电力电子器件习题集
第2章 电力电子器件概述 习题答案
第2章 电力电子器件概述 习题第1部分：填空题1. 电力电子器件是直接用于（主）电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担（电能的变换或控制任务） 的电路。
3.处理信息的电子器件一般工作于放大状态，而电力电子器件一般工作在（开关）状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由（控制电路）、（驱动电路）、（保护电路）、（主电路）四部分组成。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：（半控型）、（全控型） 和（不控型）。
6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：（电流驱动型） 和（电压驱动型）7. 电力二极管的主要类型有（普通二极管）、（ 快恢复二极管）、（肖特基二极管）。
8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为（1K ）Hz 以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在(5us)以上。
9.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在(5us)以下。
10.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论（门极是否有触发电流），晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在（门极有触发电流）情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，（门极）就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流（降到接近于零的某一数值以下）。
11.晶闸管的派生器件有：（快速晶闸管）、（双向晶闸管）、（逆导晶闸管）、（光控晶闸管）。
12. 普通晶闸管关断时间（一般为数百微秒），快速晶闸管（一般为数十微秒），高频晶闸管（10us ）左右。
高频晶闸管的不足在于其（电压和电流定额）不易提高。
13.（双向晶闸管）可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。
14.逆导晶闸管是将（晶闸管）反并联一个（二极管）制作在同一管芯上的功率集成器件。
15. 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用（一定波长的光照信号）触发导通的晶闸管。
光触发保证了主电路与控制电路之间的（绝缘），且可避免电磁干扰的影响。
电力电子习题集第1章
第一章 电力半导体器件习题与思考题解1-1．晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？解：晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。
门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流ＩＬ以上。
导通后的晶闸管管压降很小。
使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值－维持电流ＩＨ以下。
其方法有二：１）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；２）增加负载回路中的电阻。
1-2．型号为KP100-3的晶闸管，维持电流I H =4mA ，使用在题1-2图中的电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？解：根据机械工业部标准JB1144-75规定，ＫＰ型为普通闸管，KP100-3的晶闸管，其中100是指允许流过晶闸管的额定通态平均电流为100A ，3表示额定电压为300V 。
对于图(a)，假若晶闸管V 被触发开通，由于电源为直流电源，则晶闸管流过的最大电流为()mA I V 2105001003=⨯= 因为I V < I H ，而I H < I L ，I L 为擎住电流，通常I L =(2~4) I H 。
可见，晶闸管流过的最大电流远小于擎住电流，所以，图(a)不合理。
对于图(b)，电源为交流220V ，当α=0°时，最大输出平均电压9922045.045.02=⨯=≈U U d （Ｖ） 平均电流 9.91099===R U d VAR I (A)波形系数 57.1≈=VARV f I I K 所以， ＩＶ＝K f 。
ＩＶＡＲ＝1.57×9.9＝15.5(A)而KP100-3允许流过的电流有效值为I VE ＝1.57×100＝157(A)， I L < I V <I VE ，所以，电流指标合理。
但电路中晶闸管Ｖ可能承受的最大正反向峰值电压为31122022≈⨯===U U U Rm Fm (V)>300(V)所以，图(b)不满足电压指标，不合理。
电力电子技术第2章_习题_答案
班级姓名学号第2/9章电力电子器件课后复习题第1部分：填空题1. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。
3. 电力电子器件一般工作在开关状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件和全控型器件。
6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。
7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。
8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在5μs以上。
10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5μs以下。
11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。
12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。
13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。
选用时，一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。
14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。
对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。
15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒左右。
电力电子技术课后习题-第一章
第1章电力电子器件填空题：1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为________。
6.电力二极管的主要类型有________、________、________。
7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。
9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM________Ubo。
11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
电力电子技术习题
一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为____ 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为______。
3、逆变电路的负载如果接到电源，则称为____ __逆变，如果接到负载，则称为______ 逆变。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是______，属于电流驱动的器件是______。
5、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
10、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。
（要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高、触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT 是 和 的复合管。
（GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 、MOSFET 、GTR 。
）5、型号为KS100-8的元件表示 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定有效电流为 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽图中，E =50V ；L =；R =; I L =50mA （擎住电流）。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同 8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点及主要应用领域。
9. 请将VDMOS （或IGBT ）管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以及栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5，电感为，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额（考虑电压2-3倍裕度）。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
系统采用220V的交流电压通过降压变压器供电，且晶闸管的最小控制角αmin＝30°，（设降压变压器为理想变压器）。
电力电子技术习题及答案 第1章
8、试说明 IGBT 、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT 、GTR 、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器件 IGBT 优 点 缺 点 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流 开 关 速 度 低 于 电 力 冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高， MOSFET ，电压，电流容 为电压驱动，驱动功率小 量不及 GTO 开关速度低，为电流驱动， 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强 ， 所需驱动功率大，驱动电 饱和压降低 路复杂，存在二次击穿问 题 电流关断增益很小，关断 时门及负脉冲电流大，开 关速度 低， 驱动 功率 大， 驱动电路复杂，开关频率 低 电流容量小，耐压低，一 般中 适 用 于 功 率 不 超 过 10kw 的电力电子装置
过流
二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。 （ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为 500V ，反向重复峰值电压为 700V ，则该晶闸管的 额定电压是 700V 。 （ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。 （ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。 （ √ ） 5、 在晶闸管的电流上升至其维护电流后， 去掉门极触发信号， 晶闸管级能维护导通。 （×
） ）
1、图中阴影部分晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各 波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3 。
解：a ） I d1
1 2
m 4
I sin td (t )
1m 2 ( 1) 0.2717I m 2 2
2 220 311.13V ；取晶闸管的安全裕量为 2 ，则晶闸管额定电压不低于 2× 311.13 ≈
电力电子技术第2章习题_答案解析
班级姓名学号第2/9章电力电子器件课后复习题第1部分：填空题1. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。
3. 电力电子器件一般工作在开关状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件和全控型器件。
6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。
7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。
8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在5μs以上。
10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5μs以下。
11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。
12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。
13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。
选用时，一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。
14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。
对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。
15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒左右。
习题集思考题
第二章习题集思考题一填空题：1.电力电子器件一般工作在_______状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_ _，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_ __。
3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_____、__控制电路____、 __驱动电路______三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路_。
4.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；在全控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。
9、可关断的晶闸管的图形符号是___ __；电力晶体管的图形符号___ ____；功率场效应晶体管的图形符号是___ _；绝缘栅双极型晶体管的图形符号是___ ____。
10、绝缘栅双极型晶体管是以___ 电力场效应管的栅极 ____作为栅极，以_电力晶体管的发射极和集电极__ ____作为发射极与集电极复合而成。
二.简答题：1.使晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关闭？2.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？3.GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？4.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
5．图题2-13中实线部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m，试计算各图的电流平均值还要算有效值．图2-13习题及思考题一填空题：1.电阻负载的特点是________，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________。
哈工大学电力电子习题集3
文件: 电力电子技术16.11
电力电子技术
直流－直流变换器(8)
第3章 习题（2）
第2部分：简答题 5. 桥式可逆斩波电路如题图3－4所示， 电机为正向电动状态。
题图3－4 当电机处于低速轻载运行状态（即负载 电流较小且正负交变），完成下题： （1）采用双极型控制方式时，画出V1 ～V4驱动信号的波形，负载上电压和电流 的波形；并在此基础上结合电流波形说明 在一个周期内的不同区段上负载电流的路 径以及在该区段内电机的工作状态。
哈尔滨工业大学远程教育
文件:
电力电子技术16.19
电力电子技术
直流－直流变换器(8)
第3章 习题（3）
第2部分：简答题 1. 画出隔离型Buck变换器的电路结构并简述其工作原理。（略） 2. 隔离型Buck变换器在正常工作时为什么要设定最大占空比？ 解：为了防止变压器磁通饱和。 3. 画出隔离型Buck-Boost变换器的电路结构并简述其工作原理。（略） 4. 为什么反激式变换器不能在空载下工作？ 答：在负载为零的极端情况下，由于T导通时储存在变压器电感中的磁能 无处消耗，故输出电压将越来越高，损坏电路元件，所以反激式变换器不 能在空载下工作。
电力电子技术
第16讲
3 直流－直流变换器（8）
直流－直流变换器(8)
本讲是的习题课，讲解第3章所布置的习题。
第3章 习题（1）
第1部分：填空题 1.直流斩波电路完成的是直流到另一固定电压或可调电压的直流电的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波 电路。 3.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制、脉冲频率调制和混合型。 ，其中最常用的控制方式是：脉冲宽度调制。 4.脉冲宽度调制的方法是： 周期 不变，导通 时间变化，即通过导通占空比 的改变来改变变压比，控制输出电压。 5.脉冲频率调制的方法是:导通时间不变，周期变化，导通比也能发生变化 ，从而达到改变输出电压的目的。该方法的缺点是：导通占空比的变化范围 有限。输出电压、输出电流中的谐波频率不固定，不利于滤波器的设计 。 6.降压斩波电路中通常串接较大电感，其目的是使负载电流 连续 。 7.升压斩波电路使电压升高的原因：电感L储能使电压泵升，电容C可将输出 电压保持住 。 8.升压斩波电路的典型应用有直流电动机传动和单相功率因数校正等。 9.升降压斩波电路和Cuk斩波电路呈现升压状态的条件是开关器件的导通占 空比为1/2<α <1；呈现降压状态的条件是开关器件的导通占空比为0<α <1/2。
习题集思考题
第二章习题集思考题一填空题：1. 电力电子器件一般工作在 ______ 状态。
2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 _ _ ，而当器件开关频率较高时， 功率损耗主要为 _ __ 。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由 _主电路 ___ 、 __控制电路 __ 、 __ 驱动电路______ 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路 _。
4. 在如下器件： 电力二极管 （Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管 （GTO ）、 电力晶体管（ GTR ）、电力场效应管（电力 MOSFE ）T 、绝缘栅双极型晶体管（ IGBT ）中，属 于不可控器件的是 ____ ，属于半控型器件的是 _______ ，属于全控型器件的是 ______ 在全控的器件中， 容量最大的是 ______ ，工作频率最高的是 _______ ，属于电压驱动的是 _______ ，属于电流驱动的是 _______ 。
9、可关断的晶闸管的图形符号是 ______ ；电力晶体管的图形符号 ___ _______功率场效应晶体管的图形符号是 ___ _ ；绝缘栅双极型晶体管的图形符号是 __10、绝缘栅双极型晶体管是以 ___ 电力场效应管的栅极 ________ 作为栅极，以 _电力晶体管的发射极和集电极 __ ______ 作为发射极与集电极复合而成。
二. 简答题：1. 使晶闸管导通的条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关闭？2. 如何防止电力 MOSFET 因静电感应应起的损坏？3. GTO 与 GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？4. 试说明 IGBT 、 GTR 、 GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。
5．图题 2-13 中实线部分表示流过晶闸管的电流波形， 其最大值均为 I m ，试计算各图的 电流平均值还要算有效值．图2-13L 足够大）负载下的 u d 、i d 、u vt 图形。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术第四版习题集
□ 附录：习 题 集一、填空1、晶闸管的问世，使 电子技术 进入了强电领域，形成了 电力电子 学科。
2、电力电子变流技术的应用主要有以下几方面： 整流 、 直流斩波 、 逆变 、 交流电力控制 、 变频 和 变相 。
3、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为____通态损耗____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为___开关损耗_____。
4、电力电子器件在实际工作中应用中，一般是由 控制电路 、 驱动电路 和以电力电子器件为核心的 主电路 组成的一个系统。
由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加___保护_____。
5、普通晶闸管内部四个区形成 三个 PN 结,外部有三个电极，分别是 阳极A 极、 阴极K 极和 门极G 极。
6、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 正向 电压的同时，门极上加上 触发 电压，晶闸管就导通。
7、只有当阳极电流小于 维持电流 电流时，晶闸管才通转为截止。
8、正弦半波电流的波形系数dI I K 为： 1.57 9、晶闸管的工作状态有正向 阻断 状态，正向 导通 状态和反向 阻断 状态三种。
10、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP 表示该器件的名称为 普通晶闸管 ，50表示 额定电流50A ，7表示 额定电压700V 。
11、逆导晶闸管是将____二极管____与晶闸管__反向并联______（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止 关断过电压 损坏晶闸管的。
13、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 快速熔断器 。
14、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是___静态均压_____措施，给每只管子并联RC 支路是___动态均压_____措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用___先串后并_____的方法。
15、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为 不可控 型器件、 半控 型器件和 全控型 器件。
电力电子习题
第1章绪论1．电力电子技术涉及的三大学科领域是电力学，电子学，控制理论。
2．简答电力电子技术的应用并举例说明之。
一般工业：电化学工业，电解铝，电解食盐水，电镀，冶金工业，淬火电源，直流电弧炉。
交通运输：航空，航海，磁悬浮列车，电动汽车。
电力系统：配电网系统电子装置：程控交换机，大型计算机。
家用电器：电视，音响，冰箱，洗衣机其它：航天飞行器，水力发电。
第2章电力电子器件一、填空题：1.电力电子器件一般工作在____开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为___通态损耗_____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为____开关损耗____。
3.电力电子器件组成的系统，一般由___主电路_____、__驱动电路_____、___控制电路____三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_____保护电路___。
4.晶闸管的基本工作特性可概括为___正向门极有触发则导通_ _反向电压则截止___ 。
5.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L____2~4倍____I H。
6.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM ___<____ U bo。
7.逆导晶闸管是将___二极管_____与晶闸管___反并联_____（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
8.GTO的___多元集成____结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
16.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是____电力二极管____，属于半控型器件的是___晶闸管___，属于全控型器件的是____GTO，GTR，电力MOSFET，IGBT___；在可控的器件中，容量最大的是___GTO_____，工作频率最高的是____电力MOSFET____，属于电压驱动的是____电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）____，属于电流驱动的是____GTO，GTR____。
电力电子技术习题+参考答案
电力电子技术习题+参考答案一、单选题（共20题，每题1分，共20分）1、为了防止逆变失败，最小逆变角限制为( )。
A、100～150B、200～250C、300～350D、400～450正确答案：C2、三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B3、逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、逆阻型晶闸管B、大功率三极管C、可关断晶闸管D、双向晶闸管正确答案：A4、若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（）A、增大三角波幅度B、增大正弦调制波频率C、增大正弦调制波幅度D、增大三角波频率正确答案：B5、可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路B、单相半控桥整流电路C、三相半控桥整流桥电路D、单相全控桥接续流二极管电路正确答案：A6、目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D7、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、30°～150B、0°～150°C、15°～125°D、0°～120°正确答案：B8、具有自关断能力的电力半导体器件称为( )A、触发型器件B、全控型器件C、不控型器件D、半控型器件正确答案：B9、晶闸管稳定导通的条件（）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流C、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流正确答案：A10、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器正确答案：D11、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（）度。
电力电子技术及应用练习题(附答案)
电力电子技术及应用练习题（附答案）一、单选题（共90题，每题1分，共90分）1、共阳极三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻相电压负半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、交流相电压的过零点正确答案：B2、电力场效应晶体管的优点下列选项中错误的是？(____)。
A、开关速度慢B、安全工作区宽C、工作频率高D、无二次击穿问题正确答案：A3、以下三相交流调压电路，适用于各种负载的是(____)。
A、三相三线交流调压电路B、负载Y形连接带中性线的三相交流调压电路C、晶闸管与负载连接成内三角形的三相交流调压电路D、三个晶闸管接于Y形负载中性点的三相交流调压电路正确答案：A4、当温度升高时，晶闸管的正反向漏电流会（）A、增加B、不变C、不确定D、减小正确答案：A5、电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和(____)。
A、双极型器件B、复合型器件C、全控型器件D、单极型器件正确答案：C6、电力电子技术是(____)三大电气工程技术之间的交叉学科。
A、电力、电子与控制B、电力、电子与生产C、电力、电子与技术D、电力、电子与应用正确答案：A7、调光灯电路中，决定灯泡能否点亮的关键是(____)。
A、三极管B、续流二极管C、单结晶体管D、晶闸管正确答案：D8、双向晶闸管的触发方式中，灵敏度最高的是(____)。
A、Ⅰ－B、Ⅲ－C、Ⅲ＋D、Ⅰ＋正确答案：D9、导通后的晶闸管其通态压降(____)左右。
A、20VB、50VC、1VD、150V正确答案：C10、KC04移相集成触发器可以输出两个相位相差(____)的窄脉冲。
A、180°B、90°C、60°D、120°正确答案：A11、电风扇无极调速器是以（）为核心器件。
A、晶体管B、二极管C、三极管D、双向晶闸管正确答案：D12、以下不是电力电子应用技术发展方向的是( )。
电力电子习题集
电力电子题集一、名词解释1.自然换相点2.GTR3.换相重叠角γ4.同步5.相控方式6.换流7.脉宽调制法8.晶闸管的维持导通电流I H9.单拍电路10.双拍电路11.晶闸管的换相重叠角γ12.Buck-Boost电路（库克变换电路）13.电流型无源逆变电路14.晶闸管的擎住电流I L15.晶闸管的控制角α（移相角）16.导通角θ17.逆变18.开关电源19.交—交变频电路20.有源逆变21.GTO22.晶闸管的管耗23.整流电路24.直流斩波电路二、填空题1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现________，若di/dt过大，会导致晶闸管________。
2.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。
各管上承受的最大反向电压为________。
3.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现________。
晶闸管所承受的最大反向电压为________。
4.三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=________。
此电路的移相范围为________。
5.三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为________。
6.把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_______，而把直流电能转换成交流电能称_______。
7.晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为_______器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为_______。
8.IGBT是一种新型复合器件，它的栅极具有9._______器件的电压控制特性，而它的输出极(c,e)具有_______器件的导通压降低的特点。
10.造成晶闸管在工作时发热的原因是_______，决定发热的因素是流过该管的电流_______。
《电力电子技术》习题
《电力电子技术》习题第1章 电力电子器件1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小，I A 下降到维持电流I H 以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.4请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
1.5试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.6请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.7型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题1.7所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.7答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
(b)A V I A 2010200=Ω=, KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。
（c ）A V I A 1501150=Ω=，大于额定值，所以不合理。
2023电力电子习题
习题3.101.电力电子器件一般工作在开关状态，通常情况下，电力电子器件功率损耗为当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
2.二极管英文名字缩写（TVS），二极管电气符号为。
3.电力二极管主要类型：、、。
3.131.晶闸管英文名字缩写为：。
2.同一晶闸管维持电流I H与掣住电流I l在数值大小上有I l I H。
3.晶闸管基本工作特性的概括为正向触发刚导通，反向截止。
3.201.晶闸管：。
门极自关断晶闸管：。
电力晶闸管。
2.GTO的多元集成，多元集成，多元的功率集成结构是为了便于实现萌及控制关断而设计。
3.功率晶体管GTR从高压小电流向低电压大电流跃变现象：。
4.GTR共发射极接法时输出特性中的三个区域：，，。
5.GTR电气符号中：b是极。
c是极。
e是极。
3.271.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR的共发射极接法时输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者截至区对应后者，前者饱和区对应后者，前者非饱和区对应后者。
2.电力MOSFET的电气符号中，G是极，D 极，S 极。
3.电力MOSFET通态电阻具有温度系数。
4.晶闸管；门级的关断晶闸管：；电力晶体管：；绝缘栅双型晶体管：。
电力场效应管晶体管。
4.31.在如下电力电子器件中SCR，GTO，IGBT，MOSFET中，按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电情况，属于双极型器件是；属于单极型器件；属于复合型器件的是；属于电压驱动的是；电流驱动型全控器件。
2.晶闸管的电气图形符号：。
3.门级的关断晶闸管电气图形符：。
4.电气晶体管电气图形符号：。
5.电力场效应晶体管电器图形符号：。
6.绝缘栅双极型晶体管电气图形符号：。
7.如图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，电流最大值为I m，试计算波形的电流平均值I d与电流有效值I L，如果考虑安全裕量为a。
应选择额定电流为多大的晶闸管?4.71.单项桥式全控整流电路，带电阻负载时，其a角的移相范围：带阻感负载时，a角的移相范围：。
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第1章电力电子器件第2章填空题：1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为________。
6.电力二极管的主要类型有________、________、________。
7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为____ 正向有触发则导通、反向截止____ 。
9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L________I H。
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM________Ubo。
11.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的________结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。
15.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。
16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。
19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。
20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是________。
21.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护。
22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。
24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。
25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。
简答题：26.电力电子器件是如何定义和分类的？同处理信息的电子器件相比，它的特点是什么？27.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中保护电路的重要意义？28.二极管的电阻主要是作为基片的低掺杂N区的欧姆电阻，阻值较高且为常量，为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低？29.二极管在恢复阻断能力时为什么会形成反向电流和反向电压过冲？这与它们的单相导电性能是否矛盾？这种反向电流在电路使用中会带来什么问题？30.使晶闸管导通的条件是什么？31.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？32.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？33.GTR的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR带电感性负载时，如果不接二极管VD会产生什么问题？有了二极管VD是否还要加缓冲电路呢？34.如何防止电力MOSFET因静电感应应起的损坏？35.晶闸管的触发电路有哪些要求？36.GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？37.IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？38.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各组件的作用。
39.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
计算题：40.晶闸管在单相正弦有效值电压220V时工作,若考虑晶闸管的安全裕量,其电压定额应选多大?41.流经晶闸管的电流波形如题图1－41所示。
试计算电流波形的平均值、有效值及波形系数。
若取安全裕量为2，问额定电流为100A的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最大值为多少？42.在题图1-42电路中，E＝50V，R＝0.5W,L＝0.5H，晶闸管擎住电流为15mA。
要使晶闸管导通，门极触发脉冲宽度至少应为多少？43.题图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
44.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少？这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?第2章整流电路填空题：1.电阻负载的特点是________，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________。
2.阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________，其承受的最大正反向电压均为________，续流二极管承受的最大反向电压为________（设U2为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为________，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为________和________；带阻感负载时，α角移相范围为________，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为________和________；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个________。
4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =________; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =________。
5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与________的波形基本相同，只是后者适用于________输出电压的场合。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于________，晶闸管控制角α的最大移相范围是________，使负载电流连续的条件为________(U2为相电压有效值)。
7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________，当它带阻感负载时，α的移相范围为________。
8.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是________的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是________的相电压；这种电路 α 角的移相范围是________，u d波形连续得条件是________。
9.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值________。
10.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为________，随负载加重U d逐渐趋近于________，通常设计时，应取RC≥________T，此时输出电压为U d≈________U2(U2为相电压有效值)。
11.电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中，电流id 断续和连续的临界条件是________，电路中的二极管承受的最大反向电压为________U2。
12.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而________，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而________。
13.三相桥式全控整流电路带阻感负载时，设交流侧电抗为零，直流电感L为足够大。
当 α ＝30°时，三相电流有效值与直流电流的关系为I＝________Id ，交流侧电流中所含次谐波次数为________，其整流输出电压中所含的谐波次数为________。
14.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路适用于________的场合，当它带电感负载时，移相范围是________，带电阻负载时，移相范围是________；如果不接平衡电抗器，则每管最大的导通角为________，每管的平均电流为________I d。
15.多重化整流电路可以提高________，其中移相多重联结有________和________两大类。
16.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为________，欲实现有源逆变，只能采用________电路，当控制角0< α < π /2 时，电路工作在________状态； π /2< α < π 时，电路工作在________状态。
17.在整流电路中，能够实现有源逆变的有________、________等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是________和________。
18.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组________，当电流断续时，电动机的理想空载转速将________，随 α 的增加，进入断续区的电流________。
19.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作________运行，电动机________转，正组桥工作在________状态；当其处于第四象限时，电动机做________运行，电动机________转，________组桥工作在逆变状态。