STC单片机内部RAM介绍

STC单片机内部RAM介绍
ＳＴＣ内部ＲＡＭ介绍
一、内部ＲＡＭ
１．内部ＲＡＭ共２５６字节，可分为三个区域：低１２８字节（与传统８０５１兼容）、高１２８字节ＲＡＭ（Ｉｎｔｅｌ在８０５２中扩展了高１２８字节ＲＡＭ）。

２．低１２８字节ＲＡＭ既可以直接寻址也可以间接寻址。

低１２８字节ＲＡＭ也称通用
ＲＡＭ区。

通用ＲＡＭ区又可以分为工作寄存器组区，可位寻址区，用户ＲＡＭ区和堆
栈区。

工作寄存器组区地址从００Ｈ－１ＦＨ共３２ＢＹＴＥ（字节）单元，分为４组（每一组称为一个工作寄存器组），每组包括８个８位的寄存器，编号均为Ｒ０－Ｒ７，但
属于不同的物理空间。

通过使用工作寄存器组，可以提高运算速度。

Ｒ０－Ｒ７是
ＲＡＭ低１２８字节地址也是００Ｈ－７ＦＨ。

从表面看，二者地址是一样的，实际上二者具常用的寄存器，提供４组是因为１组往往不够用。

可位寻址区的地址从２０Ｈ－７ＦＨ
共１６个字节单元。

２０Ｈ－７ＦＨ单元既可以像普通ＲＡＭ区按字节存取，也可以对单元中的任何一个位单独存取，共１２８个位，所对应的地址范围是：００Ｈ－７ＦＨ。

内部有本质的区别：位地址指向的是一个位，而字节地址指向的是一个字节单元，在程序中使用不同的指令进行区分。

内部ＲＡＭ中的３０Ｈ－ＦＦＨ是用户ＲＡＭ和堆栈区一个８位的堆栈指针（ＳＰ），用于指向堆栈区。

单片机复位后堆栈指针ＳＰ＝０７Ｈ，指向了工作寄存器组０中的Ｒ７。

因此，用户初始化程序都应对堆栈设置初值，一般在８０Ｈ以后的单元为宜。

３．高１２８字节ＲＡＭ与特殊功能寄存器区貌似共用相同的地址范围，都使用
８０Ｈ－ＦＦＨ，地址空间貌似重叠，但物理上是独立的，使用
时通过不同的寻址
方式加以区分。

高１２８字节只能间接寻址，特殊功能寄存器区只能直接寻址。

二、内部扩展ＲＡＭ（物理上是内部，逻辑上是外部，用ＭＯＶＸ访问）
ＳＴＣ某些型号的单片机内除了集成２５６字节的内部ＲＡＭ外，还集成了１０２４
字节的扩展ＲＡＭ，地址是００００Ｈ－３ＦＦＦＨ。

访问内部扩展ＲＡＭ的方法和传统８０５１
访问外部扩展ＲＡＭ的方法相同，但不影响Ｐ０、Ｐ２、Ｐ３．６、Ｐ３．７和ＡＬＥ。

在汇编语言中，内部扩展ＲＡＭ通过ＭＯＶＸ访问，即使用“ＭＯＶＸ＠ＤＰＴＲ”或者
“ＭＯＶＸ＠Ｒｉ”指令访问。

在Ｃ语言中使用ＸＤＡＴＡ声明即可，如“
ｕｎｓｉｇｎｅｄｃｈａｒｘｄａｔａｉ＝０”。

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