模拟电子技术基础(第四版)课件7.2 模拟乘法器及其在运算电路中的应用 7.3有源滤波电路
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模拟电子技术第七章
* R’ = R // Rf
反相输入端“虚地”,电路的输入电阻为
Rif = R
引入深度电压并联负反馈,电路的输出电阻为 R0f = 0
第七章 信号的运算和处理
2.
T型网络反相比例运算电路
电阻R2 、 R3和R4构 成T形网络电路。
节点N的电流方程为
uI uM i2 R1 R2 uM R2 所以 i3 uI R3 R1R3
第七章
信号的运算和处理
7.1 基本运算电路
7.2 7.3
童 诗 白 第 四 版
模拟乘法器及其运算电路的运用 有源滤波电路
7.4 电子信息系统预处理中所用电路
本章重点和考点
1.比例、加减、微分及积分电路的综 合运算。 2.有源滤波电路的基本概念(二阶低通
童 诗 白 第 四 版
滤波电路)。
第七章 信号的运算和处理
7.1
基本运算电路
在运算电路中,以输入电压作为自变量,以 输出电压作为函数;当输入电压变化时,输出电压 按一定的数学运算规律变化。 基本运算电路包括: 比例、加减、积分、微分、对数、指数
第七章 信号的运算和处理
7.1.1 概述
在运算电路中,集成运放必须工作在线性区, 因而电路中必须引入负反馈;且为了稳定输出电 压,均采用电压负反馈;由于其优良的指标参数, 均为深度负反馈。
i4 = i2 + i3
输出电压
u0= -i2 R2 – i4 R4
将各电流代入上式
R2 R4 R2 // R4 uo (1 )uI RI R3
第七章 信号的运算和处理
二、同相比例运算电路
RF uo (1 )uI R
uO RF Auf 1 uI R
《模拟电子技术基础》教学课件 7.2模拟乘法器及其应用
T4 -UEE
7.2 模拟乘法器及其应用 2. 在运算电路中的基本应用
(1)乘法运算
(2)乘方运算
uO kuI1uI2
实际的模拟乘法器k常为+0.1V-1或-0.1V-1。
若uI 2Ui sin t 则uO 2kUi2 sin2 t 2kUi2 (1 cos2 t)
uO k uI2
实现了对正弦电压的二倍频变换
7.2 模拟乘法器及其应用
(3)除法运算
i2
i1
运算电路中集成运放必须引入负反馈!
为使电路引入的是负反馈,k和uI2的极性应如何?
i1 i2 uI1 uO' R1 R2
uO'
R2 R1
uI1
k uI2uO
uO
R2 R1
uI1 k uI2
7.2 模拟乘法器及其应用
(4)平方根运算电路
ui>0时平方根运算电路
7.2 模拟乘法器及其应用 7.2.1模拟乘法器的基本概念
1.模拟乘法器的定义 模拟乘法器,就是实现两个模拟信号相乘功能的非线性电子器件。 2.模拟乘法器的符号
uO kuXuY
3.模拟乘法器的分类 按照输入电压信号允许的极性,分为变跨导式二象限和双平衡式四象限。
7.2 模拟乘法器及其应用
7.2.2 模拟乘法器的工作原理
ui<0时平方根运算电路
uo1
=
-
R2 R1
ui
uo1 = Kuo2
uo =
- R2 KR1
ui
7.2 模拟乘法器及其应用
3. 调制解调器 (1)调制
(2)解调
在调制过程中,音频信号需要用高频信号来运载, 解调是调制的逆过程。 高频信号称为载波信号,音频信号称为调制信号。 即从调幅波提取调制信号的过程称为解调。
模拟电子技术基础课件(全)
04
模拟电子电路分析
模拟电路的组成
负载
电路的输出部分,可以是电阻、 电容、电感等元件。
开关
控制电路的通断。
电源
为电路提供所需电压和电流。
传输线
连接电源和负载的导线或传输 介质。
保护元件
如保险丝、空气开关等,保护 电路免受过载或短路等故障的 影响。
模拟电路的分析方法
01
02
03
04
欧姆定律
用于计算电路中的电流和电压 。
稳定性影响因素
电路中的元件参数、电源电压、负载变化等 都会影响电路的稳定性。
稳定性分析方法
通过计算电路的极点和零点,分析系统的稳 定性。
提高稳定性的措施
如采用负反馈、调整元件参数等手段,提高 电路的稳定性。
05
模拟电子技术的应用
音频信号处理
音频信号放大
模拟电子技术可以用于放大音频 信号,提高声音质量,使声音更 加清晰和饱满。
技术进步与创新
绿色与可持续发展
随着科技的不断发展,模拟电子技术 也在不断创新和进步。新型材料、工 艺和设计方法的应用将进一步提高模 拟电路的性能和集成度。
在环保意识日益增强的背景下,模拟 电子技术将更加注重绿色、节能和可 持续发展,推动产业向低碳、环保的 方向发展。
与其他技术的融合
模拟电子技术正与其他领域的技术相 互融合,如人工智能、物联网和生物 医疗等,为各种应用场景提供更高效、 更智能的解决方案。
欧姆定律和基尔霍夫定律是电 路分析的基本定律,对于理解 和分析电路具有重要的作用。
电路分析方法
支路电流法
通过设定未知的电流为变量,建立并解决包含这些变量的线性方程组 来求解电路的方法。
模拟电子技术基础(第4版华成英)ppt课件
1
乙类功率放大器是一种非线性放大器,其工作原 理是将输入信号的负半周切除,仅让正半周通过 晶体管放大。
2
在乙类功率放大器中,晶体管只在正半周导通, 因此效率较高。但因为晶体管工作在截止区和饱 和区,所以失真较大。
3
乙类功率放大器通常采用推挽电路形式,以减小 失真。
THANKS
感谢观看
利用晶体管、可控硅等开关元件的开关特性,通过适当组合实现非 正弦波信号的输出。
非正弦波发生电路的组成
包括开关元件、储能元件和输出电路。
非正弦波发生电路的特点
输出信号波形多样,幅度大,但频率稳定性较差,且波形质量受开 关元件特性的影响较大。
波形变换电路
波形变换电路的原理
利用运算放大器和适当组合的RC电路,将一种波形变换为另一种波 形。
基本放大电路 放大电路的基本概念和性能指标
总结词
共基极放大电路的特点是输入阻抗低、 输出阻抗高。
VS
详细描述
共基极放大电路是一种特殊的放大电路, 其工作原理基于晶体管的电压放大作用。 由于其输入阻抗低、输出阻抗高的特点, 因此常用于实现信号的电压放大。在电路 结构上,共基极放大电路与共发射极放大 电路类似,只是晶体管的基极接输入信号 而不是发射极。
01
特征频率
晶体管在特定工作点上的最高使 用频率,超过该频率时放大电路 将失去放大能力。
截止频率
02
03
放大倍数
晶体管在正常放大区与截止区的 交界点上所对应的频率,是晶体 管的重要参数之一。
晶体管在不同频率下的电压放大 倍数,反映了晶体管在不同频率 下的放大性能。
单级放大电路的频率响应
低通部分
放大电路对低频信号的放大能力较强,随着频 率升高,增益逐渐下降。
课件:模拟电子技术基础(第四版)
9
半导体的导电机理不同于其它物质, 半导体的导电机理不同于其它物质,所以它 的导电机理不同于其它物质 具有不同于其它物质的特点。例如: 具有不同于其它物质的特点。例如: 当受外界热和光的作用时, 当受外界热和光的作用时, 它的导电能力明显变化。 它的导电能力明显变化。
第 四 版 童 诗 白
光敏器件
16
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4 自由电子
+4
+5 +4
+4 施主原子
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4
图 1.1.3
N 型半导体
17
二、 P 型半导体
杂质元素, 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如 铟等, 型半导体。 硼、镓、铟等,即构成 P 型半导体。 3 价杂质原子称为受主原子。 价杂质原子称为受主原子 受主原子。
5
第 四 版 童 诗 白
模拟电子技术: 模拟电子技术:
模拟电子技术主要研究处理模拟信号的电子电路。 模拟电子技术主要研究处理模拟信号的电子电路。 模拟信号就是幅度连续的信号,如温度、压力、流量等。 模拟信号就是幅度连续的信号,如温度、压力、流量等。 幅度 幅度
时间 第 四 版 童 诗 白
T
2T
3T 4T
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度;温度决 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度; 定少数载流子的浓度。 定少数载流子的浓度。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 杂质半导体载流子的数目 载流子的数目要远远高于本征半导 因而其导电能力大大改善。 体,因而其导电能力大大改善。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 杂质半导体的表示方法如下图所示。
半导体的导电机理不同于其它物质, 半导体的导电机理不同于其它物质,所以它 的导电机理不同于其它物质 具有不同于其它物质的特点。例如: 具有不同于其它物质的特点。例如: 当受外界热和光的作用时, 当受外界热和光的作用时, 它的导电能力明显变化。 它的导电能力明显变化。
第 四 版 童 诗 白
光敏器件
16
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4 自由电子
+4
+5 +4
+4 施主原子
第 四 版 童 诗 白
+4
+4
+4
图 1.1.3
N 型半导体
17
二、 P 型半导体
杂质元素, 在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素,如 铟等, 型半导体。 硼、镓、铟等,即构成 P 型半导体。 3 价杂质原子称为受主原子。 价杂质原子称为受主原子 受主原子。
5
第 四 版 童 诗 白
模拟电子技术: 模拟电子技术:
模拟电子技术主要研究处理模拟信号的电子电路。 模拟电子技术主要研究处理模拟信号的电子电路。 模拟信号就是幅度连续的信号,如温度、压力、流量等。 模拟信号就是幅度连续的信号,如温度、压力、流量等。 幅度 幅度
时间 第 四 版 童 诗 白
T
2T
3T 4T
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度;温度决 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度; 定少数载流子的浓度。 定少数载流子的浓度。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 杂质半导体载流子的数目 载流子的数目要远远高于本征半导 因而其导电能力大大改善。 体,因而其导电能力大大改善。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 杂质半导体的表示方法如下图所示。
模电课件第七章基本运算电路
-U0M
uI =uP -uN
uP uN
uP-uN =0,差模输入电阻Rid =∞
uI iP iN 0 rId
―虚断”
(负反馈)
电路特征
4. 理想运放在非线性区的特点
uo
UOM (uP>uN)
uo = -UOM (uP<uN)
0
uP-uN
iP=iN =0
―虚断”
电路特征
(正反馈,或开环)
分析运放组成的线性电路的出发点
Ii U_
•虚短路
+
uo
u u
•虚断路 I i 0
U+
+
运放线 性应用
信号的放大、运算
有源滤波电路
7—2 基本运算电路
比例运算电路 加法电路
Z1 vI vN vP + A Zf
减法电路
积分电路 微分电路
vO
iF 7.2.1 比例运算电路 R 1.反相比例运算电路 uI
7—1 概述
7.1.1 电子信息系统的组成 信号的 提取 信号的 (预)处理 信号的 加工 信号的 执行
集成运放接入负反馈网络的闭环状态时,改变输入电路和 反馈网络的阻抗形式,输入和输出间就可实现各种特定形式的 函数关系,即:运放可对输入信号进行各种数学运算和处理。 本章讨论由运放组成的各种基本信号运算和信号处理电路。
uI1 uI 2 uI 3 uO R f R R2 R3 1
当
Rp R4 RN R1 // R2 // R3 // R f
R1 R2 R3 R
Rf R (uI1 uI 2 uI 3 )
uo
《模拟电子技术基础(第4版_周良权)》电子教案 72
2
R2 R1
Rp' C
T TL TH
f
1 T
2( Rp'
1 Rp'' )C
R1 R2
1 2RpC
R1 R2
二、三角波发生器
8 8
R3 u-1 u+1 A1
D1
R4 uO1
RR6p
C A2
uO
D2
R2
R1 DZ UZ
R5
uO1
uO
+UZ UT+
0 UT-
t1 t2 t3 t4 t5
t
-UZ
TL TH f 1 R1
R4 uO1
Rp
D2 DZ UZ
C
Rp'
Rp''
A2
R5
uO 设电位器 Rp 调 节于R’p R’’p
uO1
uO
+UZ UT+
0 UT-
t1
t2
-UZ
t3
t4
UT
UZ
R2 R1
t5
t
UT-
-U Z
R2 R1
+UZ UT+
0 UT-UZ
uO1
uO
t1
t2
t3
t4
TL TH TL
UT
UZ
R2 R1
2. 阈值电压(门槛电压) UT — 比较器从一个电平跳变到另一个电平时所对应的输入电压
uO +UOM
O
-UOM
UREF
UT = UREF
比较器中运放工作的特点: uI (1) 工作在非线性区
(2) 不存在虚短 (除uI = UREF 时) (3) 存在虚断
模拟电子技术基础(第四版)_华成英_518页
物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气 体、液体、固体均有之。
P区空穴 浓度远高 于N区。 N区自由电 子浓度远高 于P区。
扩散运动 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低,产生内电场。
华成英 hchya@
PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内 电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。 漂移运动 因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
2. P型半导体
多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电, 掺入杂质越多,空穴浓度越高, 导电性越强,
3
在杂质半导体中,温度变化 时,载流子的数目变化吗?少子 与多子变化的数目相同吗?少子 与多子浓度的变化相同吗?
硼(B)
华成英 hchya@
三、PN结的形成及其单向导电性
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 无杂质 稳定的结构
根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
P区空穴 浓度远高 于N区。 N区自由电 子浓度远高 于P区。
扩散运动 扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面 N区的自由电子浓度降低,产生内电场。
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PN 结的形成
由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内 电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、 自由电子从P区向N 区运动。 漂移运动 因电场作用所产 生的运动称为漂移 运动。
2. P型半导体
多数载流子 P型半导体主要靠空穴导电, 掺入杂质越多,空穴浓度越高, 导电性越强,
3
在杂质半导体中,温度变化 时,载流子的数目变化吗?少子 与多子变化的数目相同吗?少子 与多子浓度的变化相同吗?
硼(B)
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三、PN结的形成及其单向导电性
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§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体?什么是本征半导体?
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。 绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 无杂质 稳定的结构
根据需求,最适用的电路才是最好的电路。 要研究利弊关系,通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
7-2模拟电路 电子电路讲义PPT
负反馈条件?
u1为负值!
uO1
uO1
KRRu12O2u1
uO
1 K
R2 R1
u1
(5) 开立方运算电路
uO1 KuO2
uO2 =KuO1uO =K 2uO3
uO2
R2 R1
ux
3
uO =
R2 R1K
2
uX
二、 调制解调电路
uo Kuxuy KUm1 sin t Um2 sin t KUm sin t sin t
U BE
ln IC IS
UT
ln
IC1 IS1
ln
IC2 IS2
ln
IC3 IS3
ln
IC4 IS4
0
IC1 IC2 IS1 IS 2 IC3 IC4 IS3 IS4
IC3
IC1 IC2 IC4
IC1 I1 ux / R1 IC3 I3 u0 / R3
IC 2 I2 uy / R2 IC4 I4 uz / R4
u0
K
uxuy uz
K R3 R4 R1 R2
7.2.3 变跨导式模拟乘法器 ——Io ux
对于差动放大电路,输出电压为
uO
=
R 'L rbe
uy
rbe
(1+ )
UT IE
2UT Io
uO
R 'L 2UT
符号:
uO =Ku XuY
其中K为比例因子, 量纲:V-1
7.2.2 对数式模拟乘法器
模拟电子技术基础(完整课件)
>100000
封装好的集成电路
课程的教学方法
模电——“魔”电 特点:电路形式多、公式多、工程性强 教学方法: 课堂讲课 ——每章小结 ——自我检测题
——作业 ——作业反馈
——实验 ——答疑
总成绩=期末(70%)+平时(30%) 平时:作业、课堂、实验等
教材:《模拟电子技术基础》,李国丽王涌李如 春主编,高等教育出版社,国家级十二 五规划教材
就在这个过程中,爱迪生还发现了一 个奇特 的现象:一块烧红的铁会散发出电子云。后人 称之为爱迪生效应,但当时不知道利用这一效 应能做些什么。
1904年,英国发明家弗莱明在真空中加热的 电丝(灯丝)前加了一块板极,从而发明了第一 只电子管,称为二极管。
1906 年,美国发明家德福雷斯特,在二极管 的灯丝和板极之间巧妙地加了一个栅板,从而 发明了第一只真空三极管,建树了早期电子技 术上最重要的里程碑——电子工业真正的诞生 起点 。
2000年10月10日,基尔比 与另外两位科学家共同分享 诺贝尔物理学奖。
获得2000年Nobel物理奖
1958年第一块集成电路:TI公司的Kilby,12个器件,Ge晶片
1959年7月30日,硅谷的仙童半导体公司的诺依斯 采用先进的平面处理技术研制出集成电路,也申请到 一项发明专利 ,题为“半导体器件——导线结构”; 时间比基尔比晚了半年,但确实是后来微电子革命的 基础。
1959年仙童制造的IC
诺依斯
1971年:全球第一个微处理器4004由Intel 公司推出,在它3毫米×4毫米的掩模上,有 2250个晶体管,每个晶体管的距离是10微米, 每秒运算6万次。也就是说,一粒米大小的芯片 内核,其功能居然与世界上第一台计算机—— 占地170平方米的、拥有1.8万个电子管的 “爱
模拟电子技术基础(第四版)课件7
常用有源带阻滤波电路
1 ( f )2
A u
f0
1
(
f f0
)2
j2(2
Aup
)
f f0
Aup
f0
1 2RC
——中心频率
图 7.3.22常用有源带阻滤波电路
Aup
1
RF R1
——通带电压放大倍数
Q f0 1 B 2(2 Aup )
A u
1
Aup
j1 Q
ff 0 f02 f
2
模拟电子技术多媒体课件
7.3.5 状态变量型有源滤波器 一、状态变量型有源滤波电路的传递函数 二、状态变量型有源滤波电路的组成 三、集成状态变量型滤波电路(AF100)
分析过程(见教材P366~367)
图7.3.13 无限增益多路反馈 二阶低通滤波电路
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
三、三种类型的有源低通滤波器
滤波器的品质因数Q,也称为滤波器的截止特性系数。 其值决定于 f = f0 附近的频率特性。 按照 f = f0 附近频率特性的特点,可将滤波器分为: 巴特沃思(Butterworth)
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
三、带阻滤波器(BEF)
在规定的频带内,信号被 U i
低通
U o
阻断,在此频带以外的信号能 顺利通过。
高通
20lg Au
低通
O
f1
f
20lg Au
O 20lg Au
高通 f
f2
通阻通
O
f1
f2
f
图 7.3.20
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
1 ( f )2
A u
f0
1
(
f f0
)2
j2(2
Aup
)
f f0
Aup
f0
1 2RC
——中心频率
图 7.3.22常用有源带阻滤波电路
Aup
1
RF R1
——通带电压放大倍数
Q f0 1 B 2(2 Aup )
A u
1
Aup
j1 Q
ff 0 f02 f
2
模拟电子技术多媒体课件
7.3.5 状态变量型有源滤波器 一、状态变量型有源滤波电路的传递函数 二、状态变量型有源滤波电路的组成 三、集成状态变量型滤波电路(AF100)
分析过程(见教材P366~367)
图7.3.13 无限增益多路反馈 二阶低通滤波电路
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
三、三种类型的有源低通滤波器
滤波器的品质因数Q,也称为滤波器的截止特性系数。 其值决定于 f = f0 附近的频率特性。 按照 f = f0 附近频率特性的特点,可将滤波器分为: 巴特沃思(Butterworth)
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
三、带阻滤波器(BEF)
在规定的频带内,信号被 U i
低通
U o
阻断,在此频带以外的信号能 顺利通过。
高通
20lg Au
低通
O
f1
f
20lg Au
O 20lg Au
高通 f
f2
通阻通
O
f1
f2
f
图 7.3.20
模拟电子技术多媒体课件
第七章 信号的运算和处理
模拟电子技术基础(第四版)第7章
2018/1/21
R R // R f
6
2. 同相比例运算
虚断
iP i N 0 uP uI uN uP uI i R iF
虚短
uI uO uI R Rf
uO (1
Rf R
) uI
Ri R
R R // R f
*该电路中uIC=uI,即共模电压不为0!
作业:7-4、7-7、7-10(C)、7-12
设计电路实现: uO=10uI1+8uI2-20uI3 解:
RN 时 即: R3 // R f R1 // R2 // R
当:RP 有:
uO
Rf R1
Rf 10
uI 1
Rf R2
uI 2
Rf R3
uI 3
Rf 20
因为:
Rf 10
//
2018/1/21
与反相比例电路比较, 哪个性能好?
7
3. 电压跟随器
虚断
iP i N 0 uP uI
uO uN
虚短
uN uP
uO uI
电压跟随
*电压跟随器的性能比分立元件的射极跟随器好很多。
电路经常简化
2018/1/21
8
二. 加减运算电路
1. 反相求和运算
当: Rf R1 R2 R3 R4 R5 有:uO uI 3 uI 4 uI1 uI 2
2018/1/21 12
例题1
求:uO与uI的关系, Ro、Ri1、Ri2=? 解:
uO1 (1 uO
Rf 1 R1
)uI 1 (同相比例) Rf 2 R3 )uI 2 (叠加原理) Rf 2 R3 )uI 2
R R // R f
6
2. 同相比例运算
虚断
iP i N 0 uP uI uN uP uI i R iF
虚短
uI uO uI R Rf
uO (1
Rf R
) uI
Ri R
R R // R f
*该电路中uIC=uI,即共模电压不为0!
作业:7-4、7-7、7-10(C)、7-12
设计电路实现: uO=10uI1+8uI2-20uI3 解:
RN 时 即: R3 // R f R1 // R2 // R
当:RP 有:
uO
Rf R1
Rf 10
uI 1
Rf R2
uI 2
Rf R3
uI 3
Rf 20
因为:
Rf 10
//
2018/1/21
与反相比例电路比较, 哪个性能好?
7
3. 电压跟随器
虚断
iP i N 0 uP uI
uO uN
虚短
uN uP
uO uI
电压跟随
*电压跟随器的性能比分立元件的射极跟随器好很多。
电路经常简化
2018/1/21
8
二. 加减运算电路
1. 反相求和运算
当: Rf R1 R2 R3 R4 R5 有:uO uI 3 uI 4 uI1 uI 2
2018/1/21 12
例题1
求:uO与uI的关系, Ro、Ri1、Ri2=? 解:
uO1 (1 uO
Rf 1 R1
)uI 1 (同相比例) Rf 2 R3 )uI 2 (叠加原理) Rf 2 R3 )uI 2
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第七章 信号的运算和处理
二、带通滤波电路(BPF)
只允许某一段频带内的信号通过,将此频带以外的信 号阻断。
Ui
低通
20 lg A u
高通
Uo
O
20 lg A u
低通
fp1
f
O
20 lg A u
高通
fp2
f
O
阻 fp2
通
阻 fp1
f
图 7.3.17
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第七章 信号的运算和处理
2
图7.3.8 简单二阶低通电路的幅频特性
可解出通带截止频率 fp = 0.37 f0 问题:在 f = f0 附近,输出幅度衰减大, fp 远离 f0
引入正反馈,可以增大放大倍数,使 fp 接近 f0,滤 波特性趋于理想。
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第七章 信号的运算和处理
3.压控电压源二阶低通滤波电路
RF
图7.3.7 简单二阶低通电路
用 jω取代 s,且令 f0=1/(2πRC)
1 Au 1( f f0
2
RF R1 f f0
) j 3
图7.3.8 简单二阶低通电路的幅频特性
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第七章 信号的运算和处理
输入电压经过两级RC低通电路, 在高频段,对数幅频特性以 -40 dB /十倍频的速度下降,使滤波 特性比较接近于理想情况。 令电压放大倍数分母的模等于
——通带电压放大倍数
图 7.3.18
Q
1 3 Au f
fbw = fp1 – fp2 = f0 /Q
——通频带
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第七章 信号的运算和处理
三、带阻滤波器(BEF)
在规定的频带内,信号被 阻断,在此频带以外的信号能 顺利通过。
20 lg A u
Ui
低通 高通
Uo
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第七章 信号的运算和处理
2. 简单二阶电路
可加大幅频特性的衰减斜率。
RF U p ( s ) Au ( s ) 1 U i (s) R1 U i ( s ) U o (s) R 1 1 F R1 1 3 sRC ( sRC ) 2
2
图7.3.9 压控电压源二阶低通滤波电路
1 Q
f f0
图7.3.10 压控电压源二阶低通滤波电路
1 RF Au p R1
1 1 Q f0 3 Au p 2RC
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第七章 信号的运算和处理
二、反相输入低通滤波器
1.一阶电路
令信号频率=0,求出 通带放大倍数
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第七章 信号的运算和处理
7.2 模拟乘法器及其在运算电路中的应用
模拟乘法器可用来实现乘、除、乘方和开方运算电路。 在电子系统之中用于进行模拟信号的处理。
7.2.1
模拟乘法器简介
uI1 uI2
uO
输出电压正比于两个输 入电压之积
uo = kuI1uI2
图 7.2.1 模拟乘法器的符号
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三、三种类型的有源低通滤波器
滤波器的品质因数Q,也称为滤波器的截止特性系数。
其值决定于 f = f0 附近的频率特性。
按照 f = f0 附近频率特性的特点,可将滤波器分为:
巴特沃思(Butterworth)
切比雪夫(Chebyshev) 贝塞尔(Bessel)
通 O
20 lg A u
阻 fp f O
20 lg A u
阻 fp
通 f
O
阻 f1
通
阻 f2 f O
图 7.3.1 理想滤波电路的幅频特性
通 阻 通 f2 f f1
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二、滤波器的幅频特性
低通滤波器的实际幅频 特性中,在通带和阻带 之间存在着过渡带。 输出电压与输入电压之比
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二、可控恒流源差分放大电路的乘法特性
设想:使恒流源电流 I 与另一个输入电压 uI2 成正比, 则 uO 正比于 uI1 与 uI2 的乘积。 当 uI2 >> uBE3 时,
I u I2 u BE3 Re
Rc 2 R eU T
u I2 Re
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第七章 信号的运算和处理
2. 有源滤波电路
无源滤波电路受负载影响很大,滤波特性较差。 为了提高滤波特性,可使用有源滤波电路。
组成电路时,应选用带 宽合适的集成运放。
四、有源滤波电路的传递函数
图7.3.4有源滤波电路
A( s ) u U o (s) U i (s)
输出量的象函数与输入量的象函数之比
模拟乘法器有单象限、 两象限和四象限之分。
图7.2.2 模拟乘法器 输入信号的四个象限
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7.2.2变跨导式模拟乘法器的原理
一、恒流源式差动放大电路 输出电压为:
uO
Rc
rbe
u I1
UT I EQ
rbe rb b (1 )
图7.3.15三种类型二阶LPF幅频特性
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7.3.3 其它滤波电路
一、高通滤波电路
高通滤波电路与低通滤波电路具有对称性 1.压控电压源二阶 高通滤波电路 2.无限增益多路反馈 二阶高通滤波电路
图7.3.16二阶高通滤波电路
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第七章 信号的运算和处理
uO
u I1 u I2 ku I1 u I2
uI1可正可负,但uI2必须 大于零。故图 7.3.4为两 象限模拟乘法器。
图 7.2.4 两象限模拟乘法器
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三、
四象限变跨导型模拟乘法器
公式推导过程略
uO ( iO 1 iO 2 ) Rc ku X u Y IR c
A( s ) u Au p ( s ) 1 [ 3 Au p ( s )] sRC ( sRC )
2
用jω 取代 s,且令 f0 = 1/(2πRC)
Au p Uo Au 2 Ui 1 ( 3 A u p )j RC ( j RC ) 1( Au p f f0 ) j
O
20 lg A u
低通 f1
2 4U T
uX uY
问题:如何将双端输出转 换为单端输出? 四、模拟乘法器的性能指标
图7.2.5 双平衡四象限变跨导型 模拟乘法器
见教材P353 表7.2.1
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第七章 信号的运算和处理
7.2.3 模拟乘法器在运算电路中的应用
一、乘方运算电路
u O ku I
2
uI
uO
N次方运算电路 uO1 = k1 ln uI
当 IEQ 较小、电路参数对称时, I EQ
rbe 2 (1 )
uO
1 2
图 7.2.3
I
所以:
UT I
gm
u I1 I Rc
I EQ UT
I 2U T
Rc
2 (1 )U T
2U T
u I1 I g m R c u I1
结论:输出电压正比于输入电压 uI1 与恒流源电流 I 的乘积。
图7.2.11电路可能会出现闭锁现象,可用图7.2.12电路处理。
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7.3.1 滤波电路的基础知识
作用:选频。 一、滤波电路的种类: 低通滤波器LPF 带通滤波器BPF
20 lg A u
7.3
有源滤波电路
高通滤波器HPF 带阻滤波器BEF
20 lg A u
uO 1 kuI2 uO
因为 i1 = i2 ,所以:
u I1 R1 u O1 R2 k R2 u I2 u O
则:
uO R2Fra bibliotekR1k uI 2
uI1
图7.2.10 除法运算电路
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三、开方运算电路
利用乘方运算电路作为集成运放的反馈通路,就可构成 开方运算电路。
*U、I、R、C、L的象函数表示方法
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7.3.2 低通滤波器
掌握有源滤波电路的组成、特点及分析方法。
一、同相输入低通滤波器
1. 一阶电路
A( s ) u U o (s) U i (s) (1 )( RF R1 1 1 sRC )U p ( s ) )
压控电压源二阶带通滤波电路
Au Au f f f ( 3 A u f ) j( 0) f0 f Au p 1 jQ ( f f0 f0 f )
R Au f 1 F R1
——比例系数
1 ——中心频率 f0 2 RC
Au p Au f Q Au f 3 Au f
二阶有源高通滤波器
2 ( j RC ) Au p Uo Au 2 Ui 1 ( 3 Au p )j RC ( j RC )
1(
Au p f0 f ) j
2
1 Q
f0 f
可见高通滤波电路与低通滤波电路的对数幅频特性互 为“镜像”关系。