硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据

部分硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据
由于硅材料的短缺，大家纷纷把目光转向了原先的废料，进行清洗处理后再使用，这个领域李仙寿在国内最早进入的，目前可以成熟清洗的特殊硅原料：IC蓝膜硅片、普通IC硅片色片、制绒片、IC氧化片、自产残片、砂浆片、电路板、电池片、银铝浆硅板等。

以下为原料腐蚀清洗处理的部分数据及图片资料，证明清洗后废料的可使用性。

部分硅原料清洗腐蚀工艺及投炉实验数据：
一、针对原料表面氧化和用哈磨粉超声波清洗的原料进行了单独投炉，分别是11-0706-14、5-0707-01两根晶棒，料化完后，液面较干净，成晶较好，检测数据如下：（氧含量单位：O atoms/cm3×1017 碳含量单位：C atoms/cm3×1017 少子寿命单位：μs）
二、针对原料表面淡蓝色的镀层和电子片原料进行了单独投炉，分别是
12-0707-10，15-0707-10两根晶棒，料化完后，液面稍脏，但成晶较好，检测数据如下：
三、制绒片单投一炉，料化完后液面较干净，成晶较好，检测数据如下：
四、砂浆片进行了单独投炉，分别是09-0706-08、03-0706-08两根晶棒，料化完后，液面较干净，成晶较好，检测数据如下：
五、对自产残片进行了单独投炉，晶棒编号是18-0710-08，料化完后液面较干净，成晶较好，检测数据如下：。