迈博瑞滤芯半导体之清洗工艺.pptx
清洗工艺介绍
清洗工艺介绍扩散部陈永南清洗概论半导体对杂质极为敏感，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质，就对半导体的物理性质产生影响，微量的有害杂质可由各种随机的原因进入器件，从而破坏半导体器件的正常性能。
为了清除随机污染建立了特殊的半导体工艺--清洗工艺。
清洗的基本原理讲清洗的基本原理，应当从玷污的来源讲起，只有知道了各种玷污的来源，针对具体的玷污，才能制定具体的清洗方法，各种玷污的来源和相对的影响见表1。
1去除颗粒和玷污的机理颗粒粘附在硅片表面的粒子通常是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。
在ULSI级的化学试剂中，粒子玷污的情况如表2所示，其中H2SO4最高，HF最低。
对粒子尺寸的要求是随着工艺技术中最小特征的减小而减小，一般粒子的尺寸只能是器件特征尺寸的十分之一，如0.4um器件要求粒子尺寸小于0.04um。
德堡力；粒子与表面间的化学键，粒子被去除的机理有四种：1.溶解2.氧化分解3.对硅片表面轻微的腐蚀去除4.粒子和硅片表面的电排斥SC-1液具有上述2，4项的功能，H2O2在硅的表面有氧化作用，NH4OH中的OH-能提供给硅表面和粒子负电荷。
粒子的淀积强烈地依赖于溶液中的PH值，PH值增加到10时，粒子的淀积数目最低，因此在强酸中，粒子的淀积数目最大，表3对各种清洗工艺作了比较，发现SC-1是最有效的一种。
SC-1 NH4OH ：H2O2：H2O=0.1：1：5，80-90℃10minSC-2 HCL：H2O2：H2O=1：1：6，80-90℃10minPM：H2O2：H2O=：1：5，80-90℃10minPSL：聚苯乙烯橡胶小球有很多报道关于SC-1 改进的清洗工艺，最有效的一种方法是megasonic清洗工艺，SC-1液结合megasonic工艺可以去除有机和无机颗粒，温度可低于40度，清洗的原理是这样的，当硅片浸润SC-1液中，高功率（300W）和高频率（800-900KHZ）的声能平行于硅片表面，首先使颗粒浸润，然后溶液扩散进入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子而去除颗粒。
半导体清洗技术24页PPT
60、生活的道路一旦选定，就要勇敢地 走到底 ，决不 回头。 ——左
Байду номын сангаас
56、书不仅是生活，而且是现在、过 去和未 来文化 生活的 源泉。 ——库 法耶夫 57、生命不可能有两次，但许多人连一 次也不 善于度 过。— —吕凯 特 58、问渠哪得清如许，为有源头活水来 。—— 朱熹 59、我的努力求学没有得到别的好处， 只不过 是愈来 愈发觉 自己的 无知。 ——笛 卡儿
半导体清洗技术
16、自己选择的路、跪着也要把它走 完。 17、一般情况下)不想三年以后的事， 只想现 在的事 。现在 有成就 ，以后 才能更 辉煌。
18、敢于向黑暗宣战的人，心里必须 充满光 明。 19、学习的关键--重复。
20、懦弱的人只会裹足不前，莽撞的 人只能 引为烧 身，只 有真正 勇敢的 人才能 所向披 靡。
半导体清洗设备介绍ppt
市场现状
全球市场规模
随着半导体行业的发展，全球半导体清洗设备市场规模不断扩大，2020年达到了33.5亿 美元，预计到2025年将达到53亿美元。
主要竞争者
市场上的主要竞争者包括LAM、Applied Materials、Tokyo Electron Limited (TEL)、 ASML等公司。这些公司在半导体清洗设备的研发、生产和销售方面具有较强的实力和市 场份额。
应用范围
激光清洗设备主要用于清洗高精 度、小型、薄壁的半导体器件、 微电子器件等。
优点
清洗精度高、不损伤基底、可处理 复杂形状的物品。
03
选择合适的清洗设备
需求分析
了解具体清洗需求
在选择合适的半导体清洗设备前，需要明确需要清洗的污染 物类型、清洗的精度要求、清洗时间、成本控制等需求。
确定清洗剂类型
根据污染物类型选择合适的清洗剂类型，如酸、碱、氧化剂 等，以及其浓度和作用时间。
设备选型
手动清洗设备
01
适用于小批量、简单的清洗任务，如槽式清洗设备、超声波清
洗设备等。
自动清洗设备
02
适用于大批量、复杂的清洗任务，如单片式清洗设备、批式清
洗设备等。
根据实际情况选择
Hale Waihona Puke 03根据具体清洗需求和实际情况，综合考虑清洗效果、设备投资
善和提升。未来，将会有更多的清洗设备厂商加入到行业标准制定中
，共同推动行业的发展。
03
智能化
智能化是未来清洗设备发展的重要趋势。通过引入人工智能、物联网
等技术，清洗设备将实现更高效、更精准、更自动化的生产，从而提
升生产效率和产品质量。
05
结论和建议
半导体清洗工艺
半导体清洗工艺
半导体清洗工艺是半导体工厂中不可缺少的工艺步骤，它包括以清洁无菌状态处理材料、设备以及周边的空气，为下一步的工艺必备提供必需的环节。
半导体清洗工艺是半导
体行业中重要的保护环节之一，它的重要性不可低估。
半导体清洗工艺主要分为五个步骤，包括消毒、清洗、清洁、抑菌和干燥。
首先是消毒步骤，消毒的主要目的是去除材料、设备及周边的残留物。
常用的消毒药
剂包括细胞毒性活性剂和抗菌剂，这些药剂在相应的温度、时间及浓度下能有效消毒，但
要慎重选择，以免造成清洗效果不佳或产生副作用。
接着是清洗步骤，清洗的主要目的是将污染物、残留物及其他不需要的物质从材料或
设备上去除。
清洗剂的选择和使用方法非是很重要的，因为它们不仅要起到活性去除污染
的作用，还要防止造成产品的损坏。
有些清洗剂会与材料受到的外力产生反应，因此使用
这类清洗剂时要格外小心。
之后是抑菌步骤，抑菌的主要目的是防止产品感染病毒、细菌等有害物质的污染。
抑
菌药剂有多种，选择时要注意适用于材料的此类物质。
最后一个步骤是干燥，干燥的目的是将残留液体从清洗后的材料或设备中去除并进行
干燥，使产品恢复到正常的活动状态，也是半导体清洗工艺的重要环节之一。
总的来说，消毒、清洗、清洁、抑菌和干燥是半导体清洗工艺的五个关键环节，它们
的重要性不容忽视。
因此，在进行半导体清洗工艺时，应当确保选择和使用合适的清洗剂、消毒药剂和干燥药剂，以确保产品质量。
半导体制造工艺清洗工艺
目录
CONTENTS
• 清洗工艺概述 • 清洗前的准备 • 清洗方法 • 清洗效果评估 • 清洗工艺的未来发展
01
清洗工艺概述
清洗工艺的定义和重要性
清洗工艺定义
清洗工艺是半导体制造过程中的重要环节，主要目的是去除半导体材料表面的 污垢、杂质和残留物，以确保产品的质量和性能。
定期对清洗后的表面进行检测，以 确保清洗效果的稳定。
异常处理
当检测到异常时，及时采取措施进 行处理，以确保清洗效果的可靠性 。
清洗效果的优化与改进
优化清洗液配方
根据清洗效果评估结果，优化清洗液的配方 ，以提高清洗效果。
引入新型清洗技术
引入新型的清洗技术，以提高清洗效果。
改进清洗工艺参数
根据清洗效果评估结果，调整清洗工艺参数 ，以提高清洗效果。 新技术的研发纳米技术
纳米技术能够实现微观尺度的清 洗，有效去除纳米级别的污染物 ，提高半导体的表面质量和性能 。
超声波清洗技术
超声波清洗技术利用超声波的振 动和空化作用，能够深入到物体 表面和孔隙中，有效去除难以用 常规方法去除的污垢和杂质。
环保与可持续发展
绿色清洗技术
随着环保意识的提高，绿色清洗技术 成为清洗工艺的发展趋势，旨在减少 对环境的污染和资源的浪费。
空气洁净度
保持空气洁净度，减少空气中的 尘埃和微粒对清洗效果的影响。
03
清洗方法
湿法清洗
湿法清洗是使用化学溶液 对半导体器件进行清洗的 方法。
常用的湿法清洗剂包括酸 、碱、氧化剂和络合剂等 ，可根据不同杂质选择合 适的清洗剂。
ABCD
湿法清洗可以去除表面污 垢、有机物和金属离子等 杂质，提高器件的表面洁 净度。
《半导体清洗工艺》课件
清洗液的种类
介绍常用的半导体清洗液类型，如酸碱清洗剂、 溶剂和生物缓冲液。
清洗液的性能指标
讨论选择清洗液时需要考虑的性能指标，如清 洁度、去离子率和残留物。
四、清洗实施
1
清洗室环境要求
了解半导体清洗室的环境要求，如温度控制、湿度控制和压力控制。
2
清洗步骤
详细介绍半导体清洗的步骤，包括浸泡、超声波清洗和喷淋清洗。
《半导体清洗工艺》PPT 课件
欢迎来到《半导体清洗工艺》的课程！在本课程中，我们将深入探讨半导体 清洗的重要性、准备工作、清洗液的选择、清洗实施、清洗之后的处理，以 及常见问题和清洗工艺的改进。
一、清洗工艺的重要性
半导体清洗工艺的意义
了解清洗工艺对半导体制造的重要性，包括确 保产品质量、提高芯片性能和延长芯片寿命。
清洗工艺的优势
了解清洗工艺与其他清洗方法相比的优势和好 处，如高效、可追溯性和环保。
二、清洗前的准备工作
1 设备检查
了解清洗前对设备进行的必要检查，以确保其正常运行和安全。
2 工具准备
了解在清洗过程中所需的工具及其使用方法。
3 安全注意事项
了解清洗操作中的安全注意事项，以保护自己和周围的环境。
三、清洗液的选择
八、总结
清洗工艺的关键
总结清洗工艺的关键因素，如设备可靠性和操作人员技术。
未来的发展方向
展望清洗工艺未来的发展方向和可能的研究方向。
参考资料
书籍
列出一些有关半导体清洗工艺的重要书籍。
文献
引用一些相关的学术文献和研究论文。
报告
提供一些有关清洗工艺的行业报告和研究报告。
解释清洗后留有水痕的可能原因和解决方案。
清洗后留有化学物
半导体制造清洗工艺概述
3.3 清洗方法概况
添加氯化物可抑制光照的影响，但少量的氯化物离子由于在Cu2+/ Cu+反应中的催化作用增加了Cu的沉积，而大量的氯化物离子添加 后形成可溶性的高亚铜氯化物合成体抑制了铜离子的沉积。优化 的HF/HCl混合物可有效预防溶液中金属外镀，增长溶液使用时间。 第三步是使用最佳的臭氧化混合物，如氯化氘及臭氧，可在较低p H环境下使硅表面产生亲水性，以保证干燥时不产生干燥斑点或水 印，同时避免金属污染的再次发生。在最后冲洗过程中增加了HN O3的浓度可减少表面Ca的污染。
3.3 清洗方法概况
3.3.2 稀释RCA清洗 现行的RCA清洗方法存在不少问题：步骤多，消耗超纯水和化
学试剂多，成本高；使用强酸强碱和强氧化剂，操作危险；试剂易 分解、挥发，有刺激性气味，使用时必须通风，从而增加了超净间 的持续费用；存在较严重的环保问题；硅片干燥慢，干燥不良可能 造成前功尽弃，且与其后的真空系统不能匹配。其中的很多问题是 RCA本身无法克服的。
3.2 污染物杂质的分类
3.2.2 有机残余物 有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净
化室空气、机械油、硅树脂、光刻胶、清洗溶剂等，残留的光刻胶 是IC工艺中有机沾污的主要来源。每种污染物对IC 制程都有不同程 度的影响，通常会在晶圆表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶圆 表面，会使硅片表面无法得到彻底的清洗。因此有机残余物的去除 常常在清洗工序的第一步进行。
3.3 清洗方法概况
表3-3 硅片湿法清洗化学品
表3-3 硅片湿法清洗化学品
3.3 清洗方法概况
3.3.1 RCA清洗 工业中标准的湿法清洗工艺称为RCA清洗工艺，是由美国无线
电公司（RCA）的W．Kern和D．Puotinen于1970年提出的，主要由 过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液（SC⁃1）以及由过氧化氢和酸组 成的2号标准清洗液（SC⁃2）进行一系列有序的清洗。RCA清洗工艺 技术的特点在于按照应该被清除的污染物种类选用相应的清洗药水， 按照顺序进行不同的药水的清洗工艺，就可以清除掉所有附着在硅 圆片上的各种污染物。需要注意的是，每次使用化学品后都要在超 纯水（UPW）中彻底清洗，去除残余成分，以免污染下一步清洗工 序。典型的硅片湿法清洗流程如图3⁃1所示。实际的顺序有一些变化， 应根据实际情况做相应调整以及增加某些HF/H2O（DHF）去氧化层 步骤。
半导体工艺晶圆清洗（精）培训课件
半导体工艺晶圆清洗（精）培训课件半导体工艺-晶圆清洗(精)晶圆清洗摘要：介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法, 并对湿法和干法清洗的特点及去除效果进行了分析比较。
关键词：湿法清洗；RCA清洗；稀释化学法；IMEC清洗法；单晶片清洗；干法清洗中图分类号：TN305.97 文献标识码：B 文章编号：1003-353X(2003)09-0044-041前言半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。
因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。
干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
2污染物杂质的分类IC制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人的参与下在净化室中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。
根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。
2.1 颗粒颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。
通常颗粒粘附在硅表面，影响下一工序几何特征的形成及电特性。
根据颗粒与表面的粘附情况分析，其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。
2.2 有机物有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。
每种污染物对IC 制程都有不同程度的影响，通常在晶片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶片表面。
半导体工艺基础(清洗)
-----半导体集成电路工艺基础 （清洗）
张正元
集成电路及微机械加工技术
1
重庆大学光电工程学院
提纲
一、 沾污类型 二、 解决方法 三、 清洗设备
集成电路及微机械加工技术
2
重庆大学光电工程学院
沾污类型
沾污经常会造成电路失效，沾污类型主要包括如下： 颗粒 金属
有机物
自然氧化层 静电释放（ESD）
7
重庆大学光电工程学院
金属沾污
途径： 通过金属离子与硅片表面的氢离子交换而 被束缚在硅片表面；
被淀积到硅片表面。 一粒食盐----足以在5000片硅片上淀积 每平方厘米1012个钠离子。
集成电路及微机械加工技术
8
重庆大学光电工程学院
金属沾污
集成电路及微机械加工技术
9
重庆大学光电工程学院
有机沾污
集成电路及微机械加工技术
30
重庆大学光电工程学院
作业
10、一个共发射极偏置电路，其结构 如左图所示，晶体管的输出特性曲线 如右图所示。（1）求出偏置点；（2） 最大输出幅度是多少？（3）如果电阻 采用方块电阻为500Ω/ B和RC在设 ，R 计上最小宽度分别是多少？（4）晶体 管在设计中要考虑那些效应？（5）晶 体管结构采用那些结构？（6）如果采 用梳状结构，晶体管的发射区最小宽 度是多少？发射区周长是多少？
持续监控净化间的颗粒定期反馈信息和维护清洁解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术1616重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术1717重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术1818重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法大于16m?cm集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术1919重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2020重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2121重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2222重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2323重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2424重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院解决方法集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2525重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院清洗设备集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2626重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院清洗设备集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2727重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院清洗设备集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2828重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院清洗设备集成电路及微机械加工技术集成电路及微机械加工技术2929重庆大学光电工程学院重庆大学光电工程学院作业1什么是半导体集成电路的沾污
SMT 清洗工艺PPT课件
设备不同又可分为批量式（间隙式）清洗和连续式清洗2种类型；根据清洗方法不同还
可以分为高压喷洗清洗、超声波清洗等几种形式。对应于不同的清洗方法和技术有不同
的清洗设备系统，可根据不同的应用和产量的要求选择相应的清洗工艺技术和设备。
第3页/共41页
•
2.污染物类型
•
污染物是各种表面沉积物或杂质，以及被SMA表面吸附或吸收的一种能使SMA的性能降
第6页/共41页
•
3.溶剂的种类和选择
•
清除极性和非极性残留污物，要使用清洗溶剂。清洗溶剂分为极性和非极性溶剂两大
类：极性溶剂包括有酒精、水等，可以用来清除极性残留污物；非极性溶剂包括有氯化物和
氟化物两种，如三氯乙烷、F－113等，可以用来清除非极性残留污物。由于大多数残留污
物是非极性和极性物质的混合物，所以，实际应用中通常使用非极性和极性溶剂混合后的溶
求较高和表面涂敷的产品应选用1MΩ～18MΩ的纯水。 • 制纯水设备以自来水为原料，一般包括粗滤、细滤、去离子装置，去离子装置又分为电渗析、离子交换树脂、反
渗透三种方法，具体使用要根据进水水质和用户要求的出水电阻率水平来设计方案。清洗废水如果达不到国家的 排放标准，必须经过污水处理达标后才能进行排放。污水处理设备应根据污水的污染物组成进行设计，一般都包 含以下功能：过滤或沉淀颗粒物、去除油性污染、化学法沉淀金属离子、中和等。由于使用水为清洗主要材料， 所以在使用中必须注意以下几点： • ① 水质要保证达标，不能在清洗过程中因水质问题而引入新的污染。 • ② 干燥要充分，否则对以后的保存、防护涂覆都有影响。 • ③ 针对焊剂、焊料不同，可选用皂化水洗、纯水洗。 • ④ 由于水洗不如溶剂清洗的宽容度高，因此，对工艺控制相应要求较严格，如水温、压力、走带速度、皂化剂含 量等应综合考虑。同时，清洗效果与印制板的装联密度也有一定的相关性。
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半导体之清洗工艺及滤芯应用
芯片生产过程视频介绍
典型的化学清洗工艺
污染物类型：颗粒、有机残留物、无机残留物、要去除的 氧化层。
化学品 作用 工艺温度 选用滤芯
H2SO4+氧化剂 可去除大多数无机残留 （H202/<NH4>2S2O8/H 物和颗粒，也可用于光 NO3/O3） 刻中去光刻胶
90-125℃
全氟（0.05～0.2um）
HF/H2O(DHF) NH4OH/H2O2/H2O(SC-1) HCl/H2O2/H2O(SC-2)
去除硅氧化层 去除有机残留物 去除残留金属离子 用于各清洗步骤前后， 去除残留药剂
室温 75-85℃
PTFE/PES（0.0３～ 0.2um）
全氟（0.02～0.2um） 75-85℃
UPW超纯水清洗
20-85℃
PES/NY（0.04～0.1um）
NH4OH/H2O2/H2O (SC-1):
利用氨水的弱碱性活化硅晶圆及微粒子表面，使晶圆表
面与微粒子间产生相互排斥；双氧水具有氧化晶圆表面的
作用，然后氨水对SiO2进行微刻蚀，去除颗粒 氨水与部分过度金属离子形成可溶性络合物，去除金属 不溶物 H2O:H2O2:NH4OH=5:1:1～7:1:1 (H2O2:30%,NH4OH:29%)
HCl/H2O2/H2O(SC2):
利用双氧水氧化污染的金属，而盐酸与金属离子
生成可溶性的氯化物而溶解。
HCl:H2O2:H2O=1:1:6～1:2:8，在70度下进行5~10分
钟的清洗(HCl:37%,H2O2 :30%)
SC1、SC2标准溶液统称为RCA清洗
H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean): 利用硫酸及双氧水的强氧化性和脱水性破坏有机物的碳氢 键，去除有机不纯物。 H2SO4:H2O2=2~4:1，在130度高温下进行10~15分钟的浸泡
聚醚砜膜，带无纺布支撑层， PP材质的中心杆，
外壳、端盖，具有广泛的化学兼容性，适合于微 电子中的超纯水，腐蚀性化学品过滤。高精度的
截留效率，使过滤流体洁净度更高。最高耐受温
度9 0 ℃。过膜压差低，流体通量大。独特的打 褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使用寿命更
长。洁净生产间生产，100%完整性测试。
打褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使用寿
命更长。洁净生产间生产，100%完整性测试。
FluorPure-HF PTFE
MS®FlorPure PTFE滤芯采用高精度e-PTFE膜， 带无纺布支撑层。中心杆，外壳，端盖等采用 PP材质，具有优异的耐腐蚀性能，对全氟滤芯
来说是一种很好的经济型的替代。可用于除去
HF/H2O(DHF)或HF NH4F/H2O(BHF):
清除硅晶圆表面自然生成的氧化层，通常使用稀释后
的氢氟酸（0.49%~2%）或以氢氟酸和氟化铵生成的缓 冲溶液 HF:NH4F=1:200~400，在室温下进行15~30秒的反应
湿法清洗工艺流程
AFS-Pure PFA
MS® AFS-Pure PFA全氟滤芯，采用 e-PTFE膜 和PFA 中心杆及外壳，可以满足最恶劣环境中 的最严格的过滤要求，适用于微电子行业各种 强腐蚀性酸、碱、有机溶剂等化学品的过滤， 且耐高温，可达260℃。先进的流体动力学设计， 使过膜压差更低，单位面积通量更大。独特的
流体中纳米级的颗粒杂质，保持流体的高洁净 度。最高耐受温度80℃。先进的流体动力学设
计，使过膜压差更低，单位面积通量更大。独
特的打褶设计使膜面积更大，纳污量更高，使 用寿命更长。洁净生产间生产，100%完整性测
试。
SteriPure PES
MS®SteriPure PES滤芯采用高不对称的亲水性