mos-3401
LM3401
给高度力量的 Hysteretic PFET 控制器引导了驱动描述上将LM3401 是引导的设计提供对高度力量的持续涌流的一个转变控制器。
LM3401 驱动外部的 P－MOSFET 为递降的调整者转变。
LM3401 递送持续的涌流在±里面6% 对一个广泛的多样性的准确性和被连接的系列的数字引导。
出自放的涌流与外部的现在测知resis－岩山一起调整驱动高度力量引导超过1 一。
对于改良的准确性和效率，LM3401 以双重边磁滞现象、非常低的叁考电压和短增殖延迟为特色。
一个一周期一周期现在的界限提供赞成 tection 的反对结束现在而且使失败短路。
Addi－ tional 的特征包括可调整的磁滞现象和互补型金属氧化半导体为使PWM 暗淡的的可并立的输入Pin。
特征■ Hysteretic 控制为速度和单纯■输入操作 4.5 V-35 V 的范围■ 1.5 百万赫兹最大值转变频率■低点 200 mV 叁考电压■可设计的现在界限■高速互补型金属氧化半导体可并立的准许│暗淡■可调整磁滞现象■输入 UVLO■没有输出电容器必需的■ MSOP-8 包裹申请■被引导的驱动员■电池充电器典型的申请线路Pin＃1Pin名字CS描述现在的感觉用针别住。
对 PFET 排水沟连接2DIM使输入Pin暗淡。
当暗淡的是低点， HG 驱动是走开。
能被连接到逻辑水平 PWM 信号3SNS现在的回应用针别住－对引导的阴极。
连接这一个Pin的一个电阻将设定直流者置于地面引导涌流4HYS磁滞现象调整Pin。
连接从这一个Pin到设定磁滞现象窗户的接地的一个电阻5GND土地的Pin6HG门驱动输出。
连接到 PFET 门7VIN力量补给输入8ILIM现在的界限调整Pin。
连接从这一个Pin到设定现在的界限门槛的 PFET 来源的一个电阻在标准的类型的电的特性规格是给 TJ ＝ 25 °C 只有，和在黑体字类型的极限在联接之上应用温度（TJ） -40 °C 的范围至 +125°C. 除非另外决定了的， VIN ＝24V。
mos3401参数
MOS3401参数1. 什么是MOS3401参数？MOS3401参数是一种用于衡量语音质量的评估方法。
它是基于主观意见分数（Mean Opinion Score，简称MOS）的一种参数化形式，用于对语音通信系统性能进行客观评估和比较。
2. MOS3401参数的计算方法MOS3401参数的计算方法包括以下几个步骤：步骤一：收集主观意见分数在进行MOS3401参数计算之前，需要先收集主观意见分数。
这可以通过让一组受试者对不同语音样本进行主观评价来实现。
受试者将根据其对语音质量的感知给出一个0到5之间的分数，其中0表示非常差，5表示非常好。
步骤二：计算加权得分在获得主观意见分数后，需要将其转换为加权得分。
这可以通过使用特定的转换函数来完成。
对于MOS3401参数计算而言，常用的转换函数是ITU-T P.800系列中定义的函数。
步骤三：计算平均得分在获得加权得分后，需要将其求平均值以得到最终的MOS3401参数。
平均值可以通过对所有加权得分进行求和，然后除以样本数量来计算。
3. MOS3401参数的应用领域MOS3401参数可以用于评估和比较不同语音通信系统的性能。
它在以下领域具有广泛的应用：语音编解码器优化MOS3401参数可以用来评估不同语音编解码器的质量，从而帮助开发人员优化编解码算法。
通过比较不同编解码器的MOS3401参数，可以选择最佳算法以提供更好的语音质量。
网络规划和优化MOS3401参数可以用于评估语音通信系统中网络传输环节对语音质量的影响。
通过测量不同网络配置下的MOS3401参数，可以确定最佳网络规划方案，并对现有网络进行优化。
服务质量监控MOS3401参数可以作为一种客观指标，用于监控语音通信系统的服务质量。
通过定期测量MOS3401参数，可以及时发现并解决可能影响用户体验的问题，提高用户满意度。
4. MOS3401参数与其他评估方法的比较与传统的主观意见分数相比，MOS3401参数具有以下优点：•客观性：MOS3401参数是通过数学计算得出的，不受个体主观因素的影响，具有更高的客观性。
AO3401MOS场效应管规格书
AO3401MOS场效应管规格书一、概述AO3401 是一种常见的 MOS 场效应管，广泛应用于电子电路中的各种开关和放大功能。
它具有低导通电阻、高开关速度和良好的稳定性等特点，能够满足多种不同应用场景的需求。
二、主要特性1、低导通电阻AO3401 的导通电阻通常较低，这有助于减少在导通状态下的功率损耗，提高电路的效率。
2、高开关速度能够快速在导通和截止状态之间切换，适用于高频应用，保证信号的快速传输和处理。
3、栅极阈值电压具有特定的栅极阈值电压，这决定了管子导通所需的控制电压大小。
4、漏源电压和漏极电流能够承受一定的漏源电压和漏极电流，其具体数值在规格书中有明确规定，用户在设计电路时需根据实际需求进行选择，以确保管子在工作过程中不会超过其极限参数。
三、引脚定义AO3401 通常有三个引脚，分别是栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。
1、栅极（G）用于接收控制信号，控制管子的导通和截止。
2、源极（S）通常连接到电路的低电位端。
3、漏极（D）电流从漏极流出，连接到负载或其他电路元件。
四、电气参数1、绝对最大额定值漏源电压（VDS）：最大值为_____V栅源电压（VGS）：最大值为_____V连续漏极电流（ID）：最大值为_____A脉冲漏极电流（IDM）：最大值为_____A功耗（PD）：最大值为_____W工作和存储温度范围：＿____至_____℃2、电特性导通电阻（RDS(on)）：在不同的栅源电压和漏极电流条件下，导通电阻的典型值和最大值有所不同。
阈值电压（VGS(th)）：典型值为_____V输入电容（Ciss）：典型值为_____pF输出电容（Coss）：典型值为_____pF反向传输电容（Crss）：典型值为_____pF五、封装类型AO3401 常见的封装类型有 SOT-23、SOT-89 等。
不同的封装形式在尺寸、散热性能和安装方式上有所差异，用户可以根据实际电路板布局和散热要求进行选择。
关于LED驱动电源那些常见的十款经典LED驱动芯片
关于LED驱动电源那些常见的⼗款经典LED驱动芯⽚⽬前，芯⽚设计⾏业越来越多的⼚家加⼊了LED设计，设计出众多型号，在此从性能价格⽐⽅⾯详细的谈谈，怎样选择⾃⼰合适的IC，哪些IC最合适⾃⼰准备设计的产品。
为IC设计企业了解市场需要什么样的IC，应该制定什么价位中合适。
价格随时会变动只能为参考值。
质量和价格是决定是否采⽤的因数，符合产品设计质量参数要求很重要！价格更重要！1、美国CATALYST公司-CAT4201这个IC驱动1-7颗1W LED。
效率可达92%，6-28V电压输⼊范围降压型驱动应⽤设计。
它最⼤的优势是封装SOT23⼤⼩，线路简介，符合⽬前多数⼩体积灯杯设计使⽤要求。
⼤阻值范围电流调节，可以电位器宽阻值范围调节亮度，⽐如设计台灯等产品需要这样时。
2、美国国家半导体 LM3404LM3404和LM3402的线路⼀样，不同的是电流可以达到1A，驱动1-15pcsLED性价⽐较⾼。
上⾯所列IC规格都是内置MOS管，内置MOS管可以简化线路设计，⼩体积，降低设计综合成本，故障率也会降低。
因其⽬前IC⼯艺制成、成本等原因⼤于1A以上的LED驱动IC需要外置MOS管。
在我们⽇常产品设计中经常会遇到⼤电流设计，⽐如5W、10W等更⾼功率的设计要求，那只能选择外置MOS管的IC才可以。
3、褒贬不⼀的LED驱动芯⽚IC-AMC7150在当时AMC7150还是不错的，它有个很重要的因数就是价格，有不到2元的市场价格，是你采⽤它的理由。
AMC7150⽬前有⼏⼗家可以直接替换的IC型号，价格战会⽆法避免。
在设计参数要求不⾼的低压4-25V产品中可以选择它，基本驱动能⼒在3W以下应⽤设计。
⽐如1W串3颗或3W 1颗LED设计是稳定的。
4、欧洲Zetex公司-ZXLD1350这颗IC⽬前市场反应良好，也是SOT23⼩体积封装，输⼊7-30V电压降压恒流驱动1-7psc LED，线路简洁实⽤。
设计时Rs要紧靠IC避免供电电压⼤幅度不动，这样会影响恒流效果。
常用P沟道场效应管大全
常用P沟道场效应管大全AO P沟道场效应管系列:AO3401,3401 AO SOT-23 P场 -30V -4.2AAO3403L,AO3403,3403 AO SOT-23 P场 -30V -2.6A AO3407,3407 AO SOT-23 P场 -30V -4.1AAO3409,3409 AO SOT-23 P场 -30V -2.6AAO3413L,AO3413,3413 AO SOT-23 P场 -20V -3A AO3415,3415 AO SOT-23 P场 -20V -4AAO3419,3419 AO SOT-23 P场 -20V -3.5AAO4401,4401 AO SOP-8 P场 -30V -6.1AAO4403,4403 AO SOP-8 P场 -30V -6.1AAO4405,4405 AO SOP-8 P场 -30V -6AAO4407,4407 AO SOP-8 P场 -30V -12AAO4411,4411 AO SOP-8 P场 -30V -8AAO4413,4413 AO SOP-8 P场 -30V -15AAO4415,4415 AO SOP-8 P场 -30V -8AAO4419,4419 AO SOP-8 P场 -30V -9.7AAO4423L,AO4423,4423 AO SOP-8 P场 -30V -15A AO4425,4425 AO SOP-8 P场 -38V -14AAO4429,4429 AO SOP-8 P场 -30V -15AAO4433L,AO4433,4433 AO SOP-8 P场 -30V -11A AO4437,4437 AO SOP-8 P场 -12V -11AAO4701L,AO4701,4701 AO SOP-8 P场 -30V -5AAO6401,6401 AO TSOP-6 P场 -30V -5AAO6405,6405 AO TSOP-6 P场 -30V -5AAO6409,6409 AO TSOP-6 P场 -20V -5AAO6419,6419 AO TSOP-6 P场 -30V -5AAO6701L,AO6701,6701 AO TSOP-6 P场 -30V -2.3AAO7401L,AO7401,7401 AO SOT-323 P场 -30V -1.2AAOD403,D403 AO SOT-252 P场 -30V -85AAOD405,D405 AO SOT-252 P场 -30V -18AAOD407,D407 AO SOT-252 P场 -60V -12AAOD409,D409 AO SOT-252 P场 -60V -26AAOU401,U401 AO TO-251 P场 -60V -20AAOU417,U417 AO TO-251 P场 -30V -18AAP/富鼎 P沟道场效应管系列:AP40P03GH,AP40P03,40P03GH,40P03,SOT-252,AP/富鼎,05NPB,SMD/MOS,-30V,-30A,0.028ΩAP4435M,AP4435M,4435M AP/富鼎 SOP-8 P场 -30V -8AAP9575H,AP9575,9575H AP/富鼎 SOT-252 P场 -60V -15AAP6679H,AP6679,6679H AP/富鼎 SOT-252 P场 -30V -75AAP9563H,AP9563,9563H AP/富鼎 SOT-252 P场 -40V -2.6A AP6679P,AP6679P,6679P AP/富鼎 TO-220 P场 -30V -75AAP20P02GJ,AP20P02,20P02GJ AP/富鼎 TO-251 P场 -20V -18ACET/华瑞 P沟道场效应管系列:CEB05P03,05P03 CET/华瑞 SOT-263 P场 -30V -5A FAIRCHILD/仙童 P沟道场效应管系列:NDB6030PL,SOT-263,FAIRCHILD,SMD/MOS,P场,-30V,-30A,0.025Ω NDB6020P,SOT-263,FAIRCHILD,SMD/MOS,P场,-20V,-24A,0.05ΩFDR838P SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017ΩFDR838 SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017Ω838P SOP-8 FAIRCHILD SMD/MOS P场 -20V -8A 0.017ΩFDS4435 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -9AFDS6685 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -8.8ANDS8435 FAIRCHILD SOP-8 P场 0 0NDS9435A,NDS9435 FAIRCHILD SOP-8 P场 -30V -5.3A FDN336P,FDN336 FAIRCHILD SOT-23 P场 -30V -1.3AFDN340P,FDN340 FAIRCHILD SOT-23 P场 -20V -2ANDC652P,NDC652 FAIRCHILD SOT-23-6 P场 -20V -1.3AD10P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -10AD15P05 FAIRCHILD SOT-252 P场 -50V -15AFDD5614P,FDD5614 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -15AFDD6637 FAIRCHILD SOT-252 P场 -35V -55AFQD17P06,17P06,D17P06 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -17A FQD3P50,3P50,D3P50 FAIRCHILD SOT-252 P场 -500V -2.1A RFD10P03L,RFD10P03,10P03 FAIRCHILD SOT-252 P场 -30V -10ASFR9034 FAIRCHILD SOT-252 P场 -60V -14ASFR9224TM,SFR9224 FAIRCHILD SOT-252 P场 -250V -2.5ASFR9310 FAIRCHILD SOT-252 P场 -400V -1.5ANDB6030PL,NDB6030 FAIRCHILD SOT-263 P场 -30V -30ARFP15P05,15P05 FAIRCHILD TO-220 P场 -50V -15ASFP9634 FAIRCHILD TO-220 P场 -250V -5ASFS9630 FAIRCHILD TO-220F P场 -200V -6.5ASFS9634 FAIRCHILD TO-220F P场 -250V -3.4AFQU11P06TU,FQU11P06,11P06 FAIRCHILD TO-251 P场 -60V -11A FQU17P06,U17P06,17P06 FAIRCHILD TO-251 P场 -60V -12A RFD15P05,15P05 FAIRCHILD TO-251 P场 -50V -15A SFU9214 FAIRCHILD TO-251 P场 -250V -2.7ARFD17P06,17P06 FAIRCHILD TO-251短 P场 -60V -17AHIT P沟道场效应管系列:2SJ295,J295 HIT TO-220F P场 -60V -30A2SJ528S,2SJ528,J528 HIT SOT-252 P场 -60V -7A2SJ245,J245 HIT SOT-252 P场 -60V -5A2SJ529,J529 HIT SOT-252 P场 0 0infineon/英飞凌 P沟道场效应管系列:IPP100P03P3L-04,IPP100P03P3L,IPP100P03,100P03,TO-220, infineon,08NPB,P场,-30V,-100A,0.0043Ω3P03L04,TO-220,infineon,08NPB,P场,-30V,-100A,0.0043ΩSPD08P06P,SPD08P06,D08P06 infineon SOT-252 P场 -60V -8.8ASPD09P06P,SPD09P06,09P06 infineon SOT-252 P场 -60V -9ASPD18P06P,SPD18P06,18P06 infineon SOT-252 P场 -60V -18ASPD30P06P,SPD30P06,30P06 infineon SOT-252 P场 -60V -30ASPD50P03L,SPD50P03,50P03 infineon SOT-252-5 P场 -30V -50ASPB08P06P,SPB08P06,08P06 infineon SOT-263 P场 -60V -8A SPB80P06P,SPB80P06,80P06 infineon SOT-263 P 场 -60V -80Aintersil P沟道场效应管系列:IRF9540S,IRF9540,F9540 intersil SOT-263 P场 -100V -23ARFD10P03L,RFD10P03,10P03 intersil TO-251 P场 -30V -10AIR P沟道场效应管系列:IRL5602STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,-20V,-24A,P场,0.042ΩIRF9510STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,-100V,-4A,P场,1.2ΩIRFL9014,FL9014 IR SOT-223 P场 -60V -1.8A IRLML6401,LML6401 IR SOT-23 P场 12V 4.3AIRFR5305PBF,IRFR5305,FR5305 IR SOT-252 P场 -55V -31AIRFR5505,FR5505 IR SOT-252 P场 -55V -18A IRFR6215,FR6215 IR SOT-252 P场 -150V -13AIRFR9014N,IRFR9014,FR9014,FR9014N IR SOT-252 P场 -60V -5.1A IRFR9024N,FR9024N,IRFR9024 IR SOT-252 P场 -60V -8.8AIRFR9024NTRPBF,IRFR9024NTR,FR9024 IR SOT-252 P场 -60V -8.8AIRFR9110N,IRFR9110,FR9110 IR SOT-252 P场 -100V 3.1AIRFR9120N,IRFR9120,FR9120N,FR9120 IR SOT-252 P -100V -5.6A IRFR9210,FR9210 IR SOT-252 P场 -200V -1.9AIRFR9220,FR9220 IR SOT-252 P场 -200V -3.6AIRF4905NS,F4905NS IR SOT-263 P场 -55V -64AIRF5305STRL,IRF5305S,F5305S IR SOT-263 P场 -55V -31AIRF9530NS,F9530NS IR SOT-263 P场 -100V -14AIRF9640NS,IRF9640N,F9640NS IR SOT-263 P场 -200V -11AIRF9Z34S,F9Z34S IR SOT-263 P场 -60V -18AIRL5602S,IRL5602,L5602S,L5602 IR SOT-263 P场 -20V -24AIRF4905PBF,IRF4905,F4905 IR TO-220 P场 -55V -74AIRF5305PBF,IRF5305,F5305 IR TO-220 P场 -55V -31AIRF9510,F9510 IR TO-220 P场 -100V -4A IRF9530,F9530 IR TO-220 P 场 -100V -14AIRF9540N,F9540N,IRF9540,IRF9540PBF IR TO-220 P场 -100V -23AIRF9610,F9610 IR TO-220 P场 -200V -1.8AIRF9640,F9640 IR TO-220 P场 -200V -11AIRF9Z34PBF,IRF9Z34,F9Z34 IR TO-220 P场 -60V -18AIRFI9630G,IRFI9630,FI9630 IR TO-220F P场 -200V -4.3AIRFU5505,FU5505 IR TO-251 P场 -55V -18AIRFU9024N,IRFU9024,FU9024N,FU9024 IR TO-251 P场 -60V -8.8A IRFU9220N,IRFU9220,FU9220N,FU9220 IR TO-251 P场 -200V -3.6AIRF4905S,F4905S IR TO-262 P场 -55V -64A MOT P沟道场效应管系列: MTB50P03HDLT4G,MTB50P03,50P03 MOT SOT-263 P场 -30V -50A NRC P沟道场效应管系列:2SJ132,J132 NEC TO-251 P场 -30V -2A2SJ325,J325 NEC TO-251 P场 -30V -4A2SJ325-Z-E2,2SJ325-Z,J325-Z NEC SOT-252 P场 -30V -4A2SJ326,J326 NEC TO-251 P场 -60V -2A2SJ327-Z,2SJ327,J327-Z,J327 NEC SOT-252 P场 -60V -4A2SJ460TA,2SJ460,J460 NEC TO-92S P场 -50V -0.1A2SJ599,J599 NEC TO-251 P场 -60V -20A2SJ600-Z,2SJ600,J600-Z,J600 NEC SOT-252 P场 -20V -25AON P沟道场效应管系列:NTF2955T1,NTF2955 ON SOT-223 P场 -60V -1.2ANTD2955 ON SOT-252 P场 -60V -12ANTD25P03LT4,NTD25P03L,NTD25P03,D25P03L,D25P03,25P03 ON SOT-2 52 P场 -30V -25ANTD20P06LT4,NTD20P06L,NTD20P06,D20P06L,D20P06,20P06 ON SOT-2 52 P场 -60V -20ASANYO P沟道场效应管系列:2SJ653,J653,SANYO,-60V,-37A,P MOS,25mΩ 2SJ634,J634 SANYO SOT-252 P场 -60V -8A2SJ591,J591 SANYO TO-220F P场 -60V -28A 2SJ652,J652 SANYO TO-220F P场 -60V -28A2SJ653,J653 SANYO TO-220F P场 -60V -37ATM P沟道场效应管系列:TM9435AD,TM9435 TM SOT-252 P场 -30V -10ATOSHIBA/东芝 P沟道场效应管系列:TPC6103,SOT-23-6, -12V, -5.5A,0.035Ω2SJ377-Z,2SJ377,J377-Z,J377 TOSHIBA SOT-252 P场 -60V -5A2SJ439-Z,2SJ439,J439-Z,J439 TOSHIBA SOT-252 P场 -16V -5A VISHAY/威士 P沟道场效应管系列:SUM110P04-04L-E3,SUM110P04,110P04 VISHAY SOT-263 P场 -40V -110ASUP75P05-08,SUP75P05,75P05 VISHAY TO-220 P场 -50V -75A SUP75P03-07,SUP75P03,75P03 VISHAY TO-220 P场 -30V -75A SUP65P04-15-E3,SUP65P04,65P04 VISHAY TO-220 P场 -40V -65A SI4467DY-T1,SI4467DY,SI4467 VISHAY SOP-8 P场 -12V -12A茂达 P沟道场效应管系列:APM3095P,APM3095 茂达 SOT-252 P场 -30V -6A。
常用低压MOS管选型
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
OT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
可兼容、代用、替换市面上各类型的AO4800、Si4800、Si4804、FDS6912A、FDS6930A、
SDM4800、APM7313、IRF7313、AP4920、Si4936，NDS9956A、Si9925、Si9926、Si9956、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2304；Si2304，AO3406，NDS355AN，AP2304，
APM2306，CES2304
KD2306 N-Channel SOT23-3 封装、电压20V、内阻30mΩ、电流8.7A
KD2306A N-Channel SOT23-3 封装、电压30V、内阻30mΩ、电流8.5A
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2303；Si2303， AO3405，AO3409，FDN360P，
FDN358P，FDN352AP，AP2303，APM2307，CES2303
KD2305 P-Channel SOT23-3 封装、电压-20V、内阻53mΩ、电流-4.2A、
KD2305A P-Channel SOT23-3 封装、电压-30V、内阻60mΩ、电流-3.2A、
可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2301；Si2301，AP2301，CEM2301，APM2301，
APM2313，APM2323，CES2301，FDN302 ，FDN342P，FDN338P
led驱动芯片型号有哪些_十款led驱动芯片电路设计
led驱动芯片型号有哪些_十款led驱动芯片电路设计怎么选择自己合适的LED驱动IC？1、市场褒贬不一的LED驱动IC-AMC7150在当时AMC7150还是不错的，我想了想还是提提，它有个很重要的因数就是价格，有不到2元的市场价格，是你采用它的理由。
AMC7150目前有几十家可以直接替换的IC型号，价格战会无法避免。
在设计参数要求不高的低压4-25V产品中可以选择它，基本驱动能力在3W以下应用设计。
比如1W串3颗或3W1颗LED设计是稳定的。
目前士兰半导体推出新款IC，主要是针对驱动24V驱动6颗LED市场。
价格要高于AMC7153优惠于欧美市场IC，适合设计1-6颗LED，输入6-25V输入电压，SOP8封装形式，主要针对目前低端射灯市场。
这个IC驱动1-7颗1WLED。
效率可达92%，6-28V电压输入范围降压型驱动应用设计。
比前面两款IC最大的优势是封装SOT23大小，线路简介，符合目前多数小体积灯杯设计使用要求。
大阻值范围电流调节，可以电位器宽阻值范围调节亮度，比如设计台灯等产品需要这样时。
这颗IC目前市场反应良好，也是SOT23小体积封装，输入7-30V电压降压恒流驱动1-7pscLED，线路简洁实用。
设计时Rs要紧靠IC避免供电电压大幅度不动，这样会影响恒流效果。
总体电子物料成本要略高于前款IC。
LM3402市场反映不错，输入电压范围涵盖整个汽车应用领域，内置MOS管最多可以15颗LED，1-3颗LED是感觉有些贵，5颗以上时性价比很不错。
目前接触到的客户工程师评价很高，接受领域比较广线路简洁实用，是国半众多LED驱动IC中间佼佼者。
LM3404和LM3402的线路一样，不同的是电流可以达到1A，驱动1-15pcsLED性价比较高。
上面所列IC规格都是内置MOS管，内置MOS管可以简化线路设计，小体积，降低设计综合成本，故障率也会降低。
因其目前IC工艺制成、成本等原因大于1A以上的LED驱。
mos3401参数
mos3401的参数包括：
1.输出电压：5V
2.输出电流：2A
3.输入电压：2.5-5.5V
4.输入电压极性：正极性
5.工作温度范围：-20~+85℃
6.保护电路：过热保护、过流保护、过压保护、欠压保护
7.封装形式：SOT-23-3L
8.额定功率：5W
9.型号：MOS3401
10.应用范围：电机驱动、电源转换、电源管理、通信电源等
11.类型：MOSFET
12.电压调节率：0.1% typ
13.输出电压漂移：±5% typ
14.栅极阈值电压：±1V typ
15.输入电容：10pF typ
16.输出电容：22pF typ
17.工作温度：-20°C to +85°C (TA)
18.工作电压范围：2.5V to 5.5V (VS)
19.最大漏源电压：30V
20.最大栅源电压：±10V
21.最小栅极驱动电压：±3V typ
22.最大漏极电流：-40A typ, -30A typ(with VS=5V)
23.最大栅极电阻：4kΩ typ
24.导通电阻（Drain Source导通电阻）：RDS(ON)=4mΩ typ(VS=3V, ID=-40A)
25.导通电阻（Drain Source导通电阻）：RDS(ON)=8mΩ typ(VS=5V, ID=-40A)。
blm3401工作原理
blm3401工作原理（最新版4篇）篇1 目录1.BLM3401 的概述2.BLM3401 的工作原理3.BLM3401 的应用领域篇1正文BLM3401 概述BLM3401 是一种常用的电子元器件，主要用于电源管理领域。
它是一款高效、低成本的线性稳压器，可以提供稳定的输出电压，广泛应用于各种电子产品和设备中。
BLM3401 工作原理BLM3401 的工作原理基于线性稳压器的典型工作原理。
线性稳压器是一种模拟电路，通过调整晶体管的导通程度来实现稳定输出电压。
具体来说，BLM3401 的工作原理如下：1.输入电压：BLM3401 的输入电压范围较宽，通常在 3V 至 30V 之间。
输入电压通过电源输入端进入电路。
2.电流调整：输入电压经过滤波电路后，进入稳压器的调整电阻。
调整电阻的阻值决定了晶体管的导通程度，从而影响输出电压。
3.晶体管：调整电阻的电压加在晶体管的控制端，控制晶体管的导通程度。
晶体管的导通程度决定了输出电压的大小。
4.输出电压：晶体管的集电极连接到输出端，提供稳定的输出电压。
输出电压的大小取决于晶体管的导通程度和负载电流。
5.负载电流：负载电流通过输出端引脚流出，可以驱动外部负载。
负载电流的大小会影响晶体管的导通程度，从而影响输出电压。
BLM3401 的应用领域由于 BLM3401 具有高效、低成本、稳定性好等优点，因此在各种电子产品和设备中都有广泛应用，例如：1.电脑及周边设备：如笔记本电脑、台式机、路由器等。
2.通信设备：如手机、平板电脑、智能手表等。
3.消费电子产品：如电视、音响、摄像机等。
4.工业控制设备：如工控机、PLC 等。
5.医疗设备：如心电图仪、监护仪等。
篇2 目录1.BLM3401 的概述2.BLM3401 的工作原理3.BLM3401 的应用领域篇2正文BLM3401 是一种常用的电子元器件，也被称为双向线性稳压器。
它是一种电源管理芯片，主要用于为电子设备提供稳定的电源供应。
FNK MOS管型号参数大全
12 10 4.5 4.5 2.8 4.5 4.2 1.8 16 6 20 210 5.5 5 15 6.5 3.3 6.5 5 3.2 22 8 28 350 7 7 20 7 19 17 17 15 21 23 24 24 21 27 24 22 22 20 26 6 3.2 6 5.2 2.3 19 8 27 310 7 7 20
Vcesat(15V) (V) Typ Max
Assembly SOT-23 DFN2X26L SOT-23 SOT-23 SOP8 Double SOP8 Double SOP-8 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT23-3L SOT-23 SOT23-3L SOT-23 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 Double SOP-8 TO-252 SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 DFN5X68L TO-251 TO-251 TO-252 TO-220 SOP-8 SOT23-3L SOP-8 SOP-8 TO-252 TO-252 TO-252 TO-252 SOP-8 TO-220 TO-252 TO-220 TO-252 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-263 TO-220 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT23-6 Single SOT23-6 Single TSSOP-8 Single TSSOP-8 Single TSSOP-8 Single SOP-8 Single SOP-8 Single SOP-8 Single SOP-8 Double SOP-8 Double SOP-8 SOP8 TO-251 TO-251 TO-252 TO-252 PDFN5*6 TSSOP-8 SOP-8 SOT23 SOT-523 TSSOP-8 SOP-8 TSSOP-8 Single TSSOP-8 Single FDFN3.3*3.3 TSSOP-8 SOT23-6 SOT23-6 SOT23
MSP3401摩矽MOS管
MSP3401● V DS = -30V,I D = -4.2A R DS(ON) < 130m Ω @ V GS =-2.5V R DS(ON) < 75m Ω @ V GS =-4.5V R DS(ON) < 55m Ω @ V GS =-10V● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package●PWM applications ●Load switch ●Power managementSchematic diagramMarking and Pin AssignmentSOT-23 top viewPackage Marking And Ordering InformationDevice MarkingDevice Device PackageReel Size Tape width Quantity MSP3401SOT-23Ø180mm8 mm3000 unitsAbsolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage V DS -30 V Gate-Source VoltageV GS ±12 V Drain Current-Continuous I D -4.2 A Drain Current-Pulsed (Note 1) I DM-30 A Maximum Power Dissipation P D 1.2 W Operating Junction and Storage Temperature Range T J ,T STG -55 To 150 ℃Thermal CharacteristicThermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)R θJA104 /W ℃-30V(D-S) P-Channel Enhancement Mode Power MOS FETLead FreePIN ConfigurationGeneral FeaturesApplicationGate-Body Leakage Current I GSSV GS =±10V,V DS =0V - - ±100nAOn Characteristics (Note 3) Gate Threshold VoltageV GS(th) V DS =V GS ,I D =-250μA -0.7 -1 -1.3 V V GS =-10V, I D =-4.2A - 50 55 m ΩV GS =-4.5V, I D =-4A - 64 75 m Ω Drain-Source On-State ResistanceR DS(ON)V GS =-2.5V, I D =-1A95 130 m Ω Forward Transconductance g FSV DS =-5V,I D =-4.2A - 10 - SDynamic Characteristics (Note4) Input Capacitance C lss - 950 - PF Output CapacitanceC oss - 115 - PFReverse Transfer Capacitance C rssV DS =-15V,V GS =0V,F=1.0MHz- 75 - PF Switching Characteristics (Note 4) Turn-on Delay Time t d(on) - 7 - nSTurn-on Rise Time t r - 3 - nS Turn-Off Delay Time t d(off) - 30 - nSTurn-Off Fall Time t fV DD =-15V,I D =-3.2A V GS =-10V,R GEN =6Ω - 12 - nSTotal Gate Charge Q g - 9.5 - nC Gate-Source Charge Q gs - 2 - nCGate-Drain ChargeQ gdV DS =-15V,I D =-4A,V GS =-4.5V - 3 - nCDrain-Source Diode Characteristics Diode Forward Voltage (Note 3)V SDV GS =0V,I S =-1A - - -1.2 VNotes:1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.4. Guaranteed by design, not subject to productionElectrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)ParameterSymbol Condition Min Typ Max UnitOff CharacteristicsDrain-Source Breakdown Voltage BV DSS V GS =0V I D =-250μA -30 - V Zero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS =-24V,V GS =0V - - -1 μATypical Electrical and Thermal CharacteristicsFigure 1:Switching Test CircuitT J -Junction Temperature(℃)Figure 3 Power DissipationVds Drain-Source Voltage (V)Figure 5 Output CharacteristicsV INV tFigure 2:Switching WaveformsT J -Junction Temperature(℃)Figure 4 Drain CurrentI D - Drain Current (A)Figure 6 Drain-Source On-ResistanceP D P o w e r (W )I D - D r a i n C u r r e n t (A ）R d s o n O n -R e s i s t a n c e (m Ω)I D - D r a i n C u r r e n t (A )Vgs Gate-Source Voltage (V)Figure 7 Transfer CharacteristicsVgs Gate-Source Voltage (V)Figure 9 Rdson vs VgsQg Gate Charge (nC)Figure 11 Gate ChargeT J -Junction Temperature(℃)Figure 8 Drain-Source On-ResistanceVds Drain-Source Voltage (V)Figure 10 Capacitance vs VdsVsd Source-Drain Voltage (V)Figure 12 Source- Drain Diode ForwardI D - D r a i n C u r r e n t (A )R d s o n O n -R e s i s t a n c e (m Ω)V g s G a t e -S o u r c e V o l t a g e (V )N o r m a l i z e d O n -R e s i s t a n c eC C a p a c i t a n c e (p F )I s - R e v e r s e D r a i n C u r r e n t (A )Vds Drain-Source Voltage (V)Figure 13 Safe Operation AreaSquare Wave Pluse Duration(sec)Figure 14 Normalized Maximum Transient Thermal Impedancer (t ),N o r m a l i z e d E f f e c t i v e T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d a n c eI D - D r a i n C u r r e n t (A )SOT-23 Package InformationDimensions in MillimetersSymbolMIN. MAX.A 0.900 1.150A1 0.000 0.100A2 0.900 1.050b 0.300 0.500c 0.080 0.150D 2.800 3.000E 1.200 1.400E1 2.250 2.550e 0.950TYPe1 1.800 2.000L 0.550REFL1 0.300 0.500θ 0° 8°Notes1. All dimensions are in millimeters.2. Tolerance ±0.10mm (4 mil) unless otherwise specified3. Package body sizes exclude mold flash and gate burrs. Mold flash at the non-lead sides should be less than 5 mils.4. Dimension L is measured in gauge plane.5. Controlling dimension is millimeter, converted inch dimensions are not necessarily exact.。
AO3401-A19T-A18E场效应管
AO3401自主品牌，A19T,A18E场效应管，P沟道MOS管，耐压30V电流（3A,3.8A,4.2A,）SOT-23-3 Plastic-Encapsulate TransistorsHX3401MOSFET(P-Channel)FEATURESHigh Power and current handing capabilityLead free product is acquiredSurface Mount Package恒佳兴电子:15年专注电源管理IC，MOS管深圳市恒佳兴电子有限公司成立于2004年8月1日，一直专注于电源管理IC和MOS 管，原厂正规授权代理的品牌有：微盟、拓微、南麟、富满、泉芯、远翔、民芯和天源，拥有自主品牌：HJX。
秉着仓储式的经营理念，以专业、诚信、效率、服务为宗旨，向客户提供最满意的服务为已任，通过强大的体系向企业提供规范化、专业化、多元化和全方位的优质服务，深受国内外厂家、经销商的信赖和支持！经过十多年的努力奋斗，公司的管理体制逐步完善，拥有一批高素质的员工、优势的货源和高效的服务，成为一家集代理、配套和技术方案的综合型企业，真诚欢迎海内、外客户、朋友前来洽谈合作，共谋发展和建立长期的合作关系！HX自主品牌:MOS管HX2301,HX2302, HX2304, HX2305, HX2306, HX2307, HX2309, HX2310,HX2312, HX2314,HX2315,HX3401,HX3402,HX3404,HX3406,HX3407,HX3409,HX3410,HX3412HX3413,HX3414,HX3415,DW01/8205 ,SI9926,AMP4953,AMP9435,AO4407,AO4606,AO4410，AO4435 LDO稳压系列：耐压6.5V 电流300mA 静态电流8uA :HX6206,HX6211,HX6219，耐压10V 电流300mA 静态电流8uA：HX6306,HX6606耐压18V 电流100mA 静态电流2uA:HX71系列/HX73系列/HX75系列,HX78系列耐压35V 电流100mA 静态电流3uA:HX6203系列锂电充电:HX4054,HX4055,HX4056,HX4057系列检查IC:HX61CN/CC系列,HX70系列，HX809系列,HX810系列,HX811系列公司网址: BOM表配套商城公司地址：深圳市福田区中航路鼎城大厦2502Typical Characteristics AO3401。
FOSAN富信电子 MOS管 FS3401M-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FS3401M SOT-23-30V P Channel Enhancement沟道增强型MOS Field Effect Transistor场效应管▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Drain-Source V oltage漏极-源极电压BV DSS-30V Gate-Source Voltage栅极-源极电压V GS+12V Drain Current(continuous)漏极电流-连续I D（at T A=25°C）-4.4A Drain Current(pulsed)漏极电流-脉冲I DM-17A Total Device Dissipation总耗散功率P D(at T A=25°C)1200mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA104℃/W Junction/Storage Temperature结温/储存温度T J,T stg-55~150℃▉Device Marking产品字标FS3401M=A19TANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FS3401M▉ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Typ 典型值Max 最大值Unit 单位Drain-Source Breakdown Voltage漏极-源极击穿电压(I D =-250uA,V GS =0V)BV DSS -30——V Gate Threshold Voltage栅极开启电压(I D =-250uA,V GS =V DS )V GS (th)-0.6-0.9-1.4VZero Gate Voltage Drain Current零栅压漏极电流(V GS =0V,V DS =-30V)I DSS ——1u A Gate Body Leakage栅极漏电流(V GS =+12V,V DS =0V)I GSS ——+100n AStatic Drain-Source On-State Resistance 静态漏源导通电阻(I D =-4.4A,V GS =-10V)(I D =-4A,V GS =-4.5V)(I D =-2A,V GS =-2.5V)R DS(ON)—45.55264556896m ΩDiode Forward Voltage Drop内附二极管正向压降(I SD =-4.4A,V GS =0V)V SD ——-1.2V Input Capacitance 输入电容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C ISS —1040—pF Common Source Output Capacitance 共源输出电容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C OSS —80—pF Reverse Transfer Capacitance反馈电容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C RSS —68—pF Total Gate Charge 栅极电荷密度(V DS =-15V,I D =-4.4A,V GS =-10V)Q g —22—nC Gate Source Charge 栅源电荷密度(V DS =-15V,I D =-4.4A,V GS =-10V)Q gs —3—nC Gate Drain Charge 栅漏电荷密度(V DS =-15V,I D =-4.4A,V GS =-10V)Q gd—2—nC Turn-ON Delay Time 开启延迟时间(V DS =-15V I D =-1A,R GEN =2.5Ω,V GS =-10V )t d(on)—5—ns Turn-ON Rise Time 开启上升时间(V DS =-15V I D =-1A,R GEN =2.5Ω,V GS =-10V )t r —26—ns Turn-OFF Delay Time 关断延迟时间(V DS =-15V I D =-1A,R GEN =2.5Ω,V GS =-10V )t d(off)—50—ns Turn-OFF Fall Time 关断下降时间(V DS =-15V I D =-1A,R GEN =2.5Ω,V GS =-10V )t f—43—nsANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FS3401M ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线Figure1:Output Characteristics Figure2:Transfer CharacteristicsFigure3:On-Resistance vs.Drain Current Figure4:On-Resistance vs.TemperatureFigure5:Capacitance Characteristics Figure6:Gate-Charge CharacteristicsANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FS3401M ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线Figure7:Drain Current vs.Temperature Figure8:Safe Operating AreaFigure9:Transient Thermal Response Curve安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.FS3401M▉Dimension外形封裝尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
AO3401(MOS场效应管)规格书
SOT-23場效應晶體管(SOT-23Field EffectTransistors)P -Channel Enhancement-Mode MOS FETs P 沟道增强型MOS 场效应管■MAXIMUMRATINGS最大額定值Characteristic 特性參數Symbol 符號Max 最大值Unit 單位Drain-Source V oltage 漏極-源極電壓BV DSS -30V Gate-Source Voltage 栅極-源極電壓V GS +12V Drain Current (continuous)漏極電流-連續I D -3.8A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲I DM -15A Total Device Dissipation 總耗散功率T A =25℃環境溫度爲25℃P D 1250mW Junction 結溫T J 150℃Solder Temperature/Solder Time 焊接溫度/焊接時間T/t 260/10℃/S Storage Temperature 儲存溫度T stg-55to+150℃AO3401■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性(T A =25℃unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲25℃)Characteristic 特性參數Symbol 符號Min 最小值Typ 典型值Max 最大值Unit 單位Drain-Source Breakdown Voltage漏極-源極擊穿電壓(I D =-250uA,V GS =0V)BV DSS -30——V Gate Threshold Voltage栅極開启電壓(I D =-250uA,V GS =V DS )V GS(th)-0.6—-2V Diode Forward Voltage Drop内附二極管正向壓降(I S =-1A,V GS =0V)V SD——-1VZero Gate Voltage Drain Current零栅壓漏極電流(V GS =0V,V DS =-24V)(V GS =0V,V DS =-24V ,T A =55℃)I DSS ——-1-5u AGate Body Leakage栅極漏電流(V GS =+12V,V DS =0V)I GSS ——+100n A Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-3.8A,V GS =-10V)R DS(ON)—5060mΩStatic Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-2A,V GS =-4.5V)R DS(ON)—6080mΩStatic Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-1A,V GS =-2.5V)R DS(ON)—75100mΩInput Capacitance 輸入電容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C ISS —954—pF Output Capacitance 輸出電容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C OSS —115—pF Turn-ON Time 开启時間(V DS =-15V,V GS =-10V,R GEN =6Ω)t (on)— 6.3—ns Turn-OFF Time 关断時間(V DS =-15V,V GS =-10V,R GEN =6Ω)t (off)—38.2—nsPulse Width<300μs;Duty Cycle<2.0%AO3401■DIMENSION 外形封裝尺寸單位(UNIT)：mmAO3401。
3401mos管参数
3401mos管参数3401MOS管是一种常用的晶体管，具有许多优点，适用于各种不同的电子设备和应用。
本文将介绍3401MOS管的参数及其特点。
3401MOS管的主要参数之一是最大漏极电流（IDmax）。
最大漏极电流是指在特定工作条件下，MOS管允许通过的最大电流。
3401MOS管具有较高的最大漏极电流，这意味着它可以承受较大的负载电流，适用于需要高功率输出的电路。
3401MOS管的漏极-源极电压（VDS）是另一个重要参数。
VDS 是指在正常工作条件下，MOS管的漏极和源极之间的电压。
3401MOS管具有较高的VDS，可以在更高的电压范围内正常工作，适用于需要承受较大电压的电路。
3401MOS管的栅极-源极电压（VGS）也是一个关键参数。
VGS是指在正常工作条件下，MOS管的栅极和源极之间的电压。
3401MOS管具有较低的VGS，这意味着它可以在较低的控制电压下正常工作，从而减少功耗和热量产生，提高电路的效率。
另一个重要参数是3401MOS管的开启电压（Vth）。
开启电压是指当栅极和源极之间的电压超过一定阈值时，MOS管开始导通的电压。
3401MOS管具有较低的开启电压，这意味着它可以在较低的电压下开始导通，从而增加电路的可靠性和灵活性。
3401MOS管的输入电容（Ciss）也值得关注。
输入电容是指在正常工作条件下，MOS管的输入端所具有的电容。
3401MOS管具有较小的输入电容，这意味着它可以更快地响应输入信号，提高电路的响应速度。
除了上述参数，3401MOS管还具有一些其他特点。
首先，它具有较低的开关损耗，能够提供更高的效率和更好的能量转换。
其次，它具有较低的温度漂移，能够在不同的温度环境下保持稳定的性能。
此外，它还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于各种工业和商业应用。
3401MOS管是一种具有多种优点和特点的晶体管。
它具有高的最大漏极电流、较高的漏极-源极电压和较低的栅极-源极电压，适用于需要高功率输出和承受较大电压的电路。
HC3401产品规格书 3401
HC3401
Symbol Parameter
Condition
STATIC PARAMETERS
BVDSS IDSS IGSS VGS(th)
Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body Leakage Current Gate Threshold Voltage
VGS=0V ID=-250μA VDS=-30V,VGS=0V VGS=±12V,VDS=0V VDS=VGS,ID=-250μA
VGS=-10V, ID=-4.0A
RDS(ON) Drain-Source On-State Resistance VGS=-4.5V, ID=-3.5A
VGS=-2.5V, ID=1
Single Pulse
PD Ton T
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
1000
VDS=-15V,ID=-1A,
tr
Turn-on Rise Time
VGS=-10V,
td(off)
Turn-Off Delay Time
RG=3Ω
tf
Turn-Off Fall Time
Qg
Total Gate Charge
VDS=-15V,ID=-4.0A,
Qgs
Gate-Source Charge
Parameter
3401场效应管参数
3401场效应管参数
3401场效应管是一种半导体器件,具有放大电流和控制电压的功能。
它的参数对它的性能有着重要的影响。
3401场效应管的参数包括：
1.放大电流：3401场效应管的最大放大电流是其额定电压下的90%左右。
这意味着,如果需要获得更大的电流,就需要使用更高电压的信号。
2.输入阻抗：3401场效应管的输入阻抗是其额定电压下的10k欧姆左右。
这个值越大,就越容易接到一个大的放大器输入阻抗上,并且可以提高电路的稳定性。
3.输出阻抗：3401场效应管的输出阻抗是其额定电压下的1k欧姆左右。
这个值越小,就越容易接到一个负载上,并且可以提高电路的放大倍数。
4.工作电压：3401场效应管的工作电压是其额定电压的1.2到1.6倍。
如果工作电压太低,就会导致3401场效应管的性能下降,甚至无法正常工作。
如果工作电压太高,就会烧毁3401场效应管。
5.温度特性：3401场效应管的工作温度范围是在-65°C到+150°C 之间。
如果工作温度太低,就会导致3401场效应管的性能下降,甚至无法正常工作。
如果工作温度太高,就会烧毁3401场效应管。
3401场效应管的参数对它的性能有着重要的影响。
如果需要获得更好的性能,就需要根据实际需要来选择合适的参数。
AO3401MOS场效应管规格书
AO3401MOS场效应管规格书一、AO3401 MOS 场效应管概述AO3401 是一款常见的增强型 MOS 场效应管，在电子电路中有着广泛的应用。
它具有低导通电阻、高开关速度和低栅极电荷等特性，适用于多种电源管理、开关电路和信号放大等领域。
二、AO3401 MOS 场效应管的主要参数1、漏极源极电压（VDS）AO3401 的漏极源极电压额定值通常为 30V，这意味着在正常工作条件下，漏极和源极之间所能承受的最大电压为 30V。
超过此电压可能会导致器件损坏。
2、栅极源极电压（VGS）其栅极源极电压的额定值一般为 ±12V。
在实际应用中，需要确保施加在栅极和源极之间的电压在这个范围内，以保证管子的正常工作和可靠性。
3、连续漏极电流（ID）AO3401 在 25℃环境温度下，连续漏极电流通常能够达到 42A。
但需要注意的是，实际工作中的电流承载能力还会受到散热条件、工作温度等因素的影响。
4、导通电阻（RDS(on)）导通电阻是 MOS 管的一个重要参数，AO3401 在 VGS ＝ 45V 时，导通电阻典型值约为70mΩ；在 VGS ＝ 10V 时，导通电阻典型值约为38mΩ。
较低的导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路效率。
5、输入电容（Ciss）输入电容的值约为 130pF，它会影响管子的开关速度和驱动电路的设计。
6、输出电容（Coss）输出电容大约为 55pF，对电路的高频特性有一定的影响。
7、反向传输电容（Crss）反向传输电容约为 18pF，在高频应用中需要考虑其对电路性能的影响。
8、封装形式AO3401 常见的封装形式有 SOT-23、SOT-89 等，不同的封装形式在散热性能、安装方式和占用空间等方面有所不同，用户可以根据实际需求进行选择。
三、AO3401 MOS 场效应管的工作原理MOS 场效应管的工作原理基于电场对导电沟道的控制。
对于AO3401 这种增强型 MOS 管，当栅极源极电压低于阈值电压（Vth）时，漏极和源极之间几乎没有电流通过，处于截止状态。
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P-Channel
Enhancement Mode Power MOSFET
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device Device Package
Reel Size Tape width Quantity 3401
3401
SOT-23
Ø180mm
8 mm
3000 units
Absolute Maximum Ratings (T A =25℃unless otherwise noted)
Parameter Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage V DS -20 V Gate-Source Voltage
V GS
±12 V T C =25℃
-3.8A
T C =70℃ -3.2
T A =25℃ -3 Continuous Drain Current
T A =70℃
I D
-2.3
A Drain Current -Pulsed (Note 1) I DM -15 A Maximum Power Dissipation
P D 1.7 W Operating Junction and Storage Temperature Range
T J ,T STG
-55 To 150
℃
Thermal Characteristic
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)
R θJA
74
/W ℃
Electrical Characteristics (T A =25℃unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Condition
Min Typ Max
Unit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown Voltage BV DSS V GS =0V I D =-250μA -20 - - V Zero Gate Voltage Drain Current I DSS V DS =-20V,V GS =0V - - -1 μA Gate-Body Leakage Current I GSS
V GS =±12V,V DS =0V -
- ±100nA
On Characteristics (Note 3) Gate Threshold Voltage
V GS(th) V DS =V GS ,I D =-250μA -0.45 -0.7 -1.0 V
V GS =-4.5V, I D -
39 52 Drain-Source On-State Resistance R DS(ON) V GS =-2.5V, I D
=-3A - 58 75 m Ω
Forward Transconductance g FS V DS =-5V,I D =-2A 6
- - S Dynamic Characteristics (Note4) Input Capacitance C lss - 490 - PF
Output Capacitance
C oss - 290 - PF
Reverse Transfer Capacitance C rss
V DS =-4V,V GS =0V,
F=1.0MHz
- 190 - PF Switching Characteristics (Note 4) Turn-on Delay Time t d(on) - 12 - nS
Turn-on Rise Time t r - 35 - nS Turn-Off Delay Time t d(off) - 30 - nS
Turn-Off Fall Time t f
V DD =-4V,I D =-3.3A , R L =-1.2Ω,V GEN =-4.5V,R g =1Ω- 10 - nS
Total Gate Charge Q g - 7.8 - nC Gate-Source Charge Q gs - 1.2 - nC
Gate-Drain Charge
Q gd
V DS =-4V,I D =-4.1A,V GS =-4.5V - 1.6 - nC
Drain-Source Diode Characteristics Diode Forward Voltage (Note 3) V SD V GS =0V,I S =-1.6A -
- -1.2 V Diode Forward Current (Note 2)
I S - - 1.6 A
Notes:
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.
3. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300μs, Duty Cycle ≤ 2%.
4. Guaranteed by design, not subject to production
=-3.5A。