3内存发展
DDR家族新成员——DDR3内存技术分析
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维普资讯
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ddr3电平标准(一)
ddr3电平标准(一)
DDR3电平标准
1. 什么是DDR3电平标准？
•DDR3是双倍数据传输速率第三代内存标准的简称。
•电平标准指的是在DDR3内存中用于传输和接收数据的电信号水平。
2. DDR3电平标准的作用
•DDR3电平标准定义了内存模块和控制器之间的电信号规范，确保它们能够正确地传输和接收数据。
•通过遵循DDR3电平标准，不同厂商生产的DDR3内存模块和控制器可以互相兼容，提高了内存的可扩展性和可替换性。
3. DDR3电平标准的主要特性
•电压：DDR3内存模块的标准电压为，相对于之前的DDR2内存的来说，电压降低了，能够降低功耗和散热。
•时序：DDR3内存模块的时序要求更严格，能够达到更快的数据传输速率和响应时间。
•串行预取：DDR3内存引入了串行预取技术，能够在同一时钟周期内同时传输多个数据，提高数据传输效率。
•预充电：DDR3内存的存储电路采用了预充电技术，能够降低功耗和噪音。
4. DDR3电平标准的发展趋势
•随着技术的不断进步，DDR3电平标准已经出现了一些改进和升级版本，比如DDR3L、DDR3U等。
•DDR3L降低了电压至，进一步降低了功耗和热量。
•DDR3U将电压降低至，以进一步提高功耗效率。
•这些改进版本的出现使得DDR3内存在低功耗和高性能需求的场景下有更广泛的应用。
结论
•DDR3电平标准是确保DDR3内存模块和控制器能够互相兼容的重要标准。
•DDR3内存通过降低电压、优化时序、引入新的技术等手段，提供了更高的性能和更低的功耗。
•随着技术的不断发展，DDR3电平标准也在不断升级和改进，以满足不同应用场景的需求。
DDR3基本知识
DDR3基本知识一、DDR3简介DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。
DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。
同时，DDR3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。
此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。
说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。
虽然如此，DDR3现今是并行SDRAM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达1600MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。
不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
二、DDR存储器特性1) 时钟的上升和下降沿同时传输数据DDR存储器的主要优势就是能够同时在时钟循环的上升和下降沿提取数据，从而把给定时钟频率的数据速率提高1倍。
例如，在DDR200器件中，数据传输频率为200 MHz，而总线速度则为100 MHz。
2) 工作电压低DDR1、DDR2和DDR3存储器的电压分别为2.5、1.8和1.5V，因此与采用3.3V的正常SDRAM芯片组相比，它们在电源管理中产生的热量更少，效率更高。
DDR3简介
DDR3简介DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random access memory）是应用在计算机及电子产品领域的一种高带宽并行数据总线。
DDR3在DDR2的基础上继承发展而来，其数据传输速度为DDR2的两倍。
同时，DD R3标准可以使单颗内存芯片的容量更为扩大，达到512Mb至8Gb，从而使采用DDR3芯片的内存条容量扩大到最高16GB。
此外，DDR3的工作电压降低为1.5V，比采用1.8V的DDR2省电30%左右。
说到底，这些指标上的提升在技术上最大的支撑来自于芯片制造工艺的提升，90nm甚至更先进的45nm制造工艺使得同样功能的MOS管可以制造的更小，从而带来更快、更密、更省电的技术提升。
DDR3的发展实在不能说是顺利，虽然在2005年就已经有最初的标准发布并于2007年应用于Intel P35 “Bearlake”芯片组上，但并没有像业界预想的那样很快替代DDR2，这中间还经历了对SDRAM业界影响深远的金融危机，不但使DDR3占领市场的速度更加减慢，还使DDR3在技术上一度走在世界领先地位的内存大厂奇梦达倒闭，实在是让人惋惜。
虽然如此，DDR3现今是并行SDR AM家族中速度最快的成熟标准，JEDEC标准规定的DDR3最高速度可达160 0MT/s（注，1MT/s即为每秒钟一百万次传输）。
不仅如此，内存厂商还可以生产速度高于JEDEC标准的DDR3产品，如速度为2000MT/s的DDR3产品，甚至有报道称其最高速度可高达2500MT/s。
内存的工作速度内存技术从SDR，DDR，DDR2，DDR3一路发展而来，传输速度以指数递增，除了晶圆制造工艺的提升因素之外，还因为采用了Double Data Rate以及Prefetch两项技术。
实际上，无论是SDR还是DDR或DDR2、3，内存芯片内部的核心时钟基本上是保持一致的，都是100MHz到200MHz（某些厂商生产的超频内存除外）。
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别
DDR3和DDR2和DDR的工作原理及技术区别DDR3、DDR2和DDR（又称为DDR1）是计算机系统中常见的内存标准。
它们在工作原理和技术上有一些区别，下面是关于它们的详细介绍。
1. DDR3（Double Data Rate 3）：DDR3是一种内存技术标准，它是DDR2的升级版本。
DDR3相比于DDR2有更高的带宽和更低的功耗。
工作原理：DDR3内存的工作原理是在时钟的上升沿和下降沿两个时刻读取数据，因此它被称为双倍数据率。
数据传输速度是时钟速度的两倍，例如DDR3-1600的内存模块实际传输速度为3200MB/s。
技术区别：-电压：DDR3的工作电压为1.5V，比DDR2的电压低，可以节省功耗并降低发热。
-带宽：DDR3的带宽比DDR2更高。
DDR2的带宽是每个内存信号线上每个时钟周期传输的位数乘以时钟速度，而DDR3通过使用更高的时钟速度和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR3的寻址能力比DDR2更高，可以支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR3支持更高的内存频率，从800MHz到2133MHz以上。
2. DDR2（Double Data Rate 2）：DDR2是DDR的升级版，它具有更高的频率、更低的功耗和更高的密度。
工作原理：DDR2内存也是在上升沿和下降沿两个时刻读取数据，实现双倍数据率传输。
技术区别：-电压：DDR2的工作电压为1.8V，比DDR的电压低，能够降低功耗。
-带宽：DDR2的带宽比DDR更高。
DDR2使用更高的频率和每个时钟周期传输的字节大小来提高带宽。
-寻址能力：DDR2具有更高的寻址能力，能够支持更大的内存容量。
-内存频率：DDR2的内存频率从400MHz到1066MHz。
3. DDR（Double Data Rate）：DDR是首个双倍数据率内存技术的标准，它在之前的SDRAM的基础上提高了数据传输速率和带宽。
工作原理：DDR内存是在上升沿读取数据。
分析DDR3内存
分析DDR3内存与DDR2相比，DDR3内存将工作在更高的频率下，这也意味着更快的数据传输速度和整机系统性能的又一次提升。
除此之外，DDR3内存还有低功耗的优点，其访问延迟也比DDR2内存有了可观的下降。
在产业界都做好准备的情况下，DDR3内存将会逐渐切入市场，并在未来的1～2年内完成向主流市场的过渡。
有意思的是，与英特尔前卫的作风不同，AMD似乎并不愿意冒推广新技术的风险，但它也宣布将在2008年实现对DDR3内存的支持，届时DDR2很有可能被提前终结，DDR3毋庸置疑将成为内存市场新的主导力量。
内存技术的回顾与发展在PC发展历史中，CPU速度与内存速度总是在交替中提升，两者的关系也密不可分。
CPU运算所需的所有数据都来自于内存，同样，CPU运算生成的数据也必须存放在内存，如果内存速度跟不上，那么CPU就会浪费很多时间在数据等待上面，这不可避免影响了CPU 性能的发挥。
正因为如此，CPU与内存总是捆绑在一起构成一套“运算子系统(平台)”，而这个“平台”的升级也往往是以内存规格的升级为主要标志的。
想当初，DDR2内存从2003年开始切入市场，第一代DDR发展到400MHz便嘎然而止，尽管内存厂商能够量产出500MHz甚至更高频率的产品，但JEDEC并没有考虑对DDR规范进行扩充，而是直接转入DDR2体系。
DDR2标准同样是从400MHz起步，分别为DDR2 400、DDR2 533、DDR2 667和DDR2 800。
但由于DDR2的访问延迟比DDR多了几个周期，导致DDR2 400和DDR2 533内存都没有表现出比DDR 400更好的性能优势；直到DDR2 667之后，更高的时钟频率有效缩短了内存的整体延迟，同时带宽的提升也在应用中表现出明显的性能增益，此时的DDR2才被大规模接受，事实上我们也可以认为DDR2的时代是从DDR2 667开始的。
目前业界正在向DDR2 800过渡，英特尔和AMD平台都可以良好支持DDR2 800。
DRAM的发展
DRAM的发展DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一种常见的计算机内存芯片，它在计算机系统中起着至关重要的作用。
本文将详细介绍DRAM的发展历程，包括其技术特点、应用领域和未来发展趋势等方面。
一、技术特点DRAM是一种以电容存储数据的半导体存储器，其主要特点如下：1. 高集成度：DRAM芯片内部由大量的电容和晶体管组成，可以实现高密度的数据存储。
2. 高速读写：DRAM具有快速的读写速度，可以满足计算机系统对内存数据的快速访问需求。
3. 非易失性：DRAM是一种易失性存储器，即断电后存储的数据会丢失，因此需要外部电源的持续供电。
二、应用领域DRAM广泛应用于各种计算机系统和电子设备中，主要包括以下几个方面：1. 个人电脑：DRAM是个人电脑中主要的内存组件，用于存储运行中的程序和数据。
2. 服务器和数据中心：大型服务器和数据中心需要大容量的内存来支持复杂的计算任务和数据存储。
3. 移动设备：智能手机、平板电脑等移动设备也需要内置DRAM来支持多任务处理和高速数据传输。
4. 嵌入式系统：嵌入式系统中的控制器、传感器等设备也需要使用DRAM来存储数据和程序代码。
三、发展历程DRAM的发展经历了多个阶段，主要包括以下几个时期：1. 早期DRAM：20世纪70年代，早期的DRAM采用了基于MOS技术的电容存储单元，存储密度较低，容量有限。
2. 高速DRAM：20世纪80年代，高速DRAM采用了新的存储结构和刷新技术，大幅提高了读写速度和存储容量。
3. SDRAM：20世纪90年代，SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）采用了同步时钟技术，进一步提高了读写速度和性能。
4. DDR系列：21世纪初，DDR（Double Data Rate）系列的DRAM问世，通过在一个时钟周期内进行两次数据传输，进一步提高了数据传输速率。
5. DDR2、DDR3和DDR4：随着技术的发展，DDR2、DDR3和DDR4等新一代DRAM相继推出，存储容量和传输速率不断提升。
ddr3的工作原理
ddr3的工作原理
DDR3的工作原理是基于双倍速技术（Double Data Rate）和内存控制器的协同工作。
它采用了8位数据通道，与内存控制器进行通信，实现数据的读取和写入。
DDR3内存的工作频率通常为800 MHz至2133 MHz，并且由
于其采用了双倍速技术，数据传输速度是实际工作频率的两倍。
例如，DDR3-1600的内存实际工作频率为800 MHz，但数据
传输速度达到了每秒1600百万次数据传输。
DDR3内存模块中的单个存储单元被组织成一个存储单元矩阵，由许多存储单元组成。
每个存储单元可以存储一个位的数据。
内存控制器通过内部总线向存储单元发送读取和写入命令。
在读取数据时，内存控制器向存储单元发送读取地址和读取命令。
存储单元根据接收到的命令将相应的数据位从存储单元矩阵中读取出来，并通过数据总线传送给内存控制器。
在写入数据时，内存控制器向存储单元发送写入地址、写入命令和数据。
存储单元接收到命令后将相应的数据位写入存储单元矩阵中的相应位置。
DDR3内存还具有预取功能，即在内存控制器发出读取命令时，存储单元会预先读取与所请求数据相邻的数据位，并将其存储在内部缓冲区中。
这样，在下一次读取请求发出时，存储单元可以更快地提供数据，从而提高内存读取的效率。
总之，DDR3内存通过双倍速技术和内存控制器的协同工作，实现了高速和高效的数据读取和写入。
它是现代计算机系统中常用的内存类型之一。
三星电子量产全球首款30纳米级DDR3内存
得。 另外， 主板还提供了１ Ｃ— Ｉ 该 条Ｐ ＩＥ Ｘ 插槽和ｌ Ｃ 插 条Ｐ Ｉ
槽。 捷 波 悍 马 Ｈ ０ 主板 的Ｉ 接 口也十分丰富， Ｚ２ ／ Ｏ 视频
品损伤。
消费者 的使用选择。
低碳 环 保是时下最热 门的话题 ， 也是 全社会 最关 心的问题 ， Ｉ Ｇ Ｘ 这方面 可称典范 。 Ｋ Ｎ ＭＡ 在 作为一款崇 尚环 保理 念的Ｉ产品 ， Ｉ Ｇ Ｘ Ｔ Ｋ Ｎ ＭＡ 所有闪存 盘产品都 已
通过欧 盟Ｃ 认证 和美 国Ｆ Ｃ Ｅ Ｃ 认证 ， 并遵 从Ｒ Ｓ 关 于 Ｏ Ｈ（
的售价对于希望组建 中低端 Ｈ Ｐ 用户来说 ， 疑极具 ＴＣ 无
诱惑 是希 力， 望组建中 低端Ｈ Ｐ用 不二 ＴＣ 户的 选择。稠 蔫
主板具 有更 高的性价比， 也比普通的７ ５ 主板有着明显 ８Ｇ
作为 存 储 器 行 业 的
侠之大者一 一ＫＩ Ｇ ｘ Ｎ ＭＡ 来说， 精彩 迭 出 、 品频 新 频已成 顺理 成章之势。刚 刚推 出的 “ 彩碟 ”系列光
计上继续沿袭Ｋ Ｎ ＭＡ 贯 的锐 意进取之风 范 ， ＩＧ ） 亮点 颇 多。 盘身流线通 畅硬朗 、 线条 简约 大方 ， 利用线条 的 自然走势 营造出极具酷感的科技美感 ， 整体盘身如刀似 剑， 圆角分 明， 浑然天成 。 产品表面材质采用雾面设 讫 具备 防刮划效 果 ， 大 限度 的避免 意外刮划带 来的产 最
求视觉 的真实中自然而然地得 以实现的。
在与Ｐ 机操作系统 的兼容方面， Ｉ Ｇ Ｘ ｃ Ｋ Ｎ ＭＡ 旗下系
ddr3工作原理
ddr3工作原理
DDR3（Double Data Rate 3）是一种电脑内存标准，与早期的DDR（DDR1）和DDR2相比，DDR3具有更高的频率、更低
的功耗和更高的数据传输速度。
DDR3工作原理如下：
1. 现场二进制编码（BL，Burst Length）：DDR3内存以8位
为编码单元，每次传输的数据长度通常为8位或64位。
传输
长度的设置可以在读写命令中进行调整，以适应不同的访问需求。
2. 频率倍增（Double Data Rate）：DDR3内存通过在每个时钟周期的上升和下降沿传递数据，从而实现了数据传输速度的翻倍。
这意味着DDR3内存在与系统总线通信时，每个时钟周
期可以传输两个数据位，从而提高了整体数据传输效率。
3. 预充电和负载（Precharge and Load）：DDR3内存模块在发
送数据之前，首先要将内部触发器的电平预充电至一定的电压。
预充电后，内存模块可以更快地从内部电容中加载数据，从而减少了延迟时间。
4. 自适应写时延调整（Adaptive Write Latency Adjustment）：DDR3内存会根据当前的操作模式和数据传输需求自动调整写
时延。
这样可以确保数据的稳定传输，同时减少了写操作的等待时间。
5. 数据校验和纠错（Error Checking and Correction，ECC）：
一些DDR3内存模块支持ECC技术，可以检测和纠正内存的
错误。
ECC功能通过添加冗余校验位来实现，确保数据在传输过程中的准确性和完整性。
通过以上的工作原理，DDR3内存可以实现更高的数据传输速度和稳定性，从而提升计算机的整体性能。
DDR3内存深度解析
DDR3内存深度解析2007年第⼆季度开始，DDR3平台就会全⾯启动。
从去年开始，全球各⼤内存芯⽚⼚商已经陆续推出DDR3颗粒，在今年秋季IDF展会上已经出现⽐较成熟的DDR3内存模组，估计明年开始将⼤量投⼊⽣产。
另⼀⽅⾯，全球最⼤的主板芯⽚供应商Intel 已经在蓝图上公布明年第⼆季度就会推出⽀持DDR3内存的新平台，看来草船、东风皆备，内存终于再次⾯临更新换代。
DDR2内存技术简单回顾 IT业界的正式内存规格是由JEDEC-- Joint Electronioc Device Engineering Council制定的，这包括了DDR、DDR2以及准备推出的DDR3，在官⽅规格中DDR最⾼速度为DDR400，但由于制程进步，DDR的速度已经完全超越了官⽅原定标准，故此后期出现了超⾼速DDR566并⾮官⽅规格。
继DDR400之后，JEDEC已认定DDR2为现时主流内存标准，虽然名字上只差毫厘，但DDR2和DDR2是完全不兼容的，⾸先DDR2的为240Pin接⼝⽐DDR的184Pin长，另外电压也⽐DDR的2.5v低许多，在1.8v的同频率下DDR2可⽐DDR低⼀半功耗，⾼频低功耗是DDR2内存的优点，⽽缺点则是DDR的延迟值⽐较⾼，在同频率下效能较低。
不单在规格上不兼容，其实DDR和DDR2在技术上有很⼤分别。
我们⽤的内存是透过不停充电及放电的动作记录数据的，上代SDRAM内存的核⼼频率就相等于传送速度，⽽每⼀个Mhz只会有传送1 Bit的数据，采⽤1 Bit Prefetch。
故此SDRAM 100Mhz的频宽为100Mbps。
但随着系统内部组件速度提升，对内存速度的要求增加，单纯提升内存频率已经不能应付需求，幸好及时发展出DDR技术。
DDR与SDRAM的分别在于传统SDRAM只能于充电那⼀刻存取数据，故此每⼀下充电放电的动作，只能读写⼀次，⽽DDR却把技术提升⾄在充电及放电时都能存取数据，故此每Mhz有两次存取动作，故此DDR会⽐SDRAM在同⼀频率下效能提⾼⼀倍，⽽100Mhz的DDR却可达⾄200Mbps存取速度，由于每⼀个Mhz都要有⼆次的资料存取，故此DDR每⼀Mhz会传送2Bit，称为2Bit Prefetch，⽽DDR颗粒频率每提升1Mhz，所得的效果是SDRAM的两倍。
内存中三通道是什么
随着Intel Core i7平台发布，三通道内存技术孕育而生。
与双通道内存技术类似，三通道内存技术的出现主要是为了提升内存与处理器之间的通信带宽。
要说三通道内存技术，我们可以追溯到双通道内存技术。
说起双通道内存技术，也许很多人都听说过，甚至熟悉其原理。
双通道内存技术推出的最初目的也就是为了解决CPU总线带宽和内存带宽不匹配之间的矛盾，随着前端总线FSB越来越高，内存的带宽显然就成了一个瓶颈了，在这样的情况下，集成两个内存控制器，每个内存控制器控制一个通道，让两条内存独立寻址，这样内存的运行效率就可以实现翻倍的效果，让数据等待的时间缩短到50%，这一技术的应用，对于整个PC系统还是有重要意义的，尽管不能做到在所有应用都有明显的效果，但是在大多数应用都可以实现比较不错的效果，而且随着硬件技术的发展，双通道内存技术的效果也开始凸显。
三通道内存技术，实际上可以看作是双通道内存技术的后续技术发展。
Core i7处理器的三通道内存技术，最高可以支持DDR3-1600内存，可以提供高达38.4GB/s的高带宽，和目前主流双通道内存20GB/s的带宽相比，性能提升几乎可以达到翻倍的效果。
ddr3仿真报告总结
ddr3仿真报告总结DDR3是一种常见的内存标准，它在计算机系统中起着至关重要的作用。
本文将对DDR3进行仿真报告总结，从其概述、特点、应用和发展趋势等方面进行阐述，以期对读者进行全面介绍和了解。
概述部分，首先对DDR3进行简要概述，指出它是一种双倍数据率（Double Data Rate）的SDRAM（同步动态随机存取存储器）技术。
与其前身DDR2相比，DDR3具有更高的频率、更低的功耗和更大的数据传输带宽等优势。
随后，本文将介绍DDR3内存的结构和工作原理，包括内部的存储单元和控制电路等。
特点部分，本文将详细介绍DDR3内存的一些特点。
首先，DDR3内存具有较高的频率，通常可达到几百兆赫兹，这使得数据传输速度更快。
其次，DDR3内存采用较低的电压工作，通常为1.5伏特，相比DDR2的1.8伏特，能够降低功耗，提高能效。
此外，DDR3内存还具有更大的数据带宽，能够同时传输更多的数据，提高系统的整体性能。
应用部分，本文将介绍DDR3内存在计算机系统中的广泛应用。
首先，DDR3内存被广泛应用于个人电脑、工作站和服务器等计算机系统中，用于存储和快速访问数据。
其次，DDR3内存也被应用于嵌入式系统、网络设备和通信设备等领域，用于提供高速数据处理和存储能力。
此外，DDR3内存还被应用于游戏主机、智能手机和平板电脑等消费电子产品中，以满足对高性能和高效能的需求。
发展趋势部分，本文将对DDR3内存的发展趋势进行展望。
首先，随着技术的不断进步，DDR3内存的频率和带宽将继续提升，以满足更高的计算需求。
其次，DDR3内存的功耗将进一步降低，以提高能效和延长电池寿命。
此外，DDR3内存还将进一步发展出更小巧和更高集成度的封装形式，以适应不同场景和设备的需求。
DDR3是一种重要的内存标准，具有高频率、低功耗和大数据带宽等特点。
它广泛应用于计算机系统、嵌入式系统和消费电子产品等领域。
随着技术的不断进步，DDR3内存将继续发展，以满足不断增长的计算需求。
DDR3
2002年 DDR3宣称
早在2002年6月28日，JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准，但从2006的情况来看，DDR2才刚开始普及， DDR3标准更是连影也没见到。不过已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案，纷纷宣布成功开发出了DDR3内存 芯片，从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看，DDR3的标准设计工作 也已经接近尾声。
DDR3
计算机内存规格之一
01 技术概论
03 与DDR2比较 05 性能优势
目录
02 新型设计 04 内存改进 06 发展历史
DDR3是一种计算机内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更 低的电压，是DDR2 SDRAM（同步动态动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍）。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配 DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。
DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。许多低端的显卡也有采用DDR3显存的。
发展历史
与DDR2比较
1.突发长度（Burst Length，BL）：由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也 固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bitBurst Chop（突发突 变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12 线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而 代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
DDR3内存概述
DDR3内存概述DDR3是继DDR2以及更早的DDR内存技术之后的新一代产品，该产品将打破千兆赫速度的局限性，将内存速度提升到一个前所未有的水平。
DDR3被JEDEC定义为业界标准技术。
JEDEC是美国电子工业协会（EIA）的半导体工业标准实体，共有约300个成员公司。
这些代表了业界各领域的公司都积极参与委员会的工作，共同开发满足业界需求的标准。
金士顿是JEDEC的长期成员，一直积极参与JEDEC理事会及内存技术委员会的各项活动。
DDR3内存的特点是更快的速度、更高的数据带宽、更低的工作电压和功耗，以及更好的散热性能。
DDR3内存设计的目的是支持需要更高数据带宽的下一代四核处理器，使其性能更出色。
2007年6月，支持基于芯片组的英特尔台式机的DDR3内存产品全面推出；计划在2008年和2009年间，专门用于笔记本电脑和服务器的内存产品也将先后面市。
目前，金士顿工程师与英特尔工程师精诚合作，努力确保DDR3台式机、笔记本电脑、工作站和服务器内存保持最出色的兼容性。
随着全新内存技术在2008年逐渐占领主流市场，其他平台和系统制造商也将纷纷采用DDR3。
DDR3将通过如下形式应用于台式机、服务器、笔记本电脑、电信、网络以及其他各种平台：∙Unbuffered DIMM、ECC或non-ECC∙Registered ECC DIMM∙MicroDIMM∙SO-DIMM∙客製化模块DDR3内存模块分为1066MHz、1333MHz和1600MHz三种频率（数据传输速率），其中1066MHz和1333MHz DDR3于2007年全面面市，1600MHz DDR3计划于2008年正式推出。
DDR3内存模组如下所示（专用于台式机的Unbuffered,Non-ECC DIMM）：由于针配置、电压以及DRAM内存芯片技术的不兼容性，DDR3内存模块不向下兼容于DDR2或DDR模块。
与DDR相比，DDR3模块上设有完全不同的“凹槽”，可以避免插入无法兼容的内存插槽中。
DDR3内存升级指南
DDR3内存升级指南作者：青岚来源：《电脑爱好者》2018年第18期要升级内存，首先得知道对自己来说到底多少内存才够用。
那么我们就先来看一看不同的应用到底需要多少内存吧。
为了不受处理器性能的影响，小编选择了酷睿i7 6700K+Z170这样的平台做测试对比，其中4GB升级为8GB内存是组成双通道。
而8GB升级到16GB则都是双通道架构，比较符合DDR3平台升级的实际情况，如果从8GB升级16GB也是单通道升级至双通道的话，性能提升会更大一些。
先说日常办公吧，首先打开电脑，在不进行任何操作的情况下，Windows 10系统本身和各种随系统启动的软件，就占用了2.3GB的内存（图1）。
在办公状态下需要多大内存呢？我们把浏览器开满标签，打开6个QQ窗口、近百MB的图片和Word文件，这些程序窗口已经铺满了桌面，基本上可以看做是一个很忙碌的工作日场景了。
此时再打开任务管理器，可以看到内存使用量为5.5GB左右（图2）。
如果做点内容创作，使用一些高端应用程序呢？比如视频、建模、开发、模拟等。
在用Adobe Premier CC处理17分钟的视频片段时，4GB内存需要415秒，8GB内存需要300秒，16GB内存需要290秒，显然4GB内存完全不够用。
基于SPECwpc的创作软件测试项目也类似（图3），从4GB提升到8GB，测试成绩提升非常明显，不过8GB升级到16GB，带来的成绩提升要小得多，只有Lammps一款软件达到了10%。
在玩游戏的时候，除了显存之外，还有很多数据被放在内存中，而且显存越少，对内存的需求就越大。
以《使命召唤：第二次世界大战》为例，使用6GB显存或3GB显存的显卡时，分别需要10.4GB（图4）和12.1GB（图5）内存。
在游戏运行速度上，以《使命召唤：第二次世界大战》、《守望先锋》、《蝙蝠侠：阿卡姆骑士》为例，全部使用GTX 1060 6GB显卡。
可以看到不同内存容量下的帧速（图6），越新的游戏对内存容量越敏感，较新的游戏大作从4GB升级到8GB内存可获得很明显的性能提升，从8GB升级到16GB的性能差距并不是很明显，而较老的游戏则用4GB内存就运行得很好，升级到8GB变化不大。
ddr3 dimm标准
ddr3dimm标准
DDR3DIMM是一种计算机内存标准，用于描述一类双数据速率3（DDR3）类型的内存模块。
以下是关于DDR3DIMM标准的一些基本信息：
1.定义：DDR3DIMM是指一种基于DDR3技术的双数据速率内存模块，用于计算机系统的主内存。
2.DDR3技术：DDR3代表双数据速率3，是DDR（双数据速率）内存的第三代标准。
相比于前一代DDR2，DDR3提供更高的内存频率和带宽，以提高系统性能。
3.物理规格：DDR3DIMM的物理规格包括插槽数、引脚数等。
通常，DDR3DIMM有240引脚，并插入相应数量的内存插槽。
4.内存容量：DDR3DIMM可提供多种内存容量，包括1GB、2GB、4GB等，取决于内存芯片的密度和数量。
5.内存频率：DDR3DIMM的内存频率通常以MHz为单位，表示内存每秒的数据传输速率。
常见的内存频率包括1333MHz、1600MHz等。
6.电压：DDR3DIMM的标准电压为1.5V，相对于DDR2而言降低了电压，有助于减少功耗和热量。
7.应用：DDR3DIMM广泛用于桌面计算机、服务器和其他计算设备，为这些系统提供高速的主内存。
请注意，随着技术的不断发展，DDR3逐渐被更新的内存标准如DDR4和DDR5所替代。
因此，DDR3DIMM通常用于较旧的计算机系统，而新的系统可能采用更新的内存标准。
ddr3的工作原理
ddr3的工作原理DDR3是一种用于计算机内存的标准，其工作原理是通过双倍数据传输率和时钟速度来提高内存带宽和性能。
本文将详细介绍DDR3的工作原理。
DDR3内存模块由多个存储芯片组成，每个存储芯片可以存储一个数据位。
这些芯片通过高速总线与计算机的内存控制器相连。
DDR3内存的工作原理基于同步动态随机存取存储器（SDRAM）技术，其主要特点是能够在每个时钟周期内进行两次数据传输。
DDR3内存采用了预取技术，即每个时钟周期内可以同时传输两个数据位，这使得DDR3内存的带宽比DDR2内存大大提高。
这种预取技术是通过在内存控制器和存储芯片之间增加一个读/写缓冲区来实现的。
当CPU请求读取或写入数据时，内存控制器将数据存储到读/写缓冲区中，并在下一个时钟周期传输给存储芯片。
DDR3内存的另一个关键特性是时钟速度的提高。
DDR3内存的时钟速度比DDR2内存更高，这意味着每个时钟周期内可以进行更多次的数据传输。
高时钟速度可以提高内存的带宽和响应速度，从而加快计算机的运行速度。
DDR3内存的工作原理还涉及到时序控制。
时序控制是通过内存控制器发送特定的信号来控制存储芯片的读写操作。
这些信号包括时钟信号、预充电信号、写使能信号等。
通过合理控制时序信号的传输，可以确保内存的稳定工作。
DDR3内存还具有自动刷新功能。
内存中的数据需要定期刷新，以防止数据丢失。
DDR3内存通过内部定时器来定期触发刷新操作，以确保数据的可靠性。
总结一下，DDR3内存的工作原理是通过双倍数据传输率和时钟速度的提高来提高内存的带宽和性能。
它采用预取技术、高时钟速度、时序控制和自动刷新等特性来实现数据的高效传输和稳定工作。
DDR3内存的工作原理为计算机的高速运行提供了重要的支持。
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图5，EDO DRAM内存
四、一代经典——SDRAM 内存
自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及 相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内 存性能再也无法满足需要了，内存技术必 须彻底得到个革新才能满足新一代CPU架构 的需求，此时内存开始进入比较经典的 SDRAM时代。
六、再续经典——DDR内存
DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)简称DDR，也就是“双倍速 率SDRAM“的意思。DDR可以说是SDRAM的升级版本， DDR在时 钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速 度为传统SDRAM的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会 造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时 钟上升缘传输。 DDR 内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目 的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最 终弥补内存带宽上的不足。第一代DDR200 规范并没有得到普及，第 二代PC266 DDR SRAM（133MHz时钟×2倍数据传输＝266MHz带宽） 是由PC133 SDRAM内存所衍生出的，它将DDR 内存带向第一个高潮， 目前还有不少赛扬和AMD K7处理器都在采用DDR266规格的内存 （如图12），其后来的DDR333内存也属于一种过度（如图13），而 DDR400内存成为目前的主流平台选配（如图14），双通道DDR400 内存已经成为800FSB处理器搭配的基本标准，随后的DDR533 规范则 成为超频用户的选择对象（如图15）。
二、开山鼻祖——SIMM 内存
在80286主板发布之前，内存并没有被世人 所重视，这个时候的内存是直接固化在主 板上，而且容量只有64 ～256KB，对于当时 PC所运行的工作程序来说，这种内存的性 能以及容量足以满足当时软件程序的处理 需要。不过随着软件程序和新一代80286硬 件平台的出现，程序和硬件对内存性能提 出了更高要求，为了提高速度并扩大容量， 内存必须以独立的封装形式出现，因而诞 生了前面我们所提到的“内存条”概念。
在80286主板刚推出的时候，内存条采用了 SIMM（Single In-lineMemory Modules，单边 接触内存模组）接口，容量为30pin、256kb， 必须是由8 片数据位和1 片校验位组成1 个 bank，正因如此，我们见到的30pin SIMM一 般是四条一起使用。自1982年PC进入民用 市场一直到现在，搭配80286处理器的30pin SIMM 内存是内存领域的开山鼻祖（如图 2）。
图12，DDR266内存
图13，DDR333内存
图14，DDR400内存
图15，DDR533内存
图15，DDR533内存
七、今日之星——DDR2内存
随着CPU 性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可 否认，紧紧依高频率提升带宽的DDR迟早会力不从心，因此JEDEC 组织很早就开始酝酿DDR2 标准，加上LGA775接口的915/925以及最 新的945等新平台开始对DDR2内存的支持，所以DDR2内存将开始演 义内存领域的今天。 DDR2 能够在100MHz 的发信频率基础上提供每插脚最少 400MB/s 的带宽，而且其接口将运行于1.8V 电压上，从而进一步降 低发热量，以便提高频率。此外，DDR2 将融入CAS、OCD、ODT 等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从JEDEC组织 者阐述的DDR2标准来看，针对PC等市场的DDR2内存将拥有400、 533、667MHz等不同的时钟频率（如图16）。高端的DDR2内存将拥 有800、1000MHz两种频率。DDR-II内存将采用200-、220-、240-针脚 的FBGA封装形式。最初的DDR2内存将采用0.13微米的生产工艺，内 存颗粒的电压为1.8V，容量密度为512MB。
三、徘徊不前——EDO DRAM 内存
EDO DRAM（Extended Date Out RAM，外 扩充数据模式存储器）内存，这是1991 年到1995 年之间盛行的内存条，EDO-RAM同FP DRAM极 其相似，它取消了扩展数据输出内存与传输内存 两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给 CPU的同时去访问下一个页面，故而速度要比普 通DRAM快15~30%。工作电压为一般为5V，带宽 32bit，速度在40ns以上，其主要应用在当时的486 及早期的Pentium电脑上（如图4）。
图16，DDR2 533内存
内存技术在2005年将会毫无悬念，SDRAM为代表的静态 内存在五年内不会普及。QBM与RDRAM内存也难以挽回 颓势，因此DDR与DDR2共存时代将是铁定的事实。在 AMD的Athlon 64使用DDR400内存控制器的情况下，未来 对于高频率内存的需求量可能比较小，而且DDR2内存的 发展空间也将取决于AMD是否改进内存控制器。 根据摩尔定理，只要DIY硬件在更新换代，内存规格 也将不断更替，比如目前的DDR3有望取代现有的DDR2， 而未来的FB-DIMM内存又将是另一个更好解决方案。从 PC技术发展情况来看，实际上内存的发展，也代表了DIY 硬件领域的发展历史，同时它也牵动并影响者整个DIY硬 件技术的不管革新……
图10，Rambus DRAM内存
在AMD与Intel的竞争中，这个时候是属于频 率竞备时代，所以这个时候CPU的主频在不断提 升，Intel为了盖过AMD，推出高频PentiumⅢ以 及Pentium 4 处理器，因此Rambus DRAM内存是 被Intel看着是未来自己的竞争杀手剑，Rambus DRAM内存以高时钟频率来简化每个时钟周期的 数据量，因此内存带宽相当出色，如PC 1066 1066 MHz 32 bits带宽可达到4.2G Byte/sec，Rambus DRAM曾一度被认为是Pentium 4 的绝配。
图4，不同规格的EDO DRAM内存
在1991 年到1995 年中，让我们看到一个尴尬的情 况，那就是这几年内存技术发展比较缓慢，几乎 停滞不前，所以我们看到此时EDO RAM有72 pin 和168 pin并存的情况，事实上EDO 内存也属于 72pin SIMM 内存的范畴，不过它采用了全新的寻 址方式。EDO 在成本和容量上有所突破，凭借着 制作工艺的飞速发展，此时单条EDO 内存的容量 已经达到4 ～16MB 。由于Pentium及更高级别的 CPU数据总线宽度都是64bit甚至更高，所以EDO RAM与FPM RAM都必须成对使用（如图5）。
图9，PC150 SDRAM内存
五Байду номын сангаас曲高和寡——Rambus DRAM内 存
尽管SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到 1064MB/S，加上Intel已经开始着手最新的Pentium 4计划，所以SDRAM PC133内存不能满足日后的 发展需求，此时，Intel为了达到独占市场的目的， 与Rambus联合在PC市场推广Rambus DRAM内存 （称为RDRAM内存）。与SDRAM不同的是，其 采用了新一代高速简单内存架构，基于一种类 RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令 集计算机)理论，这个理论可以减少数据的复杂性， 使得整个系统性能得到提高（如图10）。
图6，PC66 SDRAM内存
图7，PC100 SDRAM内存
图8，PC133 SDRAM内存
不可否认的是，SDRAM 内存由早期的 66MHz，发展后来的100MHz、133MHz，尽 管没能彻底解决内存带宽的瓶颈问题，但 此时CPU超频已经成为DIY用户永恒的话题， 所以不少用户将品牌好的PC100品牌内存超 频到133MHz使用以获得CPU超频成功，值 得一提的是，为了方便一些超频用户需求， 市场上出现了一些PC150、PC166规范的内 存(如图9)。
在刚刚开始的时候，PC上所使用的内存是 一块块的IC，要让它能为PC服务，就必须 将其焊接到主板上，但这也给后期维护带 来的问题，因为一旦某一块内存IC坏了， 就必须焊下来才能更换，由于焊接上去的 IC不容易取下来，同时加上用户也不具备 焊接知识（焊接需要掌握焊接技术，同时 风险性也大），这似乎维修起来太麻烦。
因此，PC设计人员推出了模块化的条 装内存，每一条上集成了多块内存IC，同 时在主板上也设计相应的内存插槽，这样 内存条就方便随意安装与拆卸了（如图1）， 内存的维修、升级都变得非常简单，这就 是内存“条”的来源。
内存(Random Access Memory，RAM)的主要 功能是暂存数据及指令。我们可以同时写 数据到RAM 内存，也可以从RAM 读取数据。 由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈 之一，因此从某种角度而言，内存技术的 图1，内存条与内存槽的出现 改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激 动
尽管如此，Rambus RDRAM 内存生不逢时， 后来依然要被更高速度的DDR“掠夺”其宝 座地位，在当时，PC600、PC700的Rambus RDRAM 内存因出现Intel820 芯片组“失误 事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本过高 而让Pentium 4平台高高在上（如图11），无 法获得大众用户拥戴，种种问题让Rambus RDRAM胎死腹中，Rambus曾希望具有更高 频率的PC1066 规范RDRAM来力挽狂澜，但 最终也是拜倒在DDR 内存面前。
图2，30pin SIMM 内存
随后，在1988 ～1990 年当中，PC 技术迎来另一 个发展高峰，也就是386和486时代，此时CPU 已 经向16bit 发展，所以30pin SIMM 内存再也无法满 足需求，其较低的内存带宽已经成为急待解决的 瓶颈，所以此时72pin SIMM 内存出现了（如图3）， 72pin SIMM支持32bit快速页模式内存，内存带宽 得以大幅度提升。72pin SIMM内存单条容量一般 为512KB ～2MB，而且仅要求两条同时使用，由 于其与30pin SIMM 内存无法兼容，因此这个时候 PC业界毅然将30pin SIMM 内存淘汰出局了。