应用材料公司宣布推出全新Centura？AvatarTM刻蚀系统

Ａｖａｔａｒ系 统 是 应 用 材 料 公 司 将 在 ＳＥＭＩＣＯＮ ｗｅｓｔ ２０１２展 会 （７月 ｌ０．１２ 日）上 展 示 的 多 个 全 新 芯 片 制造 技 术 之 一 。请 登 陆 、Ⅳ、 ．ａｐｐｌｉｅｄｍａｔｅｒｉａｌｓ． ｃｏｍ／ｓｅｍｉｃｏｎ ｗｅｓｔ－２０１２了解 应 用 材 料 公 司 在 该 展 会 之 前及 期 间 的更 多信 息 。
挑 战 。应 用 材 料 公 司 新 推 出 的 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ Ａｖａｔａｒ系 统 具 有 专 门 应 对 三 维 ＮＡＮＤ 挑 战 的 突 破 性 功 能 ，在 以上 所 述 的每 个 步 骤 中 都 能 表 现 出 独 一 无 二 的 卓 越 性 能 。凭 借 其 独 特 的高 频 等 离 子
存 储 结 构 。
ＮＡＮＤ 闪存 市 场 在 过 去 的 十 年 中 一 直 呈 指 数
式 增 长 。一 直 以来 ，闪存 都 是 沿 水平 方 向 的两 个 维
度 在 扩 展 ，但 这种 方法 已经 趋 近 其 物 理 和 电学 极
限 。 为 了突 破 这 一 极 限 ，芯 片 厂 商 引 入 了第 三 个 （垂 直 ）维 度 。这 一三 维 概 念 于 ２００７年 首 次 公 开 ， 并被 所 有 主 要 的存储 器 制造 商用 作 未 来 存 储 器 微 缩 的解 决方 案 。
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电 子 工 业 毫 用 设 苗
· 企业 之 窗 ·
体 源 、 多 频 偏 振 源 和 步 进 式 温 度 控 制 功 能 ，Ａ— ｖａｔａｒ系 统 可 通 过 多 种 材 料 叠 层 、 突 破 性 的 形 貌 和 针 对 阶 梯 式 结 构 的 多 深 度 接 触 的选 择 性 性 能 ，
企业之窗 ·
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电 子 工 业 专 用 ｉ殳聋
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用材料公 司宣布推 出全新 Ｃｅｎｔｕｒａ？ＡｖａｔａｒＴＭ刻蚀 系缱ｊ
今 天 ， 应 用 材 料 公 司 宣 布 推 出 全 新 的 Ａｐ—
ｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ Ａｖａｔａｒ刻 蚀 系 统 。 该 系 统 主 要 针 对
高 深 宽 比刻 蚀 应 用 ，如 制 造 新 兴 的 三 维 ＮＡＮＤ
在 高 深 宽 比结 构 中 获 得 垂 直 形 貌 。除 了这 些 优 势 之 外 ，该 系 统 的刻 蚀 速 率 极 高 ，可 使 系 统 生 产 率 达 到 最 高 水 平 。
用材 料 公 司推 出针 对 万 亿 比 特世代 的
突破 性 刻蚀 技
·Ａｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ Ａｖａｔａｒ系 统 克 服 挑 战 ，刻蚀 全 新 的三 维 ＮＡＮＤ 闪存 芯 片
叠 层 材 料 ，因 为弯 转 或 变 形 会 影 响 接 触 通 孔 精 确
着 陆 到 微 小 的接 触 垫 。
阶 梯 式 接 触 通 孔 刻 蚀 包 括 低 深 宽 比和 极 高 深
宽 比结 构 的刻 蚀 ，这 两 种 刻 蚀 必 须 同 时进 行 ，以获
得 最 高 经 济 效 益 生 产 。这 要 求 在 刻 蚀 低 深 宽 比 结
资 料 来源 ：ＶＬＳＩ和 ＩＥＤＭ 出版 物 图 ２ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ Ａｖａｔａｒ高深 宽 比刻 蚀 系统 具 有 的突 破 性
功能，克服 了三维 ＮＡＮＤ结构所带来的前所未有的挑战。
要 了解 三 维 ＮＡＮＤ 闪 存 结 构 ， 还 要 从 二 维 须 足 够 高 才 能满 足 产 量 需 求 。掩 膜 刻 蚀 也 必 须 几 ＮＡＮＤ 闪存 串 （一 般包 括 ３２个 或 ６４个存 储 单元 ） 近 完 美 。 由掩 膜 开 通 工 艺 所 产 生 的任 何 误 差 都 将
（如 图 ２所 示）。
任 何 弯 转 或 其 它 变 形 。后 续 的 接 触 通 孔 刻 蚀 类 似
于 栅 极 沟 槽 ， 即 也 需 要 通 过 交 互 变 化 的 叠 层 材
料 。但 这 个 步 骤 中 的 深 宽 比 约 为 ６０ ：１。同 样 ，刻
蚀 必 须 保 持 完 全 垂 直 ，直 到 通 过 整 个 交 互 变 化 的
· 在 同 一 工 艺 中 实 现 ８０：１深 宽 比结 构 和 渐 变 深 度 差 异 很 大 结 构 的 刻蚀
· 已经 向客户 交 付 ３０多个 腔 体 日前 ，应 用 材 料 公 司 推 出 了 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ￣ ＡｖａｔａｒＴＭ 电介 质 刻 蚀 系 统 ，提 升 了尖 端 刻 蚀 技 术 。 该 突 破 性 系 统 能 够解 决三 维存 储 结 构 制造 过程 中 所 面 临 的 最 严 峻 的挑 战 ，提 供 未 来 数 据 密 集 型移 动 终 端 所 需 的 高 密度 万 亿 比特 存 储 能力 。 应 用 材 料 公 司 副 总 裁 兼 刻 蚀 事 业 部 总 经 理 Ｐｒａｂｕ Ｒａｊａ博 士 表 示 ：“借 助 Ａｖａｔａｒ系 统 ，我 们 能 够 充 分 利 用 自身 在 等 离 子 技 术 领 域 的 领 先 优 势 ， 应 对 三 维 存 储 结 构 制 造 过 程 中前 所 未 有 的挑 战 。 制 造 这 些 存 储 结 构 需 要对 复杂 的 多重 叠层 材 料 进 行 深 度 刻 蚀 。客 户 对 于这 款 新 系 统 所 具 备 的 突破 性 功 能 非 常 感 兴 趣 。我 们 已经 向 多家 客户 交 付 了 ３０多 个 针 对 关 键 应 用 的腔 体 ，有 些 被 用 于 未 来 存 储 芯 片 的 试 生产 ”。 Ａｖａｔａｒ系 统 经 过 全 新 设 计 ， 能 够 刻 蚀 三 维 ＮＡＮＤ 存 储 阵列 标 志 性 的高深 宽 比结 构 。这 一 令 人 兴 奋 的新 型 闪 存 器 件 有 多 达 ６４层 的存 储 单 元
图 １三维 ＮＡＮＤ结构
构并 停 在 其 下 面 一 层 的 同时 ，继 续 刻 蚀 高深 宽 比 结 构 并 不 出现 刻 蚀 中止 或 形 貌变 异 。
时 至 今 日 ，所 有 的 刻 蚀 系 统 都 无 法 应 对 这 些
第 一 个 挑 战 涉 及 掩 膜 开 通 步 骤 ，这 个 步 骤 将 打 通 指 导后 续 刻 蚀 工 艺 的模 板 。此 处 的 挑 战 是 ，掩 膜 的 厚 度 如 今 超 过 了 我 们 之 前 处 理 过 的 任 何 掩 膜 。深 宽 比增 至 约 ２０：１，这 意 味 着 刻蚀 的速 率 必
垂 直 重 叠 于其 中 ，从 而 在 极 小 区域 内 获得 超 高 的 比特 密 度 。
该 系 统 能 以高 达 ８０：１的 深 宽 比 ，在 复 杂 的 薄 膜 叠层 中刻 蚀 通 孔 和 沟 槽 。此 外 ，这 款 系 统 还 同 时 实 现 了 精 确 刻 蚀 渐 变 深 度 差 异 很 大 的 结 构 目 标 — — 这 对 于 制 造 将 每 层 存 储 单 元 与 外 界 相 连 接 的“阶梯 式 ”接触 结 构 至 关重 要 。
开 始 。将 二维 闪存 串沿 其 中 点 拉 出 并对 折 ，再 将 该 被 传 递 到 整 个 叠 层 。
折 叠 结构 立 起 来 （ 图 １所 示）。在 这 样 的 三 维 结
接 下 来 ， 沟 槽 刻 蚀 必 须 通 过 一 叠 交 互 变 化
构 中 ，源 和 漏 位 于 顶 端 ，存 储 单 元 被 垂 直 叠 放 ，而 的 材 料 向 下 延 伸 ， 以制 造 出深 宽 比 非 常 高 的 沟
连 接 线 位 于底 端 。这 意 味 着 数 十 亿 个 触 点 必 须 被 连 接 ，极 高 的深 宽 比 己成 必 然 ，刻 蚀 工 艺 将 面 临全 新 挑 战 ，而 且 可 以说 是 迄 今 遇 到 的 最 复 杂 的 挑 战
槽— — 垂 直 方 向 ３０：１， 而 水 平 方 向 甚 至 更 高 。 为 了确 保 器 件 间性 能 的 高 度 一 致 ，沟 槽 刻 蚀 必 须 一 直 向下 ，经 过 一 个 很 长 的 结 构 ，而 中 间 不 能 有
一 Ｉ Ｎ Ｅ ＰＣＯ Ｎ Ｓｏｕｔｈ Ｃ ｈ ｉ ｎａ ２ ０ １ ２
见 证 电子 制 造 工 业 自动化 发展 浪 ｊ
近 年 来 ， 中 国 电 子 制 造 业 每 年 都 在 突 飞 猛 进 中心 。在 新 的 形 势下 ，技 术 的 迅 速 发 展 、整 体 运 营 地 发 展 ，中 国 已经 成 为 全 球 当之 无 愧 的 电子 制 造 成 本 的压 力 尤 其 是 人 力 成 本 的 不 断 增 加 以及 生 产