日本开发出FPD用氧化物半导体材料及其溅射靶材

晶结 构控 制在纳 米 尺度 ，使材 料性 能进 一步 提 高 。 使热量 发 电 的元件 。
为提 高热 电转 换效 率 ，要求材 料 具有大 的塞 贝克 系数 、高 的 电导率 、低 的热 导率 ，要 对材 料 的上述 性能 进行 综合 考虑 。 研 究小 组注 意到 了与 Ｂ ｉ 。 Ｔ ｅ 。 系材 料具 有相 同 电子迁移 率
一
２ ０ ０ ℃低温 区域 ，热 电性 能有望 超过 Ｂ ｉ ｚ Ｔ ｅ 。 系材料 的层状 结 构 Ｂ— Ｃ ｕ Ａ ｇ Ｓ ｅ系新物 质 。在 Ａ ｇ 层流动 的 电子具 有 与硅单 晶相 同的 电子 迁移 率 ， 表 明材料 具有较 高 的热 电性能 。该研 究 成
果对 新型热 电材 料 的开发 起 到指 导作用 。 今 后将通 过 用镍 等其 它元素 置换 部分 铜 ， 或 将 结
现代材料动态
２ ０ １ ３ 年 第ｌ １ 期
即使 Ｎ Ｌ Ｃ Ｃ在直 流 电压 中混杂着 交流 成 分 ，但 由于其 Ｅ Ｓ Ｒ（ 等 效 串联 电阻 ）较 低 因此
不 易发热 ，在 数十 ｋ Ｈ ｚ以上 的频 率范 围仍然 具 有优异 的抗 波纹 性 能，这 是铝 电解 电容器 所
达小 到 的。 因此 可提 高 设备可 靠性 、延 长设 备寿 命 。
的以 Ａ ｇ为主要 成分 的 Ｂ— Ａ ｇ 。 Ｓ ｅ 。为利 用 品格 振动 降低 热导 率 ，研 究小组 将部 分 Ａ ｇ置换 成 Ｃ ｕ ，试 制 了 — Ｃ ｕ Ａ ｇ Ｓ ｅ 。实验 结果表 明，材 料 的热导 率 降低至 与玻璃 相 当的程 度 ，且 电子
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（ 杨 晓婵 摘译 ）
日本开发 出 Ｆ Ｐ Ｄ用氧化物半导体材料及其溅射靶材
日 神广 】 制钢 所和 Ｋ Ｏ Ｂ Ｅ Ｌ Ｃ Ｏ科研 （ 神 户制钢 所 ｝ ｆ ｛ 资 １ ０ ０ ％ 的子公 司 ）开发 适用 于 板 显示器 （ Ｆ Ｐ Ｄ ）源极／ 漏 极 电极 （ Ｓ ／ Ｄ ）制作 工艺 的新 型氧 化物半 导体 材料及 其 溅射靶 材 。 通过 自主 研发 的材 料设 计 ，提 高 了新 型氧 化物 半导 体材料 对酸 浸液 的耐蚀 性 能 。冈而 可用 于不 能 使用 Ｉ Ｇ Ｚ Ｏ（ Ｉ ｎ — Ｇ ａ — Ｚ ｎ 一 ０ ）的生 产效 率高 的背 沟道 型薄膜 晶体管 （ Ｂ Ｃ Ｅ — Ｔ Ｆ Ｔ ） 。 另外 ，新 材料对 返 修： ［ 艺 中使用 的酸 浸液 也有 耐蚀性 ，因而可 获得 与 Ｉ Ｇ Ｚ Ｏ相 同的薄膜 晶 体管特 性 。 用 于制 作这 种氧 化物 半导 体薄 膜 的氧 化 物溅射 靶 材是 由 Ｋ Ｏ Ｂ Ｅ Ｌ Ｃ Ｏ科研 公司 制造 的 ， 已出厂评 价用 样 品。
批 量 生产 。但 Ｌ Ｔ Ｐ Ｓ的工 艺复 杂 ，制 造 成本 高 一 日 ｜ 受设 备 限制 ，很难 生产大 型基 板 。 东京 工业大 学细 野秀雄 教 授开 发 的氧化物 半 导体材 料 Ｉ Ｇ Ｚ Ｏ ，可 以用溅 射法 进 行成膜 。 虽然是 氧化 物 ，但 通过 适 当控制 成膜 条件 ，可 获得硅 那样 的半导体特 性 ，使载 流子迁 移 率
提 高至 ｌ Ｏ ｏ ｍ ／ Ｖ ｓ 。 由于 可用 溅射 法成 膜 ，因此 与 Ｌ Ｔ Ｐ Ｓ相 比，不存在 制造 成本 和大 型化 的
问题 。但 Ｉ Ｇ Ｚ Ｏ对 酸浸 液 的耐蚀性 较 差 ，遇 到将 Ｍ ｏ 、Ａ ｌ 等 金属 薄膜腐 蚀成 Ｓ ／ Ｄ电极 时使 用
的磷硝 醋酸 会溶解 。
这 次 开发 的氧 化 物半 导体 材料 ，通 过 自主研 发的氧 化物 组分 设计 ，成 功地提 高 了材料
对 磷硝 醋酸 系酸浸 液 的耐蚀 性 ，可不 使 用保护 膜 。 （ 杨 晓婵 摘译）
日本 东京大学发现新型层状结构 Ｃ ｕ Ａ ｇ Ｓ ｅ系热 电转换材料
日本 东 京大 学 石 渡 晋 太 郎副 教 授 等 人 和 理 化 学 研 究 所 的研 究 小 组 发现 了在 室温
Ｆ Ｐ Ｄ随着 清 晰度 的提 高 ，特 别是便 携 式平面 终端 ，对 高辉度 、低耗 电、窄边框 的要 求
越来越 高 。Ｆ Ｐ Ｄ使用 的半导体 材料 ，以前 一般 使用 化学气 相 沉积法 制 成 的非 晶硅 薄膜 ，但 其表示 半 导体 电性 能 的载 流 子迁移 率很 小 ，在 ｌ ｃ ｍ ／ Ｖ ｓ以下 ，随着 Ｆ Ｐ Ｄ性 能的提 高 ，要 求 半导 体材 料有 更高 的迁 移率 。因此 ，使用 低温 多 晶硅 （ Ｌ Ｔ Ｐ Ｓ ）的薄膜 晶体 管 （ Ｔ Ｆ Ｔ ）得 到