电力电子技术第2章课件

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电力电子技术第2章器件2_SCR

电力电子技术第2章器件2_SCR

无法控制关断,半
a) 双晶体管模型 b) 工作原理
控型器件。
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电力电子技术第2章器件2_SCR
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
定量分析:
•(1-1)
•(1-2)
•(1-3)
•(1-4)
式中1和2分别是晶体管V1和
V2的共基极电流增益;ICBO1和 ICBO2分别是V1和V2的共基极 漏电流。由以上式可得 :
• 例:某晶闸管实际承担电流波形有效值为400A,则可 选额定电流为400/1.57=255A,考虑裕量,实际选额 定电流为500A的晶闸管。
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电力电子技术第2章器件2_SCR
晶闸管的主要参数
•3)动态参数
除开通时间tgt和关断时间tq外,还有:
断态电压临界上升率du/dt
——指在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通 态转换的外加电压最大上升率。
• 关断: ➢ 电流低于维持电
流。 ➢ 阳极电压反极性。
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电力电子技术第2章器件2_SCR
2.3.3 晶闸管的主要参数
•1)电压定额
断态重复峰值电压UDRM
——在门极断路而结温为额定值时,允
许重复加在器件上的正向峰值电压。
反向重复峰值电压URRM
——在门极断路而结温为额定值时,允 许重复加在器件上的反向峰值电压。
图2-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理
•(1-5)
a) 双晶体管模型 b) 工作原理
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电力电子技术第2章器件2_SCR
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
阻断状态:IG=0,1+2很小。流过晶闸管的漏电流稍

《电力电子技术》PPT 第2章

《电力电子技术》PPT 第2章

图2-12 射极接地NPN型晶体管的静特性
图2-13 射极接地型晶体管电路图
小型晶体管最主要功能是作为线性放大器来使用,而功率 晶体管的主要是用于开关,充分发挥其功耗小、无触点的 优点。 图2-15为双极型晶体管的开关动特性。该特性对其它器件如 MOSFET、IGBT、SCR、GTO均适用。因为,它们都要考 虑电荷蓄积时间造成开关时间滞后的问题,不同的元件只 是滞后时间大小不同而已。图中输入信号为基极电流,输 出波形是指集电极电流与时间的关系。
图2-22 IGBT兼有BJT和MOS的优点
由图2-24(a)的IGBT的等效电路可见,IGBT是 以BJT为主导元件、MOS为驱动元件的达林顿结 构器件。其电路图符号如图2-24(b)所示。
图2-22 IGBT等效电路
2.2.4 晶闸管 1 普通晶闸管
晶闸管是四层(PNPN)三端(AKG)器件。A是阳极, K为阴极,G为门极。它有三个PN结J1、J2、J3。在一 般情况下,由于器件存在着反向PN结,因而,无论是承 受正压还是反压,器件均不能导通。
下面再解释一下图2-8(c),如果在PN结上 加与图2-7相反极性的电压,则在结合面上电 位壁垒将大大提高,该结合面仿佛变成了一 个电容器,使得电流不可能再流通。当然, 严格的说,也有接近0的微安级漏电流流过, 此电流称为反向电流。
2.2.3 电力晶体管
电力晶体管根据产生主电流载流子不同分为双极 型和单极型两类。前者载流子为空穴和电子,后 者只是电子(或空穴)。 单极型晶体管是在控制极加上电压形成电场,进行 电流控制。这类晶体管又称场效应晶体管(field effect transistor)简称FET,在后面章节还要详述。
2.4 电力电子器件的模块化
模块是在单个元件基础上发展起来的新器件, 它是有若干个半导体芯片按不同的用途和目的 进行接线后,封装成一个块状整体。90年代已 经开始普及,除少数超大功率器件外,一般中 小功率器件均模块化。其优点是外部接线简单, 抗干扰能力增强。

第二章 电力电子拓扑基础 《高等电力电子技术》课件

第二章 电力电子拓扑基础 《高等电力电子技术》课件

L V
Us
VD C R
L Us
VD
V
C
R
VD V
Us
L
C
R
L1
C1
L2
L1
C1
C1
L2
Us
V
VD R
Us
V
L2
C2 R
Us
L1
VD
C2 R
V VD
从上图所示的6种基本开关变换器拓扑中可以发现:各变换器都有一个功率开 关管和一个二极管组成的基本单元,其中功率开关管和二极管反向连接且连接 节点输出,因此称该结构的基本单元为三端口开关单元,如上图虚线框所示。
a)
b)
图2-1 单向开关单元电路拓扑
a) 单向不可控开关单元 b) 单向可控开关单元
高等电力电子技术
2.1.2 开关变换器拓扑的基本开关单元
(2)准双向开关单元
准双向开关单元是指电流或电压能双向通过,但只有正向可控的基本开关单 元。准双向开关单元分为准双向电流开关单元和准双向电压开关单元,它们 都同时包括二极管和功率开关管。
高等电力电子技术
2.1.2 开关变换器拓扑的基本开关单元
将含有二极管或功率开关管的基本单元称之为“基本开关单 元”。根据功率开关器件所在不同开关变换器中的拓扑结构和特 点,可将其分为三类。
二端开关单元



三端开关单元



基本变换单元
高等电力电子技术
12.1二.2端开开关关变单换元器拓扑的基本开关单元
飞跨电 容式多 电平桥
矩阵式
V1 VD1
V2
VD2 V1
C1 VD5
V2
0

电力电子技术课件l2

电力电子技术课件l2

Id
Ud R
流过每个晶闸管的平均电流IdV为
I dV
1 3
I
d
流过每个晶闸管电流的有效值为
IV
U2 Rd
1
2
2
3
3 2
cos
2
0°≤α≤30°
第2章 三相相控整流电路
IV
U2 Rd
1
2
5
6
3 4
cos
2
1 4
sin
2
0°≤α≤150°
(4) 从图2-1(f)可看出,晶闸管所承受的最大反向电压为
不再符合前面的计算公式。
第2章 三相相控整流电路
2.1.4 共阳极整流电路 图2-6(a)所示电路为将三只晶闸管阳极连接在一起
的三相半波可控整流电路,称为共阳极接法。这种接 法可将散热器连在一起, 但三个触发电源必须相互绝 缘。共阳极接法中,晶闸管只能在相电压的负半周工 作,其阴极电位为负且有触发脉冲时导通,换相总是 换到阴极电位更负的那一相去。
第2章 三相相控整流电路
(2) 由于每相导电情况相同,故只需在1/3周期内求取 电路输出电压的平均值, 即一个周期内电路输出的平均值。
当α≤30°时,电流电压连续,输出直流电压平均值Ud为
Ud
1
2 / 3
5 6 6
2U2 sintd (t) 1.17U2 cos 0°≤α≤30°
式中U2φ为变压器次级相电压有效值。
第2章 三相相控整流电路
由上分析可知:
(1) 控制角α=0°时,输出电压最大;α增大, 输出电压
减小; 当α=150°时, 输出电压为零, 所以最大移相范围为
150°。当α≤30°时,电流(压)连续, 每相晶闸管的导通角θ

高等学院电气工程及其自动化电力电子技术教学电路课件第二章《实际电源的两种模型及其等效变换》

高等学院电气工程及其自动化电力电子技术教学电路课件第二章《实际电源的两种模型及其等效变换》

a 5
b
a
2A
5
b
例6 求图 (a)电路中电流i 。
解:用电源等效变换公式,将电压源与电阻串联等效变换为 电流源与电导并联,得到图(b)电路。用分流公式求得
i 1S (5A 5A) 4A (11 0.5)S
例7 求图 (a)电路中电压u。
解:(1)将1A电流源与5电阻的串联等效为1A电流源。20V 电压源与10电阻并联等效为20V电压源,得到图(b)电路。
(2) 再将电流源与电阻并联等效为一个电压源与电阻串联,得 到图(c)所示单回路电路。由此求得
u (3 20 8)V 2 2V (2 3 4)
9、有关受控源
受控电压源、电阻的串联组合和受控电流源、电导的并联组合 也可以用上述方法进行变换。
此时应把受控电源当作独立电源处理,但应注意在变换过程中 保存控制量所在支路,而不要把它消掉。
例8. a + i
uR
i
b-
ai
+
R
u
-
iR
b-
+
(a)
(b)
端口VCR为:u=R(i-i)=(1- )Ri 端口VCR为:u=Ri-iR=(1- )Ri
对(a) 、(b), 其端口VCR相同,故(a) 、(b)对外电路等效 注: 受控源和独立源一样可以进行两种模型的等效变换。
uR
iC
G2 is2
isn Gn
is isi
is G
G Gi

Rs2
Rn
+
+
n+
us1
us2
usn
-
-
-
is Rs

电力电子技术第二章

电力电子技术第二章

2.2.1 PN结原理






2.2.1 PN结原理
内电场
- - 。 。 。 - - 。 。 。 - - 。 。 。 - - 。 。 。 - - 。 。 。
P型区
-
+ + + + +
+ + + · · · + + + · · · + + + · · · + + + · · · + + + · · ·
P
N J
-
N
K
b) K c)
安徽省高等学校精品课程
电力电子技术
Power Electronics
合肥工业大学电气与自动化工程学院 张兴






第2章 电力电子器件及应用
1 电力电子器件的特点与分类 2 电力电子器件基础 3 功率二极管 4 5 6 7 8
晶闸管 可关断晶闸管(GTO) 电力晶体管 功率场效应晶体管 绝缘栅双极型晶体管







2.1 电力电子器件的特点和分类
2.电力电子器件的分类
根据器件内部带电粒子参与导电的种类不同,电力电子器件又可分为
2.2.1部 只 有 一 种 带 电 粒 子 参 与 导 电 的 称 为 单 极 型 器 件 , 如 Power 器 件 内 PN结原理
MOSFET; 器件内有电子和空穴两种带电粒子参于导电的称为双极型器件,如GTR 和GTO; 由双极型器件与单极型器件复合而成的新器件称为复合型器件,如IGBT 等。

电力电子技术课件 第2章

电力电子技术课件 第2章



控制方式:相位控制 触发角 输出直流电压平均值
1
第2章
相控整流电路
整流电路的分类:

按器件组成:不可控、半控、全控 按电网、交流电相数:单相、三相、多相

按接线方式:半波、全波
2
第2章
相控整流电路
整流电路形式繁杂,重点掌握:

电路拓扑
控制策略


工作原理、波形分析
数量关系
3
第2章
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7
平均值Ud越接近零,输出的直流电流平均值也越小。
18

为避免Ud太小,在整流电路的负载两端并联续流二极管
T a) u1 u2 VT id uVT iVD ud
R
L
VDR R u2 b) O ud c) O id d) O i VT e) O iVD f) O uVT g) O
R
t1
t
t
Id
3) α<ωt<α+θ区域

t
0
t
16
1 1 1 Ud u2d(t ) 2π uR d(t ) 2π uLd(t ) 2π
1 L 0 uL d(t ) 2π 0 di 0 2π
Ud UR
电感元件的一个重要特性:在稳态条件下,电感两端 的电压平均值恒等于零。换言之,在一个周期内,电 感储存的能量等于释放的能量。
sin 2 IVT I 2 2 4
晶闸管在工作中可能承受的最大正、反向电压为电源 电压的峰值
11
变压器二次侧有功功率、视在功率、功率因数
P I R UI

电力电子技术第2章整流电路12节PPT课件

电力电子技术第2章整流电路12节PPT课件

与电流成正比,两者波
0
t
形相同
2020/9/26
图2-1 单相半波可控整流电路5 及波形
2.1.1 单相半波可控整流电路
➢ 几个概念的解释:
➢ ud为脉动直流,波形只在u2正半周内出现,故称“半
波”整流
➢ 采用了可控器件晶闸管,且交流输入为单相,故该电 路为单相半波可控整流电路
➢ ud波形在一个电源周期中只脉动1次,故该电路为单
脉波整流电路
➢ 几个重要的基本概念:
➢ 触发延迟角:从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施
加触发脉冲止的电角度,用表示,也称触发角或控制角
➢ 导通角:晶闸管在一个电源周期中处于通态的电角度
称为导通角,用θ表示
2020/9/26
6
2.1.1 单相半波可控整流电路
➢基本数量关系
直流输出电压平均值为:
U d 2 1 2 U 2 s itn (d t)2 2 U 2(1 c o ) 0 s .4 U 2 5 1 c 2 o
(2-1)
VT的 移相范围为180
➢ 这种通过控制触发脉冲的相位来控制直流输出电压 大小的方式称为相位控制方式,简称相控方式。
2020/9/26
7
2.1.1 单相半波可控整流电路
2. 带阻感负载的工作情况
T
VT
id
uVT
L
a)
➢阻感负载的特点:电感对电流变
u1
u2
ud R
化有抗拒作用,使得流过电感的
电流不能发生突变
u2
➢电力电子电路的一种基本分析方 b ) 0 t 1
法:通过器件的理想化,将电路简 u g
c)
化为分段线性电路,分段进行分 0

第2章 单相可控整流电路

第2章 单相可控整流电路
(2-9)
向负载输出的平均电流值为:
Id U d 2 2U 2 1 cos a U 1 cos a 0.9 2 R pR 2 R 2
b) u VT c) 0 i2 d) 0 ud id 0 a
1,4
d d
(2-11)
流过晶闸管的电流平均值只有 输出直流平均值的一半,即: 1 U 1 cos a I dVT I d 0.45 2 2 R 2
d)
0 i2 0
wt
wt
到触发脉冲即导通,当 u2 过
零时关断。
单相全控桥式带电阻 负载时的电路及波形
2.2 单相桥式全控整流电路
数量关系
1 p 2 2U 2 1 cos a 1 cos a U d 2U 2 sin wtd(wt ) 0.9U 2 p a p 2 2 a 角的移相范围为180。
VT
R
R
2.1 单相半波可控整流电路
单相半波可控整流电路的特点
VT的a 移相范围为180。 简单,但输出脉动大,变压器二次侧电流中含直流分 量,造成变压器铁芯直流磁化。 实际上很少应用此种电路。 分析该电路的主要目的建立起整流电路的基本概念。
1.exe
1.exe
2.2 单相桥式全控整流电路
单相桥式全控整流电路(Single Phase
ud E O i
d
α
q

wt
I
电流连 续
d
O
电流断续
wt
b)
单相桥式全控整流电路接反电动势—电阻负载时的波形
当α < 时,触发脉冲到来时,晶闸管承受负电压,不可能导通。 触发脉冲有足够的宽度,保证当wt=时刻有晶闸管开始承受正电 压时,触发脉冲仍然存在。这样,相当于触发角被推迟为。

第2章 电力电子技术课件(完整)

第2章 电力电子技术课件(完整)

学习要点:
最重要的是掌握其基本特性。 掌握电力电子器件的型号命名法,以及其参数和特性 曲线的使用方法。 了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理 了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。
1-10
2.2
不可控器件—电力二极管· 引言
自20世纪50年代初期就获得应用,但其结构和原理简 单,工作可靠,直到现在电力二极管仍然大量应用于 许多电气设备当中。 在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺 少的,特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和 肖特基二极管,具有不可替代的地位。
1)概念:
电力电子器件(Power Electronic Device)
——可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电 子器件。
主电路(Main Power Circuit)
——电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控 制任务的电路。
2)分类:
电真空器件 半导体器件 (汞弧整流器、闸流管) (采用的主要材料硅)
1-26
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
平板型晶闸管外形及结构
1-27
2.3.1 晶闸管的结构与工作原理
按晶体管的工作原理 ,得:
I c1 1I A I CBO1
I c 2 2 I K I CBO2
(2-1)
(2-2)
(2-3) (2-4)
——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。
电压驱动型
——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信 号就可实现导通或者关断的控制。
1-9
2.1.4
本章内容:
本章学习内容与学习要点

《电力电子技术》PPT第2章

《电力电子技术》PPT第2章

《电力电子技术》PPT第2章2.4电力电子器件的模块化模块是在单个元件基础上发展起来的新器件,它是有若干个半导体芯片按不同的用途和目的进行接线后,封装成一个块状整体。

90年代已经开始普及,除少数超大功率器件外,一般中小功率器件均模块化。

其优点是外部接线简单,抗干扰能力增强。

2.5 智能电力电子模块(IPM)IPM(IntelligentPowerModule)智能电力电子模块是功率集成电路PIC(PowerIntegratedCircuits)的一种。

一类称为高压集成电路,简称HVIC,它是横向高耐压电力半导体器件与控制电路的单片集成;另一类即IPM,它是纵向电力半导体器件与控制电路保护电路以及传感器电路等多功能集成。

由于高度集成化使模块结构十分紧凑,避免了由于分布参数、保护延迟等带来的一系列技术难题,使变频器的可靠性得到进一步提高。

IPM的智能化表现为可以实现控制、保护、接口三大功能,构成混合式电力集成电路。

2.6全控型电力电子器件的比较1电压、电流的比较图2-45电压、电流的比较2性能的比较200200200200125150最高工作结温(℃)中等高高高低中等di/dt高高高高低中等du/dt中等低低很低中等高门栅极驱动功耗100200×10320×103501050最大开关速度(kHz)10倍额定值5倍额定值5倍额定值5倍额定值10倍额定值3倍额定值浪涌电流耐压量100~500306604030正向导通电流密度(A/cm2)220200100~12400~1003500400正向电流范围(A)500~450050~150050~1000200~2500500~9000100~1400正向阻断电压范围(V)500~450000200~2500500~6500<50反向电压阻断能力(V)导通/关断导通/关断阻断阻断阻断阻断常态电压电压电压电压电流电流控制方式S.ITHS.ITVDMOSIGBTGTOBJT器件名称2.7电力电子器件的相关技术1串并联技术图2-47直流输电用晶闸管变换装置的一个模块(桥式电路的一个臂)该模块均衡电路由以下几部分构成。

电力电子技术第二章201909

电力电子技术第二章201909
3) 复合型器件(Complex Device):由单极型器件和双 极型器件集成混合而成的器件(IGBT,MCT,IGCT)
电力电子技术
2.1.2 电力电子器件的分类
电力电子器件分类树2
MCT 混
合 IGBT 型

双 SITH 极
功率MOSFET 单

功率SIT 极
合 型
肖特基势垒二极管 型

主电路(Main Power Circuit)—电力电子
设备或系统中,直接完成电能变换或控制的电路 。
电力电子技术
2.1.1 电力电子器件的特点
升压变压器
690V
接触器 EMI
核心控制单元 LCL 滤波器
接触器 核心控制单元
Vdc
EMI
du/dt 抑制器
DFIG
SVPWM SVPWM
iL2 ig vg
电力半导体器件所采用的主要材料仍然是硅(也可以是锗、 硒、金刚石等单元素材料,或者是砷化镓、碳化硅等化合 物材料)。
电力电子技术
2.1.1 电力电子器件的特点
同处理信息的电子器件相比,电力电子器件的 一般特征:
1)具有较大的耗散功率
• 处理功率较大,具有较高的导通电流和阻断电压 • 器件自身的非理想性(导通电阻、阻断漏电流等) • 一般都需要安装散热器
+4
+4
+4
+4
+4
+45
+45
+4
+4
+4
+4
+4
施主杂质
电力电子技术
2.2.1 PN结原理
P型半导体 (空穴型半导体:多数载流子-空穴;少数载流子-电子)) (空穴
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第二章 整流电路1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电,L =20mH,U 2=100V ,求当︒=0α时和︒60时的负载电流Id,并画出Ud 与Id 波形。

解:︒=0α时,在电源电压U2的正半周期晶闸管导通时,负载电感L 储能,在晶闸管开始导通时刻,负载电流为零。

在电源电压U2的负半周期,负载电感L 释放能量,晶闸管继续导通。

因此,在电源电压U2的一个周期里,以下方程均成立:t U dtdi Ldωsin 22= 考虑到初始条件:当0=t ω时id=0可解方程:)-(=t cos 1LU22Id ωω ⎰∏∏=20)(d t cos 1LU2221Id t ωωω)-()(51.22U22A L==ω Ud 与Id 的波形如下图:当a=︒60时,在U2的正半周期︒60~︒180期间, 晶闸管导通使电惑L 储能,电感L 储藏的能量在U2负半周期︒180~︒300期间释放,因此在U2的一个周期中︒60~︒300期间,以下微分方程成立:t U dtdi Ldωsin 22= 考虑到初始条件:当︒=60t ω时id=0可解方程得:id=)cos 2122t dt U ω-( 其平均值为Id=⎰∏∏=-∏35322)25.11L2U 2)()cos 21(221A t d t L U (=ωωωω 此时Ud 与id 的波形如下图:2.图2-9为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,问该变压器还有直流磁化问题吗 试说明(1)晶闸管承受的最大反向电压为2U2;(2)当负载是电阻或电感时,其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同.答:具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路,该变压器没有直流磁化的问题. 因为单相全波可控整流电路变压器二次侧绕组中,正负半周内上下绕组内电流的方向相反,波形对称, 其一个周期内的平均电流为零,故不会有直流磁化的问题. 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况.①以晶闸管VT2为例.当VT1导通时,晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕组并联,所以VT2承受的最大电压为2U2.②当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角相同时,对于电阻负载;(O~)期间无晶闸管导通,输出电压为0;(~)期间,单相全波电路中VT1导通,单相全控桥电路中VTl,VT4导通,输出电压均与电源电压U2相等;( ~+)期间均无晶闸管导通,输出电压为0;( + ~2)期间,单相全波电路中VT2导通,单相全控桥电路中VT2,VT3导通,输出电压等于-U2.对于电感负载;( ~+)期问,单相全波电路中VTl 导逼,单相全控桥电路中VTl,VT4导通,输出电压均与电源电压U2相等;( + ~2+)期间,单相全波电路中VT2导通,单相全控桥电路中VT2,VT3导通,输出波形等于-U2. 可见,两者的输出电压相同,加到同样的负载上时,则输出电流也相同.3.单相桥式全控整流电路,U 2=100V ,负载中R =2Ω,L 值极大,当α=30°时,要求:①作出u d 、i d 、和i 2的波形;②求整流输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次电流有效值I 2; ③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解:①u d 、i d 、和i 2的波形如下图:②输出平均电压U d 、电流I d ,变压器二次电流有效值I 2分别为U d =0.9 U 2 cos α=0.9×100×cos30°=77.97(V )I d =U d /R =77.97/2=38.99(A )I 2=I d =38.99(A )③晶闸管承受的最大反向电压为:2U 2=1002=141.4(V )考虑安全裕量,晶闸管的额定电压为:U N =(2~3)×141.4=283~424(V )具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

流过晶闸管的电流有效值为:I VT =I d ∕2=27.57(A )晶闸管的额定电流为:I N =(1.5~2)×27.57∕1.57=26~35(A )具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

4. 单相桥式半控整流电路,电阻性负载,画出整流二极管在一周内承受的电压波形。

解:注意到二极管的特点:承受电压为正即导通。

因此,二极管承受的电压不会出现正的部分。

在电路中器件均不导通的阶段,交流电源电压由晶闸管平衡。

整流二极管在一周内承受的电压波形如下:5.单相桥式全控整流电路,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,反电势E=60V,当α=30︒时,要求:①作出u d、i d和i2的波形;②求整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次侧电流有效值I2;③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解:①u d、i d和i2的波形如下图:②整流输出平均电压U d、电流I d,变压器二次侧电流有效值I2分别为U d=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(A)I d=(U d-E)/R=(77.97-60)/2=9(A)I2=I d=9(A)③晶闸管承受的最大反向电压为:2U2=1002=141.4(V)流过每个晶闸管的电流的有效值为:I VT=I d ∕2=6.36(A)故晶闸管的额定电压为:U N=(2~3)×141.4=283~424(V)晶闸管的额定电流为:I N=(1.5~2)×6.36∕1.57=6~8(A)晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

6. 晶闸管串联的单相半控桥(桥中VT1、VT2为晶闸管),电路如图2-11所示,U2=100V电60时求流过器件电流的有效值,并作出Ud、Id、I VT,I D 阻电感负载, R=20,L值很大,当α=︒的波形。

解:Ud、Id、I VT,I D的波形如下图:负载电压的平均值为:Ud=)(59.672)3cos(129.0)(sin 2213V U t td U =∏+=∏⎰∏∏ωω 负载电流的平均值为:Id=Ud/R=67.52/2=33.75(A) 流过晶闸管VTl 、VT2的电流有效值为: I VT ==Id 3119.49(A) 流过二极管VD3、VD4的电流有效值为: I VD =Id 32=27.56(A)7. 在三相半波整流电路中,如果a 相的触发脉冲消失,试绘出在电阻性负载和电感性 负载下整流电压Ud 的波形。

解:假设α=︒0,当负载为电阻时,Ud 的波形如下:当负载为电感时,Ud 的波形如下:8. 三相半波整流电路,可以将整流变压器的二次绕组分为两段成为曲折接法,每段的电动势相同,其分段布置及其矢量如图所示,此时线圈的绕组增加了一些,铜的用料约增加10%,问变压器铁心是否被直流磁化,为什么?图变压器二次绕组的曲折接法及其矢量图答: 变压器铁心不会被直流磁化。

原因如下:变压器二次绕组在一个周期内:当a1c2对应的晶闸管导通时,al的电流向下流,c3的电流向上流;当clb2对应的晶闸管导通时,cl的电流向下流,b2的电流向上流;当bla2对应的晶闸管导通时,bl的电流向下流,a2的电流向上流;就变压器的一次绕组而言,每一周期中有两段时间120)由电流流过,流过的电流大小相等而方向相反,故一周期内流过的电流平均值为(各为︒零,所以变压器铁心不会被直流磁化。

9. 三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相的自然换相点是同一点吗?如果不是,它们在相位上差多少度?答:三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a、b两相之间换相的的自然换相点不是同180一点。

它们在相位上相差︒10. 有两组三相半波可控整流电路,一组是共阴极接法,一组是共阳极接法,如果它们的触发角都是α,那么共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说,例如都是a相,在相位上差多少度?180答:相差︒60时,要求: ll. 三相半波可控整流电路,U2=100V,带电阻电感负载,R=50Ω,L值极大,当α=︒①画出Ud, Id和I VT1的波形;②计算U d、I d、I dT和I VT解: ①Ud, Id和I VT1的波形如下图:②U d、I d、I dT和I VT分别如下60=58.5(V)Ud=1.17U2cosα=1.17×100×cos︒Id=Ud/R=58.5/5=11.7(A)Idv T=Id/3=11.7/3=3.9(A)I VT=Id/3=6.755(A)12. 在三相桥式全控整流电路中,电阻负载,如果有一个晶闸管不能导通,此时的整流电压Ud波形如何?如果有一个晶闸管被击穿而短路,其他晶闸管受什么影响?答:假设VTl不能导通,整流电压波形如下:假设VT1被击穿而短路,则当晶闸管VT3或VT5导通时,将发生电源相间短路,使得VT3、VT5也可能分别被击穿。

13.三相桥式全控整流电路,U2=100V,带电阻电感负载,R=5Ω,L值极大,当α=60︒时,要求:①画出u d、i d和i VT1的波形;②计算U d、I d、I dT和I VT。

解:①u d、i d和i VT1的波形如下:i②U d、I d、I dT和I VT分别如下U d=2.34U2cosα=2.34×100×cos60°=117(V)I d=U d∕R=117∕5=23.4(A)I DVT=I d∕3=23.4∕3=7.8(A)I VT=I d∕3=23.4∕3=13.51(A)14.单相全控桥,反电动势阻感负载,R=1Ω,L=∞,E=40V,U2=100V,L B=0.5mH,当α=60︒时求U d、I d与γ 的数值,并画出整流电压u d的波形。

解:考虑L B时,有:U d=0.9U2cosα-ΔU dΔU d =2X B I d ∕π I d =(U d -E )∕R解方程组得:U d =(πR 0.9U 2cos α+2X B E )∕(πR +2X B )=44.55(V )ΔU d =0.455(V ) I d =4.55(A )又∵αcos -)cos(γα+=2B d X I ∕U 2 即得出)60cos(γ+︒=0.4798换流重叠角γ = 61.33°- 60°=1.33°最后,作出整流电压U d 的波形如下:15.三相半波可控整流电路,反电动势阻感负载,U 2=100V ,R =1Ω,L =∞,L B =1mH ,求当α=30︒时、E =50V 时U d 、I d 、γ 的值并作出u d 与i VT1和i VT2的波形。

解:考虑L B 时,有:U d =1.17U 2cos α-ΔU d ΔU d =3X B I d ∕2π I d =(U d -E )∕R解方程组得:U d =(πR 1.17U 2cos α+3X B E )∕(2πR +3X B )=94.63(V )ΔU d =6.7(V ) I d =44.63(A )又∵αcos -)cos(γα+=2B d X I ∕6U 2 即得出)30cos(γ+︒=0.752换流重叠角γ = 41.28°- 30°=11.28°u d 、i VT1和i VT2的波形如下:i i16.三相桥式不可控整流电路,阻感负载,R =5Ω,L =∞,U 2=220V ,X B =0.3Ω,求U d 、I d 、I VD 、I 2和γ 的值并作出u d 、i VD 和i 2的波形。

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