FinFET、3D NAND推升半导体设备需求
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FinFET、3D NAND推升半导体设备需求
佚名
【期刊名称】《集成电路应用》
【年(卷),期】2015(0)10
【摘要】从28纳米到20纳米,甚至发展至16/14纳米,未来集成电路制造技术将因晶片工艺制程变化而带给设备商20至30%的成长空间。
另外,3DNAND是存储器产业几十年来最大的技术演进,随着3DNAND堆叠层数不断增加,亦将进一步推升半导体设备需求规模。
在电晶体技术方面,Fin FET未来可能利用新材料,譬如硅锗（Silicon Germanium）.
【总页数】1页(P44-44)
【关键词】FinFET;设备需求;半导体;NAND;3D;制造技术;集成电路;技术演进【正文语种】中文
【中图分类】TN386
【相关文献】
1.应用材料公司推出革命性的针对FinFET晶体管和3D NAND器件的电子束量测设备 [J],
2.稳中有升的需求使半导体设备市场前景看好 [J], 刘晓宇
3.精密材料工程助力实现3D NAND结构推动半导体行业新发展 [J], 平尔萱
4.台积电先推TSV 3D芯片可击败英特尔FinFET [J], 吴琪乐;
5.64层3D NAND技术将带领闪存走向新领域 WD Blue 3D NAND/SanDisk Ultra 3D固态硬盘体验评测 [J], 黄贞璇
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