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模电第一章练习习题

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模电第一章练习习题(总14页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素,可将其改型为N型半导体。

(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(×)(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(√)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。

(√)(6)若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。

(×)解:二、选择正确答案填入空内。

(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(4)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解:(1)A (2)C (3)B (4)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U≈-2V。

O6四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

图解:(a)图能击穿稳压,U O1=6V ;(b)图不能击穿,靠电阻分压,U O2=5V 。

五、电路如图所示,V CC =15V ,β=100,U BE =。

试问: (1)R b =50k Ω时,u O = (2)若T 临界饱和,则R b ≈解:(1)R b =50k Ω时,基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBE BB B =-=R U V I μAV2mA 6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β所以输出电压U O =U CE =2V 。

模拟电子技术基础习题及答案

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第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管:mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =。

(1)当二极管正偏压为时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示。

已知电源电压为6V ,二极管压降为伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解:(1)mA 53100V7.06I D =Ω-=(2)Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时,硅二极管的正向电压为,正向电流为1mA ,试计算正向电压加至时正向电流为多少? 解:mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管,如图P1-5所示。

模拟电子技术基础习题精品

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A.等于0.7V
B.小于0.7V
C.大于0.7V
7. 二极管电路如图2-51所示,V,二极管均为理想元件,则 输出电压为( A )。
A.0V
B.3V
C.6V
D.9V
图2-51
8. 二极管电路如图2-52所示,二极管均为理想元件,则输 出电压为( A )。
A.-2V
B.0V
C.4V
D.10V
9. 稳压管电路如图2-53所示,稳压管VS1的稳压值为9V, VS2的稳压值为15V,输出电压等于( B )。
B.等于 2U 2 C.大于 2U 2
12. 图2-55所示三个整流电路(a)、(b)、(c),变压器二次 电压,负载电压的波形如图(d)所示,符合该波形的电路 是( C )。
图2-55
三、判断题
1. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型 为P型半导体。 ( √ )
2. PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(× )
四、分析计算题
解:
第三章 思考题与习题 一、 填空 1. 晶体管从结构上看可以分成___PNP____和___NPN___两种类型。 2. 晶体管工作时有___两种___载流子参与导电,因此晶体管又称为___
双极型___晶体管。 3. 晶体管具有放大作用的外部条件是____发射____结正向偏置,____集
( C )。
A.基本不变
B.增加
C.增加以上
4. 硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增加,它的电流 ( C )。
A.基本不变
B.的反向饱和电流将( A )。
A.增大
B.不变
C.减小
6. 当温度为时,二极管的导通电压为0.7V,若其他参数不 变,当温度升高到时时,二极管的导通电压将( B )。

《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)

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项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极,N区接电源的负极。

2. 在常温下,硅二极管的死区电压约为0.5V,导通后正向压降约为0.6~0.8V ;锗二极管的死区电压约为0.1V,导通后正向压降约为0.2~0.3V。

3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型;按材料分为硅管和锗管。

三极管是电流控制型器件,控制能力的大小可用 表示,它要实现信号放大作用,需发射结正偏,集电结反偏。

4. 场效应管是电压控制型器件,控制能力的大小可用g m表示,它的主要特点是输入电阻很大。

5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?解:不能,因为二极管正向电阻很小,若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大,相当于干电池正、负极短路。

6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止,并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管,即二极管导通时其两端电压为零,反向截止时电流为零)。

图1.52 题6图解:(a)VD导通,U AB=-6V。

(b)VD截止,U AB=-12 V。

(c)VD1导通,VD2截止,U AB=0 V。

(d)VD1截止,VD2导通,U AB=-15 V。

7. 在图1.53所示电路中,设VD为理想二极管,u i =6sinω t (V),试画出u O的波形。

图1.53 题7图解:(a)(b)8. 电路如图1.54所示,已知u i=5sinΩ t(V),二极管导通电压为0.7V。

试画出u i与的波形。

解:u i>3.7V时,VD1导通,VD2截止,u o=3.7V;3.7V>u i>-4.4V时,VD1截止,VD2截止,u o= u i;u i<-4.4V时,VD1截止,VD导通,u o=-4.4 V。

9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示,试判别各三极管的工作状态。

图1.54 题8图图1.55 题9图解:(a)三极管已损坏,发射结开路(b)放大状态(c)饱和状态(d)三极管已损坏,发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。

模电试题及答案(大学期末考试题)

模电试题及答案(大学期末考试题)

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/F)。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。

13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。

二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。

模电优秀试题含答案

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模电优秀试题含答案模拟电子技术练习题1、差动放大器与其它放大器相比,其特点是能()。

A .克服温漂B .稳定放大倍数C .提高输入电阻 D.扩展通频带 2、FET 是()控制器件。

A.电流B.电压C.电场D.磁场3、对某一级晶体管放大电路,要其对前一级的影响小(吸取的电流小),对后级带负载能力强,宜采用()。

A.共基极放大电路B.共发射极放大电路C.共集电极放大电路D.以上电路都可以 4、要制作频率非常稳定的测试用信号源,应选用()。

A..RC 桥式正弦波振荡电路B..LC 正弦波振荡电路C.石英晶体正弦波振荡电路D.以上电路都可以5、对甲乙类功率放大器,其静态工作点一般设置在特性曲线的v 。

A.放大区中部B.截止区C.放大区但接近截止区D.放大区但接近饱和区 6、负反馈放大电路的一般表达式为....1FA A A f +=,当11..>+F A 时,表明放大电路引入了()。

A .负反馈B .正反馈C .自激振荡 D.干扰7、已知输入信号的频率为10KHZ~12KHZ ,为了防止干扰信号的混入,应选用()滤波电路。

A .高通 B .低通 C .带通 D.带阻8、负反馈放大电路产生自激振荡条件是()。

A .1..=F AB .1..-=F AC .1..>F A D. 1..<F A 9、在OCL 乙类功放电路中,若最大输出功率为1W ,则电路中功放管的集电极最大功耗约为()。

A .1WB .0.5WC .0.2W D.无法确定 10、PN 结外加正向电压时,其空间电荷区()。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定11.当NPN 型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为u C u B u E ()。

A. >,> B.<,< C. =,= D.≤,≤ 12、共模抑制比越大表明电路()。

A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.输入信号中差模成分越大D.抑制温漂能力越大 13、负反馈所能抑制的干扰和噪音是()。

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模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1.有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2.共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4.一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55.LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6.双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时,V o=V c1-V c2=0,设差模电压增益100vd =A &,共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ,则输出电压o V 为( )。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77.对于图1-7所示的复合管,假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流CEO I 为( )。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8.某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选( )。

模电习题(含答案)

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模电习题(含答案)1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。

2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体,前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_,少数载流⼦是_空⽳_,后者中多数载流⼦是_空⽳_,少数载流⼦是_⾃由电⼦_。

3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素,则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_,掺杂越多,则其数量⼀定越_多_,相反,少数载流⼦应是_空⽳_,掺杂越多,则其数量⼀定越_少_。

4. P 区侧应带_负电_,N 曲⼀侧应带_正电_。

空间电荷区内的电场称为_内电场_,其⽅向从_N 区_指向_P 区_。

5. 在PN 结两侧外加直流电压,正端与P 区相连,负端与N 区相连,这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。

6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似,⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域,它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。

7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响,当温度升⾼时,半导体三极管的β值_增⼤_,ICBO 值_增⼤_,UBE 值_减⼩_。

8. 半导体三极管能够放⼤信号,除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外,还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。

9. ⼯作在放⼤区的某晶体管,当IB 从20微安增⼤到40微安时,Ic 从2毫安变为4毫安,它的β值约为_100_。

10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。

11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时,在三个电极电位中,其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_;基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。

12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类,他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。

13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中,如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω,说明该⼆极管内部已_击穿_;如果所测得的正反向电阻都为⽆穷,说明该⼆极管已_断路损坏_。

《模电》练习题.docx

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练习题一1.填空题1.1贴片电阻多用数码法标示,如512标示_______________ Q。

(5.1k)1.2色环电阻,红+红+橙+金+棕,表示阻值和谋羌为_____________ 。

(22.3Q±1%)1.3某采样电阻标注为R005,表示该电阻的阻值为______________ 0。

(0.005)1.4一瓷片电容其标示为104J,表示其容量为 ____________ uF、谋差为±5%。

(0.1)1.5电容具有通________ ,阻 _______ 的电气特性。

(交流,直流)1.6电感在电路屮常用“L”表示,电感的特性是通肓流阻交流,频率越_____________ , 线圈阻抗越大。

(高)1.7低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路,其作用是阻止________ 电流通过。

(低频交流)1.8P型半导体中的多数载流子是_______ , N型半导体中的多数载流子是________ = (空穴,电子)1.9温度增加时,二极管的正向电阻将会变_______ o (小)1.10 PN结最人的特点是_________________ o (单向导电性)1.11硅整流二极管1N4001的最大整流电流为_______ A,最高反向工作电压为—V。

(1,50)1.12用指针式万用表RXlk挡测量某二极管电阻,在阻值较小的一次测量屮,黑表笔接的是二极管的_____________ 极。

(正)1.13三极管冇三个引脚,基极用________ 表示、集电极用C表示、 _______ 极用E表示。

(B,发射)1.14三极管是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。

它分为________ 型和______ 型两种。

(NPN, PNP)1.15指针式万用表的黑表笔接三极管基极,红表笔接触另外两极中的任一电极,若指针偏转角度很大,说明被测管子是_____________ 型。

模电练习题

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说明:① 用于训练和评价课程目标1的达成。

② 每个学生独立完成。

1-1、设二极管D 的正向导通压降为0.7V ,选择二极管D 的近似模型(画出模型)并判断其工作状态,计算A 点的电位。

1-2、设二极管均为理想二极管,判断各二极管的工作状态并依据二极管的工作状态画出电路(消除二极管后)的等效模型,列出求AB 间电压的表达式(数学模型)并计算。

1-3、已知V1等于5V ,V2等于0.3V ;LED 的正向导通电压降落为1.7V ,导通电流范围为8~10mA ;写出求电阻R1大小的数学模型表达式并选择一个电阻R1的标称值。

1-4、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ,β为100;在E1分别等于0V 、1V 、2V 时,分析判别三极管T 的工作状态(给出判断依据),同时分别写出求AB 间电压的表达式(数学模型)并计算。

ΩABABLED1-5、设三极管T 导通时U BE 为0.7V ,饱和管压降U BES 为0.5V ,β为100;在下列情况下,分别判别三极管T 的工作状态,同时分别写出求AB 间电压的数学模型表达式并给出结果。

①正常情况;②R1开路;③R2开路;④R2短路;⑤R3开路。

1-6、已知三极管β=80,Rc =1k Ω ,r be =200Ω ,Vcc =12V ,R L =1k Ω ,U CEQ =7.5V ,U BEQ =0.7V ;写出估算电阻Rb 大小的相关数学模型表达式并依次计算;写出求空载时交流电压放大倍数和带负载时交流电压放大倍数的数学模型表达式并计算出结果。

1-7、多级放大电路中,阻容耦合和直接耦合各有什么特点?如何根据输入信号类型来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型? 如何根据对信号放大的频率特性要求来选择阻容耦合还是直接耦合电路模型?ABR1R2。

模电基础例题(精选)

模电基础例题(精选)

二极管1•. 本征半导体热激发时的两种载流子分别是、。

2. •N型半导体多数载流子是,少数载流子是。

3.P型半导体多数载流子是,少数载流子是。

4.在常温下硅二极管的开启电压约为V,导通后的正向压降为,5.在常温下锗二极管的开启电压约为V,导通后的正向压降为,6.当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层;A. 大于B.小于C. 等于D. 变宽E. 变窄F. 不变7.PN结的空间电荷区有哪些称谓? 为何这样称谓?二极管有哪些特性?其中最重要的特性是。

1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为B、P型半导体2、N型半导体中少数载流子为B、空穴3、P型半导体是C、中性4、PN结加正向电压时,其正向电流是A、多数载流子扩散形成的8、稳压二极管是利用PN结的B、反向击穿特性9、PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压)C、其反向电流不变1.15 试判断图1.40中的二极管是否导通,还是截止,并求出两端电压u AOU0 =8vD的导通电压为0.7v u0 =1V6.5电路如图P6.5(a)所示,其输入电压v i1和v i2的波形如图(b)所示,二极管导通电压V D=0.7V。

试画出输出电压v O的波形,并标出幅值。

v i1/V解:u O 的波形如解图P1.2所示。

6.8二极管电路如图6.8所示,试判断各图中的二极管是导通还是截止,并求出AB 两端电压V AB ,设二极管是理想的。

解:图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。

图b :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。

图c :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为-6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

模电试题(题库)

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模电试题库一、填空题。

1、由PN结构成得半导体二极管具有得主要特性就是性。

2、温度升高时,三极管得β将(增加、减小、不变)。

3、要让三极管工作在放大区,发射结要求,集电结要(正偏或反偏)。

4、当差分放大器两边得输入电压为=7mV,=-3mV,输入信号得差模分量为,共模分量为。

5、在放大电路中,如果要想提高输出电阻,减小输入电阻得要求,应引入反馈。

6、直流稳压电源一般就是由_________、、________、_________四部分组成。

7、乙类推挽放大器,由于三极管得死区电压造成得失真现象,这种失真称为。

8、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路得放大倍数要略大于才能起振。

9、放大器级间耦合方式有三种:耦合; 耦合; 耦合;在集成电路中通常采用耦合。

10、负反馈能够改善放大电路得性能,例如它可以提高增益得稳定性, ,, 等。

11、场效应管属于_______________控制器件,而三极管属于_____________控制器件。

(电压或电流)12、差放电路中,公共发射极电阻Re对于共模信号而言,相当于每个差放管得发射极接入________ _____得电阻,对于差模信号而言,Re相当于为__________ ______。

13、负反馈能使放大器许多性能获得改善,如_______________、__________________、__________________、__________________。

但就是性能得改善就是以牺牲______________________为代价得14、振荡电路得振幅平衡条件就是:__________________________,相位平衡条件就是:___________________________、15、为使双极型半导体三极管工作在放大状态,必须满足得外部条件就是_________________ _________ ___________,16.为简化分析过程,在应用集成运放时总假定它就是理想得,理想运放具有以下特点:开环差模增益A d=___________,开环输入电阻R i=_____________, 开环输出电阻R o=_______________。

模电习题集

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第一章一、选择题1.杂质半导体中()的浓度对温度敏感。

A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴2.在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。

A. 小于,大于B. 大于,小于C. 大于,大于D. 小于,小于3.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。

A. 左移,下移B. 右移,上移C. 左移,上移D. 右移,下移4.下列符号中表示发光二极管的为()。

A B C D5.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而()。

A.减小B. 基本不变C. 增大D. 先增大后减小二、填空题1.在本征半导体中掺入价元素得N型半导体,掺入价元素则得P型半导体。

2.PN结在时导通,时截止,这种特性称为。

3.当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度,因而少子漂移而形成的反向电流,二极管反向伏安特性曲线移。

4.温度升高时,二极管的导通电压,反向饱和电流。

5.半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的特性来实现的。

三、判断题1.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

()2.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。

()3.稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。

()4.二极管只要加正向电压便能导通。

( ) 四、计算题1.二极管电路如图所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压U o 。

设二极管的导通压降为0.7V 。

o(c)(d)o2.电路如图所示,试估算流过二极管的电流和A 点的电位。

设二极管的正向压降为0.7V 。

R500ΩR 2k V3.电路如图所示,试估算流过二极管的电流和A 点的电位。

设二极管的正向压降为0.7V 。

R V 3k 10k 32k Ω4.二极管双向限幅电路如图所示,设tV u i ωsin10=,二极管为理想器件,试画出输出u i 和u o 的波形。

V 1V 2R+-4V6V+-u iu o5.电路如下图所示,已知ui =10sin ωt (V),二极管导通电压UD 可忽略不计。

模电习题大全

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1
io
vo
vi
A1 +
R2 A2 R4 +
vi
vo
+ RL R2
R1 (b)
(f)
电压串联负反馈
R1 Fv vo R1 R4
R1 vi vo R1 R4
电流串联正反馈
Fr
vi
v p1
vf io
R2
R2 vo R2 RL
vo R4 Avf (1 ) vi R1
(3)
v(t ) 220 2 sin(2 50 t 0)
60 v(t ) sin(2 10 3 t 0) 2 mV
V
(4)
1 v(t ) sin(100 t 0) 2
V
1.2
题图1.2所示的周期方波电压信号加在一个电阻R两端。
1 T v2 ( )dt R 计算该方波信号在电阻上消耗的功率PS; T 0
解:
VS
RS +
Vi
ii R
i1
Ro1 + AVO1V
i
Ri2 + Vo1 +
Ro2 + AVO2Vo1 Vo2 -
Ri3 + -
Ro3 AVO3Vo2
io +V o RL
+ -
高输入电阻型
高增益型
低输出电阻型
vo vo vo 2 vo1 vi Ri1 Ri1 Avs Av 3 Av 2 Av1 Av1 Av 2 Av 3 vs vo 2 vo1 vi vs Ri1 Rs Ri1 Rs Ri1 Ri 2 Avo1 Ri 3 Avo 2 RL Avo 2 252 Ri1 Rs Ri 2 Ro1 Ri 3 Ro 2 RL Ro 3

《模电》经典题目,含答案

《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷二一、选择题(这是四选一的选择题,选择一个正确的答案填在括号内)(共16分)1 .有两个增益相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的()a. 输入电阻大b.输入电阻小c.输出电阻大d.输出电阻小2 .共模抑制比K CMR越大,表明电路()。

a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强d.输入信号中的差模成分越大3•多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。

a.变宽b.变窄c.不变d.与各单级放大电路无关4. 一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时,实际的电压增益为()。

a. 43dBb. 40dBc. 37dB5. LC正弦波振荡电路如图1-5所示,该电路()。

a. 满足振荡条件,能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络,不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡d. 3dB图1-5ZOlglAvl/db图1-4d. 由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡6•双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时,V o=V c1-V c 2=0,设差模电压增益卜討100,共模电压增益A Vc 0, V ii10mV,V i2 5mV,则输出电压|Vo |为()。

a. 125mV2. 电路如图2-2 a 、b 所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(饱和区、夹 断区、可变电阻区)。

7 •对于图1-7所示的复合管,假设则复合管的穿透电流I CEO 为()。

a. I CEOc.I CEO 1 CEO2I CEO11 CEO1和1 CEO2分别表示「、T 2单管工作时的穿透电流, b1CEO 1CEO1 1 CEO2d. 1CEO I CEO2 (12)I CEO1&某仪表放大电路,要求 a.电流串联负反馈 c.电流并联负反馈R i 大,输出电流稳定,应选( )。

模电练习题1

模电练习题1

模电练习题(第八章)一、填空题(2小题,共18分)1.电路如图(a)所示,A1、A2为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为。

填空:1.A1组成电路;A2组成电路;VD1、VD2和R组成电路,起作用。

2.在图(b)中画出图(a)所示电路的电压传输特性。

3.已知图(a)中A为理想运放,填空:为使图(a)中所示电路具有图(b)所示的电压传输特性,限幅电路所用稳压管的稳定电压U Z应为V,其正向导通电压U D=V;基准电压U REF应为 V。

请在图(a)方框中画出稳压管,并标出集成运放的同相输入端(+)和反相输入端(-)。

二、非客观题(13小题,共82分)1.欲使图示电路有可能产生正弦波振荡,试根据相位平衡条件,用“+”、“-”分别标集成运放A的同相输入端和反向输入端。

2.试根据相位平衡条件,判断图示电路有无可能产生正弦波振荡?并简述理由。

3.试判断图示两个电路能否产生正弦波振荡,若不能,简述理由;若能,属于哪种类型电,并写出振荡频率的近似表达式。

设A均为理想集成运放。

4.试用相位平衡条件判断图示三个电路是否可能产生正弦波振荡。

如可能振荡,写出该电振荡频率的近似表达式。

设电容C b、C e、C c足够大,对交流均可视为短路。

5.电路如图所示,A为理想运算放大器,求解电压传输特性。

6.在图(a)、(b)所示电路中,设A为理想运放,输入为正弦电压。

试画出u i、u O1、u O2的波形,并标出它们的幅值。

7.电路如图所示,A为理想运算放大器,稳压管的正向导通电压为0.7V。

1.画出电压传输特性曲线;2.若VD Z接反,则电压传输特性曲线如何变化?画出图来。

8.现有一个理想运算放大器,其输出电压的两个极限值为12V。

试用它和有关器件设计一个电路,使之具有如图所示电压传输特性,要求只画出电路,不必计算参数。

9.电路如图所示,A为理想运算放大器,试画出该电路的电压传输特性。

10.已知两个电压比较器的电压传输特性分别如图(a)、图(b)所示,它们输入电压u I 的形均如图(c)所示。

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1.4 电路如图P1.4所示,已知u i =5sin ωt (V),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出u i 与u O 的波形,并标出幅值。

解:波形如解图P1.4所示。

1.16 电路如图P1.16所示,晶体管导通时U BE =0.7V ,β=50。

试分析V BB 为0V 、1V 、1.5V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。

解:(1)当V BB =0时,T 截止,u O =12V 。

(2)当V BB =1V 时,因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μAV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。

(3)当V BB =3V 时,因为 160bBEQBB BQ =-=R U V I μA 图P1.16BEC CQ O BQ CQ mA 8 U R I V u I I CC <-===β所以T 处于饱和状态。

1.17 电路如图P1.17所示,试问β大于多少时晶体管饱和? 解:取U CES =U BE ,若管子饱和,则Cb C BECC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以,100Cb=≥R R β时,管子饱和。

图P 1.171.23 电路如图1.23所示,T 的输出特性如图P1.22所示,分析当u I =4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

解:根据图P1.22所示T 的输出特性可知,其开启电压为5V ,根据图P1.23所示电路可知所以u GS =u I 。

当u I =4V 时,u GS 小于开启电压,故T 截止。

当u I =8V 时,设T 工作在恒流区,根据 输出特性可知i D ≈0.6mA ,管压降u DS ≈V DD -i D R d ≈10V因此,u GD =u GS -u DS ≈-2V ,小于开启电压,图P1.23说明假设成立,即T 工作在恒流区。

当u I =12V 时,由于V DD =12V ,必然使T 工作在可变电阻区。

2.19 电路如图P2.19所示,晶体管的β=60,'bb r =100Ω。

(1)求解Q 点、uA 、R i 和R o ; (2)设s U =10mV (有效值),问i U =?o U =?若C 3开路,则i U =?o U =?图P 2.19解:(1)Q 点:V56.4)(mA86.1 Aμ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ eb BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=R R I V U I I R R U V I ββuA 、R i 和R o 的分析:Ω==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95)( 952 952mV26)1( c o beL c be b i EQbb'be R R r R R A r R R I r r u∥∥ββ(2)设s U =10mV (有效值),则若C 3开路,则mV 304 mV2.3 i o s is ii ≈=≈⋅+=U A U U R R R U u2.21已知图P2.21(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b )(c)所示。

(1)利用图解法求解Q 点;(2)利用等效电路法求解uA 、R i 和R o 。

图P 2.21解:(1)在转移特性中作直线u G S =-i D R S ,与转移特性的交点即为Q 点;读出坐标值,得出I D Q =1mA ,U G S Q =-2V 。

如解图P2.21(a )所示。

解图P 2.21在输出特性中作直流负载线u D S =V D D -i D (R D +R S ),与U G S Q =-2V 的那条输出特性曲线的交点为Q 点,U D S Q ≈3V 。

如解图P2.21(b )所示。

(2)首先画出交流等效电路(图略),然后进行动态分析。

mA/V 12DQ DSS GS(off)GSDm DS=-=∂∂=I I U u i g UΩ==Ω==-=-=k 5M 1 5D o i Dm R R R R R g A g u3.9 电路如图P3.9所示,晶体管的β=50,'bb r =100Ω。

(1)计算静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位;(2)用直流表测得u O =2V ,u I =?若u I =10mv ,则u O =?图P 3.9解:(1)用戴维宁定理计算出左边电路的等效电阻和电源为 V 5 , k 67.6CC Lc L'CC L c 'L =⋅+=Ω≈=V R R R V R R R ∥静态时T 1管和T 2管的集电极电流和集电极电位分别为V15V23.3mA265.02CC CQ2'L CQ 'CC CQ1eBEQEE EQ CQ CQ2CQ1==≈-==-≈≈==V U R I V U R U V I I I I(2)先求出输出电压变化量,再求解差模放大倍数,最后求出输入电压,如下:△u O =u O -U C Q 1≈-1.23VmV 6.377.32)(2 k 1.5mA26)1(dOI be b 'Ld EQ 'bb be ≈∆=-≈+-=Ω≈++=A u u r R R A I r r ββ若u I =10mv ,则V9.2V 327.0O 1CQ O I d O ≈∆+=-≈=∆u U u u A u3.13 电路如图P3.13所示,T 1~T 5的电流放大系数分别为β1~β5,b-e间动态电阻分别为r b e 1~r b e 5,写出u A 、R i 和R o 的表达式。

图P3.13解: u A 、R i 和R o 的表达式分析如下:{}{}56be57o be2be1i 321IO75be575I3O3354be475be564I2O22be154be421I 1O 11)1()1()1(])1([2])1([ββββββββ++=+=⋅⋅=∆∆=+++=∆∆=++++-=∆∆=++=∆∆=R r R R r r R A A A u u A R r R u u A R r R r R u u A r R r R u u A u u u u u u u ∥∥∥4.5 图4.5所示为多集电极晶体管构成的多路电流源。

已知集电极C 0与C 1所接集电区的面积相同,C 2所接集电区的面积是C 0的两倍,I C O /I B = 4,e-b 间电压约为0.7V 。

试求解I C 1、I C 2各为多少图P 4.5解:多集电极晶体管集电极电流正比于集电区的面积。

先求出R 中电流,再求解I C 1、I C 2。

Aμ3202A μ160 A μ1601 V)7.0(μA 200C0C2C0C1C0C0C0B C EB EBCC =====+=+=+===-=I I I I I I II I I I U RU V I RR R βββ其中4.10 电路如图P4.10所示,T 1与T 2管的特性相同,所有晶体管的β均相同,R c 1远大于二极管的正向电阻。

当u I 1=u I 2=0V 时,u O =0V 。

图P 4.10(1)求解电压放大倍数的表达式;(2)当有共模输入电压时,u O =?简述理由。

解:(1)在忽略二极管动态电阻的情况下21be3c22be13be c112u u u u u A A A r R A r r R A ⋅=⋅-=⋅-≈ββ∥(2)当有共模输入电压时,u O 近似为零。

由于R c 1>>r d ,△u C 1≈△u C 2,因此△u B E 3≈0,故u O ≈0。

4.15 图4.15所示电路是某集成运放电路的一部分,单电源供电,T 1、T 2、T 3为放大管。

试分析:图P 4.15(1)100μA 电流源的作用;(2)T 4的工作区域(截止、放大、饱和); (3)50μA 电流源的作用; (4)T 5与R 的作用解:(1)为T 1提供静态集电极电流、为T 2提供基极电流,并作为T 1的有源负载。

(2)T 4截止。

因为u B 4=u C 1=u O +u R +u B 2+u B 3,u E 4=u O ,u B 4>u E 4。

(3)50μA 电流源为T 3提供射极电流,在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。

(4)保护电路。

u B E 5=i O R ,未过流时T 5电流很小;过流时使i E 5>50μA ,T 5更多地为T 3的基极分流。

5.3 已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示,试写出uA 的表达式。

图P 5.3解:观察波特图可知,中频电压增益为40dB ,即中频放大倍数为-100;下限截止频率为1Hz 和10Hz ,上限截止频率为250kHz 。

故电路uA 的表达式为)105.2j 1)(10j 1)(j 1(10 )105.2j 1)(j 101)(j 11(100525⨯++++=⨯+++-=ff f fA f f f A uu或5.7 已知两级共射放大电路的电压放大倍数105.2j 110j 15j 1j 20054⎪⎭⎫ ⎝⎛⨯+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+⋅=f f f fA u(1)mu A =?f L =?f H =? (2)画出波特图。

解:(1)变换电压放大倍数的表达式,求出mu A 、f L 、f H 。

Hz10 Hz 510)105.2j 1)(10j 1)(5j 1(5j104H L 3m543≈==⨯+++⋅=f f A f f f f A u u(2)波特图如解图P5.7所示。

解图P 5.75.16 已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为⎪⎭⎫ ⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+-==⎪⎭⎫⎝⎛+⎪⎭⎫ ⎝⎛+-==52o 25o1110j 150j 1 j 2 10j 14j 1 j 25f f f U U A f f f U U A i u i u (1)写出该放大电路的表达式;(2)求出该电路的f L 和f H 各约为多少; (3)画出该电路的波特图。

解:(1)电压放大电路的表达式25221)10j 1)(50j 1)(4j 1(50f f f f A A A u u u +++-==(2)f L 和f H 分别为:kHz 3.641021.111 Hz50 H 5H L ≈≈≈f f f , (3)根据电压放大倍数的表达式可知,中频电压放大倍数为104,增益为80dB 。

波特图如解图P5.16所示。

解图P 5.166.7分别判断图P6.5(a )(b )(e )(f )(g )所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈,并计算它们的反馈系数。

解:各电路中引入交流负反馈的组态及反馈系数分别如下:(a )电压并联负反馈 R U I F 1o f -== (b )电压并联负反馈 4o f 1R U I F -== (e )电流并联负反馈 212of R R R I I F +==(f )电压串联负反馈 411of R R R U U F +==(g )电流串联负反馈 94292of R R R R R I U F ++-==6.8估算图6.4(d )~(h )所示各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。

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