模拟电子技术教程习题答案

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模拟电子技术基础教程华成英习题解答

模拟电子技术基础教程华成英习题解答

CHAPTER、放大电路中的反馈 '第7早7.1判断下列说法的正、误,在相应的括号内表示正确,画“X”表示错误.(1)在输人気不变的情况F.若引人反馈后律输人虽减小•则说明引人的反馈足负反馈.()(2)电压反馈能稳定输出电压•电流反馈能稳定输岀电流.()(3)任何原因引起的噪声都能用交流负反馈来滅小.()(4)R1容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后越容易产牛低频自澈振荡。

(>(5)放大电路级数越多,引人负反馈石越容易产牛髙频白激尿荡。

()(6》负反馈枚大电路的环路放大借数越大,则闭环放大倍数越稳定。

()M (1) 7 (2) X (3) X (4)J(5) J (6) X7.2现有反馈如下,选择正确的答案填空:A.交流负反馈B.宜流负反惯C.电压负反馈D.电流负反馈E.申联负反馁?F.并联负反馈(1) __________________________________ 为了稳定静态工作点•应引入・(2) ________________________ 为了展宽频帯•应引入<3)为了税定输出电压,应引入 _______ 。

<4)为了稳定輸出电淹•应引人 _______ ・(5) ________________________________ 为了堆大输人电阻•应引入―.(6) ____________________ 为了减小输入电阻,应引入.<7)为了減小輸岀电阻•应引入 _______ .解(I) B (2) A (3) C (4) D (5) E (6) F (7) C7.3现有反馈如下,选择正确的答案填空:A.电斥串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈(1)为了将电压倍号转换成与之成比例的电流侑号•应引人________ ・〈2)为了实现电流-电压转换,应引入….(3〉为了减小从电压侑号源索取的电流并增大带负载的能力,应引入4 _・(4)为了实现电流-电流转换,应引入_________ 。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解

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模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案
学 习 计 划 表
周一至周五
时间
内容
要求
18:00~19:30
做作业
1.限时;2.不要看书;3.不会的题先放过。
19:40~20:00
测试
如没有,则休息。
20:10~20:40
补习
1. 对作业和测试中未掌握的内容进行补习。
2. 对相关知识进行检测,直至真正掌握。
3. 对当天所学新课行梳理与归纳。
具体方法: 先自己回顾老师上课讲的,找差距。
4. 如果没有学习新课程,将上次学习的疏漏的知识点进行补习。
20:45~21:00
预习
对将要学习的知识点进行预习。
21:03~21:23




1.21:03~21:10英语:
掌握5个单词(1.拼写 2.发音3.翻译4.词性5.运用)并记录。
2.21:10~21:15数学:
对以往的知识点进行考查(每周2个);
对未掌握的知识点进行补习;

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案

精品行业资料,仅供参考,需要可下载并修改后使用!《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案题2-1 判断图中放大电路有无放大作用,说明理由。

a) 因为E 结反偏,C 结正偏,所以无放大作用。

应将+VCC 改成-VCC b) 电源未给发射结正偏——无放大作用。

应将Rb 连在电源和基极之间c) 输入交流信号会因交流通路中VCC 的接地而被短路,无法作用在三极管的发射结——无放大作用。

应在电源和基极之间接一个电阻d) 由于电容的隔直作用,发射结没有得到正偏——无放大作用。

应将电容C 移走 e) 有放大作用f) 无放大作用,原因:电容C2在交流时短路输出电压无法引出,而始终为零。

改正方法:将电容C2放在集电极和电压引出端之间。

g) 无放大作用,原因:电容Cb 在交流时短路而使输入交流信号被短路,无法作用在三极管的发射结。

改正方法:将电容Cb 去掉。

h) 无放大作用 i) 无放大作用题2-5VR I I V U mAI mA R R U V I CEQ 82.3)(7.2,027.0)1(c BQ CQ CC CQ bc BEQ CC BQ =+-===++-=β题2-6题2-13 1)I BQ=20uA, I CQ=2mA, U CEQ=-4V2) r be=1.5K, 3) A U=-100, 4)截止失真,应减小Rb 题2-15(2) 画出微变等效电路题2-16 1)I BQ =10uA, I CQ =1mA, U CEQ =6.4V2) r be =2.9K Ω,RL=∞时,R e /‘=5.6K ,A U =0.99, RL=1.2K 时,R e /‘=0.99K ,A U =0.979, 3) RL=∞时,R i ‘=282K Ω, RL=1.2K 时,R i ‘=87K Ω 4) R o ‘=29Ω 题2-17e be e be L1)(1)(1R βr R βR βr R βU U C io ++-=++-=' e be 2)(1)(1R βr R βU U e i o +++= R C ‘= R e 时,U O1 ‘≈ -U O2, 两者波形反相题2-25题2-26。

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)

模拟电子技术习题答案(1)第一章常用半导体器件1习题答案〖题1.1〗(1)杂质浓度,温度(2)呈圆形电中性,呈圆形电中性(3)等同于,大于,变宽,大于,变窄(4)逆向打穿(5)减小,减小,增大(6)左移,下移,加高(7)、发射结,erf(8)一种载流子参予导电,两种载流子参予导电,压控,流控。

〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压uo。

设二极管的导通压降为ud=0.7v。

adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)图t1.2解:(a)uo=ua-ud=-5v-0.7v=-5.7v(b)uo=ub=uc=-5v(c)uo=ua=-0.7v(d)uo=ua=-9.3v〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图,未知ui?10sin?t(mv),e?1.2v,ui电容c和直流电源e对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示,r?100?,谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。

解:id?id?id?(5?1.92sin?t)maud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3第一章常用半导体器件2〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。

6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解:(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通;5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。

1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中,已知ui=10sinωt(v),二极管的正向压降和反向电流均可忽略。

模拟电子技术课后习题答案

模拟电子技术课后习题答案

第一章题解-1 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( ) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( ) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。( ) (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( ) 解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×

二、选择正确答案填入空内。 (1)PN结加正向电压时,空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. TUUIeS C. )1e(S-TUUI (3)稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 (4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 (5)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 第二章 基本放大电路 自 测 题 一、在括号内用“”或“×”表明下列说法是否正确。 (1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( ) (2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( ) (3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;( ) (4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( ) (5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( ) (6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;( ) (7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。( ) 解:(1)× (2)√ (3)× (4)× (5)√ (6)× (7)×

模拟电子技术教程第5章习题答案

模拟电子技术教程第5章习题答案

)反馈有时将输出的全部都馈送到输入端,其典型的例子是 射极跟随器射极跟随器 放大器和器和 源极跟随器源极跟随器 放大器。

放大器。

的信号耦合方式的信号耦合方式 和输出端和输出端 的信号取样方式的信号取样方式 负反馈共有负反馈共有 4 种组合形式。

种组合形式。

应引入应引入 电压串联负电压串联负 反应引入 电流并联负电流并联负 反馈;应引入应引入 电压并联负电压并联负 反馈;入为电压信号并且输出为电流信号时,应引入入为电压信号并且输出为电流信号时,应引入 电流串联负电流串联负 反馈。

反馈。

)为了稳定电路的静态工作点,应引入 直流负直流负 反馈;为了改善电路的动态特性,应引入的动态特性,应引入 交流负交流负 反馈。

反馈。

) 方框图方框图 法是分析负反馈放大器的最基本的方法,网路的 空载空载 效应是非常重要的。

效应是非常重要的。

)设计电压电流转换电路可直接选用)设计电压电流转换电路可直接选用 电流串联负电流串联负 反馈电路;设计电流电压转换电路可直接选用流电压转换电路可直接选用 电压并联负电压并联负 反馈电路。

反馈电路。

自激自激 的现象,这是因的现象,这是因 晶体管结电容形成的移相晶体管结电容形成的移相 造成的。

造成的。

共基放大器比共射放大器共基放大器比共射放大器 频率响应频率响应 好,这是因为这是因为 在共基接法下,集基电容不产生加倍的米勒效应集基电容不产生加倍的米勒效应 。

)分析放大器时,按)分析放大器时,按 低频低频 段、段、 中频中频 段及段及 高频高频 段分开 信号频率信号频率 较高时,此时可采用 滞后补偿法后补偿法 、 超前补偿法超前补偿法 等方法进行补偿。

等方法进行补偿。

可能有量纲,例如可能有量纲,例如 欧姆欧姆 或 西门子西门子 ,但 环路增益环路增益 是没有量纲的。

是没有量纲的。

和闭环增益表达式。

和闭环增益表达式。

解:(1)图(a)R 4和R 5共同引入了直流电流串联负反馈,共同引入了直流电流串联负反馈, R 5引入交直流电流串联负反1R 2R cc+V 3R T ou 2C 1C i u R 4R 5R L 3C +_+_A R R ou C LR C 1R _+iu 2312(a ) (b )1R cc+V R 4R 2R 35R 6R 7R R 8ou +_1T 1C 2C 3C 4C 5C su sR +_T 22R cc+V 3R i u 5C 5R 7R ou 1C 1T 3C 2T +_+_1R 2C 6R 8R 4R 4C R L(c ) (d )R 1R 21T 2T R 3R 4R 5AR L D DV R 6iu +_ou +_SSV -A R R 3R 1121T 4R 5R D 2D 12T ou +_R L cc+V E EV -iu +_(e )(f )1C 1R c c+V 4R Ti u ou 3C su s R 2R 3R 2C +_+_+_1A 2A 1R 2R 3R 4R iu ou(g) (h )图5-58 习题2电路图电路图馈。

模拟电子技术习题答案

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第一章习题解答1.1 解:由公式:)1(-=T D u u s D eI i 可求得电流外加电压为V u D 5.0=时 AA ei mv v D μμ5.22)1(101.0310265.06=-⨯=-⨯- 时V u D 7.0= mA mA ei mv VD 3.49)1(101.0310267.09=-⨯=-⨯- 1.2 解:① 当R=1ΩK 时假设二极管导通V U V U on D 7.3)3()(0-=+-= mA K V R U I L 7.317.300-=Ω-== mA I I I mA KV R U V I on D 6.17.33.53.51)7.039(39021)(2=-=+==--=--= ②当R=4K Ω时,也假设二极管导通00,I U 同①mA I I I mA KV I 4.27.33.13.14)7.039(0212-=-=+==--= VK mA R I U mAI I mA K V R R V I I L L 8.118.18.18.1)14(990002021-=Ω⨯-==-=-==Ω+=+==∴二极管截止,故 1.3解:a : 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 2导通后,A 点电位下降为-6V 迫使V 1反向截止 V U AO 6-=b :21,V V 反向截至,V U AO 10=c. 刚接通21,V V 均正向偏置而可能导通但由于V 1导通后,将使A 、O 点电位差为零。

电位相等,V 1导通,V 2截止。

d. 21,V V 均正向反偏,V 1导通21,V V 公共端电位为零,能保证V 2导通,A 点电位也为零,V 0U AO =。

1.4 解:9mA .4mA )1.27(I I I 7mA 560V )1.26(R U 6V I 1mA .21K 1V .2R U I 1V.237V .03U U 01201L 00on D 0=-=-==Ω-=-==Ω===⨯=⨯=)(1.5 解:I U 变化1V ±时,相当于给6V 直流电源串接一个变化范围为1V ±的信号源,由二极管的动态电阻d r 为:6mV.272100U U U 6mV .271V RR //3r R //3r U 3.59mA.426mV I U r 000L d L d 0Q T d ±=∆±='=±⨯+=∆Ω===)( 1.6 解:a :b :1.7 解:S 闭合S 断开 1.8 解:(1)A 点时,二极管导通:V t u u i o )sin 5.13(3ω+=+=(2)B 点时,二极管反向偏压截止,o u =0V 。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3(DOC)

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第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ,u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得,开启电压U GS(th)=2V ,I DO =2.5mA ,4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线,分别判断各相应的场效应管的类型(结型或绝缘栅型,P 型沟道或N 型沟道,增强型或耗尽型)。

如为耗尽型,在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ;如为增强型,标出其开启电压U GS(th)。

(a)绝缘栅型N 沟道增强型;(b)结型P 沟道耗尽型;(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型;(d)绝缘栅型P 沟道增强型。

习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ,I DO =4mA ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ,夹断电压U GS(off)=4V ,请示意画出其转移特性曲线。

习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数时,试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。

定电路中,假设电路其他参数不变,分别改变以下某一参数将增u A ↓,↑。

u A ,↓。

u A ↓。

u A ④增大β,则I BQ 基本不变,r be ↑,基本不变u Ai U +--oU +(b)解:①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程:10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处,0.5,U V I ≈≈Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ,u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此,需减小R c 和R b ,可减为R c =4k Ω,R b =250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解:①直流负载线方程为:()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线, 2.67.2点,且斜率为,其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60,V ,R b =530k Ω,R L =5M Ω,试:①估算静态工作点;值;,输入电阻。

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案

模拟电子技术基础简明教程(第三版)_杨素行_课后答案
在80℃时的反向电流约为� 23 �10� A � 80� A
+
习题1-3 某二极管的伏安特性如图(a)所示�
①如在二极管两端通过1kΩ的电阻加上1.5V的电压�如图 (b)�此时二极管的电流 I 和电压U各为多少�
②如将图(b)中的1.5V电压改为3V�则二极管的电流和电
压各为多少�
I/mA
解�根据图解法求解 3

I � U �U Z � 30mA R
� IZ � I � I RL � 30 � 6 � 24mA

I RL
� UZ RL
� 3mA
� IZ � I � I RL � 20 � 3 � 17mA
习题1-8 设有两个相同型号的稳压管�稳压值均为6V� 当工作在正向时管压降均为0.7V�如果将他们用不同的方 法串联后接入电路�可能得到几种不同的稳压值�试画出
2kΩ 20kΩ
10V
(c)
IB � 0.465mA IC � 23.25mA U CE � �36.5V
以上算出的IC 与UCE值是荒谬 的�实质上此时三极管巳工作 在饱和区�故IB=0.465 mA� IC≈ VCC/ RC=5mA� UC E=UC ES ≈0.3V�见图P1-14(g)中C点。
习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线�并 由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UGS(th )和 IDO值�以及 当 uDS =15V� uGS =4V时的跨导 gm。
uDS=15V
由图可得�开启电压 UGS(th )=2V� IDO =2.5mA�
(b)交流通路
习题1-4 已知在下图中�uI = 10sinωt (V)�RL=1kΩ�试 对应地画出二极管的电流 iD、电压uD以及输出电压uO的波 形�并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向

模拟电子技术基本教程课后习题答案

模拟电子技术基本教程课后习题答案

《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。

1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 (a )放大区(b )截止区(c )放大区(d )饱和区(e )截止区(f )临界饱和(g )放大区(h )放大区1-15 (a )NPN 锗管(b )PNP 硅管第二章2-1 (a )无(b )不能正常放大(c )有(d )无(e )有(f )无(g )无(h )不能正常放大(i )无2-7 ②U BQ =3.3V ,I CQ = 2.6mA ,U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ,I CQ = 0.6mA ,U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =-51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点,然后在负载线上求Q 点附近的β,最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ,可得r be ≈1.6k Ω,uA =-80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω,uA =-0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω,当R L =∞时,R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时,R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。

③当R L =∞时,R i ≈282k Ω;当R L =1.2k Ω时,R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 (a )共基组态(b )共射组态(c )共集组态(d )共射组态(e )共射-共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100,则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。

模拟电子技术项目式教程课后题答案电子版.docx

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模拟电子技术项目式教程课后题答案1-1解(1)模拟,数字。

(2)半导体材料。

(3)掺杂的杂质浓度,温度,温度。

(4)单向。

(5)面,硅。

(6)电压,电流。

(7)发射极,集电极,基极。

(8)正,反。

(9)电子,空穴。

(10)电压,结型,绝缘栅型。

1-2解(1)C(2)B(3)B(4)C(5)A(6)B(7)C(8)B(9)C(10)c(11)C(12)C(13)A(14)A(15)B 1-3解a)U0=Usi rs+Us2 檎=7+13=20Vb)U°二Usi 秘+U S2 通=7+0.7=7.7Vc)U()=U si 池+Us2 通=°・7+0.7=1.4Vd)U()=U S i TVe)U0=U S2 通=0.7Vf)U0=U S2 ia=U si ®=0.7V1-4解第二支管子比较可靠,因为反偏电流小。

1-5解a.NPN 型:U B C=0.7-5=-4.3V<0 U Be=0.7>0 放大区b.PNP 型:U B C=(-0.2)-(-5)=4.8>0 U Be=(-0.2)-o=-0.2<0 放大区c.NPN 型:UBc=2.7・2.3=0.4>0UBe=2.7・2=0.7>0 饱和区d.PNP 型:U B C=-5.3<0 U Be(-5.3)-(-0.6)=0.7>0 截止区e.NPN型:U B C=-6<0 U Be=0发射结击穿短路f.PNP 型:U Bc=(-1 )-(-6)=5>0 U Be=(-1 )-(-2)= 1 >0 截止区g.NPN型:U B C=3-6=-3<0U B C=3-0=3>0发射结电压过大烧坏断路h.PNP 型:U Bc=(-1.7)-(-1.3)=-0.4<0 U Bc=(-1.7)-(-1 )=-0.7<0 饱和区1-6略1-7略2-1解(1)放大倍数频率非线性输入输出(2)直流交流(3)直流(4)截止饱和(5)交直流交流(6)直流负(7)交流负(8)电压串联负(9)电流并联负(10)电压并联负2-2解晶体管只有处在放大区时才能放大正弦波信号。

模拟电子技术教程第3章习题答案

模拟电子技术教程第3章习题答案

第3章 习题1. 概念题:(1)在放大电路中,三极管或场效应管起的作用就是 将一种形式的电量转换为另一种形式的电量 。

(2)电源的作用是 为能量转换提供能源 ,如果离开电源,放大器可以工作吗( 不能 )(3)单管放大器的讲解从电容耦合形式开始,这是因为 阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点 ,如果信号和负载直接接入,其 工作点 的计算将要复杂的多。

(4)在共射放大器的发射极串接一个小电阻,还能认为是共射放大器吗( 能 )在共集放大器的集电极串接一个小电阻,还能认为是共集放大器吗( 能 )(5)在模电中下列一些说法是等同的,(A 、C 、F )另一些说法也是等同的。

(B 、D 、E )A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析(6)PN 结具有单向导电性,信号电压和电流的方向是随时间变化的,而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大,这是因为 放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量 。

(7) β大的三极管输入阻抗 也大 ,小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。

(8)画直流通路比画交流通路复杂吗(不)在画交流通路时直流电压源可认为 短路 ,直流电流源可认为 开路 ,二极管和稳压管只考虑其 动态内阻 即可。

(9)求输出阻抗时负载R L 必须 断开 ,单管放大器输出阻抗最难求的是共 集电极 放大器,其次是共 源 放大器。

(10)对晶体管来说,直流电阻指 晶体管对所加电源呈现的等效电阻 ,交流电阻指 在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻 ,对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗( 无 )(11)在共射级放大器或共源放大器中,电阻R C 或R D 的作用是 把电流I C 或I D 的变化转换为电压的变化 。

(12)放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真,引起非线性失真的主要原因是 放大器工作点偏离放大区 。

(完整版)模拟电子技术5章习题答案

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5 放大电路的频率响应自我检测题一.选择和填空1.放大电路对高频信号的放大倍数下降,主要是因为 C 的影响;低频时放大倍数下降,主要是因为 A 的影响。

(A. 耦合电容和旁路电容;B. 晶体管的非线性;C. 晶体管的极间电容和分布电容)2.共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时,电路放大倍数的幅值约下降为中频时的 A ;或者说是下降了 D dB ;此时与中频相比,放大倍数的附加相移约为 G 度。

(A. 0.7,B. 0.5,C. 0.9); (D. 3dB ,E. 5dB ,F. 7dB); (G. -45°,H. -90°,I. -180°)3.某放大电路||v A 的对数幅频响应如图选择题3所示。

由图可见,该电路的中频电压增益M ||v A = 1000 ; 上限频率H f = 108 Hz ; 下限频率L f = 102 Hz ;当H f f =时电路的实际增益= 57 dB ;当L f f =时电路的实际增益= 57 dB 。

10410610101081012020lg /v A dB6040图选择题34.若放大电路存在频率失真,则当i v 为正弦波时,o v D 。

(A.会产生线性失真 B.为非正弦波 C.会产生非线性失真 D.为正弦波)5.放大电路如图选择题5所示,其中电容C1增大,则导致 D 。

(A.输入电阻增大 B. 输出电阻增大 C.工作点升高 D.下限频率降低)+V CCsv图选择题5二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.改用特征频率f T 高的晶体管,可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。

( √ )2.增大分布电容的容量,可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。

( × ) 3.幅度失真和相位失真统称为非线性失真。

( × )4.当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真,则输出电压波形将为非正弦。

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

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第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

1、两个管子都正接。

(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。

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第6章 习题答案 1. 概念题: (1)由运放组成的负反馈电路一般都引入 深度负反馈 ,电路均可利用 虚短路 和 虚断路 的概念来求解其运算关系。 (2)反相比例运算电路的 输入阻抗 小,同相比例运算电路的 输入阻抗 大,但会引入了 共模干扰 。 (3)如果要用单个运放实现:Au=-10的放大电路,应选用 A 运算电路;将正弦波信号移相+90O,应选用 D 运算电路;对正弦波信号进行二倍频,应选用 F 运算电路;将某信号叠加上一个直流量,应选用 E 运算电路;将方波信号转换成三角波信号,应选用 C 运算电路;将方波电压转换成尖顶波信号,应选用 D 运算电路。 A. 反相比例 B. 同相比例 C. 积分 D. 微分 E. 加法 F. 乘方 (4)已知输入信号幅值为1mV,频率为10kHz~12kHz,信号中有较大的干扰,应设置 前置放大 电路及 带通滤波 电路进行预处理。 (5)在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗?( 不会 )加1000V的交流电压呢?( 不会 ) (6)有源滤波器适合于电源滤波吗?( 不适用 )这是因为 有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压 。 (7)正弦波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗?( 一定 )矩形波发生电路中,输出端的晶体管一定工作在放大区吗?( 不一定 ) (8)作为比较器应用的运放,运放一般都工作在 非线性区 ,施密特比较器中引入了 正 反馈,和基本比较器相比,施密特比较器有 速度快 和 抗干扰性强 的特点。 (9)正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同,是因为 反馈耦合端的极性 不同,RC正弦波振荡器频率不可能太 高 ,其原因是 在高频时晶体管元件的结电容会起作用 。 (10)非正弦波发生器离不开 比较器 和 延时 两个环节。 (11)当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时,石英晶体呈 阻性 ;当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈 感性 ;其余情况下石英晶体呈 容性 。 (12)若需要1MHz以下的正弦波信号,一般可用 RC 振荡电路;若需要更高频率的正弦波,就要用 LC 振荡电路;若要求频率稳定度很高,则可用 石英晶体 振荡电路。 (13)设计一个输出功率为20W的扩音机电路,若用乙类互补对称功率放大,则应选至少为 4 瓦的功率管两个。 (14)对于甲类变压器音频功率放大电路,在没有输入信号时,扬声器不发声,这时管子的损耗最小。对吗?( 不对,此时管子功耗最大 ) (15)线性电源的调整管工作在 放大 区,所以称为线性电源,线性电源因 调整管消耗功率较大 ,工作效率 低 。 (16)开关电源调整管工作在 非线性区 区,或在 饱和/可变阻 区、或在 截止 区,所以开关电源 功耗 小、 体积 小,工作效率高。 (17)在线性电源中,所谓并联式稳压电路是指 负载与调整管并联 ,串联式稳压电路是指 负载与调整管串联 ,有人说后者是在前者的基础上发展起来的,你说对吗?( 对 ) (18)最常见的整流电路是 二极管整流电路 ,整流只能用二极管吗?( 不一定 ) (19)滤波的实质就是 储存和释放能源 ,在中小功率电源中常用 电容 来滤波,在输出电流较大时需要用 电感和电容 来滤波。开关电源中因 工作频率 较高,用较小容量的滤波元件就可以达到很好的滤波效果。 (20)目前常见的数码产品充电器是开关电源吗?( 是 ) (21)你认为线性电源和开关电源那种更容易持续提供大电流电源?( 开关电源 )开关电源的缺点是 会产生射频干扰 。 2. 理想运放组成如图6-113所示电路。 (1)导出uo与ui的关系式; (2)若要求电路的闭环增益︱Auf︱=100,Ri>100kΩ,在R2=R3=500kΩ条件下,请设计R1、R4的参数。 解:根据虚短路和虚断路有: 可求得: iRuRRu124

图6-113 习题2电路图 即: 4324440RuRuuRuRoRR 可得,iouRRRRRRu)//1(432132 (2)因要求Ri=R1>100kΩ,可取R1=150KΩ,将︱Auf︱=100代入上式得R4=17.86 KΩ。 3. 理想运放组成如图6-114所示各电路,试求出输出信号与输入信号的关系式。

解:(a)

3i21f2i2f1i1fou)R//RR1(uRRuRRu (b)3i3221f2i3231f1i1fouRRR)RR1(uRRR)RR1(uRRu (c)t2i2t1i1odtuCR1dtuCR1u (d)ioiCduuuRCCdt112 4. 在图6-114所示各电路中,集成运放的共模信号分别为多少?要求写出表达式。 解: 共模信号即为运放同相端或反相端的电压。 (a)iciuu3

(b)iciiRRuuuRRRR32232323 (c)icu0

(a) (b) (c) (d) 图6-114 习题3 电路图 (d)icu0 5. 试设计一多项式电路,使输入输出满足关系为uo=5 ui1+10 ui2-2ui3

-0.5 ui4-50 ui5,要求电路改变一个电阻值就能改变多项式的相应系数。

解: 取Rf=100KΩ,则: R1=20KΩ,R2=10KΩ,R3=50KΩ,R4=200KΩ,R5=2KΩ R6、R7为输入端平衡电阻, 6. 如图6-115所示电路中,运放均为理想器件。 (1)假设Rw的滑动端位于中间位置,写出uo1、uo与ui的关系式; (2)当RW的滑动端由下而上移动时,uo怎样变化?

解:(1)A1构成反相比例运算电路,A2为电压跟随器,A3为反相加法运算电路。所以, 其中V5.2u',W'WR41R为戴维南定理等效的+5V电压源支路。 (2)当RW的滑动端由下而上移动时,uo的反向偏移量将增大。 7.积分器及输入波形如图6-116所示,电源电压为±15V。 (1)设通电之前,设uC=0V,作出输出电压uo的对应波形图; (2)当R或C分别变化时,请用图描述uo的对应波形图变化趋势。

图6-115 习题6电路图

习题5 答案图

t2 120 t/m

6 ui/V 0

uo -6

t1

60

(a) (b) 图6-116 习题7 电路图 解:(1)toioituudtu(t)u(tt)RCRC2112111 代入数据,可得t=t1时,uo=-7.66V (2)R或C变大时,t=t1时的uo幅值变小;反之,幅值变大,但不能超过电源电压15V,趋势图如下:

8.在图6-117所示电路中,设所有电阻均为10kΩ,试求该电路的电压放大倍数。

解:运放A2的输出设为u02,有oo542ou2u)RR1(u 再根据运放A1的虚短与虚断,有32o1iRuRu 可得:uo=-0.5 ui 9. 试分别求解图6-118所示各电路的电压传输特性。 解:图(a)所示电路为单限比较器;图(b)所示电路为窗口比较器;图(c)所示电路为参考电压不为0的迟滞比较器;图(d)所示电路为参考

图6-117 习题8电路图 (a) (b) (c) (d) 图6-118 习题9 电路图

t2 120 t/m

6 ui/V 0

uo -6

t1

60

0 -7.66 t/m

R或C变大 R或C变小 t2 120 t/m

t/m

6 ui/V 0

uo -6

t1

60

0 -7.66 -15 R或C特别小 电压为0的迟滞比较器。电压传输特性如解图所示。 [说明:设图(b)中运放电源电压为±12V;Vcc=12V,R2>>R1]

10. 写出下列图6-119(a)、(b)的输入、输出电压关系。

解:(a)i3142ouRKRRRu (b)dtuRCRKRKu2i1221o 11.如图6-120为一种不随输入频率变化的不失真限幅放大器。在一定的频率范围内,输出电压uo的幅值恒等于VE,请详细分析其基本原理。 (修正:图6-120中去掉D2、D3(分别短路),乘法器M的系数Kxy改为

(a) (b) 图6-119 习题10 电路图

图6-120 习题11 电路图

(a) (b) (c) (d) 习题9 答案图 -1/2) 解:电路由以下几部分组成: 输入信号ui通过电阻分压产生uo1=1/2 ui; D1、C3和A1组成峰值保持电路,uo2输出为uo1的峰值,设峰值为VC;A2为减法电路,uo3=VE-uo2=VE-VC; A3与乘法器S构成除法运算,uo4=- uo3/KxyVC=(VC-VE)/KxyVC,当乘法器S的系数Kxy=1/2时,uo4=2(VC-VE)/VC; M为乘法器,其系数Kxy=-1/2,uo5=Kxy uo4 ui=-(VC-VE)ui/VC; 于是:

iCEiiCioouVVuuVVVuuuEC5)(。 此式表明,当ui幅值变大时,峰值VC也变大,故输出uO不变。 12. 在下列各种情况下,应分别采用哪种类型(低通、高通、带通、带阻)的滤波电路。 (1)传输300~3400Hz的音频信号; (2)传输频率低于10HZ的缓慢变化信号; (3)抑制频率为50Hz交流电源的干扰;

(4)抑制频率为1kHz以下的信号。 解:(1)带通 (2)低通 (3)带阻 (4)高通 13.图6-121所示为几种有源滤波电路。

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