电力电子技术课件-期末考试试题
电力电子技术期末考试题与答案
电力电子复习**：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子复习姓名：杨少航电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
2.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角的移相范围为_0-180O_，随的增大，Uo_降低_，功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角＜(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在_＿开关__状态。
2．在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路_＿、_驱动电路_、 _主电路＿三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
４．按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件＿ 、_复合型器件_三类。
5ﻫ.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有＿普通二极管＿、_快恢复二极管＿、 _肖特基二极管_。
7．肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止＿_ 。
9ﻫ．对同一晶闸管,维持电流IH 与擎住电流I Ｌ在数值大小上有I Ｌ__大于__ＩH 。
ﻫ１0.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为,UDSM _大于__Ubo 。
11ﻫ．逆导晶闸管是将_二极管＿与晶闸管_反并联_（如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12ﻫ.GTO 的_＿多元集成＿_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13ﻫ.MOSF ＥT 的漏极伏安特性中的三个区域与G ＴR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区＿、前者的饱和区对应后者的__放大区_＿、前者的非饱和区对应后者的_饱和区＿_。
1４.电力ＭOSFE Ｔ的通态电阻具有__正＿_温度系数。
1ﻫ５.I ＧBT 的开启电压UGE(ｔh ）随温度升高而_略有下降＿_，开关速度__小于__电力ＭOS ＦET 。
16ﻫ.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术期末考试试题及答案第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT的开关速度__小于__电力MOSFET16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT_；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。
电力电子技术期末考试试题及答案.
电力电子技术试题第1章电力电子器件L电力电子器件一般工作在—开关—状态.项通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为—开关损耗—.务电力电子器件组成的系统,一般由—限制电路、驱动电路、主电路三局部组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路.W按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类.业电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通,承受反相电压截止.j电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管.三肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗. 生晶闸管的根本工作特性可概括为—正向电压门极有触发那么导通、反向电压那么截止—.生对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL 大于IH .10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM 大于Ubo.生逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联 (如何连接)在同一管芯上的功率集成器件.MGTO的—多元集成—结构是为了便于实现门极限制关断而设计的.EJMOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区 .14.电力MOSFET的通态电阻具有—正—温度系数.KJ GBT的开启电压UGE (th )随温度升高而略有下降—,开关速度—小于电力MOSFET .鱼根据驱动电路加在电力电子器件限制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类.也GBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有—负—温度系数, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有—正—温度系数.也在如下器件：电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是电力二极管—,属于半控型器件的是—晶闸管,属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO、GTR ,属于复合型电力电子器件得有—IGBT =;在可控的器件中,容量最大的是晶闸管,工作频率最高的是电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT ,属于电流驱动的是晶闸管、GTO、GTR .第2章整流电路L电阻负载的特点是电压和电流成正比且波形相同,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管限制角a的最大移相范围是0-180..%阻感负载的特点是—流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中, 晶闸管限制角a的最大移相范围是0-180O,其承受的最大正反向电压均为J2U2,续流二极管承受的最大反向电压为J2U2(设U2为相电压有效值).3.单相桥式全控整流电路中, 带纯电阻负载时,a角移相范围为0-180 °,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_J2U2/2_和_J2U2；带阻感负载时,a角移相范围为0-90O,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为J2U2和J2U2；带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器.4.单相全控桥反电动势负载电路中, 当限制角a大于不导电角3时,晶闸管的导通角e=_7t-a-七当限制角口小于不导电角6时,晶闸管的导通角6=_兀-2^_.UFm等于=J2U2_,晶闸管限制角a的最大移相范围是0-150.,使负载电流连续的条件为5.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压—a <30°_〔U2为相电压有效值〕.史三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120° ,当它带阻感负载时, a的移相范围为0-90° .已三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中, 共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是—最高—的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是—最低的相电压；这种电路a角的移相范围是0-120 ° , Ud波形连续的条件是_a<60°_.生对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值—下降.头电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中, 空载时,输出电压为=J2U2=,随负载加重Ud逐渐趋近于0.9 U2,通常设计时,应取RC A 1.5-2.5 T,此时输出电压为Ud q 1.2 U2〔U2为相电压有效值,T为交流电源的周期〕.匝电容滤波三相不可控整流带电阻负载电路中,电流id断续和连续的临界条件是_* †=&_,电路中的二极管承受的最大反向电压为=J6=U2.第3章直流斩波电路L直流斩波电路完成得是直流到直流的变换.2.直流斩波电路中最根本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路.3.斩波电路有三种限制方式：脉冲宽度调制〔PWM 〕、频率调制和〔t on和T都可调,改变占空比〕混合型 .†升压斩波电路的典型应用有直流电动机传动和单相功率因数校正等.5.升降压斩波电路呈现升压状态的条件为_0.5 <1 〔口为导通比〕.6.CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有升压斩波电路、Sepic斩波电路和Zeta斩波电路.乙Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是：Sepic斩波电路一的电源电流和负载电流均连续, Zeta斩波电路的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为正极性的.8.斩波电路用于拖动直流电动机时, 降压斩波电路能使电动机工作于第 1 象限,升压斩波电路能使电动机工作于第 2 象限,电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限.9.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时,可使电动机工作于第1、2、3、4象限.生当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时,单相交交变频电路的输出上限频率约为20Hz.头三相交交变频电路主要有两种接线方式, 即公共交流母线进线方式和—输出星形联结方式,其中主要用于中等容量的交流调速系统是公共交流母线进线方式.0实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当a从0.〜90 °变化时,整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而—增大,当a从90 °〜180 °变化时,整流输出的电压ud的谐波幅值随a的增大而减小.12逆变电路中,当交流侧和电网连结时, 这种电路称为有源逆变,欲实现有源逆变,只能采用—全控电路；对于单相全波电路,当限制角0<</<兀/2时,电路工作在整流状态；兀/玄时,电路工作在逆变状态.也在整流电路中,能够实现有源逆变的有单相全波、—三相桥式整流电路等〔可控整流电路均可〕,其工作在有源逆变状态的条件是有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压和晶闸管的限制角a> 90.,使输出平均电压Ud为负值.地晶闸管直流电动机系统工作于整流状态,当电流连续时,电动机的机械特性为一组平行的直线,当电流断续时,电动机的理想空载转速将抬高, 随a的增加,进入断续区的电流加大.也直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行,当其处于第一象限时,电动机作—电动—运行,电动机正—转,正组桥工作在整流状态;当其处于第四象限时,电动机做发电运行,电动机反转转,组桥工作在逆变状态.鱼大、中功率的变流器广泛应用的是晶体管—触发电路,同步信号为锯齿波的触发电路,可分为三个根本环节,即一脉冲的形成与放大—、锯齿波的形成与脉冲移相和同步环节.&复合斩波电路中,电流可逆斩波电路可看作一个―升压斩波电路和一个—降压—斩波电路的组合；多相多重斩波电路中, 3相3重斩波电路相当于3 &矩阵式变频电路是近年来出现的一种新奇的变频电路.它采用的开关器件是—全控器件；限制方式是斩控方式—.1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管_GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管_MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT; IGBT 是MOSFET和GTR的复合管.2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步<3、多个晶闸管相并联时必须考虑 _均流的问题,解决的方法是 _串专用均流电抗器. .4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波.5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为_800V 伏、额定有效电流为100A 安.6、180导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在 _同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂_上的元件之间进行的.7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会 _下降、；当温度升高时,晶闸管的触发电流会—下降、、正反向漏电流会—增加.8、在有环流逆变系统中, 环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流.环流可在电路中加电抗器来限制.为了减小环流一'般采用限制角a =3的工作方式.9、常用的过电流保护举措有—快速熔断器、_串进线电抗器、接入直流快速开关、限制快速移相使输出电压下降 .〔写出四种即可〕10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为_电压型_型逆变器和—电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用 _电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的—本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180o 度；而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是_120._个根本斩波电路并联.第4章交流一交流电力变换电路1.改变频率的电路称为变频电路,变频电路有交交变频电路和—交直交变频电路两种形式,前者又称为直接变频电路—,后者也称为间接变频电路.仝单相调压电路带电阻负载,其导通限制角.的移相范围为0-180.,随a的增大,Uo 降低,功率因数九降低.3.单相交流调压电路带阻感负载,当限制角a<牧皿arctan〔切L/R〕〕时,VT1的导通时间逐渐缩短,VT2的导通时间—逐渐延长.4.根据三相联接形式的不同,三相交流调压电路具有多种形式, TCR属于支路限制三角形联结方式,TCR的限制角ot的移相范围为90O-180.,线电流中所含谐波的次数为6k ±1.5.晶闸管投切电容器选择晶闸管投入时刻的原那么是：该时刻交流电源电压应和电容器预先充电电压相等.6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为—交交变频电路.7.单相交交变频电路带阻感负载时, 哪组变流电路工作是由输出电流的方向决定的,交流电路工作在整流还是逆变状态是根据输出电流方向和输出电压方向是否相同决定的._______________ <o11、直流斩波电路根据输入电压与输出电压的上下变化来分类有_降压_斩波电路； _升压 _______________ 斩波电路；__________ 升降压 ________ 斩波电路.12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载_____ 换流和_____ 强厂换流厂一13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电孚商构成的斯疝可分万有源、逆变器与无源逆变器两大类.14、有一晶闸管的型号为KK200 — 9,请说明KK 快速晶闸管；200表示表示200A , 9表示900V .15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；B用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生而中为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管.17、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为_零电流开关与_零电压开关两大类.18、直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的限制方式有等频调宽限制；等宽调频限制；脉宽与频率同时限制三种.19、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为i Tn等于_1.57 倍I T〔AV〕,如果I T〔AV〕=100安培,那么它允许的有效电流为_157 安培.通常在选择晶闸管时还要留出_1.5 — 2 倍的裕量.20、通常变流电路实现换流的方式有_器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流四种.21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是_0T冗,负载是阻感性时移相范围是甲t兀.22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有_避雷器；阻容吸收；硒堆；压敏电阻；整流式阻容吸收等几种.23、 .晶闸管的维持电流I H是指在温40度以下二福度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小_阳极电流.25、普通晶闸管的图形符号是 ,三个电极分别是阳极A , 阴极K 和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时,导通的晶闸管关断...27、绝缘栅双极型晶体管是以—电力场效应晶体管栅极；作为栅极,以以电力晶体管集电极和发射极复合而成.28、在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有_快速熔断器；电路串电抗器；过流时快速移相；直流快速开关；等几种.29、晶闸管的换相重叠角与电路的 _触发角a；变压器漏抗X B；平均电流id；电源相电压U2.等到参数有关.31、单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为_J2U2.三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为_J6U2.〔电源相电压为U2〕32、要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用大于60o小于120.的宽脉冲,触发；二是用脉冲前沿相差60o的双窄脉冲触发.35、带平衡电抗器的双反星形电路,变压器绕组同时有两相相导电；晶闸管每隔_60 度换一次流,每只晶闸管导通_120 度,变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端 _相反,所以以两绕组的电流方向也相反,因此变压器的铁心不会被 _磁化.36、三相桥式全控整流电路是由一组共_阴极三只晶闸管和一组共阳_极的三只晶闸管串联后构成的, 晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的.每隔60度_换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通120 度.要使电路工作正常, 必须任何时刻要有 _两只晶闸管同时导通,,一个是共阴极的,另一个是共阳极的元件,且要求不是 _不在同一桥臂上的两个元件.37、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为限制角—角,用仁表示.38、一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压,经常使用的保护方法是阻容保护、而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和_硒堆..39、交流零触发开关电路就是利用过零触发_方式来限制晶闸管导通与关断的.40、型号为KS100-8的元件表示 _双向晶闸管管、它的额定电压为_800V、伏、额定电流为100A 安.41、实现有源逆为的条件为 _要有一个直流逆变电源,它的极性方向与晶闸管的导通方向一致,其幅极应稍大于逆变桥直流侧输出的平均电压；逆变桥必须工作在3 <90o 〔即a>90o〕区间,使输出电压极性与整流时相反,才能把直流能量逆变成交流能量反送到交流电网.42、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态,逆变状态.43、有源逆变指的是把直流—能量转变成—交流能量后送给_电网的装置.44、给晶闸管阳极加上一定的—正向电压；在门极加上正向门极电压,并形成足够的门极触发电流,晶闸管才能导通.45、当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丧失时单相桥式半控整流桥,,与—三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象.46、三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为_150 Hz；而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为_300Hz;这说明―三相桥式全控整流桥电路的纹波系数比—三相半波可控流电路电路要小.47、 造成逆变失败的原因有 _逆变桥晶闸管或元件损坏,供电电源缺相,逆变角太小,触发脉冲丧失或未按时到达, 等几种.48、 晶闸管在触发开通过程中,当阳极电流小于掣住 电流之前,如去掉 _触发脉冲脉冲,晶闸管又会关断.49、 对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般取_90七度较适宜；如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为_60」度.50、 三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围_0o-150 土,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围 00-120 土,三相半控桥电阻性负 载时,电路的移相范围 00--150.51、 锯齿波触发电路的主要环节是由 _同步环节；锯齿波形成；脉冲形成；整形放大；强触发及输出 环节组成.电力电子技术问答分析题1、 晶闸管两端并联 R 、C 吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻 R 的作用是什么？ R 、C 回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压,限制电流上升率,动态均压作用.R 的作用为：使L 、C 形成阻尼振荡,不会产生振荡过电压,减小晶闸管的开通电流上升率,降低开通损耗.、2、 实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件？直流侧必需外接与直流电流 Id 同方向的直流电源 E,其数值要稍大于逆变器输出平均电压Ud,才能提供逆变能量.逆变器必需工作在6 <90 0 〔底90 0〕区域,使Ud< 0,才能把直流功率逆变为交流功率返送电网.3、 晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项根本要求？A:触发信号应有足够的功率.B 触发脉冲应有一定的宽度,脉冲前沿尽可能陡,使元件在触发导通后,阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通. C:触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步,脉冲移相范围必须满足电路要求. U VT1、整流二极管 VD2电压U VD2,在一周期内的电压波形图.6、什么是逆变失败？逆变失败后有什么后果？形成的原因是什么逆变失败指的是：逆变过程中因某种原因使换流失败,该关断的器件末关断,该导通的器件末导通. 从而使逆变桥进入整流状态, 造成两电源顺向联接,形成短路.逆变失败后果是严重的,会在逆变桥与逆变电源之间产生强大的环流,损坏开关器件.产生逆变失败的原因：一是逆变角太小; 二是出现触发脉冲丧失；三是主电路器件损坏；四是电源缺相等.8、指出下列图中①〜⑦各保护元件及 VD 、Ld 的名称和作用.4、单相桥式半控整流电路,电阻性负载.当限制角a=90.时,画出：负载电压 U d 、晶闸管 VT1电压单相桥式半控整流电KA -IVT"F T I T①星形接法的硒堆过电压保护；②三角形接法的阻容过电压保护;③桥臂上的快速熔断器过电流保护；④晶闸管的并联阻容过电压保护；⑤桥臂上的晶闸管串电感抑制电流上升率保护；⑥直流侧的压敏电阻过电压保护； ⑦直流回路上过电流快速开关保护；VD 是电感性负载的续流二极管；L d 是电动机回路的平波电抗器；9、为使晶闸管变流装置正常工作,触发电路必须满足什么要求？A 、触发电路必须有足够的输出功率；B 、触发脉冲必须与主回路电源电压保持同步；C 、触发脉冲要有一定的宽度,且脉冲前沿要陡；D 、触发脉冲的移相范围应能满足主电路的要求；10、下列图为一单相交流调压电路,试分析当开关上得到的电压波形.Q 置于位置1:双向晶闸管得不到触发信号,不能导通,负载上无电压.Q 置于位置2：正半周,双向晶闸管I +触发方式导通.负半周,由于二极管VD 反偏,双向晶闸管得不到触发信号,不能导通,负载上得到半波整流电压.Q 置于位置3：正半周,双向晶闸管I +触发方式导通.负半周,双向晶闸管m -触发方式导通,负载上得到近似单相交流电压 11、在下面两图中,一个工作在整流电动机状态,另一个工作在逆变发电机状态.(1) 、标出U d 、E D 及i d 的方向. (2) 、说明E 与U d 的大小关系.(3) 、当a 与6的最小值均为30度时,限制角a 的移向范围为多少？位置1、2、3时,电路的工作情况并画出开关置于不同位置时,负载Q 置于整流--电动机状态逆变一发电机状态整流电动机状态：电流方向从上到下,电压方向上正下负,反电势E方向上正下负,Ud大于E,限制角的移相范围0 ~90°.逆变发电机状态：电流方向从上到下,电压Ud方向上负下正,发电机电势E方向上负下正,Ud小于E,限制角的移相范围90 ~150 °.一、填空1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ; IGBT是 MOSFET和GTR 的复合管.2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步.3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是多个用均流电抗器.4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波.5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V 伏、额定有效电流为100A .6、180.导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120.导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的.7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加.2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫〔脉冲〕换流.3、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类.4、有一晶闸管的型号为KK200 — 9,请说明KK 快速晶闸管；200表示表示200A , 9表示900V .5、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要用于驱动功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大,功率的晶闸管.1、普通晶闸管的图形符号是 ,三个电极分别是阳极A , 阴极K 和门极G 晶闸管的导通条件是阳极加正电压, 阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时, 导通的晶闸管关断 .2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符3囚JE可J i\ Z绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号楚帷犯€割如3、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在00—180.变化,在阻感性负载时移相范围在甲一180.变化.4、变流电路的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流等四种.5、提升变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置申联供电、设置补偿电容 .7、在电力晶闸管电路中,常用的过电流保护有快速熔断器.: 电路串电抗器：过流时快速移相：和直流快速开关等几8、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角a、变压器漏抗X B、平均电流I d 、电源相电压U2 等参数有关.。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。
5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
7.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
8.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
10.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
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1. 晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解: 晶闸管导通的条件是: 晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是: 阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降）, 阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路, 在断开负载Rd测量输出电压Ud是否可调时, 发现电压表读数不正常, 接上Rd后一切正常, 请分析为什么？习题2图解: 当S断开时, 由于电压表内阻很大, 即使晶闸管门极加触发信号, 此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流, 晶闸管无法导通, 电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值, 所以此读数不准。
在S合上以后, Rd介入电路, 晶闸管能正常导通,电压表的读数才能正确显示。
3. 画出图1-35所示电路电阻Rd上的电压波形。
图1-35 习题3图解：4. 说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解: KP100-8E表示额定电流100A.额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜UT≤0.8）普通晶闸管。
5. 晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解: 由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能, 所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同, 采用的是平均电流, 而不是有效值, 又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下, 晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中, 当不超过额定结温且稳定时, 所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流IH＝3mA的晶闸管, 使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解: （a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念, 擎住电流一般为维持电流的数倍。
电力电子技术 期末考试试题及答案.
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
针对考点的《电力电子技术期末考试》试题及答案
电力电子技术试题（后面更加全，都是经典知识点改的考题，请同学好好学习）一、填空题（每空1分，共20分）1.电力变换通常可分为四大类，分别是 交流变直流（AC-DC 整流） 、 直流变交流（DC-AC 逆变） 、 直流变直流（DC-DC ） 、 交流变交流（AC-AC ） 。
2.晶闸管的电路符号 ，三个极分别为 阳极 ， 阴极 ， 门极 ，导通条件是 当晶闸管承受正向电压并在门极有触发电流 。
3.在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦 波，输出电流波形为 方 波。
4.单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 22U 2 。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 6U 2 。
（电源相电压为U 2）5.变流电路常用的换流方式有 器件换流 、 电网换流 、 负载换流 、 强迫换流 四种。
二、判断题（每题2分，共20分,请将答案填于下表）题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案错对错错错对对对1.在电力电子技术中，电力电子器件工作在放大状态。
2.根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端间有效信号波形，可将电力电子器件（电力二极管除外）分为脉冲触发型和电平控制型。
3.半波可控整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。
4.无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
5.直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用。
6.载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制。
7.电力MOSFET 和IGBT 是电压驱动型器件，驱动电路比较简单。
8.软开关电路中与开关串联的电感起到延缓开关开通后电流上升的作用。
三、选择题（每题2分，共20分，请将答案填于下表）题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案Bbddbdcbab1.电力MOSFET 属于以下哪种类型 （ ） A.半控型 B.全控型 C.电流控制型 D.双极型2.当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在 （ ） A ．导通状态 B ．关断状态 C ．饱和状态 D ．不定3.单相全控桥式整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（ ） A 、90° B 、120° C 、150° D 、180°4.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是（ ）A 、有源逆变器B 、A/D 变换器C 、D/A 变换器D 、无源逆变器 5.带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d 为（ ） A 、U d =0 B 、U d =E C 、U d =E/2 D 、U d = – E6、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ）A 、30°～150B 、0°～120°C 、15°～125°D 、0°～150°7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。
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电力电子技术试题第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。
5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
7.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
8.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区 对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘栅 双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、IGBT _； 属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可 控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
《电力电子技术》期末考试试卷
《电力电子技术》期末考试试卷一、选择题（每小题1分，共20分）1．下列哪种情况下不能使导通的晶闸管关断：（ ）A.加反向阳极电压B. 加反向门极电压C ．减少正向阳极电压值，使其阳极电压小于维持电流2.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理（ ）。
A.30º-35º，B.10º-15º，C.0º-10º，D.0º。
3．选择晶闸管额定电压时考虑安全裕量（ ）A. 1~2倍B.2~3倍C.1.5~2倍D.1.5~3倍4．单相全控桥式整流电路，纯阻性负载，其输出电压平均值为（ ）A.2cos 145.02α+UB.αcos 45.02UC.2cos 19.02α+UD.αcos 9.02U5. 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。
A ． GTR B. MOSFET C. IGBT D. GTO6．三相全控桥式整流电路，VT1和VT4的脉冲应间隔（ ）A.60°B.120°C.180°D.240°7. α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A.0度，B.60度，C.30度，D.120度，8．电压型逆变电路直流侧接有（），相当于（）源。
A．电流 B．电压 C．大电感 D．大电容9.下面哪种功能不属于变流的功能（）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波10．为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于( )。
A 5°B 15°C 20°D 30°11.门极可关断晶闸管属于（）A.单极型电压驱动型B.单极型电流驱动型C.双极型电压驱动型D.双极型电流驱动型12.下列能使导通的晶闸管关断的是（）A.加正向阳极电压B.加反向阳极电压C.加正向门极电压D.加反向门极电压13. 变压器漏抗对整流电路的影响体现在：换相不能瞬时完成，其所对应的时间用电角度表示，叫（）。
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华南农业大学期末考试试卷(A 卷)
一、 填空题(每题2分，共20分)
1． 电压驱动型电力电子器件有 ，电流驱动型电力电子
器件有 。
2． 全控型电力电子器件有 ，半控型电力电子
器件有 ，不控型电力电子器件有 。
3． 晶闸管的额定参数有电压定额、电流定额等，其中电流定额参数包括通态平均电流
和 、 、浪涌电流等。
4． 缓冲电路又称吸收电路其作用是抑制电力电子器件的
、 ，以减小器件的开关损耗。
5． 单相半波可控整流电流带电阻性负载，其触发角的移相范围是 ；由于其输
出脉动大，变压器二次侧电流中含有直流成分，造成变压器铁心的 ，所以在实际中很少使用。
6． 单相桥式可控整流电路带阻感性负载(电感足够大)，其触发角的移相范围
是 ；此时晶闸管的导通角是 。
7． 采用单相桥式半控型整流电路可能会发生 现象，可以采用
加以解决。
8． 确定最小逆变角的依据是min βδγθ'=++，其中δ表示
，γ表示 ，θ'表示安全裕量角。
9． 斩波电路近似计算公式是在负载电流连续的情况下得到的，一般要求负载较重或
者 。
10． 横向换流三相桥式逆变电路，每个晶闸管的导通角度是 ；纵向换流三
相桥式逆变电路，每个晶闸管的导通角度是。
二、判断题 (每题1分，10题共10分，对√、错×)
1．电力系统中整流二极管一般是硅管。
( )
2．GTR集电极的电压升高后出现雪崩击穿即一次击穿后，如果集电极电流不超过最大允许耗散功率时对应的限度，GTR一般不会损坏。
（）
3．晶闸管的串并联一般需要考虑均压和均流问题，对静态和动态的均压和均流解决方法是相同的。
（）
4．漏感造成的换相重叠角对系统总是不利的，应尽量减小或消除。
（）
5．大功率直流可逆电机晶闸管调速系统四象限运行一般采用两组变流桥反并联电路的连接方式。
（）
6．三相半波可控整流电路采用共阴接法和共阳接法，其A、B相的自然换相点相差120度。
（）
7．交流调功电路和交流调压电路的控制方法相同。
（）
8．用多重逆变电路或多电平逆变电路，可以改善逆变电路的输出波形，减少其谐波分量。
（）
9．面积等效原理是PWM控制技术的理论基础。
（）10．PWM整流电路可以实现静止无功功率发生器的功能。
（）
三、简答题(每题6分，5题共30分)
1.门极断路时，晶闸管承受正向阳极电压它会导通吗？若真的导通，是什么情况？
2.可控整流电路可以工作在有源逆变状态，实现电能的回馈，说明有源逆变工作的条件
3.说明交交直接变频方式的特点和局限性。
4.说明换流方式及其应用特点。
5.分别说明电流型逆变器和电压型逆变器的特点。
四、分析计算题(5题共40分)
1.利用双晶体管模型说明GTO的工作原理及其与SCR的异同点(从结构上、工作状态上
分析)。
A
P 1
A
G
K N 1P 2
P 2N 1
N 2a)
b)
2.
三相正弦晶闸管桥式整流电路，输入的交流电源线电压有效值为380V ，触发角为30度，电阻性负载为100欧姆。
试计算负载的平均电流和说明晶闸管实际承受的最大正反向电压。
3. 在下图所示的斩波电路中，E=100V ，L 足够大，R=5Ω，EM=30V ，采用脉宽调制控制方式，T=20μs ，当ton=5μ
s 时，计算输出电压平均值 Uo ，输出电流平均值Io 。
E M
4. 一调光台灯由单相交流调压电路供电，设该台灯可看作电阻负载，在α=0 时输出功率为最大值，试求功率为最大输出功率的 80%时的开通角α。
5. 说明滞环比较方式的PWM 电流跟踪单相半桥逆变的控制原理？
图6-22
图6-23。