模拟电子技术基础_第四版_答案
模拟电子技术基础第四版课后答案第二章
第2章基本放大电路自测题一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二．试分析图各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图解：图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三．在图 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0iU V =&时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时，输出电压有效值'0.6o U V =，则电压放大倍数u A =&( /o iU U - )≈( -120 )。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章
第3章 多级放大电路自测题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路 E 。
共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用（ A )，第二级应采用( A ）。
(2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用（ D ），第二级应采用( A )。
(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 ， 第一级应采用( B ），第二级应采用（ A ）。
(4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。
(5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000oui iU A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。
二、选择合适答案填入空内.（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（ C 、D ）。
A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．电源电压不稳 (2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ C ）。
A ．便于设计B ．放大交流信号C ．不易制作大容量电容 （3)选用差动放大电路的原因是( A )。
A ．克服温漂B ．提高输入电阻C ．稳定放大倍数 （4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ），共模信号是两个输入端信号的（ C )。
A 。
差 B.和 C 。
平均值（5）用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的（ B )。
A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6）互补输出级采用共集形式是为了使（ C ).A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时0.7BEQ U V ≈。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
一、填空题
2．1 BJT用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；而工作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2．2 温度升高时，BJT的电流放大系数 ，反向饱和电流 ，发射结电压 。
2．3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时， ；都接人负载 电阻时，测得 ，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点；
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(4)若换上一只 =100的管子，放大电路能否工作在正常状态
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）换上一只 的管子，其IC和UCE不变，放大电路能正常工作。
2．31已知图题2．31所示电路中BJT为硅管， =50，试求：
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）
2．29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管，输出特性及交、直流负载线如图题2．29所示，试求：
(1)电源电压Vcc；
(2)静态工作点；
(3)电阻Rb、RC的值；
(4)要使该电路能不失真地放大，基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答
精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS R 大的特点。
(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零，则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解：U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，?=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k ?时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答_Part8
解图 P8.27 8.28 试将直流电流信号转换成频率与其幅值成正比的矩形波，要求画出电路来， 并定性画出各部分电路的输出波形。 解： 首先将电流信号转换成电压信号， 然后将电压信号接如图 P8.25 所示压控振 荡器的输入端，即可将直流电流信号转换成频率与其幅值成正比的矩形波，如解图 P8.28 (a)所示，其波形如解图(b)所示。 若输入电流与解图 P8.28 (a)所示相反，则应将 uO3 经比例系数为−1 的反相比例 运算电路后，再接压控振荡器。
uO U Z 时，T 截止时， 1 2uI 103 uO1 (t2 t1 ) uO1 (t1 ) uI (t2 t1 ) uO1 (t1 ) ( R1 R2 )C 3 45
(2) uO 和 uO1 的关系曲线如解图 P8.26 (a)所示。 (3) uO 和 uO1 的波形如解图 P8.26 (b)所示。
代入上式得： (2) uO1、uO2 和 uO3 的波形如解图 8.22 所示。
∴ T1
6 UI 600
109
解图 P8.22 8.23 试将正弦波电压转换为二倍频锯齿波电压，要求画出原理框图来，并定性画 出各部分输出电压的波形。 解：原理框图和各部分输出电压的波形如解图 P8.23 所示。
图 P8.18
解图 P8.18
解：(1)振荡周期： T ( R1 R2 )C ln 3 3.3mS (2)脉冲宽度： T1 R1C ln 3 1.1mS ∴uO 和 uC 的波形如解图 8.18 所示。 8.19 图 P8.19 所示电路为某同学所接的方波发生电路，试找出图中的三个错误， 并改正。
图 P8.22 解：在图 P8.22 所示电路中，Al 和 A2 组成矩形波一三角波发生电路。 (1)在 A2 组成的滞回比较器中，令 uP
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
模拟电子技术基础(第四版)习题解答之欧阳地创编
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于GS零，则其输入电阻会明显变小。
(×) 二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V,UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V ，=100，UBE=0.7V 。
试问： (1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第四版)答案
（2）估算 ：
（3）
（4） ，频率特性曲线略。
三、（1）60 103
（2）10 10
（3）
习题
5.1（1） ①①
（2） ①①①③
5.2
5.3
5.4（1）直接耦合；
（2）三级；
（3）当f＝104Hz时，φ’＝－135o；当f＝105Hz时，φ’＝－270o。
5.5
5.6（1）
2.4空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。
2.5（1）×（2）×（3）×（4）√（5）×（6）×（7）×（8）√
（9）√（10）×（11）×（12）√
二、（1）×（2）√（3）√（4）√（5）×
三、
四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
（2）图略。
5.7
图略。
5.8（1）（a）（2）（c）（3）（c）
5.9
5.10（1）C1（Rs＋Ri）＝C2（Rc＋RL），C1:C2＝5 : 1。
（2）
5.11 减小，因为在同样幅值的 作用下， 将减小， 随之减小， 必然减小。
fL减小，因为少了一个影响低频特性的电容。
fH减小，因为 会因电压放大倍数数值的减小而减小。
4.16T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－消除交越失失真。
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版
模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社
1第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为 5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V，6V ，9V和14V几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？3图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
模拟电子技术基础第四版课后答案第八章
第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错：改正图所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
(a) (b)图解：(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。
二、试将图所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图解：④、⑤与⑨相连，③与⑧ 相连，①与⑥ 相连，②与⑦相连。
如解图所示。
解图三、已知图(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路，电路2为同相输入过零比较器，电路3为反相输入积分运算电路，电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图四、试分别求出图所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图解：图(a)所示电路为同相输入的过零比较器；图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T =±U Z。
两个电路的电压传输特性如解图所示。
解图五、电路如图所示。
图(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路； (2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O )； (3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1)； (4)定性画出u O1与u O 的波形；(5)说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变？解:(1)A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++可得：8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式1211121141()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C=--+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图(b)所示。
(完整版)模拟电子技术基础(第四版)习题解答
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的GS特点。
( √)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则GS其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V, UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。
试问：(1)Rb=50k时，Uo=?(2)若T临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于GS零，则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。
图T1.3解：UO1=1.3V, UO2=0V, UO3=-1.3V,UO4=2V, UO5=1.3V, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图Tl.4 所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。
五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，=100，UBE=0.7V。
试问：(1)Rb=50k 时，Uo=?(2)若T 临界饱和，则Rb=?解：(1)26BB BE B bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
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& 减小， A & ≈－1.92。 (2) Ri 增大，Ri≈4.1kΩ； A u u
2.14
Q : I BQ =
VCC − U BEQ R1 + R2 + (1 + β ) Rc
I CQ = β I BQ U CEQ = VCC − (1 + β ) I BQ Rc
& = − β R2 ∥ R3 A u rbe
第二章 基本放大电路
自测题
一、 （1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）× （7）× 二、 （a）不能。因为输入信号被 VBB 短路。 （b）可能 （c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 （e）不能。因为输入信号被 C2 短路。 （f）不能。因为输出信号被 VCC 短路，恒为零。 （g）可能。 （h）不合理。因为 G-S 间电压将大于零。 （i）不能。因为 T 截止。 三、 （1） (VCC − U BEQ ) I BQ （ 2） − U o U i
u i/V
10 O
t
u o /V
10 O
t
1
1.4
ui 和 uo 的波形如图所示。
u i/V
5 3 O -3
t
uO/V
3.7 O -3.7
t
1.5
uo 的波形如图所示。
u I1/V
3 0.3 O uI2 /V 3 0.3 O u O /V 3.7 1 O
t
t
t
1.6 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。 1.7 （1）两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得 0.7V 和 6V 等两种稳压值。 1.8 IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。 1.9 （1）当 UI＝10V 时，若 UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为 4mA，小于其最小稳定 电流，所以稳压管未击穿。故
IB =
u I − U BE = 480 μA Rb
I C = β I B = 24mA
3
U EC = VCC − I C RC＜VCC
1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T 会损坏。 （e）可能 1.20 根据方程
iD = I DSS (1 −
u GS 2 ) U GS(th)
2.16
Ri = R1 ∥
rbe 1+ β
Ro = R4
I BQ1 ≈
VCC − U BEQ1 R1 + R2
−
U BEQ1 R3
I CQ2 ≈ I CQ1 = β I BQ1
U CQ2 = VCC − I CQ2 R4 U BQ2 ≈ R2 (VCC − U BEQ1 ) + U BEQ1 R1 + R2
Ro = Rc = 5kΩ
5
RL = 3kΩ时：U CEQ =
'
RL − I CQ ( Rc ∥ RL ) ≈ 2.3V Rc + RL
& = − β RL ≈ −115 A u rbe & ≈ A us
rbe & ≈ −47 ⋅A u Rs + rbe
2.8（a）饱和失真，增大 Rb，减小 Rc。 （b）截止失真，减小 Rb 。 （c）同时出现饱和失真和截止失真，增大 VCC。 2.9 （a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止失真
I BQ =
VBB − U BEQ Rb VBB − U BEQ Rb
= 60 μA ，I CQ = β I BQ = 3mA，u O = VCC − I CQ RC = 9V
当 VBB＝3V 时，T 处于饱和状态。因为
I BQ =
= 160 μA，I CQ = β I BQ = 8mA，u O = VCC − I CQ RC＜U BE
2.10 （1）
I CQ = I BQ = Rb =
（ 2）
VCC − U CEQ Rc I CQ = 20 μA
= 2mA
β
VCC − U BEQ I BQ
≈ 565kΩ
& = − U o = −100 A u Ui
1 1 + =1 Rc RL
2.11 空载时， U om =
' & = − β RL A u rbe
1.17 取 UCES＝UBE，若管子饱和，则
β⋅
VCC − U BE VCC − U BE R = ，Rb = β RC，所以β ≥ b = 100管子饱和。 Rb RC RC
1.18 当 uI＝0 时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。 当 uI＝－5V 时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为
565 ； (VCC − U CEQ ) β I BQ
3
- 120 ；
RL ' ⋅U o RC＋RL
0.3
四、 （1）A （2）C （3）B （4）B 五、 （1）C，D E （2）B （3）A C D 六、
（4）A B D E
（ 5） C （ 6） B C E ， A D
4
习题
2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大 （b）在＋VCC 与基极之间加 Rb。 2.2（a）将－VCC 改为＋VCC 。 （c）将 VBB 反接，且加输入耦合电容。 （d）在 VBB 支路加 Rb，在－VCC 与集电极之间加 Rc。 2.3 图 P2.3 所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。
RL = ∞：Ri = Rb ∥ [rbe + (1 + β ) Re ] ≈ 110kΩ & = A u (1 + β ) Re ≈ 0.996 rbe + (1 + β ) Re (1 + β )( Re ∥ RL ) ≈ 0.992 rbe + (1 + β )( Re ∥ RL )
RL = 3kΩ：Riβ )( Re ∥ RL )] ≈ 76kΩ & = A u
U CEQ1 = U BQ2－U BEQ2 U CEQ2 = U CQ2－U BQ2 + U BEQ2
β1 ⋅
& =− A u1
rbe2 1+ β2 rbe1
& = β 21 R 4 A u2 rbe2 Ro = R4
& =A & A & A u u1 u 2
Ri = R2 ∥ R3 ∥ rbe1
7
UO =
RL ⋅ U I ≈ 3.33V R + RL
当 UI＝15V 时，由于上述同样的原因，UO＝5V。 当 UI＝35V 时，UO＝UZ＝5V。 （2） I D Z = (U I − U Z ) R = 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 （1）S 闭合。 （2） Rmin = ( V − U D ) I Dmax ≈ 233Ω，Rmax = ( V − U D ) I Dmin = 700Ω。
逐点求出确定的 uGS 下的 iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线 上 uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。
1.21 1.22 过 uDS 为某一确定值（如 15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的 iD 值； 建立 iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。 1.23 uI＝4V 时 T 夹断，uI＝8V 时 T 工作在恒流区，uI＝12V 时 T 工作在可变电阻区。 1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
. Ui
R1
R2
R3
. Uo
. Ui
R1
R4
. Uo
(a)
(b)
. Ui
R2
R3
R4
. . Uo U i
RL (d)
. Uo
(c)
2.4 空载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；最大不失真输出电压峰值约为 5.3V。 带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；最大不失真输出电压峰值约为 2.3V。 2.5（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√ 2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V 2.7
I EQ =
U BQ − U BEQ Rf + Re
≈ 1mA
1+ β
U CEQ ≈ VCC − I EQ ( Rc + Rf + Re ) = 5.7V
rbe = rbb' + (1 + β )
26mV ≈ 2.73kΩ I EQ
& = − β ( Rc ∥ RL ) ≈ −7.7 A u rbe + (1 + β ) Rf Ri = Rb1 ∥ Rb2 ∥ [rbe + (1 + β ) Rf ] ≈ 3.7 kΩ Ro = Rc = 5kΩ
2.17
& ≈ −1 A u1
& ≈ +1 A u2
图略。
2.18 （1）求解 Q 点：
I BQ =
VCC − U BEQ Rb + (1 + β ) Re
≈ 32.3 μA
I EQ = (1 + β ) I BQ ≈ 2.61mA U CEQ = VCC − I EQ Re ≈ 7.17 V