晶片电阻规格种类
片式电阻尺寸表
片式电阻尺寸表一、尺寸定义片式电阻尺寸采用英制单位，主要包括长、宽和厚度三个维度。
长和宽的尺寸以英寸为单位，而厚度尺寸则以英寸的字母缩写表示。
例如，0201表示片式电阻的长和宽均为0.02英寸，而厚度的尺寸则由数字后面的字母来表示，如M表示0.125英寸，K表示0.156英寸等。
二、尺寸规格以下是一些常见的片式电阻尺寸规格：1.0201：长×宽×厚为0.02×0.02×0.125英寸。
2.0402：长×宽×厚为0.04×0.02×0.125英寸。
3.0603：长×宽×厚为0.06×0.03×0.156英寸。
4.0805：长×宽×厚为0.08×0.05×0.156英寸。
5.1206：长×宽×厚为0.12×0.06×0.2英寸。
这些规格中的数字代表了片式电阻的长和宽的尺寸，单位为英寸。
例如，0201表示片式电阻的长和宽均为0.02英寸，而厚度的尺寸则由数字后面的字母来表示，如M表示0.125英寸，K表示0.156英寸等。
三、尺寸与功率关系一般来说，片式电阻的尺寸越大，其所能承受的功率也就越大。
因此，在选择电阻时，需要根据实际应用场景选择合适的尺寸以满足功率需求。
四、尺寸与精度关系片式电阻的尺寸越大，其精度通常越高。
这是因为较大的电阻通常具有更均匀的阻值分布和更小的温度系数。
因此，在需要高精度的应用场景下，可以选择较大的片式电阻。
五、尺寸与温度系数关系片式电阻的尺寸也会影响其温度系数。
一般来说，较大的片式电阻具有更小的温度系数，即其阻值随温度的变化更小。
因此，在需要稳定性的应用场景下，可以选择较大的片式电阻。
综上所述，选择合适的片式电阻尺寸需要考虑实际应用场景中的功率、精度和稳定性等因素。
根据这些因素选择合适的片式电阻尺寸可以更好地满足实际需求。
晶片电阻字码识别方法
G 10
6
H 10
7
X 10
-1
Y 10
-2
Z 10
-3
D. 例: 10.2KΩ = 102 × 102Ω = 02C
02
C
33.2Ω = 332 × 10-1Ω = 51X
51
X
E. 0603 E-96 系列,±1%、+0.5%阻值与字码对照表如下:
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发 行 日 期 2007.04.01
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深
圳
市
祥
友
電
子 有
限
公
司
CHIP 电阻阻值字码识别方法
一、 0603、0805、1206 三种类型的电阻在±5%时阻值字码的表示用三位数字表示, 具体表示方法如下: 1.CHIP 0603、0805、1206 ±5% 10Ω以上阻值表示方式 10Ω以下阻值表示方式
用四位数字表示,如: 1. 10.5R 表示为 10R5,即用 R 代表小 数点 2. 1Ω(不含)以下表示,如: 0.22Ω表示为 R22, 即用 R 代表 小数点 0.2Ω表示为 R20, 即用 R 代表 小数点
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WI-QCT-05-008-C
深
圳
市
祥
友
電
子 有
InP、GaSb、InAs晶片参数一览表
4. InAs 单晶参数
品种 纯 InAs 直径 （英寸） 类型 N 浓度 （cm-3） (1-3)1016 迁移率 (cm2/V.s) 2104 位错密度 (cm-2) 5104
2/3 Sn-InAs 2/3 N 7000-20000 (5-20) 1017 5104 S-InAs 2/3 N 6000-20000 (1-40)1017 5104 Zn-InAs 2/3 P 100-400 (1-40)1017 5104 晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100）, 2 英寸片厚度 500 25m， 3 英寸片 厚度 600 25m，其它特殊规格根据要求加工。
InP、GaSb、InAs 晶片参数一览表
1. InP 单晶参数（LEC 法生长）
直径 类型 （英寸） 2 N 非掺 InP 2 N 品种 浓度 （cm-3） ≦31016 (0.8-3)1018 (4-8)1018 S-InP 3 N (0.8-3)1018 (4-8)1018 Zn-InP 2/3 2 Fe-InP P N (0.6-2) 1018 (3-6)1018 迁移率 (cm2/V.s) (3.5- 4) 103 (2.0-2.4) 103 (1.0-1.6) 103 (2.0-2.4) 103 (1.0-1.6) 103 70-90 50-70 1000 电阻率 (.cm) 位错密度 (cm-2) (5-6)104 3104 6103 1103 5104 6103 1103 5104 5103 3104
直径 类型 （英寸） 2 N 非掺 InP 2 S-InP 3 N 4 Zn-InP Fe-InP 2/3/4 2 P 品种 浓度 （cm-3） ≦31016 (0.8-6)1018 (0.8-6)1018 (0.8-6)1018 (0.6-6) 1018 迁移率 (cm2/V.s) (3.5- 4) 103 (1.5-3.5) 103 (1.5-3.5) 103 (1.5-3.5) 103 50-70 电阻率 (.cm) 位错密度 (cm-2) 1103 500 2103 5103 5103
旺诠晶片电阻器规格标准书
Specifications 规格
Resistors
参考 3.规格表
1．阻值范围≥1Ω 0.1%、0.5%、1%：±(1.0%+0.05Ω)
2%、5%：±(2.0%+0.10Ω) 2．阻值范围＜1Ω 1%、2%、5%：±(2.0%+0.001Ω) 外观无损伤，无短路及烧毁现象。
200~499 mΩ
200~499 mΩ
500~976mΩ
500~910mΩ
25~49mΩ
25Ω~49mΩ
50~99mΩ
50Ω~99mΩ
100~199mΩ
100~199mΩ
200~499 mΩ 500~976mΩ
200~499 mΩ 500~910mΩ
25~49mΩ
25Ω~49mΩ
50~99mΩ
50Ω~99mΩ
0402 0603
1.00±0.10 0.50±0.05 0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10
+0.15
1.55±0.10
0.80
-0.05
0.45±0.10 0.30±0.15
0.30±0.15
RTT05
0805
2.00±0.10 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.15
33Ω~1MΩ
------
------
RTT06
(1206)
1W
200V
4
400V
±200 ±400
------
------
------
10Ω~32Ω 1.1M~10MΩ
电阻规格型号及性能介绍
1. 电阻器种类: 晶片电阻, 碳素皮膜电阻, 金属膜电阻, 氧化金属膜电阻, 线绕电阻, 功率型线绕电阻, 水泥电阻, 厚膜排列电阻, 保险丝型金属膜电阻.晶片电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为0402, 0603, 0805, 1206等. (需注意其尺寸为英制, 如0402即长乘宽为0.04in*0.02in) 其本体上有3位数码为电阻值代号如472为4.7K Ohm, 2R7 为2.7 Ohm. 其他规格如附表.碳素皮膜电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为1/8W, 1/4W, 1/2W, 1W, 2W, 3W等. 其本体上有4条色码为电阻值及误差值代号如黄紫红金为4.7K Ohm 5 %, 红紫金红为2.7 Ohm 2 %. 其他规格如附表.金属膜电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为1/8W, 1/4W, 1/2W, 1W, 2W 等. 其本体上有5条色码为电阻值及误差值代号如黄紫黑棕金为4.7K Ohm 5 %, 红紫黑银红为2.7 Ohm 2 %. 其他规格如附表.氧化金属膜电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为1/4W, 1/2W, 1W, 2W, 3W, 4W, 5W, 7W, 10W等. 其本体标示同碳素皮膜电阻. 其他规格如附表.保险丝型金属膜电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为1/4W, 1/2W, 1W, 2W, 3W等. 其本体标示同碳素皮膜电阻. 其他规格如附表.线绕电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为1/2W, 1W, 2W, 3W, 4W, 5W, 6W, 7W, 8W, 10W等. 其本体标示同碳素皮膜电阻. 其他规格如附表.水泥电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为2W, 3W, 5W, 7W, 10W, 15W, 20W等. 其本体直接标示阻值, 功率值及误差值代号如4K7 J 2W为4.7 K ohm 5 % 2W . 其他规格如附表.功率型线绕电阻种类: 依照其尺寸及额定功率区分为5W 至50W等. 其本体直接标示阻值, 功率值及误差值代号如水泥电阻. 其他规格如附表.厚膜排列电阻种类: 依照其排列电阻型式, 数量, 及额定功率区分. 其本体直接标示阻值, 功率值及误差值代号. 其他规格如附表.2. 电阻器主要电气规格电阻器色码代号: 黑=0, 棕=1或1%, 红=2或2%, 橙=3, 黄=4, 绿=5, 蓝=6, 紫=7, 灰=8, 白=9, 金=-1或5%, 银=-2 或10%电阻器英文代号: 电阻值R为0.1, K为1000, M为1000,000. 误差值E为+/-0.5%, F 为+/-1%, G为+/-2%, J为+/-5%, K为+/-10%, M为+/-20%.如上所述, 电阻器之电阻值及误差值规格, 一般均视电阻器类别, 以英文代号或色码代号, 直接标示於本体上.电阻器之误差值受限於本身温度系数之变化, 例如100ppm在+/-25℃变化下, 即产生0.5%之误差值.电阻器之过负载试验标准规格为加额定电压2.5 倍5秒后, 阻值变化在1% 范围内.电阻器之最高额定工作电压, 与其种类及额定功率有关, 需特别注意. 一般工程人员仅考虑实际使用功率, 未注意工作电压之上限.保险丝型金属膜电阻熔断时间规格为(16倍额定功率下2 Min.) (24倍额定功率下1 Min.) (32倍额定功率下30 Sec.)晶片电阻Chip Resistor型号0402060308051206尺寸inch0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W 0.12L*0.06W 额定功率1/16W1/16W1/10W1/8W温度系数200ppm/℃200ppm/℃100ppm/℃100ppm/℃额定电压25V50V100V100V过载电压50V100V200V200V温度范围-55℃--+125℃-55℃--+125℃-55℃--+125℃-55℃--+125℃零阻电流1Amp1Amp2Amp2Amp阻值误差F/G/JF/G/JF/G/JF/G/J种类Carbone FilmMetal FilmMetal Oxide FilmFusible Metal Film额定功率1/8 1/4 1/2 1 2 3 W1/8 1/4 1/2 1 2W1/4 1/2 1 2 3 4 5 7 10W1/4 1/2 1 2 3 W温度系数+300/_1000 ppm+/_25/50/100ppm+/_100/200/300ppm+/_50/100/200ppm额定电压200/250/350/500/--/--V200/250/350/--/500V250/350/--/--/500/--/750/--/--V 200/250/350/500/-- V过载电压2 * Rated 1% 2 * Rated 2 % 2 * Rated 0.5% 2 * Rated 2% 阻值误差G, J.E, F, G, J. F, G, J.F, G, J.阻值范围1 Ohm1 Ohm-5.1M Ohm0.1 Ohm-150K Ohm0.22 Ohm-100K Ohm种类Resistor NetworkWire WoundCementPower Wire Wound额定功率1/8 1/4 W (4-14 Pins)1/2 1 2 3 4 5 6 7 8 10W2/3/5/7/10/15/20 W5W-500W温度系数+/_100-250ppm+/_100/200/300ppm+/_100/200/300ppm+/_20-400ppm额定电压100/200V150/350/--/500/750/1000/--V 过载电压2.5 * Rated 0.5%2.5 * Rated 2%2.5 * Rated 2%2.5 * Rated 2%阻值误差F, G, J.F, G, J, K.F, G, J, K.F, G, J, K.阻值范围10 Ohm0.01 Ohm-10K Ohm0.01 Ohm-150K Ohm0.5 Ohm-150K Ohm碳素皮膜电阻金属膜电阻金属膜电阻氧化金属膜电阻水泥电阻Carbone-film Metal-film Metal-film Metal-oxide film Cement功率型线绕电阻厚膜排列电阻晶片电阻线绕电阻保险丝型金属膜电阻Power Wire-wound Resistor Network Chip Wire-wound Fusible Metal-film133R是133欧（这是英国标法）英文字代表误差，G=2%、F=1%、D=0.5%、C=0.2 5%、B=0.1%、A(或Ω)=0.05%、Q=0.02%、T=0.01%、V=0.005%。
晶片电阻简介
Within specified T.C.R
Rated voltage*2.5 for 5s
Within ±(1%+0.05Ω )
Dip into 260 ±5 ℃solder bath for 5 ±1s
Dip into 235 ±5 ℃solder bath for 2±0.5s
Install a sample on the board and bend the board 4/90mm For 10second but ¼ and 1 are 3/90mm
單顆圖形
a=b
正導印刷
a
b
目的：在陶瓷基板正面印上一層銀膏以作為電阻正面之電極 材料：銀膏 品質要求：1. 銀層必須印在折粒線正中間，不得偏移。
2. 印出的圖形必須完整不得有塞網的情形。
單顆圖形
a=b
導體燒結
T(℃) 850℃±5 ℃
PEAK
目的：經過850℃ 燒結使銀膏得以結晶化並與基板緊密結合。 品質要求：1. 進入燒結爐之基板不能重疊。
Cycle between -55 ℃ and +125 ℃ for 5cycle
Within±(1%+0.05Ω )
Rated voltage 1.5hours”ON” 0.5hours”OFF” 40 ℃ 95%RH 1000age 1.5 hours “ON” 0.5 hours “OFF” 70 ℃ 1000hours
背導印刷
正導印刷
導體燒結
電阻層印刷
電阻層燒結
保護層Ⅰ印刷
折條
字碼燒結
字碼印刷 保護層Ⅱ印刷
鐳射切割 保護層Ⅰ燒結
103 103
側導
超精密无引线电阻、晶圆电阻(RJM)规格书
02 of 03
德建电子工业股份有限公司
Version 2014
TOKEN
超精密晶圆型 RJM 电子特性
型 号
Metric type RJM72P DIN: 0102
RJM 超精密晶圆电阻 无引线电阻器
RJM73S DIN: 0204
RJM73P
RJM74S DIN: 0207
RJM74P
RJM16M
RJM72P DIN: 0102 2.2 1.0 1.3 0.4 D+0/D-0.15 1.0 2.0 2.0
RJM73S 3.5 1.6 1.3 0.8
RJM73P
RJM74S 5.7 2.9 2.1 1.3
RJM74P DIN: 0207
RJM16M 6.0 3.3 2.1 1.3 D+0/D-0.5 2.8 2.8 2.8
Version 2014
德建电子工业股份有限公司
01 of 03
TOKEN
特性
-
RJM 超精密晶圆电阻 无引线电阻器
纯锡端子及镍阻隔层。 非常高的性能价格比。 压入式铁帽，镀锡于镍皮。 高精度公差低至 ± 0.05 %。 兼容无铅（Pb），及含铅焊接工艺。 优越的整体稳定，最先进的薄膜技术。 尺寸：DIN 0102, DIN 0204, DIN 0207, DIN 0411。 温度系数低至 ± 5ppm/°C，宽广阻值范围：0.1Ω to 22MΩ。
RJM17M 8.7 4.9 3.1 1.8 D+0/D-0.5 5.6 3.2 3.8
RJM18M 11.8 8.1 3.6 1.8 D+0/D-0.5 8.2 4.0 4.5
DIN: 0204
DIN: 0411
晶片电阻规格标准书
Jumper
NA
50m Lower
Insulation Resistance 绝缘电阻试验
将晶片电阻置於治具上 在正负极施加 100VDC 一分钟 后 测量电极与保护层及电极与基板 底材 间之绝缘电 阻值 依据 1995 JIS-C5202-5.6
≧109
A 测试点 电阻背面
绝缘材质
B 测试点
印刷保护层面
------
400
------
100
------
200
------
400
------
-----------
------
-----------
------
------
阻值范围
F 1% E-96
G( 2%) E-24
1 ~9.9
1 ~9.9
10 ~990 1K ~4M7
10 ~990 1K ~4M7
33 ~1M 10 ~32 1.1M~10M
晶片电阻 R 0.5mm
压力弹簧
Dielectric Withstanding
Voltage 绝缘耐电压
Intermittent Overload 断续过负荷
将晶片电阻置於治具上 在正 负极施加 VAC 参考下列
RCT05 06 12 20 25 用 500VAC 一分钟
RCT02 03 用 300VAC 一分钟
至 125 之间
负 100 载 80 功 60 率 比 40 (%)
20
功率可照下图曲线予以修定之
70
125
0
20 40 60 80 100 120 环境温度( )
RALEC
文 件
旺诠 昆山
名 称
无磁厚膜晶片电阻器NM系列特性、性能技术规格书
Derating Curve (降功率曲线)Non-magnetic Thick Film Chip Resistors - NM无磁厚膜晶片电阻器 - NM 系列Ambient termperature 环境温度(°C)Type 类型Size 尺寸Max working voltage 最大工作电压Max Overload Voltage 最大过负荷电压Operating Temperature工作温度范围NM020402 (1005)50V 100V -55~+155ºC NM030603 (1608)75V 150V NM050805 (2012)150V 300V NM061206 (3216)200V 400V NM122512 (6432)200V500VType 类型Power 功率(70ºC)L (mm)W (mm)H (mm) A (mm) B (mm)Resistance Range阻值范围 1%(E96), 5%(E24)NM021/16W 1.00±0.100.50±0.050.35±0.050.20±0.100.25±0.101Ω~10MNM031/10W 1.60±0.100.80±0.100.45±0.100.30±0.200.30±0.20NM051/8W 2.00±0.15 1.25+0.15 -0.100.55±0.100.40±0.200.40±0.20NM061/4W 3.10±0.15 1.55+0.15-0.100.55±0.100.45±0.200.45±0.20NM121W6.35±0.103.20±0.200.55±0.100.60±0.250.50±0.20•Non-magnetic 无磁性•Suitable for reflow & wave soldering 适合波峰焊与回流焊•Application Mobile Phone, PDA, Setbox, Meter 适用于移动电话、PDA 、机顶盒、仪表Feature (特性)Figures (型状))]Specification (性能)Performance Specification (性能)Temperature coefficient温度系数1Ω≤R≤10 Ω: ±400ppm/°C 10Ω<R≤100 Ω: ±200ppm/°C R>100Ω: ±100ppm /°C Short-time overload 短时间过负荷±1%:±(1.0%+0.1Ω)Max. (最大)±5%:±(2.0%+0.1Ω)Max. (最大)Terminal bending端子弯曲±(1.0%+0.05Ω)Max. (最大)Solderability 可焊性Min. 95% Coverage (最少95%覆盖率)Soldering heat耐焊接热±(1.0%+0.05Ω) Max. (最大)Humidity (Steady State)恒定湿热±1%:±(0.5%+0.1Ω)Max. (最大)±5%:±(3.0%+0.1Ω) Max. (最大)Dielectric withstanding voltage绝缘耐压No evidence of flashover, mechanical damage, arcing or insulation breakdown 无击穿, 飞弧及可见机械性损伤Temperature Cycling温度循环±1%:±(0.5%+0.05Ω) Max.(最大)±5%:±(1.0%+0.05Ω) Max.(最大)Load life负载寿命±1%:±(1.0%+0.1Ω) Max.(最大)±5%:±(3.0%+0.1Ω) Max.(最大)P e r c e n t r a t e d l o a d (%)负载比率(%)。
RTX系列低阻值金属膜晶片电阻器规格标准书
4 尺寸:
Unit:mm Dimension L Type RTX05 Size Code 0805 2.00±0.10 3.05±0.10 6.30±0.20 1.25±0.10 1.55±0.10 3.20±0.20 0.55±0.10 0.35±0.20 0.35±0.20 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 0.55±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20 W H L1 L2
70
155
20 0 -55 20 40 60 80 100 120 140 160 環境溫度(℃)
3.2 額定電流:
額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms)電流。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電流時，則以最高額定電流為其額定電 流。 I=額定電流(A) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω)
RTX25 (2512)
阻值範圍 D(±0.5%) 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ
------
F(±1%)、G(±2%)、J(±5%) 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ 45mΩ ≦R＜ 50mΩ 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R≦ 1000mΩ 45mΩ ≦R＜ 50mΩ 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R≦ 1000mΩ 45mΩ ≦R＜ 50mΩ 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 100mΩ ≦R≦ 1000mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ 100mΩ ≦R＜ 1000mΩ
贴片电阻封装尺寸大全
贴片电阻封装尺寸大全
芯片电阻的封装形式起本质作用，而贴片电阻的封装尺寸也同样
重要。
贴片电阻是将电阻贴片到电路板上，常见形式有0603、0805、1206、1210和2512等多种尺寸。
0603贴片电阻尺寸为：0.06”（1.50mm）×0.03”（0.80mm），其交流阻抗约为0.07—100Ω；0805贴片电阻尺寸为：0.08”
（2.00mm）×0.05”（1.27mm），其交流阻抗约为0.1—100Ω；1206
贴片电阻尺寸为：0.12”（3.00mm）×0.06”（1.50mm），其交流阻
抗约为0.1—1MΩ；1210贴片电阻尺寸为：0.12”（3.00mm）×0.10”（2.50mm），其交流阻抗约为0.05—100KΩ；2512贴片电阻尺寸为：0.25”（6.35mm）×0.12”（3.00mm），其交流阻抗约为0.1—1MΩ。
因此，对于贴片电阻，首先要选择正确的尺寸，并确定交流阻抗
范围，以满足设计需要。
此外，也要注意电阻的限压和温度特性等参数，尤其是高频抗谐波频率，以提高电路设计的性能。
贴片电阻参数
国家标准规定了电阻的阻值按其精度分为两大系列，分别为E-24系列和E-96系列，E-24系列精度为5%，E-96系列为1%。
精度为5％的碳膜电阻，以欧姆为单位的标称值：1.0 5.6 33 160 820 3.9K 20K 100K 510K2.7M0.1精度为1％的金属膜电阻，以欧姆为单位的标称值：10 33 100 332 1K 3.32K 10.5K 34K 107K 357K1、5%精度的命名：RS-05K102JT2、1％精度的命名：RS-05K1002FTR －表示电阻C －表示功率0402是1/16W、0603是1/10W、0805是1/8W、1206是1/4W、 1210是1/3W、1812是1/2W、2010是3/4W、2512是1W。
05 －表示尺寸(英寸)：02表示0402、03表示0603、05表示0805、06表示1206、1210表示1210、1812表示1812、10表示1210、12表示2512。
K －表示温度系数为100PPM,102－5％精度阻值表示法：前两位表示有效数字，第三位表示有多少个零，基本单位是Ω，102＝10000Ω＝1KΩ。
1002是1％阻值表示法：前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零，基本单位是Ω，1002＝100000Ω＝10KΩ。
J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。
贴片电阻各种封装规格及阻值标注方法2009-09-15 11:16我们常说的贴片电阻 (SMD Resistor)叫"片式固定电阻器"(Chip Fixed Resistor)，又叫"矩形片状电阻"(Rectangular Chip Resistors)，是由ROHM公司发明并最早推出市场的。
特点是耐潮湿，耐高温，可靠度高，外观尺寸均匀，精确且温度系数与阻值公差小。
按生产工艺分厚膜(Thick Film Chip Resistors)、薄膜(Thin Film Chip Resistors)两种。
晶圆电阻封装尺寸表
晶圆电阻封装尺寸表晶圆电阻封装尺寸表主要包括了各种封装类型的尺寸、规格和特性。
以下是一些常见的晶圆电阻封装尺寸表：1. 0102封装尺寸表：-封装类型：晶圆电阻0102封装-尺寸：1.6 x 0.8 x 0.4 mm-重量：约0.2g-额定功率：1/10W-环境温度范围：-55℃to +125℃-精度：±1%-容差：±0.1mm2. 0204封装尺寸表：-封装类型：晶圆电阻0204封装-尺寸：2.0 x 1.2 x 0.4 mm-重量：约0.3g-额定功率：1/4W-环境温度范围：-55℃to +125℃-精度：±1%-容差：±0.1mm3. 0207封装尺寸表：-封装类型：晶圆电阻0207封装-尺寸：2.0 x 1.7 x 0.4 mm-重量：约0.4g-额定功率：1/2W-环境温度范围：-55℃to +125℃-精度：±1%-容差：±0.1mm4. MECF（碳膜无脚电阻）封装尺寸表：-封装类型：MECF（碳膜无脚电阻）-尺寸：3.5 x 0.2 x 0.1 mm-重量：约0.1g-额定功率：1/8W-环境温度范围：-55℃to +125℃-精度：±1%-容差：±0.1mm5. MEMF（金属膜无脚电阻）封装尺寸表：-封装类型：MEMF（金属膜无脚电阻）-尺寸：5.7 x 0.2 x 0.1 mm-重量：约0.2g-额定功率：1/4W-环境温度范围：-55℃to +125℃-精度：±1%-容差：±0.1mm以上是部分晶圆电阻封装尺寸表，实际应用中可能会根据具体需求选择不同的封装类型和尺寸。
晶圆电阻封装尺寸的选择应考虑电路设计、功率要求和空间限制等因素。
厚膜晶片电阻器规格标准书
25V
50V
47Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ ----------1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1A 1.5A
75V
150V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ -----1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω
1A
2A
150V
300V
100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ -----1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω
2A
2.5A
200V
400V
10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 3Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω
容差
包裝型式(請參閱 IE-SP-054) TH：2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs . . . . . . BA：散裝(盒裝)
3-碼
厚膜晶片電阻器
4-碼
B =± 0.1% D=± 0.5% F=± 1% G=± 2% J=± 5%
IE 制訂 審查 核准 會簽
QA
Sales 會簽
2 型別名稱:
(例)
RTT 02 100 J TH
型別
尺寸 01(0201) 02(0402) 03(0603) 05(0805) 06(1206) 12(1210) 18(1812) 20(2010) 25(2512)
電阻值 EX. 10Ω=100 4.7Ω=4R7 JUMPER=000 EX. 10.2Ω=10R2 10KΩ=1002 JUMPER=0000
晶片电阻的种类
晶片电阻的种类
晶片电阻的种类
晶片电阻目前大致有二种分类方法,一种是按英制分类,另外一种是按公制分类.
1.按公制分类
按公制分类主要是按照晶片电阻的长宽尺寸来分,主要有3216, 20125, 1608.这种分类方法在日本,美国应用的比较广泛.
2.按英制分类
按英制分类主要有:1206,0805,0603,目前开发成熟的产品还有0402,按英制分类目前比较流行
3.英制分类与公制分类的对应关系
3.1英制是1206的晶片电阻,其外形尺寸是:
长*宽*高=3.2*1.6*0.6 单位:mm
用公制命名为:3216这种称法我们目前不采用,而英制1206常采.此晶片电阻的功率是1/8W,1/4W
. 3.2 英制是0805的晶片电阻,其外形尺寸是:
长*宽*高=2.0*1.25*0.5 单位:mm 用公制命名为:20125. 此晶片电阻的功率是
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1/8W,1/10W
3.3 英制是0603的晶片电阻,其外形尺寸是:
长*宽*高=1.6*0.8*0.4 单位:mm 用公制命名为:1608 此晶片电阻的功率是1/16W
4.按精度分类
1% 2% 5%
5%的阻值规格在E-24系列,共有170个阻值,范围在0E 10M. 1%,2%阻值在E-196系列,共有400多个阻值,范围在10E 1M。
片式电阻尺寸表
片式电阻尺寸表
一般情况下，片式电阻的尺寸表包括以下几个参数：
1. 长度（Length）：片式电阻的整体长度，通常以毫米（mm）为单位。
2. 宽度（Width）：片式电阻的整体宽度，通常以毫米（mm）为单位。
3. 厚度（Thickness）：片式电阻的整体厚度，通常以毫米（mm）为单位。
4. 电阻面积（Resistance Area）：片式电阻器的电阻发热区域
的面积，通常以平方毫米（mm²）为单位。
5. 电阻值（Resistance Value）：片式电阻器的电阻值，通常以欧姆（Ω）为单位。
6. 容差（Tolerance）：片式电阻器的电阻值允许的偏差范围，通常以百分比形式表示。
7. 最大功率（Maximum Power）：片式电阻器能够承受的最大功率，通常以瓦特（W）为单位。
需要注意的是，片式电阻的尺寸表可能会因不同的制造商、型号和尺寸而有所差异，上述参数仅为常见参数，具体以实际产品规格为准。
晶圆电阻1.5欧姆 -回复
晶圆电阻1.5欧姆-回复晶圆电阻（Resistor on a Wafer，简称ROAW）是一种特殊类型的电阻器，它广泛应用于集成电路制造中的各个环节。
本文将以晶圆电阻1.5欧姆为主题，详细介绍晶圆电阻的定义、原理、制造方法以及在集成电路制造中的应用。
一、晶圆电阻1.5欧姆的定义晶圆电阻1.5欧姆是指电阻值为1.5欧姆的晶圆电阻器件。
晶圆电阻器件是将电阻材料沉积在半导体晶圆表面上，并通过光刻、蚀刻、沉积等工艺步骤形成的。
二、晶圆电阻的原理晶圆电阻的原理是通过在半导体晶圆表面沉积一层电阻材料，利用该材料的电阻特性来实现电阻器。
当电流通过晶圆电阻器时，电阻材料会产生电阻力，使电流流过的路径发生阻碍，从而实现对电流的限制。
三、晶圆电阻的制造方法1. 晶圆选择：首先需选择合适的晶圆材料，常用的材料有硅（Si）和砷化镓（GaAs）等。
2. 清洗晶圆：将晶圆进行清洗，去除表面的杂质和污染物，以确保制造过程的纯净度。
3. 光刻：利用光刻技术，在晶圆表面涂覆一层光刻胶，并使用光刻机进行光刻曝光，将电阻的形状图案显现在光刻胶上。
4. 蚀刻：将晶圆放入蚀刻机中，利用化学蚀刻或物理蚀刻的方式，将晶圆电阻的开口处进行蚀刻，以便将电阻材料结构暴露出来。
5. 沉积电阻材料：利用物理气相沉积（PECVD）或化学气相沉积（CVD）等技术，将电阻材料沉积在晶圆上，形成电阻层。
6. 结构形成：通过光刻和蚀刻的工艺步骤，将电阻材料剩余部分进行去除，进一步定义晶圆电阻器的结构。
7. 电测试：对晶圆电阻进行电阻测试，确认其电阻值是否为设计要求的1.5欧姆。
四、晶圆电阻在集成电路制造中的应用晶圆电阻在集成电路制造中有广泛的应用，其主要功能是实现对电流的限制和分配。
它可以用于电压分压器、电流限制器、功率耗散器等电路中。
1. 电压分压器：在集成电路中，有时需要降低电压的值，这时可以使用晶圆电阻来实现电压的分压，将高电压分压为低电压，以满足电路的工作需求。
晶片排列电阻器
晶片排列电阻器晶片排列电阻器（Surface Mount Resistor Array）是一种常用的电阻器封装方式，它采用集成电路工艺制造，将多个电阻器集成在一个小型封装中。
晶片排列电阻器一般有四个及以上的电阻器，它可以在较小的空间内提供多个电阻值，使电路设计更加简洁，提高了电路的可靠性。
这种封装方式的电阻器性能与贴片电阻器类似，也具有较小的尺寸和重量，为超小型设备的设计提供了更大的灵活性。
晶片排列电阻器的主要特点包括：1.集成多个电阻器，可实现多电阻值封装，具有节省空间的优势；2.封装小巧轻便，是一种节省空间的电子元器件；3.特性稳定，工作温度范围广，耐久性良好；4.可以提供高精度、低漂移和稳定的电阻值。
晶片排列电阻器的应用非常广泛，例如通信设备、电脑设备、家电以及汽车等领域都会用到这种类型电阻器。
它除了具有上述优点，其脚距、引脚数和阻值范围的不同，使得它能够满足不同电路设计的要求。
Feature(特性) High density, more than 1 resistors in one small case 高度密集,多个电阻在一个表贴封装中Improvement of placement efficiency 装配效率高Tape/Reel packaging is suitable for automatic placement machine 编带卷装适合自动化机器Superior solderability 优越焊锡性Application:Master board,CD &DVD Rom, Hard Disk,RAM 应用于CD、DVD、硬盘、内存、主板等Equivalent Circuit Diagram(等效电路图)Derating Curve(降功率曲线)Dimensions in mm(外观尺寸)*The 16P8 series of Anti-sulfuration products are available in particular.*16P8系列抗硫化产品可特别提供Ratings(规格)Performance Specification(性能)Ordering Procedure(Example:2F01 1/20W ±5% 10K T/R-10000) 订购方式(例如:2F01 1/20W ±5% 10K T/R-10000)。
无铅厚膜晶片电阻
无铅厚膜晶片电阻
无铅厚膜晶片电阻是一种用于芯片上的电阻材料，具有高可靠性、高阻值、小体积和薄规格等特点。
它采用陶瓷基板，无铅厚膜电阻在焊区部分的阻值在2MΩ以上，采用多晶氧化铝或多晶氧化铁作为电阻材料，使用玻璃釉珠工艺包封，它在铅晶型厚膜电阻器的制作中作用。
在实际应用中，无铅厚膜晶片电阻受到不同领域、不同使用环境和温度变化等因素的影响，对其性能参数要求也不一样。
但在诸多领域如小信号调零、通讯模块和滤波等都有广泛应用。
无铅厚膜晶片电阻是一种应用广泛的电阻材料，具有高阻值、高可靠性、小体积和薄规格等特点，采用陶瓷基板，无铅化设计可满足环保要求。