MB6S 封装MBS 系列规格书推荐
B16WS(丝印SM)二极管规格书(含样品申请表)
60
IF
Continuous forward current
1
IFSM
Peak forward surge current
10
Ptot
Total power dissipation
250
RθJA
Thermal resistance junction to ambient air
400
TJ
Junction temperature
Tstg
storage temperature
125 -55~+150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified)
Unit
V
A mW ℃/W ℃ ℃
Parameter Maximum instantaneous forward voltage Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
www.nscn.com.cn
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes
B16WS Schottky Barrier Diode
FOSAN富信电子 三极管 MMBTA05 MMBTA06-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
MMBTA05/MMBTA06
SOT-23Bipolar Transistor 双极型三极管
▉Features 特点
NPN General Purpose 通用
▉Absolute
Maximum Ratings 最大额定值
Characteristic 特性参数
Symbol 符号Rat 额定值
Unit 单位MMBTA05
MMBTA06
Collector-Base Voltage 集电极基极电压V CBO 6080V Collector-Emitter Voltage 集电极发射极电压V CEO 60
80
V Emitter-Base Voltage 发射极基极电压V EBO 4V Collector Current 集电极电流I C
500mA Power dissipation 耗散功率
P C (T a =25℃)
300mW Thermal Resistance Junction-Ambient 热阻
R ΘJA 417
℃/W
Junction and Storage Temperature 结温和储藏温度
T J ,T stg
-55to+150℃■Device Marking 产品打标
Type MMBTA05
MMBTA06Mark
1H
1GM
ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.
MMBTA05/MMBTA06
■Electrical
MB6S整流桥
MB6S整流桥
MB6S规格书:
高浪涌过载率：35A峰值
最大重复峰反向电压：600V
最大直流阻断电压：600V
当电流=1.0A时，正向压降：1.0V
最大反向直流电流TA=25℃：5.0uA
每支腿额定直流阻断电压TA=125℃：100.0uA 工作温度和存储温度范围：
-55 to +150℃
重量：0.22克
高温焊接保证：260℃/10秒
极性：“-”表示阴极端(看下图)
MB6S正负极
伯恩半导体 SMB封装 P0640SC 规格书
Features
◆ Bi-directional crowbar transient voltage protection ◆ High surge capability ◆ High off-state impedance ◆ Low leakage current ◆ Low on-state voltage ◆ Short-circuit failure mode
DO-214AA(SMB)
Main Application
BORN’s thyristor surge protector devices are degsn ied to help protect sensitive telecommunication equipment from the hazards caused by lighning ,power contact,and power induction. These devices enable equipment to comply with various regulatory requirements including GR 1089,ITU K.20,K.21and K.45,IEC 60950,UL 60950,and TIA-968-A(formerly known as FCC Part 68).
Typical application including:
● Central office switching equipment. Analog and digital linecards(xDSL,T1/E1,ISDN……)
MB2F-MB10F MBF 系列规格书推荐
MB2F THRU MB10F
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
Voltage Range - 200 to 1000 Volts Current -
0.5/0.8 Ampere
1of 2
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES MB2F THRU MB10F
2of 2
MB86H61系列：SoC
１ ８ ｐ的情 况 下得 到 实现 。芯 片 的智能 分 析功 能 可将 供 用先进的 ＡＲ １４ ５ ０ ０ Ｍ１ （７ ＤＭＩ Ｓ ，用于处理应用程序 ； ｉｅ Ｐ ） Ｖｄ ｏ
应链 与设计复杂性 降低三 分之一 ，从而可加 速产 品的上市 视频解码单元采用 富士 通独有专利技术的硬件视频处理器 ，
户提供更多的设计选择 ，是 Ｔ ｌ ｌ Ｐ摄像机应用专用产品系列的 频 解 码单 元则 采用 高性 能 的 Ａ ７ ５ Ｍ（９ ＤＭＩＳ） ＲＣ ２ Ｔ ５ ４ Ｐ ，可
新一 产品。 代 圈皤嚣翻
Ｔｅ ｓ Ｉ ｓｔ ｕｍ ｅｎｔ Ｗ Ｗ Ｗ．ｉ ｘａ ｎ ｒ ｓ ｔ． ｃｏｍ ． ｎ ｃ
Ｔ 推 出具有 智能分Hale Waihona Puke Baidu功 能的百万 像素 ｌ ｌ Ｐ摄像 机片上
ＭＢ ６ １ 列 ： ｏ ８ Ｈ６ 系 ＳＣ
富士 通微 电子发 布下一代 高清晰度 多标 准视 频解码器 解决 方案 ＭＢ ６ ６ ８ Ｈ １系列 Ｓ Ｃ。此 系列芯 片主要应 用于数 ｏ
系统 （ｏ ） Ｓ Ｃ —— 达芬奇 （ａ ｉ ｉＤ Ｖ ２视频处 理器 。 Ｄ Ｖｎ ） Ｍ Ａ ｃ
灵活支持多种先进音频格式 ， ＤＤ、 ＋ Ａ Ｃ、 Ａ 等 。 如 ＤＤ 、 Ａ ＤＲ
美浦森半导体产品选型手册说明书
产品选型手册Product Selection Manual 2022.11
01
(Company Profile)
公司发展历程
0304
深圳市美浦森半导体有限公司 2014年成立,总部位于深圳,是一家专业功率半导体元器件设计公司。公司产品包括中大功率场效应管( 高中低压全系列产品, Trench MOSFET/SGT MOSFET /Super Junction MOSFET / Planar MOSFET),SiC 二极管、SiC MOSFET 等系列产品。
美浦森半导体在深圳/上海设有研发中心, 主要研发人员在产品研发和生产制程方面都具有丰富的行业经验, 平均行业经验在15年以上。在深圳建立有半导体功率器件测试和应用实验室,主要负责产品的设计验证、参数测试、可靠性验证、系统分析、失效分析等,承担美浦森产品的研发质量验证。目前,美浦森半导体MOSFET 和碳化硅系列产品在LED 电源、PD 电源、PC 和服务器电源、光伏逆变、UPS 、充电桩、智能家居、BLDC 、BMS 、小家电等领域得到广泛应用。
创新 高效 热爱 持续是美浦森半导体的核心价值; 用创新实现突破, 是公司不断前进的动力源泉。专业于MOSFET 器件领域的拓展, 运用创新的电路设计和国际同步的研发技术, 成功研发出新一代MOSFET 系列产品, 产品相关性能达到行业领先水平。我们始终坚持不断创新、不断突破, 始终保持产品第一、技术第一、服务第一的行业领先地位, 全心全意做好产品的开发与用户的极限体验 。
功率器件实验室&应用实验室
MB6S参数
MB6S
参数 MB6S，
是一种SMD
式器件，采
用SOIC 封
装方式。
相数:单
相
电压,
Vrrm:600V
电流, If
平均:0.5A
正向电
压 Vf 最
大:1V
功耗,
Pd:1.4W
安装类
型:SMD
封装类
型:SOIC
针脚
数:4
外
宽:4.9mm
外部深
度:4.2mm
外部长
度/高
度:3mm
封装类
型:SOIC
电流, Ifs
最大:35A
相数:1
表面安
装器件:表面
安装
输入电
压有效
值:420V
封装形
式:SOIC
MB6S桥堆规格书
6.40 0.45 2.30 0.10 0.53 1.40 ----
1.02 0.15
6.91 0.75 2.70 0.20 0.58 1.65 5.08
1.27 0.35
Figure 3 Forward Derating Curve 1.2
1.0
.8
.6 Amps
.4
.2 Single Phase, Half Wave
60Hz Resistive or Inductive Load
0 0
40
50
75 100 125 150
175
°C
Average Forward Rectified Current - Amperesversus Ambient Temperature -°C
MCC Catalog Number
MB05S MB1S MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S
Device Marking
MB05S MB1S MB2S MB4S MB6S MB8S MB10S
Maximum Rccurrent Peak Reverse
Voltage 50V
100V 200V 400V 600V 800V 1000V
Figure 4 Peak Forward Surge Current 60
QT3618A_DATASHEET
深圳棨天电子有限公司
CERES QT3618A 高精度原边反馈CC/CV 芯片
特点
主要描述
➢
±5%的恒压精度 ±10%的恒流精度
➢ 恒压环无需光耦和 TL431 ➢ 内部集成 700V 功率开关 ➢ 频率随机抖动低 EMI 干扰 ➢ 可调节输出线补偿电压 ➢ 低启动电流(5uA) ➢ 内置软起动 ➢ 内置输入电压补偿 ➢ 逐周期的电流限制 ➢ 反馈过压保护(OVP) ➢ 反馈环路开路保护 ➢
输出短路保护
应用范围
➢ 手机或无绳电话充电器, ➢ 小功率适配器 ➢
小功率 LED
QT3618A 适合于低成本，高精度要求的恒流恒压 (CC/CV)应用。 恒流恒压环无需光耦,TL431和补 偿电路, 内部集成700V 功率管，降低系统的成本。 QT3618A 可以满足输出电压±5%的量产精度。 极 低的启动电流，准谷底检测可以轻松满足EPA2.0 的能效要求。 输出线缆的电压补偿可以根据客户 的要求进行调节，大大方便了客户对系统的设计。QT3618A 还集成了多种保护功能： 欠压锁定，前 沿消隐, 过压保护，过流保护，环路开路保护，输 出短路保护，极大增加了系统的稳定性。QT3618A 提供SOP-8的封装，QT3618S 为SOP-7封装。
典型应用
图1 QT3618A 典型应用图
管脚号管脚名主要描述
1 Cs 原边电流检测管脚
2 Fb 输出电压的反馈管脚
3 GND 芯片地
4 Vcc 芯片电源端
5．6 CAB 外接电阻电容,调整输出线的补充电压 7．8
VC
外接变压器的原边高压输出端, 可以耐700V 电压
ASEMI分享整流桥贴片型号MB6S参数与规格
编辑人：MM
型号：MB6S参数
品牌：ASEMI
封装：MBS-4
特性：贴片
∙★电性参数：1A600V
∙★芯片材质：GPP
∙★正向电流(Io)：0.5A
∙★芯片个数：4
∙★正向电压(VF)：1.00
∙★芯片尺寸：46MIL
∙★浪涌电流Ifsm：30
∙★是否进口：是
∙★漏电流(Ir)：5uA
∙★工作温度：-55~+150℃
∙★恢复时间(Trr)：500ns
∙★引线数量：4
常见集成整流桥的各种封装以及型号
常见集成整流桥有哪些封装以及型号？
ASEMI半导体12年生产经验，具有12条自动化生产线与健鼎一体化测试设备，自有晶圆厂房与生产车间，12年以来，ASEMI半导体凭借自主研发与国际上最先进的半导体技术相结合，形成了具有自身特色的全系列集成整流桥品牌“ASEMI”，产品多年来广受好评，行销海内外。
本节我们将为大家一一列举ASEMI半导体的常见集成整流桥的封装跟
型号：
贴片系列：
MBS封装：MB1S、MB2S、MB4S、MB6S、MB8S、MB10S
MBM封装：MB1M、MB2M、MB4M、MB6M、MB8M、MB10M
MBF封装：MB1F、MB2F、MB4F、MB6F、MB8F、MB10F
HD封装：HD02、HD04、HD06、HD08、HD10
ABS封装：ABS2、ABS4、ABS6、ABS8、ABS10
DB封装：DB104、DB105、DB106、DB107、DB154、DB155、DB156、DB157、DB204、DB205、DB206、DB207
DBS封装：DB104S、DB105S、DB106S、DB107S、DB154S、DB155S、DB156S、DB157S、DB204S、DB205S、DB206S、DB207S
圆桥系列：
WOB封装：W04、W06、W08、W10、2W04，2W06，2W08，2W10
RB封装：RB154、RB155、RB156、RB157
扁桥系列：
KBP封装：KBP2005、KBP201、KBP202、KBP204、KBP206、KBP208、KBP210 RS封装：RS201、RS202、RS203、RS204、RS205、RS206、RS207
DE1104
DE1104 高功率因数线性恒流LED芯片产品说明
DE1104 是高功率因数线性恒流高压LED驱动芯片，应用于LED照明领域。该芯片通过独特的恒流控制专利技，实现恒流精度小于±5%，输出电流可由外接REXT电阻调节。芯片具有高功率因数和低谐波失真。
系统结构简单，具有各种保护功能，无需变压器和高压电解电容，该高压LED驱动芯片极少的外围元件,可节省电子元器件所占的空间，可实现LED照明方案批量化作业。
特性应用
■ 无需变压器和电解电容 ■ T5/T8系列LED日光灯管
■ 内置 700V高压mos ■ LED球泡灯
■ 集成高压启动供电 ■ LED筒灯
■ 输出电流可调，最大达60mA ■ LED吸顶灯
■ 片间电流偏差＜±5%
■ 效率：＞90%
■ 功率因数＞0.95
■ THD: ＜20%
■ 具有过热保护功能
■ 芯片应用系统无EMI问题
■ 封装形式ESOP8
芯片封装及脚位描述
1
典型应用
54
63
72
81
图1.DE1104 典型应用电路图
极限参数
特性参数符号范围
工作温度TOP-20℃～+120℃
存储温度TSTG-50℃～+150℃
ESD耐压VESD＞2000V
电气特性
参数符号条件最小值典型值最大值单位D1输入电压VD1----9V 输出电流IOUT----1060mA REXT端口电VREXT VD1=VD4=100.9V D1/D2端口VDS_BV1ID1=ID2=0400V D3/D4端口VDS_BV2-4ID3=ID4=0250V IOUT精度DIOUT IOUT=10mA～50mA±5%电流负温度TSC--110-℃
整流桥KBL06 KBL封装系列规格书推荐
www.liyoukj.com
深圳理悠科技有限公司
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES KBL005 THRU KBL10
PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES
FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
4.0
Maximum DC blocking voltage
VDC
50 100 200 400 600 800
Maximum average forward TC=50 C(Note 2)
output rectified current at TA=50 C(Note 3)
I(AV)
4.0 3.0
Peak forward surge current
Dimensions in inches and (millimeters)
MECHANICAL DATA
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbolsFra Baidu bibliotekmarked on case Mounting Position: Any Weight:0.22 ounce, 6.21 grams
MB1S-TP;MB4S-TP;MB6S-TP;MB2S-TP;MB10S-TP;中文规格书,Datasheet资料
MB05S THRU MB10S
0.5 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts
Features
Mechanical Data
Revision: B 2012/02/17 omp onents 20736 Marilla Street Chatsworth
! "# $ % ! "#
• Glass Passivated Diode Construction
• High Temperature Soldering Guaranteed:260 C/10 Second • Saves Space On Printed Circuit Board
www.mccsemi .com
1 of 3
Micro Commercial Components
• Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix o
h t t p ://o n e i c .c o m /
MB05S thru MB10S
Instantaneous Forward Current - Amperes versus Instantaneous Forward Voltage - Volts
Volts
Figure 2
Typical Reverse Characteristics Revision: B 2012/02/17
Peak Forward Surge Current - Amperes versus Number Of Cycles At 50Hz - Cycles
MB8F MBF 规格书推荐
MB2F THRU MB10F
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
Voltage Range - 200 to 1000 Volts Current -
0.5/0.8 Ampere
1of 2
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES MB2F THRU MB10F
2of 2