VOx薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究

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VOx薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究
邵林飞;李合琴;范文宾;宋泽润
【期刊名称】《红外》
【年(卷),期】2009(30)11
【摘要】VO2是一种热致相变材料.发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化.采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VOx薄膜的结构、电阻-温度性能的影响.结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻一温度突变性能最佳.【总页数】5页(P30-34)
【作者】邵林飞;李合琴;范文宾;宋泽润
【作者单位】合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009;合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009;合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009;中国电子科技集团公司43研究所,安徽,合肥,230022
【正文语种】中文
【中图分类】TB43
【相关文献】
1.镍电阻丝的制备及电阻温度特性 [J], 卢利平;唐龙;岳恩;罗顺安;张平
2.VOx薄膜的sol-gel法制备 [J], 曾亦可;吴帮军;姜胜林;邓传益
3.对靶磁控溅射制备VOx薄膜及其退火研究 [J], 韩雷;胡明;吕宇强;梁继然;刘志刚
4.溶胶—凝胶法制备VOx薄膜的半导体—金属相转变 [J], 陆松伟;侯立松
5.一种高温下测量薄膜电阻温度特性的方法 [J], 张志浩;施永明;王俊;马斌
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