单晶实验
测试部门：包头市山晟新能源有限责任公司检测中心
审核部门：内蒙古晟科创新科技有限公司
拟制：胡雪松日期：2016.08.15
审核：董志远日期：2016.08.15
报告编号：201608001
一、冷坩埚小方锭成品纯度分析结果（即各种杂质含量，单位ppb）如下：
检测日期2016年7月20日
样品名称铬铁镍铜锌杂质总量（ppb）
锅底料1 250.82 2071.45 180.33 0 0 2502.60 锅底料2 596.15 2599.04 247.98 0 0 3443.17
05R12016071301
成品锭上侧
1.10 7.33 1.61 0 0 10.04
05R12016072604
成品锭上侧
0.19 6.45 0.45 0 0 7.09
二、冷坩埚高纯小方锭在山晟单晶分厂拉晶结果如下：
全部用冷坩埚高纯小方锭作为拉单晶原料，在单晶分厂进行了试验，其结果如下：
2.1配料
名称电阻率范
围合计重量（kg）
冷坩埚高纯小方锭0.76-1.31 130 2.2单晶棒图片如下
单晶棒编号为SS1608A2704Z
2.3拉制单晶后各物料数据明细
投料量130kg 有效长度1355 有效重量112.46kg 晶棒重量122.71kg 埚底料 4.11kg 吊盖 3.06kg 头料重量 2.29kg 尾料重量 5.06kg 样片重量 1.2kg 圆棒编号圆棒重量圆棒长度圆棒编号圆棒重量圆棒长度SS1608A2704Z1 27.36 320 SS1608A2704Z3 27.12 318
SS1608A2704Z2 26.4 312 SS1608A2704Z4 32.92 390
2.4单晶棒取样
单晶棒从头部到尾部分成4段，每段编号分别为SS1608A2704Z1、SS1608A2704Z2、SS1608A2704Z3、SS1608A2704Z4，分别在每段头部和最后一段SS1608A2704Z4的尾部取样测试，总共取了5个样片，样片编号分别为SS1608A2704Z1、SS1608A2704Z2、SS1608A2704Z3、SS1608A2704Z4、SS1608A2704Z。
2.5单晶棒测试数据如下
以上最后5组数据是用冷坩埚高纯小方锭拉单晶后的测试数据，编号分别为SS1608A2704Z1、SS1608A2704Z2、SS1608A2704Z3、SS1608A2704Z4、SS1608A2704Z。
2.6电阻率测试结果
序号距离头部距离（mm）电阻率值
1 0 1.24
2 50 1.2
3 100 1.14
4 150 1.11
5 200 1.09
6 250 1.06
7 300 1.04
8 350 1.05
9 400 1.05
10 450 1.01
11 500 0.96
12 550 0.95
13 600 0.92
14 650 0.92
15 700 0.87
16 750 0.86
17 800 0.85
18 850 0.85
19 900 0.92
20 950 0.88
21 1000 0.88
22 1050 0.91
23 1100 0.88
24 1150 0.85
25 1200 0.81
26 1250 0.78
27 1300 0.76
28 1350 0.74
29 1400 0.75
30 1450 0.71
三、实验结果
从数据上分析，得出一下结果：
✓冷坩埚小方锭中氧含量低，后期有利于降低电池片光衰；
✓单晶中测得的碳含量能够更准确反映原料中碳含量，上面4点碳含量都满足单晶要求，只有单晶尾部碳含量略高，考虑到分凝作用，说明原料
中的碳含量不高；
✓少子寿命最小值头部20多，中间15以上，尾部9.18，说明金属杂质很低。