模电二极管_三极管习题课

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二极管三极管练习题

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。

（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。

（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。

（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。

（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。

模电习题课2011

设：UGS=0 则：VGVS 而：IG=0
R2 VG U DD 5V R1 R2 VS VG ID 0.5mA RS RS
150K G I R G
G
ID UDS
S RS 10K
R2
1M 50K
U DS U DDI D ( RS RD ) 10V
动态分析
R1 C1 RG ui R2 150K G D
V3
管的 U BE U B U E 5.7V 6V 0.3V
V3 管是PNP型锗管
三个极： 2为B； 1为E； 3为C
4-2 电路如图4-2所示, 该管工作在( a)放大 b)截止 c)饱和
20k
c)区.
4k
+UCC 12V
=100
UBE=0.7V UCES=0.3V 图4-2 题4-2图
C
+
RC RL uO
+ ui
-
RB
E
交流通路
-
R L RC
所以交流负载线比直流负载更陡当 RL 时，交直流负载重合
iC/mA iC/mA Q1 Q IC
O
动态分析图解法
iB/A
iB/A
Q2
ic
t O O UCE t
ib
IB
O
Q
RL=
uCE/V uCE/V uo
t
O O
UBE t
+E -EC C
RB C1
+
RC
IC C 2
+
电解电容极性倒过来
+
+
T IB IE
ui
uo
题7 （PNP三极管放大器） -EC R1 C1

模拟电子线路(模电)二极管和三极管

PN结正偏时，CD >> CB ，则 Cj ≈ CD 故：PN结正偏时，以CD为主。通常：CD ≈几十PF ~ 几千PF。 PN结反偏时，CB >> CD ，则 Cj ≈ CB 故：PN结反偏时，以CB为主。通常：CB ≈几PF ~ 几十PF。
1.2 半导体二极管
结构
二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
——成为硬件电路设计人才
学好模电、数电、单片机、DSP等。初步具备 “看、算、选、干”能力
三、学什么？（What）
系细化电细化器统路件 1、本课程研究内容：各种半导体器件的性能、电路及应用 2、具体研究对象：
（1）按处理信号：1)模拟(A) 2)数字(D) （2）按信号频率：1)高频 2)中频 3)低频
耗尽层宽度一定
PN结
2. PN结的单向导电性
1.1 半导体的基本知识
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F
N型半导体 P型半导体空间电荷区耗尽层 N型半导体 P型半导体 + + + + －－－－ + － + + + －－－正向电流－－－ + － + + + －－－ + － + + + + －－－ + + + －－ + －－ + + + －内电场 E
，所有的价电子都紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近

模电习题课(ppt)

561k
2.12电路如题图2.12所示。已知晶体管的β
＝50,UBE＝-0.2V，试求：
（1）UBQ=0时,RB的值。
（2）RE短路时ICQ、UCEQ的值。
（3） UB=0V ，RB开路时ICQ、UCEQ的值。 R
(2)IBQ
UEE UCC UBE
RB (1 )RC
12 12 0.2
561 511
的值又应为多少?
RB 500k
RC 2k
C1 +
V C2 +
解：题图（a）： e结正偏，c结反偏，放大状态题图（b）： e结反偏，c结反偏，截止状态题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态题图（d）：e结开路，晶体管损坏
2.6某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的β值。确定该管的 U(BR)CEO和PCM。
uCE
UCEQ
0
t
UCEQ
0
t
图 2.13(a)
图2.13(c)
2.14 试判别题图2.14 所示各电路能否对正弦信号进行电压放大？为什么？各电容对电信号可视作短路。
2.15 试画出图2-15所示电路的直流通路和交流通路。
直流通路
交流通路
直流通路
交流通路
直流通路
交流通路
2.18 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图2.18（a）和
4V 题图（d）
2.2 某个晶体管的β＝25，当它接到电路中时，测得两
个极上的电流分别为50 mA和2mA，能否确定第三个电极上的流数值?
解：不能。因为第三个电极上的电流与管子的工作状态有关。当管子处于放大状态时，第三个电极上的电流为52mA；而当管子处于饱和状态时，则电流为 48mA。

模拟电子技术基础习题课

模拟电子技术基础习题课模拟电子技术基础1. 在模拟集成放大电路中，二极管的作用是。

（A）保护（B）电平移位（C）温度补偿（D）电压放大答：A、B、C2. 运算放大器输出接负载RL，当负载RL变化时，要求负载RL两端电压不变，运算放大器采用负反馈。

（A）电压并联（B）电流并联（C）电流串联（D）电压串联答：A、D3. 两级放大器串接后需要改宽带通，后级放大器应置入电路。

（A）电压并联负反馈（B）共基（C）电流串联负反馈（D）共集答：A、B、D4. 两级放大器串接后需要改宽带通，前级放大器应置入电路。

（A）电压并联负反馈（B）共基（C）电流串联负反馈（D）共集答：A、D5. 共基电路高频特性好的原因是。

（A）密勒效应低（B）输入电阻低（C）电流串联负反馈（D）fα高答：A、B6. 共集电路高频特性比共射电路好的原因是。

（A）降低密勒效应（B）输出电阻低（C）电流并联负反馈（D）fβ低答：A7. 掺杂浓度高的会引起击穿，掺杂浓度低的会引起击穿。

答：齐纳、雪崩8. 掺杂浓度低的半导体会引起雪崩击穿的原因是反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞电离，使激增。

（A）多子（B）反向电流（C）载流子（D）反向电压答：B9. 单级理想运算放大器接成只有电压并联负反馈时，会应用到概念。

（A）虚断（B）虚短（C）虚地（D）A为穷大答：A、B、C、D10. 单级理想运算放大器接成只有电压串联负反馈时，不会应用到概念。

（A）虚断（B）虚短（C）虚地（D）A为穷大答：C11. 在实际工程运用中，引入负反馈后，相位裕度和幅度裕度应该满足。

（A）≥180°，≥1dB （B）≥45°，≥10dB （C）≥10° ，≥10dB （D）≥45°，≥45dB 答：B12．三极管共射放大电路引入电压负反馈后，输入电阻。

（A）增大（B）减小（C）也许增大，也许减小（D）不变答：C13．电流源电路若置入共射差分放大电路的射极，起到的作用是。

模电习题课(答案版)

1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的B 。

[ ]A 多数载流子浓度增大B 少数载流子浓度增大C 多数载流子浓度减小D 少数载流子浓度减小2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。

［］A +5v和-5vB -5v和+4vC +4v和-0.7vD +0.7v和-4v⒊根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B = -6.3v，V E = -7v，V C = -4v，可以判定此晶体管是管，处于 B 。

［］A NPN管，饱和区B PNP管，放大区C PNP管，截止区D NPN管，放大区⒋场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。

[ ]A 非饱和区B 饱和区C 截止区D 击穿区⒌在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是： B 。

[ ]A 共发射极电路的A V最大、R I最小、R O最小B 共集电极电路的A V最小、R I最大、R O最小C 共基极电路的A V最小、R I最小、R O最大D 共发射极电路的A V最小、R I最大、R O最大⒍直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。

[ ]A 电阻阻值有误差B 晶体管参数的分散性C 晶体管参数受温度影响D 受输入信号变化的影响7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A ，而提高共模抑制比. [ ]A 抑制共模信号；B 抑制差模信号；C 放大共模信号；D 既抑制共模信号又抑制差模信号；8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D 。

[ ]A 电压放大倍数高B 输出电流小C 输出电阻增大D 带负载能力强9．集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。

[ ] A阻容耦合式B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。

[ ]A 耦合电容和旁路电容的影响B 晶体管极间电容和分布电容的影响C 晶体管的非线性特性D 放大电路的静态工作点设置不合适11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。

模电1-3章课后习题

填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变窄；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变宽。

2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的单向导电特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的反向击穿特性。

3. 三极管工作在放大状态时，发射结应正偏置，集电结应反偏置。

若工作在饱和状态时，发射结应正偏置，集电结应正偏置。

若工作在截止状态时，发射结应反偏置，集电结应反偏置。

4. 三极管电流放大系数β＝50，则α＝0.98 ；若α＝0.99，则β＝99 。

5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数β增大，穿透电流I CEO增加，当I B不变时，发射结正向压降|U BE|减小。

6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变大；若负载电阻R L变小时，其电压增益将变小。

7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；产生饱和失真的原因是Ic偏大；若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。

8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是共集电路；通频带较宽的是共基电路；输入电阻较小的是共基电路；输出电阻较小的是共集电路；输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；电压增益小于1的是共集电路；带负载能力较强的是共集电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是共射电路。

9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率f H时，这时电路的实际增益为-77.7 ，其输出与输入信号的相位相差-225 度。

10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100 倍，上限频率f H＝2×106Hz，下限频率f L＝20 Hz，当信号频率恰好为f H或f L时，实际电压增益为37 dB。

11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

模拟电子技术习题课

1、二极管组成的开关电路如图（a）所示。如果二极管是理想二极管，求当 u1和 u2的输入波形如图（b）所示，于图（b）中绘制出的uo波形。 R 4k UDD 3V
D1
+ +
+
D2
u1
u2
R
uo
I
U DD
--
-
(a)
(b)
2、RC耦合两级放大电路如图所示，已知两个BJT的 1、2， rce→。
1)指出两级放大电路各是什么组态？
R1 +
C1
Vi
R2
R3
+ C3
T1
R4
Vo1
+
R5
C2
+VCC
R7 +
T2
C4
R6
RL Vo
2、RC耦合两级放大电路如图所示，已知两个BJT的 1、2， rce→。
2)画出两级放大电路的直流通路，求静态工作点Q1[IB1、 IC1、 VCE1]、Q2[IB2、 IC2、 VCE2]。
若为JFET
iD
IDSS (1
vGS )2 VP
(VP vGS 0)
5、在下图中，运放均为理想运放。设 t=0 时，vC(0) = 0V。若在 t=0 时，同时加上1V 的阶跃信号 vi1 和 2V 的阶跃信号vi2 。试求两信号加上后10 秒钟，vO 的数值。
100KΩ
100KΩ 100μF
*
（2）若静态uO＝0V，则Rc2＝？
IC4＝VEE / Rc4＝0.6mA。
VRc2 IC 4 Re4 VEB4 =1V
VRC 2 R C2
I RC 2
1V 0.15mA

5.§1、§2—1 习题课

广东省机械技工学校文化理论课教案首页审阅签名：年月日【组织教学】1. 起立，师生互相问好，营造良好的课堂氛围2. 坐下，清点人数，指出和纠正存在问题【导入新课】1. 教学回顾：二极管及三极管结构、符号、特性，三极管电流放大作用的外部条件2. 切入新课：我们已学习二极管及三极管结构、符号、特性，三极管电流放大作用的外部条件等知识，部分同学能用这些知识很好的分析、解答有关问题，但有些同学还没有很好地掌握有关的知识。

为加深同学们对有关知识的理解和运用，本课我们来分析解答作业中的存在问题及疑难问题，希望同学们也提出问题，咱们共同在课堂上解决问题。

【疑难问题分析】1. （《习题册》P.2.填空题7.）有一锗二极管的正反向电阻均接近于0，表明该二极管已内部短路，不能再用；有一硅二极管的正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已内部开路，不能再用。

分析及结论：不少同学将此两空分别填为：断路、开路。

显然，第一空填错了。

二极管的正反向电阻均接近于0，这种情况只有在二极管的正、负极被电阻接近于0的导体直接连接才会出现，这就是二极管内部短路或正负极被短接。

断路时，导体补空气隔断，空气的电阻通常是非常大的，不是接近于0！2. （《习题册》P.2.判断题12.）：光电二极管可以作为电路通断和指示用（⨯）分析及结论：不少同学的判断为（√），是错的。

因为光电二极管将光信号转变为电信号，电路发行量连通的，不用告诉我们电路是否连通了；另外，电信号我们不能直接看到的，故它不能告诉我们什么。

发光二极管才可作为电路通断和指示用。

因为光电二极管将电信号转变为光信号，如果我们看到二极管发光，则电路必是连通和有电流通过。

3. （《习题册》P.3.选择题2.）把电动势为1.5V 的干电池的正极接到一个硅二极管的正极，负极接到硅二极管的负极，则该管子（）A. 基本正常B. 将被击穿C. 将被烧坏D. 电流为0分析及结论：如果1.5V 的干电池有一定的内阻，或题中二极管是一整流电流很大的整流管，则可选择A ；如果1.5V 的干电池的内阻极小，题中二极管又是一小功率二极管，则应选择C ；题中没说电池的内阻，我们将电池的内阻当作0，题中也没说二极管是什么管子，我们视其导通电压为0.7V 。

电子技术习题模电部分

习题一二极管、三极管一、填空题1、N型半导体中多数载流子是,P型半导体中多数载流子是。

2、PN结具有单向导电性,其导电的方向是从到。

3、二极管具有特性,其导通条件是。

4、二极管正向电阻越,反向电阻越,表明二极管的单向导电性越好。

若正反向电阻均趋于0,表明二极管。

若正反向电阻均趋于无穷大,表明二极管。

5、在常温下,硅二极管死区电压约为 V,导通压降约为 V。

锗二极管死区电压约为 V,导通压降约为 V。

6、晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。

7、工作在放大区的某三极管,如果电流I B从12μA增加到22μA时,I C从1mA 变为2mA,那么它的β值约为。

8、某NPN型晶体管的集电极电流等于1mA,基极电流等于20μA,则它的发射极电流等于_____ mA。

9、对三极管的引脚进行判断时,把万用表置于R×100Ω(或R×1KΩ档,把黑表笔与基极相连,红表笔分别与另外两极相连,测得其电阻值均很小,说明该管的类型为。

二、选择题1、用万用表直流电压档分别测出VD1,VD2和VD3正极与负极对地的电位如图示,VD1,VD2, VD3的状态为(。

A、VD1,VD2,VD3均正偏B、VD1反偏,VD2,VD3正偏C、VD1,VD2反偏,VD3正偏2、用万用表R×1K档判别二极管的管脚,在测得指针偏转很大那次红表笔接(。

A、正极B、负极3、由Ge二极管V D,电压E和电阻R(R=3kΩ组成的电路如图示,该电路中电流比较准确的值是(。

A、0B、0.27mAC、0.4mAD、0.5mA4、以下图示电路中,二极管的工作状态分别为(。

A、VD1截止,VD2导通B、VD1,VD2都导通C、VD1,VD2都截止D、VD1导通,VD2截止5、电路如图示,VD1和VD2为理想二极管,R=6kΩ,E1=4V,E2=10V,VD1和VD2的状态分别为(。

VD1A、VD1,VD2均截止B、VD1,VD2均导通C、VD1截止,VD2导通D、VD1导通,VD2截止6、稳压二极管一般工作在(状态。

模电习题课-15周-1

4、
画微变等效电路
Au 变小，ri 变大，ro 不变。
ii
RB
ib rbe
ic
ib
RC RL
ui
uo
3.放大电路及三极管输出特性如下所示。 ①在输出特性曲线上画出直流负载线。如要求ICQ=2mA，确定此时的静态工作点，并确定此时的Rb的值； ②利用图解法分别求出RL=∞和RL=3kΩ时的最大不失真输出电压Uom（有效值）；③若Rb调至150kΩ且iB的交流分量ib（t）=20sinωt(μA)，画出iC和uCE的波形图，这时出现什么失真？
第4章基本电子器件
1.在图示各电路中， ui=12sinωtV，US=6V，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压uO的波形。
ui 6 二极管导通
图a ：二极管截止二极管导通
uO=ui uO=US
二极管截止
图a 图b：二极管截止二极管导通图b uO=ui uO=US
2.在图（b）电路中，若输入电压uI的波形如图（a）所示。试画出对应于 uI的输出电压uO和二极管D端电压uD的波形。假设二极管的正向压降可忽略不计。
15 0.7 Ie1 0.5mA 2 14.3k 26 rbe 200 (1 50) 2.852k 0.5 RC 10k Ad 50 87.66 2rbe 2 2.852k
ri 2rbe 5.704k
AC RC rbe 2 1 )R E (
R =3kΩ
③若Rb调至150kΩ且iB的交流分量ib（t）=20sinωt(μA)，画出iC和uCE的波形图，这时出现什么失真？
M
Q
A
I BQ
N

2.2.1模电实验二二极管三极管参数测试及充放电实验研究

稳压二极管与发光二极管的测量方法同普通二极管的测量方法相同，导通压降不同。
3、三极管极性及引脚检测方法 (1)判定基极B ①将数字万用表拨至二极管挡
②红表笔固定接某个电极,用黑表笔依次接触另外两个电极
实验知识准备
③两次显示值基本相等(或均在1V 以下,或都显示“1”),证明红表笔所接的是基极。如果两次显示值中一次在1V 以下,另一次显示示数为“1”,证明红表笔接的不是基极
基础硬件实验
1、二极管的测量 (1)使用数字万用表二极管挡测量二极管并将测量结果记入表3-2-2
基础硬件实验
1、二极管的测量 (2)使用数字万用表测量稳压二极管和发光二级管,将测量结果记入表3-2-3。
基础硬件实验
2、三极管的测量数字万用表测量三极管CS9011 (或CS9013)、CS9012，数据记入表3-2-4。
1、二极管、三极管的基本知识 (1) 二极管
实验知识准备
1、二极管、三极管的基本知识 (2) 三极管
实验知识准备
1、二极管、三极管的基本知识 (3) 电阻
实验知识准备
色标法是用不同的色带或色点标在电阻器表面，用来表示电阻的阻值和允许偏差。
实验知识准备
1、二极管、三极管的基本知识 (3) 电阻我们选用的电阻采用的是五色环的标注方式。
基础应用实验
2、二极管应用——二极管充、放电显示电路
(1)按图3-2-8连线。实验开始时,S1、S2 均应先处于断开状态。
基础应用实验
2、二极管应用——二极管充、放电显示电路 (1)闭合S1，电源通过R1、LED1 向电容C1、C2 充电。在接通电源的瞬间,由于C1、C2 中没有电荷,其两端电压为零,这时通过红色发光二极管LED1 的电流最大,发光亮度最高。随着时间的推移,电容逐渐充满电荷,充电电流逐渐减小,红色发光二极管LED1 逐渐熄灭。

电子技术习题(二级管和三级管)培训课件

精品文档二极管、三极管专题复习一、填空题：1．PN结具有________性能，加________电压时,PN结导通,加________电压时，PN结截止。

2．三极管是控制器件，所谓放大作用，实质上是通过的变化来控制有较大变化。

3．半导体二极管的基本性能是，正向电压大于电压时导通，导通后硅管的正向压降为V，锗管为V。

4．温度上升，二极管的反向饱和电流。

(增大、减小)5．已知某晶体三极管I B=0.2mA, I C＝4.0mA，则I E=______ m A, = = __ ___。

6. 输出特性曲线反映三极管________和________关系的特性曲线。

7．8．PNP管处于放大状态时，三个电极中_______极电位最高。

NPN管处于放大状态时，三个电极中_______极电位最低。

二、选择题：V= -3V、V CE=6V、V BC= -5.4V，则该管是1. 万用表测量电子线路中的晶体管测得E（）。

A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型，处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型，处于截止工作状态2．如图所示，V为理想二极管，则U AB为（）。

3．用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）。

A．R×10KΩ挡B．R×1Ω挡C．R×100Ω或R×1KΩ挡4．图2给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性曲线，其中硅二极管的伏安特性曲线是由：___________。

（A）a和c组成（B）a和d组成（C）b和c组成（D）b和d组成精品文档5．放大电路中某三极管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（）。

A. NPN 硅管，E 、C 、BB. NPN 硅管，C 、B 、EC. PNP 锗管，E 、C 、BD. PNP 锗管，B 、C 、E6．测得放大电路中三极管三个电极对地电位如图所示，则该管为（）。

A. NPN 型硅管,1脚为b 极、2脚为c 极、3脚为e 极B. PNP 型锗管,1脚为e 极、2脚为b 极、3脚为c 极C. NPN 型锗管,1脚为e 极、2脚为c 极、3脚为 b 极D. PNP 型硅管,1脚为b 极、2脚为c 极、3脚为e 极7．在图2-9所示电路中，V 为理想二极管，则A 、B 两端的电压为( )。

二极管、三极管放大电路练习题

R
Ui
D
VD＋ = Ui = 5V
+
U0
_
VD－ =0V
R
+
Ui
D U0
_
(2)求出断开两点间的电位差VD 。
VD= VD＋－ VD－ =5V
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
(3)判断二极管的导通状态
R
+
Ui
D
U0
_
∵ VD= 5V>0 ∴ 二极管D导通
R
+
UD+－UD－≥UF，二极管导通，等效为UF恒压源； UD+－UD－<UF，二极管截止，等效为断路。 • 折线模型
UD+－UD－≥Uth，二极管导通，等效为Uth恒压源串联电阻； UD+－UD－<Uth，二极管截止，等效为断路。
例1：设二极管为理想二极管，试求出Ui=5V时
的输出电压U0的大小。
解:(1)断开二极管D
二极管及其基本电路、三极管练习
二极管复习
1、二极管基本电路的分析方法：
关键是判断二极管的导通与截止
首先假设二极管断开，然后求得二极管正极和负极之间的电压。如该电压大于导通电压，则说明该二极管导通，两端的实际电压为二极管的导通电压；如果该电压小于导通电压，则说明该二极管截止。然后进一步计算所要求的各物理量。
可见，二极管接入后，反向偏置，VD处于截止状态。电路中电流为0，电阻上压降为0，所以
Vo=VB=VC=-5V
3：设二极管为理想二极管，试判断各个二极管的工作状态，求输出电压U0的大小。
(1)设D1、D2都断开，设0电位点

第1章半导体二极管三极管(例题)

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(二)光电二极管光电二极管工作于反向偏置状态. 光电二极管工作于反向偏置状态.无光照时电路中电流很小,有光照时电流会急剧增加. 中电流很小,有光照时电流会急剧增加.
D E
D I E
RL
光电二极管电路
发光二极管电路
(三)发光二极管发光二极管工作于正向偏置状态. 发光二极管工作于正向偏置状态.正向电流通过发光二极管时,它会发出光来, 发光二极管时,它会发出光来,正向工作电压一般不左右. 超过 2 V,正向电流为 mA左右.发光二极管常用 ,正向电流为10 左右于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源. 于数字仪表和音响设备中的显示器.冷光源.
∵ UDA > UDB VY 优先导通, 截止. ∴ DA 优先导通, DB截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VA = 3V 锗二极管: 锗二极管:VY = VA - UD = 2.7V R 硅二极管: 硅二极管:VY = VA - UD = 2.3V -6V
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, 时分析输出端的电位V 例4: 当VA = 3V,VB = 0V时,分析输出端的电位 Y.
+6V
DA
R VY
VA VB VA VB
DB DB DA
∵ UDB > UDA 优先导通, 截止. ∴ DB 优先导通, DA截止. 理想二极管: 理想二极管:VY = VB = 0V 锗二极管: 锗二极管:VY = VB B + UD = 0.7V
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分别为3 , 例6 当Us 分别为 2 V,4 V,而 ui 分别为 V, , , 3 V 时,试画出 uo 的波形. 的波形.

模拟电子技术例题习题ppt课件

IBQ V BB R U bBE Q 1 V 5 K 0 .7 V60 A
ICQ=βIBQ=5060μA=3mA。
uo=VCC-ICQRC=9V 所以T处于放大状态
. 第10页
模拟电子技术B
1.10 电路如图P1.10所示，晶体管导通时 UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、 3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO 的值。【解】
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第17页
模拟电子技术B
讨论
例题习题
1. 在什么参数、如何变化时Q1→ Q2 → Q3 → Q4？ 2. 从输出电压上看，哪个Q点下最易产生截止失真？哪个Q点下最易产生饱和失真？哪个Q点下Uom最大？ 3. 设计放大电路时，应根据什么选择VCC？
静态工作点Q（直流值）：UBEQ、IBQ、 ICQ 和UCEQ
IBQVBBUBEQ Rb
ICQ= IBQ
T
U VI R
CQ E
CC C Q C
基本共射放大电路
. 第12页
模拟电子技术B
2. 常见的两种共射放大电路 (1) 直接耦合放大电路（ RL＝∞ ）
Ib2 IBQ
Ube
Ib1例题习题源自已知Ib2=Ib1+IBQ
Q3Q4: Q3和Q4负载线平行，说明RC无变化，由于负载线变陡， Q3Q4 的原因是VCC增大。
.
第19页
模拟电子技术B
基本共射放大电路的直流通路和交流通路
例题习题
I
BQ
＝
V
BB
－U Rb
BEQ
I CQ I BQ