cmos fsi工艺

cmos fsi工艺
CMOS FSI工艺指的是前照式CMOS传感器工艺，也称为FSI（Front Side Illumination）工艺。

传统的CMOS传感器工艺（称为背照式，Backside Illumination，BSI）的改进型。

FSI 工艺在硅片的光敏面上完成所有必须的电路和传感器制造工艺，而照明光线需要穿过较厚的金属布线层。

这导致光线的损失较多，影响了最终的量子效率（QE，quantum efficiency）。

FSI工艺的一个主要问题在于，由于金属层位于像元之上，导致光子在到达感光区域之前需要穿过较厚的金属布线层，这增加了光子的损失，影响了最终的量子效率。

此外，随着像素解析力的提高和摄像头模组体积的减小，如何用更小的CMOS sensor 获得更好的图像质量成为了一个重要的问题。

背照式CMOS传感器（BSI）技术应运而生，它通过将光线从硅片的背面入射进入感光区，解决了FSI工艺中光子损失的问题。

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