082a世界最漂亮[1]..

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TL082中文资料——运放

PACKAGING INFORMATIONOrderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)5962-9851501Q2A ACTIVE LCCC FK201TBD Call TI Call TI5962-9851501QPA ACTIVE CDIP JG81TBD A42N / A for Pkg Type 5962-9851503Q2A ACTIVE LCCC FK201TBD Call TI Call TI5962-9851503QCA ACTIVE CDIP J141TBD Call TI Call TI TL081ACD ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081ACDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081ACDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081ACDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081ACDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081ACDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL081ACJG OBSOLETE CDIP JG8TBD Call TI Call TITL081ACP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL081ACPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL081BCD ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081BCDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081BCDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081BCDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081BCDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081BCDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL081BCP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL081BCPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg TypeAddendum-Page 1Orderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)TL081CD ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081CDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081CDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081CDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081CDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081CDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL081CP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL081CPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL081CPSR ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081CPSRE4ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081CPSRG4ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL081CPWLE OBSOLETE TSSOP PW8TBD Call TI Call TI TL081ID ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081IDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081IDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081IDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081IDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL081IDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL081IP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL081IPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg TypeAddendum-Page 2Orderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)TL081MFKB OBSOLETE LCCC FK20TBD Call TI Call TITL081MJG OBSOLETE CDIP JG8TBD Call TI Call TITL081MJGB OBSOLETE CDIP JG8TBD Call TI Call TITL082ACD ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082ACDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082ACDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082ACDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082ACDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082ACDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL082ACP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082ACPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082ACPSR ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082ACPSRE4ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082ACPSRG4ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082BCD ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082BCDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082BCDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082BCDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082BCDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082BCDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMAddendum-Page 3Orderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)TL082BCP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082BCPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082CD ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL082CJG OBSOLETE CDIP JG8TBD Call TI Call TITL082CP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082CPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082CPSR ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CPSRG4ACTIVE SO PS82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CPW ACTIVE TSSOP PW8150Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CPWE4ACTIVE TSSOP PW8150Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CPWG4ACTIVE TSSOP PW8150Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL082CPWLE OBSOLETE TSSOP PW8TBD Call TI Call TITL082CPWR ACTIVE TSSOP PW82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CPWRE4ACTIVE TSSOP PW82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082CPWRG4ACTIVE TSSOP PW82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMAddendum-Page 427-Apr-2012Orderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)TL082ID ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082IDE4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082IDG4ACTIVE SOIC D875Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082IDR ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082IDRE4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082IDRG4ACTIVE SOIC D82500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL082IJG OBSOLETE CDIP JG8TBD Call TI Call TITL082IP ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082IPE4ACTIVE PDIP P850Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL082IPWR ACTIVE TSSOP PW82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082IPWRE4ACTIVE TSSOP PW82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL082IPWRG4ACTIVE TSSOP PW82000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL082MFK OBSOLETE LCCC FK20TBD Call TI Call TITL082MFKB ACTIVE LCCC FK201TBD POST-PLATE N / A for Pkg Type TL082MJG ACTIVE CDIP JG81TBD A42N / A for Pkg Type TL082MJGB ACTIVE CDIP JG81TBD A42N / A for Pkg Type TL084ACD ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ACDE4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ACDG4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ACDR ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ACDRE4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM27-Apr-2012Orderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)TL084ACDRG4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ACN ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL084ACNE4ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL084ACNSR ACTIVE SO NS142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ACNSRE4ACTIVE SO NS142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ACNSRG4ACTIVE SO NS142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084BCD ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084BCDE4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084BCDG4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084BCDR ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084BCDRE4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084BCDRG4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL084BCN ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL084BCNE4ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL084CD ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CDE4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CDG4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CDR ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CDRE4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM27-Apr-2012Orderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)TL084CDRG4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CJ OBSOLETE CDIP J14TBD Call TI Call TITL084CN ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL084CNE4ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg Type TL084CNSLE OBSOLETE SO NS14TBD Call TI Call TITL084CNSR ACTIVE SO NS142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CNSRG4ACTIVE SO NS142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CPW ACTIVE TSSOP PW1490Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CPWE4ACTIVE TSSOP PW1490Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CPWG4ACTIVE TSSOP PW1490Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM TL084CPWLE OBSOLETE TSSOP PW14TBD Call TI Call TITL084CPWR ACTIVE TSSOP PW142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CPWRE4ACTIVE TSSOP PW142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084CPWRG4ACTIVE TSSOP PW142000Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084ID ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084IDE4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084IDG4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084IDR ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084IDRE4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084IDRG4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM27-Apr-2012Orderable Device Status (1)Package Type PackageDrawing Pins Package Qty Eco Plan (2)Lead/Ball FinishMSL Peak Temp (3)Samples(Requires Login)TL084IJ OBSOLETE CDIP J14TBD Call TI Call TITL084IN ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg TypeTL084INE4ACTIVE PDIP N1425Pb-Free (RoHS)CU NIPDAU N / A for Pkg TypeTL084MFK ACTIVE LCCC FK201TBD POST-PLATE N / A for Pkg TypeTL084MFKB ACTIVE LCCC FK201TBD POST-PLATE N / A for Pkg TypeTL084MJ ACTIVE CDIP J141TBD A42N / A for Pkg TypeTL084MJB ACTIVE CDIP J141TBD A42N / A for Pkg TypeTL084QD ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084QDG4ACTIVE SOIC D1450Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084QDR ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIMTL084QDRG4ACTIVE SOIC D142500Green (RoHS& no Sb/Br)CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM(1) The marketing status values are defined as follows:ACTIVE: Product device recommended for new designs.LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.(2) Eco Plan - The planned eco-friendly classification: Pb-Free (RoHS), Pb-Free (RoHS Exempt), or Green (RoHS & no Sb/Br) - please check /productcontent for the latest availability information and additional product content details.TBD: The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined.Pb-Free (RoHS): TI's terms "Lead-Free" or "Pb-Free" mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirements for all 6 substances, including the requirement that lead not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, TI Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes.Pb-Free (RoHS Exempt): This component has a RoHS exemption for either 1) lead-based flip-chip solder bumps used between the die and package, or 2) lead-based die adhesive used between the die and leadframe. The component is otherwise considered Pb-Free (RoHS compatible) as defined above.Green (RoHS & no Sb/Br): TI defines "Green" to mean Pb-Free (RoHS compatible), and free of Bromine (Br) and Antimony (Sb) based flame retardants (Br or Sb do not exceed 0.1% by weight in homogeneous material)(3) MSL, Peak Temp. -- The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and27-Apr-2012 continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals. TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.OTHER QUALIFIED VERSIONS OF TL082, TL082M, TL084, TL084M :•Catalog: TL082, TL084•Automotive: TL082-Q1, TL082-Q1•Military: TL082M, TL084MNOTE: Qualified Version Definitions:•Catalog - TI's standard catalog product•Automotive - Q100 devices qualified for high-reliability automotive applications targeting zero defects•Military - QML certified for Military and Defense ApplicationsTAPE AND REELINFORMATION *Alldimensions are nominal Device Package Type Package DrawingPinsSPQ Reel Diameter (mm)Reel Width W1(mm)A0(mm)B0(mm)K0(mm)P1(mm)W (mm)Pin1Quadrant TL081ACDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL081BCDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL081CDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL081CPSR SOPS 82000330.016.48.2 6.6 2.512.016.0Q1TL081IDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082ACDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082ACDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082ACPSR SOPS 82000330.016.48.2 6.6 2.512.016.0Q1TL082BCDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082CDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082CDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082CPSR SOPS 82000330.016.48.2 6.6 2.512.016.0Q1TL082CPWR TSSOPPW 82000330.012.47.0 3.6 1.68.012.0Q1TL082IDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082IDR SOICD 82500330.012.4 6.4 5.2 2.18.012.0Q1TL082IPWR TSSOPPW 82000330.012.47.0 3.6 1.68.012.0Q1TL084ACDR SOICD 142500330.016.4 6.59.0 2.18.016.0Q1TL084ACDR SOIC D 142500330.016.4 6.59.0 14-Jul-2012DevicePackage Type Package DrawingPinsSPQ Reel Diameter (mm)Reel Width W1(mm)A0(mm)B0(mm)K0(mm)P1(mm)W (mm)Pin1Quadrant TL084ACNSR SONS 142000330.016.48.210.5 2.512.016.0Q1TL084BCDR SOICD 142500330.016.4 6.59.0 2.18.016.0Q1TL084CDR SOICD 142500330.016.4 6.59.0 2.18.016.0Q1TL084CNSR SONS 142000330.016.48.210.5 2.512.016.0Q1TL084CPWR TSSOPPW 142000330.012.4 6.9 5.6 1.68.012.0Q1TL084IDR SOICD 142500330.016.4 6.59.0 2.18.016.0Q1TL084QDR SOIC D 142500330.016.4 6.59.0 2.18.016.0Q1*All dimensions are nominalDevicePackage Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm)Width (mm)Height (mm)TL081ACDRSOIC D 82500340.5338.120.6TL081BCDRSOIC D 82500340.5338.120.6TL081CDRSOIC D 82500340.5338.120.6TL081CPSRSO PS 82000367.0367.038.0TL081IDRSOIC D 82500340.5338.120.6TL082ACDRSOIC D 82500340.5338.120.6TL082ACDRSOIC D 82500367.0367.035.0TL082ACPSRSO PS 82000367.0367.038.0TL082BCDRSOIC D 82500340.5338.120.6TL082CDR SOIC D 82500340.5338.120.6 14-Jul-2012DevicePackageType Package Drawing Pins SPQ Length (mm)Width (mm)Height (mm)TL082CDRSOIC D 82500367.0367.035.0TL082CPSRSO PS 82000367.0367.038.0TL082CPWRTSSOP PW 82000367.0367.035.0TL082IDRSOIC D 82500367.0367.035.0TL082IDRSOIC D 82500340.5338.120.6TL082IPWRTSSOP PW 82000367.0367.035.0TL084ACDRSOIC D 142500333.2345.928.6TL084ACDRSOIC D 142500367.0367.038.0TL084ACNSRSO NS 142000367.0367.038.0TL084BCDRSOIC D 142500333.2345.928.6TL084CDRSOIC D 142500333.2345.928.6TL084CNSRSO NS 142000367.0367.038.0TL084CPWRTSSOP PW 142000367.0367.035.0TL084IDRSOIC D 142500333.2345.928.6TL084QDR SOIC D 142500367.0367.038.0 14-Jul-2012IMPORTANT NOTICETexas Instruments Incorporated and its subsidiaries(TI)reserve the right to make corrections,enhancements,improvements and other changes to its semiconductor products and services per JESD46C and to discontinue any product or service per JESD48B.Buyers should obtain the latest relevant information before placing orders and should verify that such information is current and complete.All semiconductor products(also referred to herein as“components”)are sold subject to TI’s terms and conditions of sale supplied at the time of order acknowledgment.TI warrants performance of its components 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世界最美丽海滩排行，个个都像画中的仙境一般（一饱眼福）—度哥世界之最

世界最美丽海滩排行，个个都像画中的仙境一般（一饱眼福）
—度哥世界之最
因为疫情的原因，许多人寒假出游的计划都落了空。

今天，我们就来盘点一下世界上最美丽的海滩，为疫情结束后的出游做准备！
世界最美丽海滩排行NO1 马尔代夫
马尔代夫的美丽，无需多言，这里是来自全世界的新婚夫妻举办婚礼盛典、度过蜜月旅行的首选之地。

这里全年气候宜人，一年中的任何一天都可以来旅行，享受海岛的放松。

马尔代夫天蓝色的天空、蓝绿色的大海、柔软的白色沙滩，还有绿油油的棕榈树，构成了一幅美丽的画卷，令人心旷神怡。

在这里，你还可以享受水上运动、水疗、潜水等绝佳的体验。

世界最美丽海滩排行NO2 塞舌尔
塞舌尔位于东非，是印度洋上的一个群岛国家，这里风景美丽，被誉为“旅行者天堂”，整个国家一半以上的地区都是自然保护区。

塞舌尔岛屿的海滩，同样是白色沙滩，素净雅致。

塞舌尔的海岸十分美丽，海水像蓝色水晶般透明清澈，这里是全世界自然风光摄影师最爱来的地方。

此外，塞舌尔拥有大量鸟类和海豚等水生生物，十分适合带着小孩子来见识一下大自然的美妙。

世界最美丽海滩排行NO3 波拉波拉岛
波拉波拉岛位于太平洋东南部，是社会群岛最美的岛屿之一，也被称为“浪漫之岛”。

这里海岸线很长，海滩辽阔、干净，海水也如绿松石般美丽，远处的绿树与蓝天白云映衬，美丽无比。

在这里，你可以乘坐透明游船，饱览海底风光；可以享受刺激的滑翔伞运动；可以用风筝冲浪；还可以在专门的区域钓鱼。

波拉波拉岛是一处向往海岛沙滩旅行的人的绝佳去处。

这三处美丽的海岛沙滩，风景如画，美的有些不真实。

等疫情彻底结束，带上家人，一起去饱览大好河山吧！。

AC-082AGA资料

logic circuit.
Date : 2001/12/11
AMPIRE CO., LTD.
8
元器件交易网
8 TIMING CHARACTERISTICS
Write Operation
Item
Enable cycle time Enable pulse width Enable rise/fall time Address set-up time
Description
E.T.(fOSC =270 KHZ)
Clear 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 Write”20H” to DDRAM and set DDRAM 1.53 ms
Display
address to “00H” from AC
Return Home
0 0 0 0 0 0 0 0 1 -- Sets DD RAM address to “00H” from AC and return cursor to its original position if shifted. The contents of DDRAM are not changed.
KS0066
SEG 1-40
No.
Symbol
Function
1
VSS
Ground (0V)
2
VDD
Supply Voltage for Logic (+5V or +3.3V)
3
VO
Contrast Adjustment
4
RS
Data/Instruction Select
5
R/W
Read/Write Select
mm
Module size

全球十大最美

【全球十大最美“女儿国”】【21P】黑色面庞模特身材的天使——埃塞俄比亚埃塞俄比亚可以说是非洲的美女之国，在很多选美比赛中，都曾经出现过埃塞俄比亚姑娘的身影，虽然获得奖项并不多，但绝对是过目难忘，谁能想到在这个曾经饥荒过度的非洲国家竟孕育着这么多婀娜的女性。

走在埃塞俄比亚的大街上，过眼的美女绝对让你怀疑你是不是身处非洲。

埃塞俄比亚姑娘是以身材修长，眉目清秀著称，没有印象中非洲人那么黑，而且都有一个整容者们向往的高鼻梁，细眉大眼，当然也拥有一口天生整齐洁白的牙齿，带有一部分闪米特人的面貌特征。

特别需要说明的就是，埃塞俄比亚姑娘们的皮肤细嫩光滑，这是跟当地的气候有关，埃塞俄比亚与干旱少雨的多数非洲国家大不一样，这个国家素有“东非水塔”之称，降雨相对丰沛，在雨季甚至还会发生洪灾。

埃塞俄比亚虽然地处热带，但因地势较高，气候温和，年平均气温在10摄氏度至27摄氏度之间。

另外，由于埃塞俄比亚是一个具有三千年文明史的古国，曾是非洲的文化中心，素有“文明礼仪之邦”，所以埃塞俄比亚姑娘具有一定的艺术修养，她们能歌擅舞，而且言谈举止大方得体。

TOP 9：天生的性感热辣——巴西多血统的巴西姑娘，对外来民族和游客没有心理隔阂，即便是陌生人，她们也会热情相迎。

无论是与她们拍照还是赞美她们的美丽，她们都会友善的对待，并非常有礼貌的向你表示感谢。

巴西姑娘的好身材，与她们热爱舞蹈也有一定的关系。

巴西著名的桑巴舞节奏极快，跳的时候，腰部以下如波浪般起伏摆动，足尖快速移动，需要有很好的腰肢力量及腰际与臀部的协调配合。

桑巴舞在帮助巴西姑娘增强的体质的同时，使她们的臀部曲线更加性感。

也许，常年跳桑巴舞，就是巴西美女保持体型苗条、体魄健康的秘诀之一。

TOP 8：打破传统的时尚——黎巴嫩黎巴嫩是阿拉伯国家，如果按照伊斯兰教法的规定，你肯定认为黎巴嫩姑娘们即便不被要求得只露出眼睛，也肯定无法展现自己的身姿。

但让人大呼意外的却是，每当黎巴嫩天气刚刚转暖，大街上就马上能看到穿着“短、透、露”的大胆姑娘们，性感火爆程度完全不低于任何一个西方国家。

地球人应当知道的25个世界之最图文经典

地球人应当知道的25个世界之最(图文经典)世界上最大的岛群世界上最大的岛群由印度尼西亚13000多个岛屿和菲律宾约7000个岛屿组成，称为马来群岛。

其中主要的岛屿有印度尼西亚的大巽他群岛、小巽他群岛、摩鹿加、伊里安，菲律宾的吕宋、棉兰老、米鄢群岛。

该群岛还包括东马来西亚、文莱、巴布亚新几内亚等。

群岛位于太平洋和印度洋之间，沿赤道延伸6100公里，南北最大宽度3500公里，总面积约243万平方公里。

西与亚洲大陆隔有有马六甲海峡和南海，北与台湾之间有巴士海峡，南与澳大利亚之间有托雷斯海峡。

除菲律宾北部以外，各岛都在赤道10度以内，平均气温21℃，年降雨量从8100毫米至500毫米不等，大部分地区超过2000毫米。

每年7至11月西南太平洋生成台风20余次，常袭击菲律宾。

马来群岛的动植物群非常丰富且种类各异。

农村和农业经济占压倒优势，农村居民绝大多数为定居耕种者，主要农作物是水稻，商品作物有橡胶、烟叶、糖等。

森林资源重要，提供贵重木材、树脂、藤条等。

石油为主要矿产，锡产量占世界产量的10%。

水力资源丰富，但未充分开发，制造业不发达，轻工业主要是纺织、造纸、玻璃、肥皂、卷烟等。

世界最厚之地--钦博拉索山南美洲厄瓜多尔的钦博拉索山处。

从地心到山峰峰顶为6384.1公里。

钦博拉索峰位于安第斯山脉西科迪勒拉山，海拔6310米，是厄瓜多尔最高峰。

曾长期被误认为是安第斯山脉的最高峰。

它是一座休眠火山，有许多火山口，山顶多冰川，在约4694米以上，终年积雪。

1880年英国登山运动员E-怀伯尔首次登上峰顶。

这里是厄瓜多尔中部的高原地区，当地主要以农牧业为主，主要有羊、奶牛、谷物、马铃薯、水果和纤维植物等。

世界最高的高原--青藏高原青藏高原是中国最大的高原，也是世界上最高的高原，因此有"世界屋脊"之称。

青藏高原面积240万平方公里，海拔大多在3500米以上，包括西藏和青海的全部、四川西部、新疆南部及甘肃、云南的一部分。

全球8位顶级美女，中国上榜三位，美女最多【一点资讯】

全球8位顶级美女，中国上榜三位，美女最多【一点资讯】光阴易逝，美人易老！那些曾经惊艳荧屏、颠倒众生的美人们，如今何在？这次从美貌、演技、作品等多个维度选出了八位全球顶级美女！她们来自不同的国家，经历着不同的人生！她们都是谁？有你喜欢的美人吗？赏美盛宴开始！一、奥丽维娅·赫西如果这个世界一定要评选出最美的女人，她就是奥丽维娅·赫西！不同的国家，不同的民族，有着不同的审美观！有时候欧美人对“美”的定义让咱东方人咋舌！但奥丽维娅·赫西的美，放之四海而皆准！她的美，让所有人信服！奥丽维娅·赫西，1951年出生于阿根廷，是一名阿根廷女演员。

她14岁出道，15岁时遇到了她的命运之作《罗密欧与朱丽叶》。

因为惊人的美貌和动人的演技，她从500多位女演员中脱颖而出，被挑中饰演了朱丽叶一角！在漫长的演艺生涯里，她一共出演了四十几部电影！但至今让人对她念念不忘的，还是那部“史上最美朱丽叶”！她情路坎坷，结过三次婚，育有两子一女。

很可惜，子女都没有遗传到她的美貌！奥丽维娅与小女儿奥丽维娅和家人现在一起住在洛杉矶的郊区。

放几张她中年时期的旧照，风韵犹存，美人依旧！二、林青霞小时候不觉得林青霞有多美！长大后，特别是最近几年，觉得她才是货真价实、独一无二的大美人！林青霞的花期很长，从少女一直到此刻，她都是美的！演琼瑶电影的时期，她是一朵纯洁的小白花，纯真、鲜嫩，惹人怜爱！在香港发展时，她蜕变成雌雄同体的大美人，可英姿飒爽、可妩媚动人！退圈结婚后，她在家相夫教子，有钱有闲，开始做自己喜欢做的事，读书写字！大美人没有浪费光阴，华丽转身，她成了一名作家，至今出版了三本书！从大明星到作家，这个转变我是没有想到的！美人不止美于皮，她连灵魂都是美的！她完全可以轻轻松松当个阔太太，过奢靡沉沦的生活，但她偏要当个文青，访遍文学大家，刻苦学习写作！林青霞不仅有美貌，她还是一个有内涵、有追求的大美人！最后，想问一句，青霞姐，您那“鸽子蛋”般的钻石戒指和耳环是真的吗？林青霞67岁生日照三、斯嘉丽·约翰逊斯嘉丽·约翰逊，她是全球收入最高女演员之一！大家熟悉她是因为漫威电影里的黑寡妇，俗称寡姐！大众以为她是商业片女王，其实人家是拍文艺片出名的。

世界上最漂亮的地方十大盘点，美得让人窒息！

世界上最漂亮的地方十大盘点，美得让人窒息！世界上最漂亮的地方，是每个旅游爱好者都向往的地方。

现在，一些原生态的美景已经被大家踏破铁鞋，是写世界上最漂亮的地方，成为人们旅游的新去处。

今天，小编为大家搜集了十处世界上最漂亮的地方，大家跟随小编的脚步，一起享受这世间美景吧。

1.世界上最漂亮的地方——冰岛·塞里雅兰瀑布世界上最漂亮的地方——冰岛·塞里雅兰瀑布塞里雅兰瀑布为世界上最漂亮的地方之一，坐落于思科阿缶丝瀑布和塞尔福斯之间，斯科加尔以西约30公里处的塞里雅兰河上，为爱尔兰最上镜的瀑布，曾多次出现在书籍和杂志中。

世界上最漂亮的地方塞里雅兰瀑布高60米，从悬崖上飞奔而下，白色的水流和周围的美景互相融合，成为摄影爱好者的最爱。

世界上最漂亮的地方——冰岛·塞里雅兰瀑布优美景色如果到冰岛去旅游，错过了塞里雅兰瀑布可是会让人捶胸顿足的。

塞里雅兰瀑布虽然在冰岛的众多瀑布中排不上较好名次，既不是最大的，也不是最高的，但却是最优雅美丽的，堪称世界上最漂亮的地方。

塞里雅兰瀑布最美丽时刻为日出或者日落时分，太阳照耀在瀑布的水帘上，幻化成一道美丽璀璨的水雾，让人陶醉不已。

每当到了夏季，瀑布与附近的绿色山坡、茂盛草原、五颜六色的芬芳野花、潺潺的溪流相互映衬，仿佛是世外桃源般美丽，让每个人都惊讶于它孤悬于山壁，但却同周围互相融合的美丽。

瀑布背后凹陷处还有条石径，游客可以从那里步行穿过。

2.世界上最漂亮的地方——日本·紫藤花隧道世界上最漂亮的地方——日本·紫藤花隧道世界上最漂亮的地方河内藤园是日本屈指可数的的私人紫藤花园，每年的4月下旬至5月中旬，各种紫藤花顺次绽放，将游客带进一个童话般极致浪漫的世界。

据说，这里最大的一颗紫藤树已经超过100岁了。

世界上最漂亮的地方——日本·紫藤花隧道游人众多园内共有22种、共计150株紫藤树，如野田长藤、口红藤等；门票价格为300日元-1000日元，根据开花状况有所改变；当被收1000日元的门票时，你应该感到幸运，因为你遇上了它最美的时刻。

世界上最漂亮的人

世界上最漂亮的人世界上最美丽的女人。

你知道十大美女汇总。

只有按照当今世界最强、最聪明、最令人向往、最受欢迎、最有魅力、最火辣、最成功的女性来说，达到了一定水平的名人。

让我们来看看。

十大世界最美的女人1.亚尔·谢尔比亚（Yael Shelbia）职业是演员和时装模特。

2.肯德尔·詹纳（Kendall Jenner）具有全球性的魅力和氛围。

经常锻炼保持了她令人钦佩的美貌。

与此同时，肯达尔·詹娜，世界上收入最高的模特之一，在世界上最美丽的女孩中排名第二。

3.汉德·埃尔谢尔（Hande Ere）性感美丽，土耳其美女，模特兼演员，1993年11月24日出生。

但美是被全世界欣赏的。

4.达科塔·约翰逊Dakota Johnson在全球拥有她的魅力，这一点通过440万Instagram粉丝反映出来。

5.索菲·特纳（Sophie Turner）女演员索菲·特纳获得2022年世界最美女孩第五名。

她也是英国最美丽的女人之一。

她于1996年2月21日出生在英国。

健康的饮食、饮用水和睡眠是必不可少的。

6.丽莎（Lisa）全世界20位最受尊敬的女性之一。

一位广受欢迎和成功的K-pop偶像Lisa-Lalisa Manobal Thai是一名歌手、舞蹈家和说唱歌手。

7.迪莱塔·莱奥塔（Diletta Leotta）节目主持人、模特、网络名人迪莱塔·莱奥塔是意大利最炙手可热、最美丽的女性之一。

迪莱塔的粉丝们疯狂地关注Instagram是因为她分享了无与伦比的照片和帖子。

8.佩拉·赫鲁（Perla Helou）黎巴嫩的选美皇后佩拉·何璐在世界最美丽的女孩中排名第八。

这位时尚女歌手获得了2017年世界小姐选秀第五名。

此外，她还被选为黎巴嫩十大最性感女性之一。

9.戴维卡·霍恩（Davika Hoorne）Davika Horn，泰国最性感最漂亮的女人之一，是业内的模特和演员。

世界最美公主，排名第一的美哭了！

世界最美公主，排名第一的美哭了！
世界最美公主，排名第一的美哭了！
2017-07-07每日点兵
童话里美丽的公主已经耳熟能详，
而且都是美丽大方，
在现实生活中，也有这么一群公主，
一睹芳容吧
05
摩洛哥公主
04
日本公主
03
约旦公主
哈雅公主喜欢骑马，
曾代表约旦参加过2000年悉尼奥运会
02
不丹公主
不丹公主索南.德琛.旺楚克，
毕业于斯坦福大学，
现任职于不丹国家皇家高等法院
01
迪拜公主
没错，第一名就是：
迪拜公主的萨拉玛公主
是不是被她的美惊艳哭了
不过这些公主离我们太远
遥不可及
我只想等待我自己的公主出现然而二十多年了
我还是没等到她
说到单身狗
真是一把辛酸一把泪
没人疼没人爱
还要被基友怼！。

世界上最美丽的景色（组图）

世界上最美丽的景色（组图）2012年04月18日 16:35 福布斯中文版1.斐济寮群岛(Lau Archipelago, Fiji)斐济群岛阐述美的极致“这群不可思议的群岛，日出和日落都是美的极致。

”格林伯格如此评价这群50多个环礁和岛屿组成的位于斐济主岛200英里之外的群岛。

很少有游客抵达此地，但凡是到达的游客都会被这里天堂般的海洋生活和世外桃源般的氛围所感动。

“这里没有电话、没有手机、没有电视——只有当地土著每天早晚两次醉人的无伴奏合唱，”格林伯格补充道，“这里的生活就像童话故事般神奇，让你觉得这里的爱和关怀会永远伴随着你。

”2.峡湾国家公园新西兰南岛(Fjordlands National Park, South Island, New Zealand)新西兰峡湾国家公园帕特里西亚·舒尔茨说：“说起峡湾，你很容易想到挪威，甚至智利。

不过新西兰也有：位于米尔福德桑德(Milford Sound)的新西兰最大的国家公园，由15个峡湾组成。

亲眼见过，你才会知道为什么鲁德雅·其普林(Rudyard Kipling)会把这里称作“世界第八大奇迹”。

新西兰的北岛和南岛都在《指环王》中作为“中土”的取景地。

在电影中，你会看到从白雪皑皑的山脉到大片湿地沼泽等一系列的奇景。

南岛是新西兰两个岛中居民较少的岛屿，也就是说这里有更多世外桃源般的原生态美景。

3.佩特拉古城约旦(Petra, Jordan)佩特拉古城“随着叙利亚巴尔米拉城(Palmyra)的兴起和航海商路的拓展，奈巴泰人的古都佩特拉古城也就逐渐衰亡了。

”地理探险公司的专家说道，“到公元7世纪阿拉伯人入侵的时候，佩特拉古城已经变成了一座被遗忘的城市，一直保留着原始的风貌。

直到1812年年轻的的瑞士探险家约翰·博克哈特(Johann Burckhardt)重新发现了这里。

”今天，这座可以追溯到公元前1200年的优雅古城，因为当年用玫瑰染色的砂岩建成的宫殿和古墓而闻名，被称作“粉色古城”。

世界上最漂亮的七个湖泊

世界上最漂亮的七个湖泊地球上大约有1.17 亿个湖泊，它们几乎覆盖了世界陆地表面的4%，不包括冰川。

从西伯利亚的贝加尔湖（该湖拥有全球20% 以上的未冻结淡水，是世界上最深的湖泊，深约3,893 英尺），到玻利维亚的“红色”泻湖拉古纳科罗拉多，以下是地球上最迷人的湖泊。

俄罗斯贝加尔湖这个南西伯利亚湖似乎来自另一个星球：冬天，当湖面结冰时，冰层中会形成裂缝和甲烷气泡，让人感觉仿佛在空中行走。

在夏季，由于从西伯利亚山脉流出的水清澈干净，您可以看到地表以下130 英尺。

该湖不仅是世界上最古老的2500 万年，而且是最深的，由于其与世隔绝，产生了一些世界上最不寻常的淡水动物群，因此被称为俄罗斯的加拉帕戈斯。

墨西哥巴卡拉尔湖位于靠近伯利兹边境的金塔纳罗奥州的最南端，绚丽的绿松石、海蓝宝石和白色的石灰岩底部让您感觉仿佛置身于加勒比海。

拥有七种蓝色色调的湖泊周围环绕着茂密的丛林和玛雅考古区，非常适合浮潜、皮划艇和游泳。

到 Cenote Azul 进行一次千载难逢的潜水之旅，那里有令人惊叹的照明洞穴。

拉古纳科罗拉多州，玻利维亚这个拉丁美洲的身体位于智利圣佩德罗德阿塔卡马以北三个小时的车程处，浅盐水从红藻中获得了超凡脱俗的颜色。

明亮的色调散布着白色的水池，这些水池由位于水面上的硼砂沉积物组成。

然而，民间传说将这种颜色归因于众神的鲜血。

也许更出名的是成群结队地涌入水中，生活在泻湖中的浮游生物为食的火烈鸟。

危地马拉阿蒂特兰湖这个笼罩在当地传说中的湖泊，四面环山，两侧是火山和玛雅村庄，是希望与自然交流的唯心主义者的热点。

颜色从深蓝色到绿色不等，海拔超过4,900 英尺。

该湖周围环绕着阿蒂特兰火山、托利曼火山和圣佩德罗火山的名字“三巨头”，提供令人惊叹的远足和各种观鸟机会。

更令人着迷的是围绕湖泊的故事。

根据一些玛雅传说，这个湖是世界诞生的地方，自公元前200 年以来一直是神圣仪式的场所，而另一个故事则与隐藏在湖底下的一座秘密沉没城市有关。

世界十大最美女子亚洲占两人

世界十大最美女子亚洲占两人世界十大最美女子现在世界上谁是最美丽的女人？你认为谁应该得到世界上最美丽女性的称号？请注意，所有的女人都是有自己的方式美丽。

这个世界上最漂亮的女性名单基于在线投票和调查。

因为，没有美的标准尺度。

这天，中国阳网在线分享这里列出的女性充满自信，聪明，理想，活力，非常热爱自己的工作。

以下是2018年全球最美丽的女性名单前10名。

10.泰勒斯威夫特（美国）最美丽的歌手泰勒斯威夫特这是普遍的事实; 美丽在于旁观者的眼中。

但是，当要评定一个人的美丽时，有必要计算内在美和外在美。

外在的或身体的美丽会随着时间的流逝而衰老，其他所有的因素永不衰老，永远保持美丽。

当代最受欢迎的当代女性录音艺术家泰勒斯威夫特不仅在内部很漂亮，而且在外部也很漂亮。

斯威夫特成功地将自己打造成了世界上最受欢迎的名人。

另外，她是世界上收入最高的歌手。

9.赛琳娜·戈麦斯（Selena Gomez）（美国）最美丽的女孩赛琳娜·戈麦斯最美丽的年轻美国明星赛琳娜.戈麦斯再次以“世界上最美丽的女性”名单为特色。

她在2017年排名世界上最漂亮的女孩，以及最美丽的女士。

拥有超过1.32亿的Instagram粉丝，她也是最受关注的明星之一。

美是世界上争论最多的话题，并没有明确的赢家。

一次被认为最漂亮的人可能会在别的时候失去她的位置。

女性通常对身体特征如热度和魅力有吸引力。

但是，还有其她一些因素，比如名人，自信，智力，知名度和技能水平。

8.艾玛·沃特森（Emma Watson）（英国）艾玛.沃特森最热的英国女人第八名最美丽的女人; 来自英国的艾玛.沃特森，1990年4月15日出生，这位27岁的英国女演员，模特和活动家，在11岁的时候就从“哈利波特系列”中成名。

这个最华丽的女人现在是相当青春的偶像。

屈臣氏，最近被最高评价的“美女与野兽”称赞。

她出生于法国巴黎，出生在英国律师Jacqueline Luesby和Chris Watson。

全世界最美的20张照片，张张都是精品

全世界最美的20张照片，张张都是精品
这个世界有太多的不可思议，让你来不及一一亲自探索。

摄影师抓到最美的20张照片供你一饱眼福：
南极洲——攻击中的企鹅君
匈牙利的小村庄
贝加尔湖上的天然裂缝
谁？你谁？
加拿大——抵御寒风的猫头鹰君
加拿大——狗爬式。

汤加群岛的大宝贝
马达加斯加——森林之母，猴面包树
威斯康星——Apostle Islands National Lakeshore 冰川里的一抹阳光
墨西哥Cabo Pulmo National Park——大海的鱼全在这里了！
帕劳——水母湖
伊朗——bioluminous larak夜光藻
想看夜光藻的澳洲朋友们，墨尔本就有哦~ 吉普士兰湖泊Gippsland Lakes
冰岛——与月亮共舞
克罗地亚——秋天的瀑布Plitvice Lakes国家公园
日本——樱花盛开
意大利——Gran Paradiso国家公园，狐狸先生，终于找到你。

意大利——Gran Paradiso国家公园，冬日的白。

中国——喂鸬鹚的渔人
爱沙尼亚——Hey，我很友好哒~
博内尔，加勒比岛——海底沉船。

世界上公认最美的8大美女，第一名无争议

世界上公认最美的8⼤美⼥，第⼀名⽆争议
不同的年代不同的⼈对于审美是有着⽐较⼤的差别的，但是总有⼀些美⼈美貌能够让所有⼈都
称赞。

即使过去很久早已不在⼈世，即使我们只能够通过照⽚欣赏，她们的美丽依旧很有说服⼒。

今天我们就要给⼤家介绍⼏个世界上公认的美⼥。

第⼋名、泰勒·斯威夫特
第7名、朴雅卡·乔普拉
第六名、艾玛·沃特森
第五名、盖尔·加朵
第四名、弗·洛佩兹
第三名、张梓琳
第⼆名、迪⽪卡·帕度柯妮
第⼀名、赫本
赫本的美是⽆法⽤⾔语来形容的，她有着别具⼀格的魅⼒，是永远不可复制的经典。

奥黛丽·赫本不仅模样令⼈沉醉，⽽且在时尚⽅⾯也是永恒优雅的时尚教科书。

赫本个⼈独特的嗓⾳与魅⼒，就像是天使⼀般的存在，惊艳世⼈。

真正的世界第一美都有谁？斯嘉丽全智贤娜扎林允吴宣仪等名列榜单

真正的世界第一美都有谁？斯嘉丽全智贤娜扎林允吴宣仪等名列榜单又到了年中大盘点的时候，2018年涌现了许多新星面孔，近日就有网友票选真正的世界第一美都有谁，斯嘉丽约翰逊、全智贤、秋瓷炫、古力娜扎、杜鹃、林允、黄梦莹、张雅钦、吴宣仪、徐冬冬等纷纷名列榜单（排名不分先后）；斯嘉丽约翰逊：性感的代名词斯嘉丽·约翰逊出生于1984年11月22日，高颜值、好身材、荧幕上撩动人心，生活中美艳迷人，她的名字已经是性感的代名词，从8岁男孩到80岁老头，无人不为这个姑娘倾倒，斯嘉丽能够艳羡全球女人，被赞为世界第一美真是一点都不为过；全智贤：出道20多年从未整容全智贤出生于1981年10月30日，在这个偶像更新换代十分迅速的时代，虽然全智贤已出道20多年，但她依然是众多人心中的“世界第一美女”，相比现今韩国诸多的“网红脸”、“整容脸”而言，从未整容的全智贤才是大家心中的“第一美”；秋瓷炫：韩国的一股清流同样被赞为“世界第一美”的还有秋瓷炫，她出生于1979年1月20日，对比那些自封为“第一美女”的女星，秋瓷炫可谓是韩国的一股清流，她为人低调内敛，气质温柔大方，美得很自然；古力娜扎：娱乐圈乃至世界级大美女古力娜扎出生于1992年5月2日，她五官精致、气质出众，无论什么风格的扮相总是令人惊艳，作为娱乐圈乃至世界级的大美女，古力娜扎的美貌绝对配的上“世界第一美”之称；杜鹃：集容貌、身材、气质于一身杜鹃出生于1982年9月15日，她的美在娱乐圈真的是非常特别，她被外媒称作非常有东方长相的美人，集容貌、身材、气质于一身，在美人被复制泛滥的今天，杜鹃可以说是从骨子里散发着美，“世界第一美”当之无愧；林允：容貌极具个性，识别度很高作为新生代女星的代表人物，林允的人气一直在高涨，她的美与一般的美女，还是不太一样的，林允的容貌极具个性，识别度很高，独特的气质让人不忍移目，不少网友赞叹，林允是越来越美，“世界第一美”该有她一份；黄梦莹：被不少男性观众封为"完美女神"黄梦莹出生于1990年12月6日，凭借着完美的面容、恬淡的气质和剧中惹人怜爱的性格，被不少男性观众封为"完美女神"，温柔、简单又纯粹的她美的如一幅画一样，成功晋升为“世界第一美”；张雅钦：俘获一票少男少女的心张雅钦出生于1996年4月28日，凭借正在热播的古装励志剧《扶摇》以及偶像奇幻剧《重返二十岁》，张雅钦逐渐被更多人所认识，她面孔精致清纯，俏皮灵动，凭借清新自然的表演俘获一票少男少女的心，也被网友赞为“世界第一美”；吴宣仪：“世界第一美”非她莫属吴宣仪出生于1995年1月26日，说起她来，大家肯定不会陌生，吴宣仪在《创造101》节目中圈粉无数，她有着精致的外形与清纯的气质，总是给人一种甜甜的感觉，就连主持人谢娜都喜欢到收她为徒，“世界第一美”非她莫属；徐冬冬：入选“世界第一美”毫无压力徐冬冬出生于1990年2月16日，天使的面孔，魔鬼的身材说的就是她了吧，凭借《余罪》、《追龙》等作品，徐冬冬被网友亲切的称为“大嫂”，是圈内的“四大性感女神之一”，如今入选“世界第一美”，徐冬冬也是毫无压力；在你心中，还有哪些女星称得上是“世界第一美”呢？。

地球上十大最美丽的地方

地球上十大最美丽的地方哇啦咯咔咔2018-02-06 06:30:40在这个世界上，有很多非常美丽的地方。

让我们前往地球上十大最美丽的地方去看看。

10.伯利兹是世界上最美丽的地方之一。

它位于灯塔礁，距离大陆和伯利兹市70公里的小环礁的中心附近。

该洞呈圆形，横跨300米，深108米。

大蓝洞是伯利兹海岸附近的一个巨大的潜水艇。

访问大蓝洞的原因▪伟大的蓝洞是距离伯利兹大陆70公里的天然水下沉洞。

这是该国最受欢迎的潜水目的地▪伟大的蓝洞几乎是圆形的。

它宽300米，深125米▪这个惊人的洼地以其深蓝的颜色而闻名，这是由于存在白色碳酸盐砂和水的透明度造成的▪在冰河时期形成了一个干燥的洞穴，并融化了巨大的冰块▪这是一个世界级的水肺潜水目的地▪伟大的蓝洞墙壁岁数百万年。

这也是一些惊人的海洋物种，包括护士鲨鱼，礁鲨和巨型石斑鱼家园。

9.中国的长城(我很骄傲咱们中国的长城上榜了）这里是受欢迎的中国长城。

这是一系列由石，砖，夯土，木材和其他材料制成的防御工事，一般沿着中国历史北边的东西线访问中国长城的原因▪长城是中国最受欢迎的地标，也是古代最伟大的建筑奇观之一▪这不是连续的墙壁。

长城结合了圆形的墙壁，平行的墙壁和侧壁▪长城是中国不同的朝代建成的。

这座城墙的第一部分是秦始皇于公元前220年至公元前206年间建造的，从此不同的朝代在原来的墙上增添了新的部分。

▪长城全长5500.3英里，是人类在地球表面建造的最长的建筑物▪长城的高度从16-33英尺不等，宽度在13-15英尺之间▪没有援助，中国的长城就不能从太空中看到▪长城的很多地方已经被侵蚀掉了。

今天只剩下几层原始的墙▪北京八达岭是中国长城最受欢迎的一段。

这段墙是明朝建造的，也经过了修复。

8.马丘比丘，秘鲁马丘比丘是位于秘鲁安第斯山脉高处乌鲁班巴河流域的印加城堡。

建于15世纪，后来被遗弃，它以其精巧的干石墙而闻名于世，它不需要使用砂浆就可以融合巨大的石块，而是以天文线条和全景的形式发挥作用的耐人寻味的建筑物。

世界公认的四大绝世美女，中国仅有一个，埃及法老位居第一

世界公认的四大绝世美女，中国仅有一个，埃及法老位居第一最近经常听到这么一句话，那就是这是个看脸的时代。

其实仔细琢磨一下，这句话是错的。

因为高颜值的人不管在哪个时代，都是更加受欢迎的。

古今中外世界各地都喜欢对自己国家的美女进行盘点。

而对于美的理解世界人民是有共识的。

世界上就有公认的四大美女，更神奇的是其中有两个都在日本，这也是日本最为骄傲的事。

排在最末尾的是日本的小野小町。

对于这个名字，可能很多国人不知道，可她在日本是家喻户晓。

她的出生地地不祥，生卒年也不祥。

现有的记录只知道她生活在日本的平安时代，还有她的美艳动人。

传说她爱穿锦衣华服，有一头乌黑亮丽的长发，有一双顾盼生情的眼睛，举手投足间尽显妩媚动情。

排在第三位的是静御前。

和上一位不同，这位美女在日本的历史上有很详细的记载。

她也是生活在日本的平安时代。

需要解释一下的是，静是她的名字，御前是日本古代对贵族女子的尊称。

就像中国的甄姬、虞姬中的姬字一样。

静御前在母亲的教导之下，非常擅长舞蹈。

因为练舞的缘故，她的身姿婀娜，步伐轻盈，气质非凡。

但是因为这非凡的美貌，她的一生情路坎坷，最终孤独而终。

排在第二位的是杨玉环。

杨玉环是中国古代四大美女之一，世人盛赞其为羞花，即使牡丹见了她的容貌也要自惭形秽。

杨玉环的一生也可以说是波澜壮阔。

风华恒茂的年纪被唐玄宗设计纳入宫中，从此三千宠爱在一身。

可惜安史之乱魂断马嵬。

杨玉环一生风华绝代，但也是因为这份容貌没有逃过红颜薄命的深坑。

世界杯第一美女!这个颜值你打几分

世界杯第一美女!这个颜值你打几分
俄罗斯世界杯正进行得如火如荼，赛场上的激情澎湃，精彩绝伦，然而，场下观战的女球迷也是同样吸睛。

近日，一张美女的照片在网络上火起来了，因为这张照片，这位美女也被称为世界杯第一美女。

一张照片，惊艳了整个夏天!
这位美女球迷脸上画着哥伦比亚的国旗，淡妆清颜，端庄而优雅。

后来人们才发现，这位美女是哥伦比亚著名模特丹妮拉-波特罗(Daniela-botero)
很多人都以为这是丹妮拉-波特罗在世界杯现场观众台拍摄的，但这只是个美丽的误会。

丹妮拉-波特罗那张照片并非是她在俄罗斯世界杯现场拍摄的，而是其2015年的观战哥伦比亚足球比赛时的一个自拍。

她在社交媒体上发这张照片，也只是为了给哥伦比亚队加油打气。

如果仔细看，都能清楚看到周围的人穿的都是羽绒服。

现在世界杯是夏天，即便在俄罗斯，这个时候也不用穿羽绒服。

但不管是不是现场拍摄的，都不能阻挡我们欣赏美的目光。

不过有一些网友看了丹妮拉-波特罗的写真后，都或多或少感觉，她与迪丽热巴，两人在某些时候有点神似。

但两人气质不同，属于两种不同的美。

世界杯第一美女!这个颜值，你打几分?。