电力电子技术作业

恒压频比（V/f)控制转差频率控制矢量控制
直接转矩控制
在额定频率以下，如果电压一定而只降低频率，那么气隙磁通就要过大，造成磁路饱和，严重时烧毁电动机。因此为了保持气隙磁通不变，就要求在降低供电频率的同时降低输出电压，保持u/f=常数，即保持电压与频率之比为常数进行控制。这种控制方式为恒压频比控制方式，又称恒磁通控制方式。在额定频率以下，磁通恒定时转矩也恒定，因此，属于恒转矩调速。该方式被用于转速开环的交流调速系统，适用于生产机械对调速系统的静、动态性能要求不高的场合。例如利用通用变频器对风机、泵类进行调速已达到节能的目的。
同组人：Biblioteka 目录电动机的调速方式变频调速的定义
变频调速的特点
变频调速的应用
电动机变频调速的控制方式
实现变频调速的关键因素有两点： ①大功率器件，大功率电子器件在20世纪80年代取得了长足的发展。 ②微处理器的发展加上变频控制方式的深入研究是的变频控制技术实现了高性能，可靠性。
特点：可以使用标准电动机，可进行连续调速，可通过电子回路改变相序，改变转速方向
转速开环的控制方式可满足一般平滑调速的要求，但其静、动态性能均有限，若要提高调速系统的动态性能，需要采用转速闭环的控制方式。其中一种常用的闭环控制方式就是转差频率控制方式。
矢量控制方式基于异步电动机的按转子磁链定向的动态数学模型，将定子电流分解为励磁分量和与此垂直的转矩分量，参照直流调速系统的控制方法，分别独立地对两个电流分量进行控制，类似直流调速系统中的双闭环控制方式。异步电机的动态数学模型是一个高阶、非线性、强耦合的多变量系统。矢量控制方式可以得到比较理想的动态性能。但是该方式需要实现转速和磁链的解耦，控制系统就变得较为复杂

电力电子技术作业

电力电子技术的应用与发展学号：2101900330班级：N机自10—2F姓名：冯俊序号：16摘要：现代电力电子技术的发展方向,是从以低频技术处理问题为主的传统电力电子学,向以高频技术处理问题为主的现代电力电子学方向转变。

电力电子技术起始于五十年代末六十年代初的硅整流器件,其发展先后经历了整流器时代、逆变器时代和变频器时代,并促进了电力电子技术在许多新领域的应用。

八十年代末期和九十年代初期发展起来的、以功率MOSFET和IGBT为代表的、集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电力电子技术已经进入现代电力电子时代。

一．电力电子技术的兴起电力电子技术是一门新兴的应用于电力领域的电子技术，就是使用电力电子器件（如晶闸管，GTO，IGBT等）对电能进行变换和控制的技术。

电力电子技术所变换的“电力”功率可大到数百MW甚至GW，也可以小到数W甚至1W以下，和以信息处理为主的信息电子技术不同电力电子技术主要用于电力变换。

电力电子技术分为电力电子器件制造技术和交流技术（整流，逆变，斩波，变频，变相等）两个分支。

现已成为现代电气工程与自动化专业不可缺少的一门专业基础课，在培养该专业人才中占有重要地位。

电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出的第一个晶闸管为标志的，电力电子技术的概念和基础就是由于晶闸管和晶闸管变流技术的发展而确立的。

此前就已经有用于电力变换的电子技术，所以晶闸管出现前的时期可称为电力电子技术的史前或黎明时期。

70年代后期以门极可关断晶闸管（GTO），电力双极型晶体管（BJT），电力场效应管（Power-MOSFET）为代表的全控型器件全速发展（全控型器件的特点是通过对门极既栅极或基极的控制既可以使其开通又可以使其关断），使电力电子技术的面貌焕然一新进入了新的发展阶段。

80年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管（IGBT 可看作MOSFET和BJT的复合）为代表的复合型器件集驱动功率小，开关速度快，通态压降小，在流能力大于一身，性能优越使之成为现代电力电子技术的主导器件。

电力电子技术平时作业

电力电子技术平时作业（2020年8月5日，合计37题）一、填空题（12题）1、电力变换通常分为四大类，整流、逆流，斩波、变频和变相。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要触发脉冲的幅度和功率达到对所作用的可控硅有效触发、要可方便与被控的交流电周期同步，和能方便的改变同步后的延迟时间。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为_电压源型逆变电器，当直流侧为电流源时，称此电路为电流源型逆变电路。

5、在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断，这种生成SPWM 波形的方法称自然采样法，实际应用中，采用规则采样法来代替上述方法，在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。

6、常用的晶闸管有普通型单向导通的晶闸管式、普通型双向导通的晶闸管式两种。

7、单相半控桥整流电路，带大电感性负载，晶闸管在触发时刻换流，二极管则在电源电压过零点时刻换流。

8、过电压产生的原因浪涌电压、操作过电压，可采取阻容吸收、晒推、压敏电阻保护。

9、变频电路所采取的换流方式自然换流、负载换流、强迫换流。

10、门极可关断晶闸管主要参数有_ 最大可关断阳极电流。

11、电力变换通常分为四大类，即整流、逆变、直流斩波、交流变交流。

12、斩波器是在接在恒定直流电源和负载电路之间，用于改变加到负载电路上的直流电压平均值的一种电力电子器件变流装置。

二、简答题(18题)1.使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：闸管导通的条件是阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通]极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳板电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流儿以上。

导通后的晶闸管管压降很小使导通了的昴闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至一个小的数值，即维持电流|H以下。

电力电子技术作业题

电力电子技术作业题第一章1. 晶闸管导通的条件是，必须同时具备__________________和__________________两个条件。

2. 波形系数f k 随着______________和_____________的不同而不同。

3. 随着晶闸管门极触发电流的逐渐增大，晶闸管的转折电压将逐渐__________，实际中，一般让晶闸管在足够大的_____________作用下，以较低的_____________状态导通。

4. 对同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流IL 在数值大小上有I L ________I H 。

5. 晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（）。

A ．维持电流B ．擎住电流C ．浪涌电流D ．额定电流6. 当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定7. 晶闸管导通后，若要其重新恢复为阻断状态，必须使其（）减少为零或为负值。

A 、阳极电压B 、门极电压C 门极电流8. 晶闸管的额定电压一般为晶闸管实测值的（），取相应的标准电压等级。

A 、转折电压BO UB 、反向不重复峰值电压RSM UC 、断态重复峰值电压DRM U 与反向重复峰值电压RRM U 中较小的一个9. 型号为KP100—3的晶闸管，维持电流mA I H 4 ，若使用在下列电路中，合理的是（）A 、B C10. 晶闸管导通后，其门极仍对它有控制作用。

（）11. 晶闸管的额定电流是以工频正弦双半波电流波形的平均值定义的。

（）第二章1. 单相半波可控整流电路大电感负载时，加续流二极管的目的是___________________2. 单相半控桥整流电路大电感负载时，加续流二极管的目的是避免一个__________一直导通，另外两个___________轮流导通的失控现象。

电力电子技术第1-3-章作业

电力电子技术第1-3-章作业1.温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压的变化应依次为？A 上升、上升、下降、增大、减小B 下降、上升、上升、减小、减小C 上升、下降、上升、减小、增大D 下降、上升、下降、减小、减小正确答案:D单选题2.以下关于晶体管和晶闸管的说法正确的是？A 晶体管可以构成放大器，晶闸管也可以B 晶体管不可以构成放大器，晶闸管可以C 晶体管可以构成放大器，晶闸管不可以D 晶体管和晶闸管都不可以构成放大器正确答案:C3.以下两种晶闸管结构中，哪种散热效果好一点？A 平板型B 螺旋型正确答案:A单选题4.在一个由直流电源、晶闸管、电感、电阻串联组成的电路中，K=50V，R=0.5欧，L=0.5H，晶闸管擎住电流为15mA。

要使晶闸管导通，门极触发电流脉冲宽度至少为？A 50usB 100usC 120usD 150us正确答案:D单选题5.擎住效应出现于以下哪个器件中？A P-MOSFETB IGBTC GTRD GTO正确答案:B单选题6.对于同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL 的关系是？A IH≈（2~4）ILB IL≈（2~4）IHC IH=ILD IL≥IH正确答案:B单选题7.单相正弦交流电源电压有效值为220V，晶闸管与负载电阻串联连接，考虑晶闸管的安全余量，以下哪个选项符合其额定电压？A 100~220VB 310~440VC 700~1000VD 380~620V正确答案:C单选题8.以下有关晶闸管额定电流的定义，正确的是？A 在规定条件下，晶闸管允许通过电流的平均值B 在规定条件下，晶闸管允许连续通过工频正弦半波电流的最大平均值C 在规定条件下，晶闸管允许连续通过工频正弦半波电流的最大有效值D 在规定条件下，晶闸管允许连续通过工频电流的最大有效值正确答案:B单选题9.单相正弦交流电源电压有效值为220V，晶闸管和负载电阻串联连接，晶闸管实际承受的最大正反向电压为？A 310VB 220VC 380VD 440V正确答案:A单选题10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流？A 减小至维持电流以下B 减小至擎住电流以下C 减小至门极触发电流以下D 减小至为5A以下正确答案:A单选题11.功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和？A 基极最大允许直流功率线B 基极最大允许电压线C 临界饱和线D 二次击穿触发功率线正确答案:D单选题12.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在？A 可靠触发区B 不可靠触发区C 安全工作区D 不触发区正确答案:D单选题13.对于移相控制电路，为了限制最小移相控制角和设置移相范围，可在输入控制信号的输入端再叠加一个？A 交流电压B 偏移电压C 同步信号D 触发信号正确答案:B单选题14.同步相控横向控制电路的组成包括同步变压器、同步信号发生器、移相控制电路、环形分配器、译码器，脉冲形成与功放，以及？A 6倍频脉冲信号发生器B 6拍逆变器C 斩波器D 驱动电路正确答案:A单选题15.恒流驱动电路中加速电容C的作用是？A 加快功率晶体管开通B 延缓功率晶体管关断C 加深功率晶体管的饱和深度D 保护器件正确答案:A单选题16.在功率晶体管的恒流驱动电路中，为减小存储时间以加速功率晶体管的关断，经常采用？A di/dt抑制电路B 缓冲电路C 截止反偏驱动电路D 滤波电路正确答案:C单选题17.在三相桥式电路中，变压器二次侧用阻容保护，接成三角形。

电力电子技术习题及参考答案

电力电子技术习题及参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、2msC、4msD、1ms正确答案：A2.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B3.可实现有源逆变的电路为（）。

A、单相半控桥整流电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案：C4.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。

A、90°～180°B、0°～180°C、0°～90°正确答案：C5.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。

A、减小输出功率B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、增大输出幅值正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案：A7.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案：B8.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。

A、0°～120°B、0°～150°C、30°～150°D、15°～125°正确答案：B9.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、150°B、90°C、120°D、180°正确答案：D10.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、90度-180度B、0度-90度C、0度D、180度-360度正确答案：B11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、可靠触发区B、不触发区C、安全工作区D、不可靠触发区正确答案：B12.IGBT属于（）控制型元件。

2022秋西南大学[1075]《电力电子技术》作业答案

1、在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号，同相端加（）。

1. E. 方波信号2.正弦信号3.锯齿波信号4.直流信号2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。

1.饱和状态2.不定3.关断状态4.导通状态3、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

1. F. 30度2. 90度3. 120度4. 60度4、可在第一和第四象限工作的变流电路是( )。

1.三相半波可控变流电路2.单相半控桥3.接有续流二极管的单相半波可控变流电路4.接有续流二极管的三相半控桥5、在大电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前，整流输出电感( )。

1.吸收能量2.释放储能3.既不释放能量也不储能4.以储能为主6、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，导通比为3/4，则负载电压U0=( )。

1. 21V2. 12V3. 64V4. 4V7、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )。

1.电动机2.电感3.电容4.蓄电池8、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )。

1.2.3.4.9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）。

1.减小至5A以下2.减小至维持电流以下3.减小至门极触发电流以下4.减小至擎住电流以下10、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是（）。

1.以上说法均是错误的2.输出负载电压UO的最大值为U13.α的移项范围为04.输出负载电压与输出负载电流同相11、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )。

1. A/D变换器2.有源逆变器3.无源逆变器4. D/A变换器12、直波斩波电路是一种( )变换电路。

1. DC/DC2. DC/AC3. AC/DC4. AC/AC13、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )。

电力电子课后作业

填空题电力电子技术包括电力电子器件、电力电子电路和控制技术 3个部分。

现代电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和全控型器件三类。

电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管三种。

晶闸管的外形大致有塑封形、平板型和螺栓形三种。

晶闸管额定电流与有效值电流的关系 IT=1.57IT(AV)。

双向晶闸管的门极控制方式有两种：移向触发和过零触发。

2.判断题（×）1）普通晶闸管内部有两个PN结。

（×）2）普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。

（√）3）型号为KP50-7的半导体器件，是一额定电流为50A的普通晶闸管。

（×）4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。

（×）5）只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。

（×）6）晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管就会导通。

（×）7）加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。

3.选择题1）在型号KP100-10G中，数字10表示（ C ）。

A、额定电压为10VB、额定电流为10AC、额定电压为1000VD、额定电流为100A2)晶闸管内部有（ C ）PN结。

A、1个B、2个C、3个D、4个3）晶闸管的3个引出电极分别是（ B ）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极4）普通晶闸管的额定通态电流是用（ A ）表示。

A、流过晶闸管的平均电流B、直流输出平均电流C、整流输出电流有效值D、交流有效值5）当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ B ）A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定6）处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作（ C ）处理才能使其开通。

A、并联一电容B、串联一电感C、加正向触发电压D、加反向触发电压7）在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ）A、阳极电流B、门极电流C、阳极电流与门极电流之差D、阳极电流与门极电流之和填空题典型的全控型器件主要有门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管和绝缘栅双型晶体管四种。

电力电子技术作业完整版(王兆安)

解：A1 利用虚短路概念
v i1 v N 1 v N 1 v o1 R4 R1 v P1 v I 2 R 3 R 2 R3
v o1
R1R 3 R 3 R 4 R 4 vI 2 v I1 R1( R 2 R 3) R1
A2 利用 KCL 有：
6 6 2V ， P N 2V ， 12 6 2 1 v i1 i3 P mA 0.33mA R 2 6K 3 0 v n 2 i3 0.2mA ， i3 i4 0.2mA 10 R3
R2 R4 10 ， A 1+ 1 2 R1 R3 10
io iL i2 0.03sin t (mA) 0.01sin t (mA) 0.04sin t (mA)
解 3： P
6 6 2V ， P N 2V ， 12 6 2 1 v i1 i3 P mA 6 K 3 R2
i3
1.5.1 解：
Av O
O i
i
1103 200 5
电压增益：20l g |200|＝46
A
i
i i
1 6 3 10 2 10 100 5 1 2 103 20000 5 10 6 5 10 3
2
电流增益：20l g |100|＝40
P
v
解：A1、A2 均为电压跟随器
vo1 3V
vP 3
， vo 2
4V
3 V3 R5 30 2V R4 R5 15 30
A3 为差动放大器
3 v o1 R5 30 2V R4 R5 15 30
根据虚短路

大工13春《电力电子技术》在线作业

一、单选题CACBAC1.电容滤波的单相不可控整流电路常用于（小功率单相）交流输入的场合。

2.通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件被称为（半控型器件）。

3.下列哪个方法不能使晶闸管关断？（给阳极施压）4.正弦电路中，电路的平均功率和下列哪项是同一概念？（有功功率）5.GTR是用（基极）电流来控制集电极电流的。

6.三相半波可控整流电路带电阻负载情况下，用二极管替换晶闸管，那么一个周期中每个二极管各导通（120）度。

二、多选题ABCD、BC、CD、ABD、AD、AD1.电力二极管的主要类型包括（普通二极管、整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管）。

2.下列哪些不能实现有源逆变？（半控桥电路、有续流二极管电路）3.MOSFET按导电沟道可分为哪几项？（P沟道、N沟道）4.换相重叠角γ会受哪些参数变化影响？（Id、Xb、α）5.电阻负载具有哪些特点？（电压与电流成正比、电压与电流波形相同）6.软开关技术有哪些作用？（降低开关损耗、提高效率）三、判断题AAABB、BBB1.电力二极管基本结构以半导体PN结为基础，工作原理不以半导体PN结为基础。

2.普通晶闸管在反向稳态下，不一定是处于阻断状态。

3.变流技术是电力电子技术的基础。

4.带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，平衡电抗器可以使得两组三相半波整流电路同时导电。

5.单相全波可控整流电路中，变压器T带中心抽头。

6.三相桥式全控整流电路大多用于向阻感负载和反电动势阻感负载供电。

7.在电容滤波的三相不可控整流电路中，最常用的是三相桥式结构。

8.对某些器件来讲，驱动电路可以造成器件的发热。

一、单选题BCDABA1.单相电压型二重逆变电路的总输出电压中不含有（3）次谐波。

2.电流型逆变电路是指（直流侧是电流源）的逆变电路。

3.三相三重斩波电路电源公用而负载为三个独立负载时，则为（三相一重）斩波电路。

4.在采用电力MOSFET的电路中，换流方式为（器件换流）。

江西理工大学电力电子技术作业考试复习题答案

1、直流斩波电路按照输入电压与输出电压旳高下变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。

2．对于桥式可逆斩波电路，若需使电动机工作于正转电动状态，试分析此时电路旳工作状况，并绘制对应旳电流流通途径图，同步标明电流流向。

解：需使电动机工作于正转电动状态时，由V 3和VD 3构成旳降压斩波电路工作，此时需要V 2保持导通，与V 3和VD 3构成旳降压斩波电路相配合。

当V 3导通时，电源向M 供电，使其反转电动，电流途径如下图：ELR+-V 1VD 1u o V 3E MV 2VD 2i oV 4VD 3VD 4M当V 3关断时，负载通过VD 3续流，电流途径如下图：ELR+-V 1VD 1u o V 3E MV 2VD 2i oV 4VD 3VD 4M3、分析Cuk 斩波电路旳工作原理。

Cuk 斩波电路工作原理V 导通时，E —L1—V 回路和R —L2—C —V 回路分别流过电流。

V 关断时，E —L1—C —VD 回路和R —L2—VD 回路分别流过电流。

输出电压旳极性与电源电压极性相反。

◆基本旳数量关系C 旳电流在一周期内旳平均值应为零，即得从而可得由L1和L2旳电压平均值为零，可得出输出电压Uo 与电源电压E 旳关系4．如图所示斩波电路，直流电源电压E=100V ，斩波频率f=1kHz 。

若规定输出电压ud 旳平均值=25V~75V 可调，试计算斩波器V 旳占空比α旳变化范围以及对应旳斩波器V 旳导通时间t0n 旳变化范围。

解：E u α=0 75.0~25.0=αms T 1=Tt on=α ms t on 75.0~25.0=⎰=TC t i 0d offon t I t I 12=αα-=-==112on on on off t t T t t I I E E t T t E t t U on on off on o αα-=-==15．分析下图所示斩波电路旳基本工作原理。

电力电子技术作业

6.比较GTO 与晶闸管的开通和关断，说明其不同之处。

(2.1) 答：GTO 与晶闸管开通过程的不同之处：GTO 与晶闸管最大区别就是导通后回路增益12αα+数值不同，晶闸管的回路增益12αα+常为1.15左右，而GTO 得12αα+略大于1（其中1α和2α分别为112PN P 和122N P N 的共基极电流放大倍数，1α比2α小）。

GTO 与晶闸管关断过程的不同之处：GTO 处于临界饱和状态时用抽走阳极电流的方法破坏临界饱和状态，能使器件关断，又GTO 得门极和阴极是多元并联结构，故也能从门极抽走更大的电流使GTO 关断。

而晶闸管导通之后处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断，它是通过使阳极电压减小到零或反向的方法来关断的。

7.电力电子器件为何要设置缓冲电路？说明其作用。

有哪些缓冲电路形式？3.13答：附加各种缓冲电路，不仅能降低浪涌电压、/du dt 和/di dt ，还能减少器件的开关损耗、避免器件损坏和抑制电磁干扰，提高电路可靠性。

缓冲电路的作用是在电力电子器件开通和关断的过程中减缓其电流或电压上升率，以降低电力电子器件的开关损耗和开关应力。

缓冲电路有耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路两种类型。

其中前者有5种缓冲电路形式：RC关断缓冲电路、RCD关断缓冲电路、母线吸收式缓冲电路、开通缓冲电路、复合缓冲电路12.功率MOSFET静电保护措施有哪些？3.10答：功率MOSFET可采取3个方面的静电保护措施：①应存放在防静电包装袋、导电材料包装袋或金属容器中，不能放在塑料袋或纸袋中。

取用器件时应拿器件管壳，而不要拿引线。

②将开关管接入电路时，工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时电烙铁功率应不超过25W，最好是用内热式烙铁，先焊漏极与源极或集电极和发射极，最好使用12～24V的低电压烙铁，且前端作为接地点。

③在测试开关管时，测量仪器和工作台都必须良好接地，并尽量减少相同仪器的使用次数和使用时间，开关管的3个电极未全部接入测试仪器或电路前，不要施加电压，改换测试范围时，电压和电流都必须先恢复到零。

电力电子技术作业(含答案)

第2章电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。

或：u AK >0且u GK >0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。

3. 怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

4. 图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。

π4π4π25π4a)b)c)图1-43图1 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2mI (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b)I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =2mI π2123+≈0.898 I m c)I d3=π21⎰2)(πωt d I m =0.25I mI 3 =⎰202)(21πωπt d I m =0.5I m5. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，d u/d t或过电流和d i/d t，减小器件的开关损耗。

6. 试分析全控型器件的RCD缓冲电路中各元件的作用。

答：RCD缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，C s经R s放电，R s起到限制放电电流的作用；关断时，负载电流经VD s从C s分流，使d u/d t减小，抑制过电压。

电力电子技术作业[含答案解析]

第2章电力电子器件1. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。

或：u AK >0且u GK >0。

2. 维持晶闸管导通的条件是什么？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。

3. 怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

4. 图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。

ππ4π25π4a)b)c)图1-43图1 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2mI π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πmI (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =2m I π2123+≈0.898 I m c) I d3=π21⎰2)(πωt d I m =0.25I mI 3 =⎰202)(21πωπt d I m =0.5I m5. 全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？答：全控型器件缓冲电路的主要作用是抑制器件的内因过电压，d u /d t 或过电流和d i /d t ，减小器件的开关损耗。

6. 试分析全控型器件的RCD 缓冲电路中各元件的作用。

答：RCD 缓冲电路中，各元件的作用是：开通时，C s 经R s 放电，R s起到限制放电电流的作用；关断时，负载电流经VD s 从C s 分流，使d u /d t 减小，抑制过电压。

电力电子作业及答案

1、设计图3。

2（a ）所示的Buck DC/DC 变换器.电源电压Vs=147～220V ，额定负载电流11A,最小负载电流1.1A ，开关频率20KHz 。

要求输出电压Vo=110V;纹波小于1％。

要求最小负载时电感电流不断流.计算输出滤波电感L 和电容C ，并选取开关管T 和二极管D.解:①滤波电感L ：v 1100≡v ，电流连续时M=D=sv v 0. 当s v =147v 时，D=110/147=0.75;当v 220=s v 时，D=110/220=0.5。

所以在工作范围内占空比D 在0.5~0。

75之间变化。

要电流连续必须最小负载电流)1(20min D Lf V I I sOB o -=≥，应按最小的占空比5.0=D 确定实际运行中的临界负载电流)1(20D Lf V I sOB -=，即要求: H H D I f V L O s 25.11.110202)5.01(110)1(23min 0=⨯⨯⨯-⨯=-≥为确保最小负载电流、最小占空比时,电感电流连续，可选取mH L 5.1=.②开关关Ｔ和二极管Ｄ的选择：由)93(-式.电感电流脉动的最大峰－峰值L i ∆为：L i ∆＝A A D Lf V I I s L L 8.11020105.1)5.01(110)1(330min max =⨯⨯⨯-⨯=-=-- 所以:A A i I I L O L 9.11)2/8.111(21max max =+=∆+=A A i I I L O L 1.10)2/8.111(21max min =-=∆-=开关关Ｔ和二极管Ｄ通过的最大峰值电流都是A I L 9.11max =，开关管Ｔ承受的最大正向电压为v V s 220=，二极管Ｄ承受的最大反向电压也是v V s 220=。

若取电流过载安全系数为5.1倍，取过电压安全系数的2倍，则可选V A 500/20的MOSFET P -开关管和快恢复二极管。