国家存储器基地

项目开工
项目开工
2017年1月1日，总投资240亿美元的“国家存储器基地”项目在武汉东湖高新区正式开工。
建设方
建设方
“国家存储器基地”项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建 设。以芯片制造环节为突破口，集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体，建成后，还将带 动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展。
项目内容
项目内容
“国家存储器基地”项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城，将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超 过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100 亿美元。
意义
意义
芯片国产化是中国在信息安全自主可控政策的实践领域之一，作为信息技术的基础产业，半导体集成电路持 续受到了国家政策的扶持。而存储器是集成电路产业的基础产品之一，产品的成熟度和产业的规模效应均较为显 著，国家存储器基地的建立，标志着芯片国产化之路迈出可靠而重要的一步。
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国家存储器基地
ห้องสมุดไป่ตู้位于武汉光谷的芯片细分市场
01 项目开工
03 项目内容
目录
02 建设方 04 意义
基本信息
国家存储器基地位于武汉光谷。存储器芯片市场是全球垄断最为严重的芯片细分市场，DRAM和NANDFLASH芯 片市场长期被韩国美日垄断，尤其以韩国三星、SKHynix两家为首，共占据了DRAM市场和NANDFLASH市场70%和 50%的市场份额。中国于2013年发布了自主研发的55纳米相变存储芯片，成为继美国和韩国后，全球第三个掌握 相变存储技术的国家。