内存的发展历程

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DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种常见的计算机内存类型,它在计算机系统中扮演着重要的角色。

本文将详细介绍DRAM的发展历程、特点、应用领域以及未来的发展趋势。

一、发展历程DRAM的发展可以追溯到上世纪60年代末期。

当时,计算机内存主要采用的是静态随机存储器(SRAM),但SRAM的成本较高,容量有限。

为了解决这一问题,DRAM应运而生。

最早的DRAM由Intel公司于1969年推出,容量仅为1KB。

随着技术的发展,DRAM的容量不断增加,速度不断提高,成本也逐渐降低。

到了20世纪80年代,DRAM已经成为计算机内存的主流产品。

二、特点1. 容量大:DRAM的容量通常比SRAM大得多,可以存储更多的数据。

2. 成本低:相比于其他内存类型,DRAM的生产成本较低,使其成为大规模应用的理想选择。

3. 高速度:DRAM的读写速度相对较快,可以满足大部份计算机应用的需求。

4. 需要刷新:DRAM是一种动态存储器,需要定期刷新来保持数据的稳定性。

这也是它与SRAM的主要区别之一。

三、应用领域DRAM广泛应用于各种计算机系统和电子设备中,包括个人电脑、服务器、手机、平板电脑等。

由于其容量大、成本低的特点,DRAM被广泛用于存储大量的数据和程序,为计算机提供高效的运行环境。

同时,DRAM也被用于图形处理、人工智能、云计算等领域,为这些应用提供强大的计算和存储能力。

四、未来发展趋势随着计算机技术的不断发展,DRAM也在不断演进。

未来,DRAM的发展趋势主要体现在以下几个方面:1. 容量增加:随着数据量的不断增加,对内存容量的需求也在增加。

未来的DRAM将不断提高存储密度,提供更大的容量。

2. 速度提升:计算机应用对内存速度的要求越来越高,未来的DRAM将进一步提高读写速度,以满足高性能计算的需求。

3. 节能环保:随着节能环保意识的提高,未来的DRAM将更加注重能耗控制,采用更加节能的设计和创造工艺。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种计算机内存,用于存储暂时数据以供处理器使用。

随着计算机技术的不断发展,DRAM也在不断演进和改进。

本文将探讨DRAM的发展历程及其未来趋势。

一、DRAM的起源1.1 1960年代,IBM推出了第一款DRAM芯片,取代了传统的静态RAM (SRAM)。

1.2 DRAM采用了动态存储单元,使得存储密度更高、成本更低。

1.3 DRAM的浮现极大地推动了计算机技术的发展,使得计算机性能得到了显著提升。

二、DRAM的技术演进2.1 1980年代,DRAM开始采用更先进的制程工艺,提高了存储容量和速度。

2.2 1990年代,浮现了SDRAM(Synchronous DRAM),提高了数据传输效率。

2.3 2000年代,DDR(Double Data Rate)技术的引入使得DRAM的速度再次提升。

三、DRAM的应用领域3.1 DRAM广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算机设备。

3.2 在人工智能、大数据等新兴领域,DRAM的需求也在不断增加。

3.3 DRAM还被用于虚拟现实、云计算等高性能计算场景,为数据处理提供支持。

四、DRAM的挑战与未来4.1 随着计算机技术的不断进步,对DRAM的性能和容量要求也在不断提高。

4.2 DRAM的功耗和散热问题成为了发展的瓶颈,需要寻觅新的解决方案。

4.3 未来,随着新型存储技术的发展,DRAM可能会面临更大的竞争压力,需要不断创新。

五、结语DRAM作为计算机内存的重要组成部份,随着技术的不断发展,其性能和容量也在不断提升。

未来,随着新兴技术的涌现,DRAM将继续发挥重要作用,为计算机技术的发展提供支持。

希翼本文对DRAM的发展历程有所启示,读者也能对未来DRAM的发展趋势有更深入的了解。

内存条发展史

内存条发展史

作为PC不可缺少的重要核心部件——内存,它伴随着DIY硬件走过了多年历程。

从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存,到Pentium时代的EDO DRAM内存、PII时代的SDRAM内存,到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。

内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。

不过我们有理由相信,内存的更新换代可谓万变不离其宗,其目的在于提高内存的带宽,以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU运算的瓶颈。

那么,内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢?下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。

一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察,显存(或缓存)在目前的DIY硬件上都很容易看到,显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能,而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的,的确如此,如果没有内存,那么PC将无法运转,所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。

在刚刚开始的时候,PC上所使用的内存是一块块的IC,要让它能为PC服务,就必须将其焊接到主板上,但这也给后期维护带来的问题,因为一旦某一块内存IC 坏了,就必须焊下来才能更换,由于焊接上去的IC不容易取下来,同时加上用户也不具备焊接知识(焊接需要掌握焊接技术,同时风险性也大),这似乎维修起来太麻烦。

因此,PC设计人员推出了模块化的条装内存,每一条上集成了多块内存IC,同时在主板上也设计相应的内存插槽,这样内存条就方便随意安装与拆卸了(如图1),内存的维修、升级都变得非常简单,这就是内存“条” 的来源。

图1,内存条与内存槽的出现小帖士:内存(Random Access Memory,RAM)的主要功能是暂存数据及指令。

我们可以同时写数据到RAM 内存,也可以从RAM 读取数据。

由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一,因此从某种角度而言,内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展概述:动态随机存取存储器(DRAM)是一种常见的计算机内存类型,广泛应用于各种电子设备中。

本文将详细探讨DRAM的发展历程,包括其起源、技术进步、应用领域和未来发展趋势等方面。

1. 起源:DRAM最早出现于20世纪60年代,由于其高集成度和低成本的特点,很快取代了传统的磁芯存储器。

最早的DRAM只能存储几千个位,但随着技术的进步,存储容量不断增加,达到了几GB的水平。

2. 技术进步:随着时间的推移,DRAM的技术不断改进。

首先是DRAM的制造工艺从早期的4微米发展到现在的10纳米,使得存储单元的密度大幅提高。

其次是DRAM的速度和带宽也得到了显著提升,从最初的几百KB/s发展到现在的几十GB/s。

此外,DRAM还经历了多种技术演进,如SDRAM、DDR、DDR2、DDR3和DDR4等,每一代技术都带来了更高的性能和更低的功耗。

3. 应用领域:DRAM广泛应用于各种电子设备中,包括个人电脑、服务器、智能手机、平板电脑和游戏机等。

在这些设备中,DRAM扮演着临时存储数据的重要角色,能够高速读写数据,提供快速的运行速度和响应能力。

特别是在大数据处理、人工智能和虚拟现实等领域,对DRAM的需求更加迫切。

4. 未来发展趋势:随着科技的不断进步,DRAM仍将继续发展壮大。

未来的发展趋势包括以下几个方面:- 高密度:DRAM的存储密度将继续提高,以满足大数据处理和存储需求的增长。

- 高速度:DRAM的读写速度将进一步提升,以适应更高的数据传输速率和处理需求。

- 低功耗:DRAM的功耗将继续降低,以提高设备的能效和续航时间。

- 新技术:新型存储技术如3D XPoint和MRAM等有望取代传统的DRAM,提供更高的性能和更低的功耗。

结论:DRAM作为一种重要的计算机内存类型,经历了多年的发展和演进。

随着技术的不断进步,DRAM的存储容量、速度和功耗都得到了显著提升。

它广泛应用于各种电子设备中,为其提供快速的数据存储和处理能力。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种常见的计算机内存芯片,用于存储和读取数据。

随着科技的不断进步,DRAM的发展也在不断推进。

本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。

一、发展历程DRAM最早出现在上世纪70年代,当时的DRAM容量较小,速度较慢,且价格昂贵。

然而,随着集成电路技术的进步,DRAM开始逐渐发展壮大。

在80年代,DRAM容量得到了显著提升,速度也有了明显改善,成为了主流的计算机内存产品。

二、技术特点1. 容量:DRAM的容量不断增大,从最初的几KB到现在的几GB,甚至更高。

这使得计算机能够处理更多的数据,提高了系统的性能。

2. 速度:DRAM的速度也在不断提高。

随着技术的进步,DRAM的访问速度大幅度增加,从而提高了数据的读取和写入效率。

3. 功耗:DRAM的功耗逐渐降低。

随着制程工艺的改进,DRAM芯片的功耗越来越低,这有助于降低整个系统的能耗。

4. 可靠性:DRAM的可靠性也得到了提高。

通过引入纠错码(ECC)等技术,DRAM能够检测和纠正内存中的错误,提高系统的稳定性和可靠性。

5. 成本:DRAM的成本逐渐降低。

随着技术的成熟和市场的竞争,DRAM的价格逐渐下降,使得更多的用户能够购买到高性能的内存产品。

三、未来发展趋势1. 容量持续增加:随着计算机应用的不断扩大,对内存容量的需求也在不断增加。

未来,DRAM的容量将持续增加,以满足大数据处理、人工智能等领域的需求。

2. 速度进一步提升:随着计算机处理速度的提高,对内存速度的要求也越来越高。

未来,DRAM的速度将进一步提升,以满足高性能计算的需求。

3. 低功耗设计:随着节能环保意识的增强,DRAM的低功耗设计将成为未来的发展方向。

通过采用新的材料和结构设计,降低DRAM芯片的功耗,以提高系统的能效。

4. 新技术的应用:未来,随着新的技术的涌现,如3D堆叠技术、新型存储器技术等,将会对DRAM的发展产生重要影响。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展概述:动态随机存取存储器(DRAM)是一种常见的计算机内存类型,被广泛应用于个人电脑、服务器、挪移设备等各种计算设备中。

本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来的发展趋势。

一、DRAM的历史发展:1. 早期DRAM的诞生:20世纪60年代末,美国IBM公司的研究人员发明了第一款DRAM芯片,其存储容量为1K位。

这标志着DRAM技术的诞生,为计算机存储领域带来了革命性的变革。

2. 发展阶段:1970年代,DRAM技术经历了多个发展阶段。

首先是DRAM存储容量的不断增加,从最初的几千位增加到了几十万位。

其次是DRAM存取时间的缩短,使得数据读写速度得到了显著提升。

此外,DRAM芯片的集成度也不断提高,从单片集成到多片集成,进一步提高了存储容量和性能。

3. 现代DRAM的发展:进入21世纪,DRAM技术继续取得了巨大的突破。

首先是DRAM存储容量的大幅增加,从几百兆字节增加到了数十兆字节。

其次是DRAM的能耗和成本的不断降低,使得DRAM成为了主流的计算机内存选择。

此外,DRAM的数据传输速率也得到了显著提升,满足了日益增长的计算需求。

二、DRAM的技术特点:1. 存储原理:DRAM采用电容存储原理,每一个存储单元由一个电容和一个开关构成,电容的充电状态表示存储的数据。

2. 数据刷新:由于电容会逐渐漏电,因此DRAM需要定期进行数据刷新,以保持数据的正确性。

数据刷新会带来额外的延迟,影响DRAM的访问速度。

3. 存取时间:DRAM的存取时间通常比静态随机存取存储器(SRAM)要长,这是由于DRAM需要经过一系列的行选通、列选通等操作才干读取或者写入数据。

4. 容量和集成度:DRAM的存储容量和集成度不断增加,目前已经发展到了数十兆字节的级别。

高集成度的DRAM芯片可以在较小的空间内实现更大的存储容量。

5. 数据传输速率:现代DRAM的数据传输速率已经达到了几千兆字节每秒的级别,可以满足高性能计算和大数据处理的需求。

计算机内存发展史

计算机内存发展史

计算机内存发展史在计算机技术的发展历程中,内存扮演着至关重要的角色。

它就像是计算机的“短期记忆库”,负责存储正在运行的程序和数据,以便CPU 能够快速访问和处理。

从早期简单而有限的内存形式,到如今高性能、大容量的内存技术,计算机内存经历了一系列令人瞩目的变革。

早期的计算机内存可以追溯到上世纪 50 年代。

那个时候,内存主要采用的是磁芯存储器。

磁芯存储器是由许多小磁环组成的,通过改变磁环的磁化方向来存储数据。

这种存储方式虽然在当时是一种创新,但它的存储容量非常有限,而且价格昂贵,操作也较为复杂。

随着技术的进步,半导体存储器逐渐崭露头角。

在 20 世纪 60 年代末和 70 年代初,动态随机存取存储器(DRAM)应运而生。

DRAM 的出现是计算机内存发展的一个重要里程碑。

它使用电容来存储数据,需要定期刷新以保持数据的有效性。

与磁芯存储器相比,DRAM 具有更高的存储密度和更低的成本,这使得计算机能够处理更复杂的任务和存储更多的数据。

在 DRAM 发展的过程中,不断有新的技术改进和升级。

例如,从最初的 SDRAM(同步动态随机存取存储器)到 DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器),再到 DDR2、DDR3 和 DDR4 等,数据传输速度不断提高,性能也越来越强大。

除了 DRAM,还有一种常见的内存类型是静态随机存取存储器(SRAM)。

SRAM 不需要像 DRAM 那样定期刷新,速度更快,但成本也更高,因此通常用于计算机的高速缓存中,以加速数据的访问。

在 20 世纪 90 年代,闪存(Flash Memory)开始广泛应用。

闪存具有非易失性的特点,即使断电也能保存数据。

这使得它在移动设备、数码相机和 USB 闪存驱动器等领域得到了广泛的应用。

随着技术的不断发展,闪存的容量不断增加,读写速度也在不断提高。

进入 21 世纪,计算机内存技术继续飞速发展。

DDR5 内存的出现进一步提升了数据传输速度和带宽,为高性能计算提供了更强大的支持。

内存技术的历史演进与创新发展

内存技术的历史演进与创新发展

内存技术的历史演进与创新发展一、概述计算机内存是指计算机用来存储和读取数据的空间,是计算机的重要组成部分。

随着计算机技术的不断发展,内存技术也经历了多年的演进与创新。

本文将从历史的角度出发,介绍内存技术的发展历程以及目前的创新趋势。

二、早期的内存技术早期的计算机内存技术主要采用的是“脱机存储器”。

这种存储器基于机械原理,将数据存储在磁带或者磁鼓中,读取速度非常慢。

20世纪50年代,随着晶体管的发明,计算机内存技术出现了重大的变革。

晶体管内存技术被广泛应用,它具有较高的读取速度和稳定性,为计算机的应用带来了突破。

三、DRAM的出现20世纪70年代,随着集成电路技术的发展,动态随机存储器(DRAM)得以实现。

相比于之前的内存技术,DRAM具有更高的存储密度和低功耗的特点。

它以电容作为数据存储单元,通过周期性刷新来保持数据的稳定性。

DRAM的出现使得计算机的内存容量得以大幅提升,加速了计算机性能的提高。

四、SRAM的应用与DRAM不同,静态随机存储器(SRAM)不需要周期性刷新,具有更快的读取速度和更低的延迟。

它采用了触发器作为数据存储单元,相比于DRAM更加复杂和昂贵。

因此,SRAM主要应用在对速度要求较高的领域,如高性能计算机和缓存系统等。

尽管SRAM的存储密度相对较低,但它在一些特定的应用场景中仍然具有重要的地位。

五、内存模块技术的进步随着计算机应用场景的多样化,对内存容量和速度的需求也在不断增加。

内存模块技术的进步使得内存容量的扩展变得更加容易。

最早的内存模块采用单面的DRAM芯片,容量有限。

随着多面内存模块和双列直插式内存模块的应用,计算机的内存容量得到了进一步的提升。

六、新兴存储技术除了传统的DRAM和SRAM之外,还有一些新兴的内存技术在不断发展。

其中,闪存存储器是最具代表性的一种。

闪存存储器采用了非易失性存储原理,具有可擦写、随机访问和高密度等特点。

它被广泛应用在手机、数码相机和移动存储设备等领域。

内存 技术 发展历史

内存 技术 发展历史

内存技术发展历史内存技术是计算机科技中一个至关重要的组成部分,随着时代的变迁和科技的进步,内存技术也在不断发展和提升。

以下是内存技术发展历史中的几个重要阶段:1.第一代DDR200规范在内存技术的发展历程中,第一代DDR200规范是最初的版本,其运行速度相对较慢,通常只有100MHz。

这一代内存技术主要特点是带宽较窄,容量较小,而且功耗相对较高。

DDR200规范的出现标志着内存技术开始向DDR时代过渡。

2.第二代PC266 DDR SRAM随着技术的进步,第二代PC266 DDR SRAM的出现将内存技术推向了一个新的高度。

这一代内存的运行速度得到了显著提升,达到了266MHz,同时带宽也有了明显的增加。

此外,这一代内存的容量也得到了提升,可以满足更大规模数据处理的需求。

3.DDR333内存DDR333内存是DDR时代的一个重要里程碑。

这一代内存的运行速度达到了333MHz,带宽和容量也得到了进一步的提升。

DDR333内存的出现使得计算机的处理速度得到了更大幅度的提升,同时也满足了更多应用场景的需求。

4.DDR400内存DDR400内存是DDR技术发展过程中的又一重要阶段。

这一代内存的运行速度达到了400MHz,带宽和容量有了更大的提升。

此外,DDR400内存还引入了一些新的特性,如CAS(列地址选择)延迟和突发长度等,这些特性使得内存的性能得到了进一步的优化。

5.DDR533规范DDR533规范是DDR技术发展过程中的一个重要规范。

这一规范引入了更快的运行速度和更大的带宽,同时还将CAS延迟降低到了2.5个时钟周期。

这些改进使得DDR533规范在性能上有了显著的提升,并且能够更好地满足高性能计算机系统的需求。

6.DDR2内存DDR2内存是DDR技术发展过程中的一个重要里程碑。

这一代内存采用了新的工作方式,使得内存的运行速度得到了大幅提升。

与第一代DDR内存相比,DDR2内存的运行速度提高了两倍,同时带宽也提高了两倍。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展概述:动态随机存取存储器(DRAM)是一种常用的计算机内存技术,它在计算机系统中起着至关重要的作用。

本文将详细介绍DRAM的发展历程,包括其原理、发展阶段和未来趋势。

一、DRAM的原理DRAM是一种基于电容的存储器技术,它通过电容的充放电来存储和读取数据。

每一个DRAM存储单元由一个电容和一个开关构成。

当电容被充电时,表示存储的是1;当电容被放电时,表示存储的是0。

为了保持数据的稳定性,DRAM需要定期进行刷新操作。

二、DRAM的发展阶段1. 早期DRAM早期的DRAM采用的是单个晶体管和电容的结构,存储密度较低,容量有限。

这种DRAM在20世纪60年代末至70年代初得到了广泛应用,但由于创造工艺的限制,无法进一步提高存储密度。

2. 高密度DRAM随着创造工艺的进步,高密度DRAM应运而生。

这种DRAM采用了多层结构,通过堆叠多个存储层来提高存储密度。

高密度DRAM在80年代初得到了商业化推广,并逐渐取代了早期的DRAM。

3. SDRAM同步动态随机存取存储器(SDRAM)是DRAM的一种改进型。

它在存储和读取数据时采用了同步时钟信号,提高了数据传输速度和带宽。

SDRAM在90年代初得到了广泛应用,成为主流的计算机内存技术。

4. DDR SDRAM双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)是SDRAM的进一步改进。

它在每一个时钟周期内能够传输两次数据,提高了数据传输速度和性能。

DDR SDRAM在2000年代初得到了广泛应用,成为主流的计算机内存技术。

5. DDR2、DDR3和DDR4随着技术的进步,DDR2、DDR3和DDR4相继问世。

这些新一代的DDR SDRAM在数据传输速度、能耗和稳定性方面都有所提升。

DDR4是目前最新的DDR SDRAM标准,已经广泛应用于高性能计算机和服务器领域。

三、DRAM的未来趋势1. 高带宽存储器随着数据中心、人工智能和大数据应用的快速发展,对存储器的带宽需求越来越高。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种常见的计算机内存芯片,它在计算机系统中起着至关重要的作用。

本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点、应用领域以及未来发展趋势。

一、发展历程DRAM的发展可以追溯到上世纪60年代末期。

最早的DRAM芯片容量较小,速度较慢,同时也比较昂贵。

随着技术的进步,DRAM的容量逐渐增加,速度不断提高,价格也逐渐下降,成为了主流的内存技术。

二、技术特点1. 存储方式:DRAM采用电容存储数据,每一个存储单元由一个电容和一个开关构成。

电容的充放电状态表示0和1两种不同的数据。

2. 刷新机制:由于电容的电荷会逐渐泄漏,DRAM需要定期进行刷新操作,以保持数据的稳定性。

这一刷新机制是DRAM与其他内存技术的一个显著区别。

3. 高密度:DRAM芯片的集成度非常高,可以在有限的芯片面积上存储大量的数据。

这使得DRAM成为了计算机系统中存储容量最大的内存技术之一。

4. 快速访问速度:DRAM的访问速度相对较快,可以满足计算机系统对内存的高速数据读写需求。

5. 功耗较低:相比于其他内存技术,DRAM的功耗较低,这使得它在挪移设备等功耗敏感的领域有着广泛的应用。

三、应用领域1. 个人电脑:DRAM是个人电脑中最常见的内存技术,用于存储计算机程序和数据,提供高速的数据读写能力。

2. 服务器:服务器需要处理大量的数据和请求,对内存的要求非常高。

DRAM在服务器领域得到广泛应用,提供高速的数据存取能力。

3. 挪移设备:随着挪移设备的普及,对内存的需求也越来越大。

DRAM在智能手机、平板电脑等挪移设备中广泛应用,为用户提供流畅的使用体验。

4. 嵌入式系统:嵌入式系统通常需要高性能的内存来支持实时数据处理和快速响应。

DRAM在嵌入式系统中被广泛应用,满足对高速、高密度内存的需求。

四、未来发展趋势1. 容量持续增加:随着计算机应用场景的扩大和数据量的增加,DRAM的容量将继续增加,以满足对大容量内存的需求。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展概述:动态随机存取存储器(DRAM)是一种常见的计算机内存类型,用于存储和访问数据。

它的发展经历了多个阶段,从最早的SDRAM到现在的DDR4和DDR5。

本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点和未来趋势。

一、DRAM的起源和发展历程DRAM最早浮现于1970年代,它是一种基于电容存储原理的内存技术。

最早的DRAM采用单电容和单晶体管的结构,每一个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。

这种结构相比于之前的静态随机存取存储器(SRAM)更加简单和经济,因此很快得到了广泛应用。

随着计算机技术的发展,DRAM逐渐进入了商业化阶段。

1980年代,DRAM的容量和速度得到了显著提升,开始应用于个人电脑和工作站等计算机系统中。

1990年代,SDRAM(同步动态随机存取存储器)成为主流,它引入了同步时钟信号,提高了数据传输效率和性能。

2000年代,DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)逐渐取代了SDRAM,它在数据传输上实现了前沿沿技术,提供了更高的带宽和更低的功耗。

二、DRAM的技术特点1. 存储单元结构:DRAM的存储单元由电容和晶体管组成。

电容用于存储数据,晶体管用于控制读写操作。

2. 容量和密度:DRAM的容量和密度随着技术的进步不断增加。

目前,单个DRAM芯片的容量可以达到数GB,而整个内存模块的容量可以达到数十GB。

3. 速度和带宽:DRAM的速度和带宽也在不断提升。

通过增加数据总线宽度和提高时钟频率,DRAM可以实现更快的数据传输速度和更高的带宽。

4. 刷新机制:DRAM的存储单元是由电容存储数据的,电容会逐渐漏电,因此需要定期进行刷新操作来保持数据的正确性。

5. 电源需求:DRAM需要稳定的电源供应,因为电容存储的数据会随着电压的变化而变化。

三、DRAM的未来趋势1. 容量和密度的增加:随着技术的不断进步,DRAM的容量和密度将继续增加。

未来可能会浮现更高容量的DRAM芯片和内存模块,以满足日益增长的数据存储需求。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展引言概述:随着科技的不断进步,动态随机存取存储器(DRAM)作为计算机主要的内存设备之一,也在不断发展和演变。

本文将探讨DRAM的发展历程,从其起源到现在的发展趋势,以及未来可能的发展方向。

一、DRAM的起源1.1 早期的DRAM早期的DRAM是在1960年代发展起来的,最早的DRAM只有几KB的存储容量,速度较慢,成本较高,主要用于大型计算机系统。

1.2 发展历程随着技术的不断进步,DRAM的存储容量不断增加,速度也在不断提高,成本逐渐下降,逐渐普及到个人电脑和移动设备中。

1.3 技术革新在发展过程中,DRAM经历了多次技术革新,如SDRAM、DDR、DDR2、DDR3、DDR4等,每一代技术的推出都带来了更高的性能和更低的功耗。

二、DRAM的应用领域2.1 个人电脑在个人电脑中,DRAM主要用于存储操作系统和运行程序所需的数据,速度和容量的提升对于提升计算机性能至关重要。

2.2 服务器在服务器领域,DRAM的需求量较大,用于存储大量的数据和运行多个虚拟机,对性能和稳定性要求较高。

2.3 移动设备在移动设备中,DRAM的需求也在不断增加,用于存储应用程序和数据,随着移动设备的普及,对功耗和体积的要求也越来越高。

三、DRAM的发展趋势3.1 高密度随着数据量的不断增加,对DRAM的存储容量也在不断提升,未来DRAM将朝着更高密度的方向发展。

3.2 低功耗随着移动设备的普及,对功耗的要求也在不断提高,未来DRAM将朝着更低功耗的方向发展。

3.3 高性能随着计算机应用的不断发展,对DRAM的速度和性能也在不断提升,未来DRAM将朝着更高性能的方向发展。

四、DRAM的未来发展方向4.1 3D堆叠技术未来DRAM可能会采用3D堆叠技术,将多层芯片堆叠在一起,提高存储密度和性能。

4.2 光存储技术未来DRAM可能会采用光存储技术,利用光信号代替电信号进行数据存储,提高速度和功耗效率。

4.3 量子存储技术未来DRAM可能会采用量子存储技术,利用量子特性进行数据存储,提高存储容量和安全性。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展1. 简介动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)是一种常见的计算机内存技术,用于存储数据和指令。

它的发展至关重要,因为它直接影响着计算机的性能和速度。

本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点和未来发展趋势。

2. 发展历程DRAM的发展可以追溯到上世纪60年代。

早期的DRAM采用了基于电容的存储单元,每个存储单元由一个电容和一个开关构成。

然而,由于电容会逐渐失去电荷,需要不断刷新,这导致了存储器的速度较慢。

随着技术的进步,DRAM逐渐演变为现代的存储器技术。

3. 技术特点(1)存储单元:现代DRAM的存储单元通常由一个电容和一个晶体管构成。

电容用于存储数据位,而晶体管则用于读取和写入数据。

这种结构使得DRAM具有高集成度和较低的成本。

(2)刷新机制:DRAM的存储单元需要定期刷新以保持数据的稳定性。

刷新操作会占用一定的时间,这会降低DRAM的响应速度。

为了解决这个问题,出现了自刷新技术,可以在不干扰其他操作的情况下刷新存储单元。

(3)存储密度:DRAM具有较高的存储密度,可以在较小的面积内存储更多的数据。

这使得DRAM成为计算机内存的首选技术之一。

(4)读写速度:DRAM的读写速度较快,可以满足计算机对大量数据的快速访问需求。

然而,由于存储单元需要刷新,DRAM的访问速度仍然比不上静态随机存取存储器(SRAM)。

4. 未来发展趋势(1)高带宽需求:随着计算机应用的不断发展,对内存带宽的需求也越来越高。

为了满足这一需求,DRAM的发展方向之一是提高数据传输速率和带宽。

(2)低功耗设计:随着移动设备的普及,低功耗成为了DRAM发展的重要方向。

研究人员正在开发新的DRAM技术,以降低功耗并延长电池寿命。

(3)新型存储技术:除了传统的DRAM技术,研究人员还在探索新型存储技术,如相变存储器(Phase Change Memory,PCM)和阻变存储器(Resistive Random Access Memory,ReRAM)。

存储器的发展历程

存储器的发展历程

存储器的发展历程存储器的发展历程可以追溯到20世纪的早期阶段。

以下列举了一些存储器技术的重要里程碑:1. 早期存储器:最早的存储器技术使用了机械装置,如张纸带和纸孔卡片来存储数据。

这些装置主要用于存储简单的指令和数据。

2. 磁鼓存储器:在1940年代末至1950年代初期,磁鼓存储器开始出现。

这种存储器使用了金属鼓上的磁性涂层来存储数据。

磁鼓存储器具有较高的容量和访问速度,但受限于机械结构,可靠性较低。

3. 磁芯存储器:在1950年代,磁芯存储器成为主要的计算机内存技术。

磁芯存储器由许多小型磁性环组成,每个环可以代表一个二进制位。

这种存储器具有较高的可靠性和速度,并逐渐成为主流存储器技术。

4. 动态随机存储器(DRAM):在1970年代,动态随机存储器开始出现。

DRAM使用了电容器来存储数据,需要定期刷新以避免数据丢失。

DRAM的容量较大,成本较低,成为主流存储器技术。

5. 静态随机存储器(SRAM):与DRAM相比,静态随机存储器不需要定期刷新,并且具有更快的访问速度。

SRAM的成本较高,容量较小,主要用于高速缓存和其他特定应用。

6. 闪存存储器:在1980年代末至1990年代,闪存存储器开始广泛应用于便携式设备和存储介质。

闪存存储器使用了非易失性存储技术,在断电后仍能保留数据。

闪存存储器逐渐取代了传统的磁盘和磁带存储技术。

7. 相变存储器:相变存储器是一种基于物理相变效应的存储器技术。

它使用了可逆相变材料,能够在不同的电阻状态之间切换来表示数据。

相变存储器具有高密度、较低的功耗和快速的读写速度。

8. 三维堆叠存储器:近年来,随着技术的发展,三维堆叠存储器开始出现。

这种存储器技术通过将垂直堆叠多层存储单元,实现了更高的存储密度和性能。

这些里程碑事件代表了存储器在不断发展和演进的过程中的重要进展,推动了计算机和其他电子设备的性能提升。

内存的发展历史

内存的发展历史

内存的发展历史作为PC不可缺少的重要核心部件——内存,它伴随着DIY硬件走过了多年历程。

从286时代的30pin SIMM内存、486时代的72pin SIMM 内存,到Pentium时代的EDODRAM内存、PII时代的SDRAM内存,到P4时代的DDR内存和目前9X5平台的DDR2内存。

内存从规格、技术、总线带宽等不断更新换代。

不过我们有理由相信,内存的更新换代可谓万变不离其宗,其目的在于提高内存的带宽,以满足CPU不断攀升的带宽要求、避免成为高速CPU 运算的瓶颈。

那么,内存在PC领域有着怎样的精彩人生呢?下面让我们一起来了解内存发展的历史吧。

一、历史起源——内存条概念如果你细心的观察,显存(或缓存)在目前的DIY硬件上都很容易看到,显卡显存、硬盘或光驱的缓存大小直接影响到设备的性能,而寄存器也许是最能代表PC硬件设备离不开RAM的,的确如此,如果没有内存,那么PC将无法运转,所以内存自然成为DIY用户讨论的重点话题。

在刚刚开始的时候,PC上所使用的内存是一块块的IC,要让它能为PC服务,就必须将其焊接到主板上,但这也给后期维护带来的问题,因为一旦某一块内存IC坏了,就必须焊下来才能更换,由于焊接上去的IC不容易取下来,同时加上用户也不具备焊接知识(焊接需要掌握焊接技术,同时风险性也大),这似乎维修起来太麻烦。

因此,PC设计人员推出了模块化的条装内存,每一条上集成了多块内存IC,同时在主板上也设计相应的内存插槽,这样内存条就方便随意安装与拆卸了(如图1),内存的维修、升级都变得非常简单,这就是内存“条”的来源。

图1,内存条与内存槽的出现小帖士:内存(Random Access Memory,RAM)的主要功能是暂存数据及指令。

我们可以同时写数据到RAM 内存,也可以从RAM 读取数据。

由于内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一,因此从某种角度而言,内存技术的改进甚至比CPU 以及其它技术更为令人激动。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展概述:动态随机存取存储器(DRAM)是一种常见的计算机内存技术,它在现代计算机系统中具有重要地位。

本文将探讨DRAM的发展历程,包括其原理、发展趋势以及未来的应用前景。

1. DRAM的原理DRAM是一种基于电容器的存储器技术,它使用电容器来存储和读取数据。

每一个DRAM存储单元由一个电容器和一个访问晶体管组成。

电容器的电荷表示存储的数据,而访问晶体管用于控制电荷的读取和写入。

2. DRAM的发展历程2.1 早期发展DRAM的概念最早浮现在1960年代,当时的DRAM容量很小,速度较慢。

然而,随着集成电路技术的发展,DRAM开始逐渐变得更加高密度和高速。

2.2 高集成度DRAM在1980年代,高集成度DRAM开始浮现,其容量和速度大幅提升。

DRAM的集成度不断增加,从最初的16K位到现在的几GB。

2.3 SDRAM和DDR在1990年代,同步动态随机存取存储器(SDRAM)和双倍数据率(DDR)技术的引入使DRAM的速度得到了显著提高。

SDRAM和DDR技术使用了更高的时钟频率和更高的总线宽度,使DRAM能够更快地读取和写入数据。

2.4 DDR2、DDR3和DDR4随着时间的推移,DDR技术也不断升级。

DDR2、DDR3和DDR4相继推出,每一代都提供了更高的带宽和更低的功耗。

这些技术的发展使得计算机系统能够更高效地处理大量数据。

3. DRAM的发展趋势3.1 高密度和高速随着计算机应用的不断发展,对内存容量和速度的需求也在不断增加。

未来的DRAM技术将继续追求更高的集成度和更快的速度,以满足不断增长的数据处理需求。

3.2 低功耗随着挪移设备的普及,对低功耗的需求也越来越大。

未来的DRAM技术将更加注重功耗的优化,以延长电池寿命并提高设备的续航能力。

3.3 非易失性存储目前的DRAM技术是易失性的,即断电后数据会丢失。

未来的发展趋势之一是开辟非易失性DRAM(NVRAM),它能够在断电后保持数据,从而提供更可靠的存储解决方案。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展概述:动态随机存取存储器(DRAM)是一种常见的计算机内存类型,广泛应用于个人电脑、服务器、移动设备等领域。

本文将详细介绍DRAM的发展历程、技术特点以及未来发展趋势。

1. 发展历程:DRAM的发展可追溯到20世纪60年代。

最早的DRAM由美国IBM公司于1966年研发成功,容量仅为4位。

随着技术的不断进步,DRAM的容量和性能得到了显著提升。

1970年代,DRAM开始进入商业化阶段,容量从几百字节增加到几十千字节。

到了1980年代,DRAM容量已经达到了几兆字节级别,并逐渐取代了静态随机存取存储器(SRAM)成为主流内存技术。

2. 技术特点:(1)存储方式:DRAM采用电容存储方式,每个存储单元由一个电容和一个开关构成。

电容的充放电状态表示存储的数据。

(2)刷新机制:由于电容的漏电现象,DRAM需要定期进行刷新操作,以保持数据的正确性。

刷新操作会占用一定的内存带宽,影响性能。

(3)访问速度:DRAM的访问速度较慢,通常以纳秒级别计算。

这主要是由于电容存储结构的特点所致。

(4)容量扩展性:DRAM具有良好的容量扩展性,可以实现高密度的存储。

目前,DRAM的容量已经达到了几十兆字节级别。

(5)能耗:相比于静态随机存取存储器,DRAM的能耗较低,适合用于移动设备等对能耗要求较高的场景。

3. 发展趋势:(1)高带宽需求:随着大数据、人工智能等领域的快速发展,对内存带宽的需求越来越高。

未来的DRAM技术将更加注重提升数据传输速率和带宽。

(2)低功耗设计:随着移动设备的普及,对内存的功耗要求也越来越高。

未来的DRAM将更加注重低功耗设计,以延长电池寿命。

(3)三维堆叠技术:为了进一步提升DRAM的容量和性能,三维堆叠技术被广泛研究和应用。

通过将多个DRAM芯片垂直堆叠,可以实现更高的容量和更快的数据传输速率。

(4)新型存储技术:除了传统的DRAM,还有一些新型存储技术正在崛起,如非易失性内存(NVM)和存储级内存(SCM)。

DRAM的发展

DRAM的发展

DRAM的发展引言概述:DRAM(Dynamic Random Access Memory)是一种常见的计算机内存,它在计算机系统中起着至关重要的作用。

本文将探讨DRAM的发展历程以及其在计算机领域的重要性。

一、DRAM的起源与发展1.1 早期内存技术- 20世纪60年代,磁芯存储器是最早被广泛使用的内存技术,它由许多小磁环组成,每个磁环代表一个位。

- 70年代,随着集成电路技术的发展,静态随机存储器(SRAM)开始应用于计算机内存,它由触发器构成,具有更高的速度和稳定性。

1.2 DRAM的诞生- 1970年,Intel公司推出了第一款DRAM芯片,它采用了电容和晶体管的结构,能够存储更多的数据,并且相对于SRAM更加经济实惠。

- DRAM的主要特点是需要定期刷新,因为电容会逐渐失去电荷,这也是它被称为“动态”内存的原因。

1.3 DRAM的发展与演进- 随着技术的进步,DRAM的存储密度不断提高,从最初的4Kbit到现在的Gb 级别。

- DRAM的速度也得到了显著提升,从最初的几十纳秒到现在的几纳秒。

- 同时,DRAM的功耗也在不断降低,更加环保和节能。

二、DRAM的重要性2.1 计算机性能的提升- DRAM是计算机系统中最重要的内存之一,它能够提供快速的数据读写能力,对于计算机的性能至关重要。

- 高速的DRAM能够加快数据的传输速度,缩短计算机的响应时间,提升用户的体验。

2.2 存储大容量数据- 随着云计算和大数据时代的到来,对于存储大容量数据的需求不断增加。

- DRAM具有高存储密度的特点,能够满足大数据处理和存储的需求。

2.3 应用于各个领域- DRAM广泛应用于计算机、服务器、移动设备等各个领域。

- 在人工智能、虚拟现实和物联网等新兴领域,DRAM的需求将进一步增加。

三、DRAM的挑战与未来发展3.1 存储容量的限制- 随着数据量的不断增加,DRAM的存储容量仍面临挑战。

- 研究人员正在寻找新的存储技术,如3D堆叠存储和新型材料,以提高DRAM的存储密度。

内存发展历程

内存发展历程

内存发展历程一、早期计算机内存早期计算机内存主要是采用“孔板”存储器,即利用一块由导线穿过的穿孔塑料板来存储数据。

这种内存虽然容量较小,读写速度也较慢,但是在当时已经具备了存储和读取数据的能力。

二、磁芯存储器的出现20世纪50年代,磁芯存储器开始被广泛应用。

磁芯存储器由许多微小的磁铁组成,每个磁铁代表一个二进制位。

利用磁铁的磁性可以实现数据的存储和读取,并且由于磁芯存储器具有非易失性,即使断电也能保持数据不丢失。

三、半导体内存的诞生上世纪60年代,半导体技术的发展催生了半导体内存的诞生。

半导体内存利用半导体材料制成的存储芯片,可实现数据的存储和读取。

相较于磁芯存储器,半导体内存具有容量更大、读写速度更快的优势,并且体积也更小,功耗更低。

四、DRAM的普及20世纪70年代,动态随机存取存储器(DRAM)开始普及应用。

DRAM内存以电容器作为存储单元,每个存储单元需要周期性刷新以保持数据的正确性。

DRAM的容量大幅度提升,读写速度也有所提高,成为主流的内存类型。

五、SRAM的应用静态随机存取存储器(SRAM)与DRAM相比,具有更快的读写速度和更低的功耗。

SRAM以触发器作为存储单元,无需周期性刷新。

由于其速度快、功耗低,SRAM多用于缓存等高速存储场景。

六、闪存的出现闪存内存是一种非易失性内存,在断电情况下也能保持数据不丢失。

闪存通过电子擦除和编程的方式实现数据的存储和读取。

闪存具有体积小、可擦写次数多等优点,已逐渐取代了传统硬盘成为移动设备和固态硬盘(SSD)等存储介质的首选。

七、新型内存的研究和应用随着科学技术的发展,新型内存开始得到研究和应用。

如相变存储器(PCM)、磁阻存储器(MRAM)、阻变存储器(RRAM)等。

这些新型内存具有容量大、读写速度快、耐久性好等优势,有望在未来成为计算机存储的重要组成部分。

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内存发展——Rambus DRAM
在选择SDR SDRAM的继任者的时候Intel选择了与Rambus合作并推出了Rambus DRAM内存, 通常都会被简称为RDRAM,它与SDRAM不同,采用了新的高速简单内存架构,基于RISC 理论,这样可以减少数据复杂性提高整个系统的性能。 RDRAM采用RIMM插槽,184pin,总线位宽16bit,插两条组建双通道时就是32bit,工作 电压2.5V,当时的频率有600、700、800、1066MHz等。 这款内存通常都是用在Socket 423的奔腾4平台上,搭配Intel 850芯片组使用,然而大家 都应该清楚Socket 423的奔腾4是多么的悲剧,频率高效率低的奔腾4被AMD K7+DDR内存 的组合打得满地找牙,再加上RDRAM的制造成本高,很多内存厂都没有兴趣,这直接导 致RDRAM的零售价居高不下,奔腾4平台的成本相对高,消费者也不买单,最终就是导 致RDRAM完败于DDR SDRAM,最终Intel抛弃RDRAM投奔到DDR阵营。
内存发展——SDR SDRAM
第一代SDR SDRAM频率是66MHz,通常大家都称之为PC66内存,后来随着Intel与AMD的 CPU的频率提升相继出现了PC100与PC133的SDR SDRAM,还有后续的为超频玩家所准备 的PC150与PC166内存,SDR SDRAM标准工作电压3.3V,容量从16MB到512MB都有。 SDR SDRAM的存在时间也相当的长,Intel从奔腾2、奔腾3与奔腾4(Socket 478),以及 Slot 1、Socket 370与Socket 478的赛扬处理器,AMD的K6与K7处理器都可以SDR SDRAM。 从1999年开始AMD推出K7架构,到2000年Intel推出奔腾4处理器,两家处理器的FSB都在 不断攀升,只有133MHz的SDR SDRAM根本无法满足这个带宽需求,至于谁是它的继任者, Rambus DRAM与DDR SDRAM展开了一场大战。
内存发展——DDR3
DDR3内存随着Intel在2007年发布3系列芯片组一同到来的,AMD支持DDR3内存已经是 2009年2月的AM3平台发布的时候 ,直到现在他依然还是市场的主流。 然而直到2008年11月推出x58平台彻底抛弃DDR2的时候DDR3其实还不算是市场主流, 在LGA 775平台上消费者大多数依然会选择DDR2,归咎原因主要还算初期DDR3的频率 偏低只有1066MHz,而那时候高端DDR2也是能达到这个频率的,而且同频下DDR2的 性能更好, 价格更低,所以刚上市那两年DDR3其实不怎么受欢迎,直到后来DDR3的 价格降下来,频率提到DDR2触碰不到1333MHz时才开始普及。
内存的发展历程
2017/8/23 審核: 製作人:xiaojun.yu
前言
当今世界上的计算机都是基于冯· 诺依曼结构,一台计算机必须包含运算器、控制器、 存储器和输入、输出设备五个部分,存储器又可分为内存储器和外存储器,内存储 器可以简单理解为CPU里面的缓存和插主板上的内存,而外存储器则是硬盘、U盘、 软盘等,内存和硬盘对于一台当今的PC来说是不可或缺的部件。
内存发展——DDR SDRAM
DDR内存的正式名字是DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM),顾名思义就是双倍速率 SDRAM,从名字上就知道它是SDR SDRAM的升级版,DDR SDRAM在时钟周期的上升沿与 下降沿各传输一次信号,使得它的数据传输速度是SDR SDRAM的两倍,而且这样做还不 会增加功耗,至于定址与控制信号与SDR SDRAM相同,仅在上升沿传输,这是对当时内 存控制器的兼容性与性能做的折中。
内存发展——DDR2
在DDR内存战胜了RDRAM之后就开启了DDR王朝,就如大家所知道的,后续的都是DDR 的衍生产品,DDR2内存在2004年6月与Intel的915/925主板一同登场,伴随了大半个 LGA 775时代,而AMD的K8架构由于把内存控制器整合在CPU内部,要把内存控制器改 成DDR2的比Intel麻烦得多,直到2006年6月AM2平台推出才开始支持DDR2内存,估计 现在还有些用DDR2内存的电脑在使用。
前言

内存发展——古老的SIMM时代
其实在最初的个人电脑上是没有内存条的,内存是直接以DIP芯片的形式安装在主板的 DRAM插座上面,需要安装8到9颗这样的芯片,容量只有64KB到256KB,要扩展相当困 难,但这对于当时的处理器以及程序来说这已经足够了,直到80286的出现硬件与软件 都在渴求更大的内存,只靠主板上的内存已经不能满足需求了,于是内存条就诞生了。
内存发展——DDR SDRAM
DDR SDRAM采用184pin的DIMM插槽,防呆缺口从SDR SDRAM时的两个变成一个,常见 工作电压2.5V,初代DDR内存的频率是200MHz,随后慢慢的诞生了DDR-266、DDR-333和 那个时代主流的DDR-400,至于那些运行在500MHz、600MHz、700MHz的都算是超频条 了,DDR内存刚出来的时候只有单通道,后来出现了支持双通芯片组,让内存的带宽直 接翻倍,两根DDR-400内存组成双通道的话基本上可以满足FSB 800MHz的奔腾4处理器, 容量则是从128MB到1GB。 DDR内存在对RDRAM的战争中取得了完全胜利,所以相当多的主板厂家都选择推出支持 DDR内存的芯片组,当时的主板市场可是相当的热闹,并不只有Intel与AMD两个在单挑, 还有NVIDIA、VIA、SiS、ALI、ATI等厂家,所以能用DDR内存的CPU也相当的多,Socket 370的奔腾3与赛扬,Socket 478与LGA 775的奔腾4、奔腾D、赛扬4、赛扬D,只要你想酷 睿2其实也可以插到部分865主板上用DDR内存,AMD的话Socket A接口的K7与Socket 939、 Socket 754的K8架构产品都是可以用DDR内存的。
内存发展——DDR4
DDR4在2014年登场的时候并没有重走DDR3发布的旧路,首款支持DDR4内存的是Intel 旗舰级的x99平台,DDR4初登场的时候其实与高频DDR3没啥性能与价格上的优势,然 而x99只支持DDR4内存,想用旗舰平台你也只能花高价买内存,DDR4内存真正走向大 众其实已经是2015年8月Intel发布Skylake处理器与100系列主板时的事情了。
内存发展——FPM DRAM
FPM DRAM是从早期的Page Mode DRAM上改良过来的,当它在读取同一列数据是,可 以连续传输行位址,不需要再传输列位址,可读出多笔资料,这种方法当时是很先进 的。 FPM DRAM有30pin SIMM和72pin SIMM两种,前者常见于286、386和486的电脑上,后 者则常见于486与早期型的奔腾电脑上,30pin的常见容量是256KB,72pin的容量从 512KB到2MB都有。
内存发展——DDR2
DDR和DDR2的关键区别是:DDR2内存单元的核心频率是等效频率的1/4(而不是 1/2)。这需要一个4-bit-deep的预取队列,在并不用改变内存单元本身的情况下, DDR2能有效地达到DDR数据传输速度的两倍,此外DDR2融入了CAS、OCD、ODT技术 规范和中断指令,运行效率更高。 DDR2内存的金手指数比DDR多,DDR2有240个金手指,DDR只有184个,两者的防呆 缺口位置防止用户差错插槽,有一个比较容易从外观上区分DDR与DDR2内存的方法, 就是DDR内存是采用TSSOP封装的,而DDR2内存是用BGA封装的,看内存芯片就能分 清楚两者。 DDR2的标准电压下降至1.8V,这使得它较上代产品更为节能,DDR2的频率从 400MHz到1200MHz,当时的主流的是DDR2-800,更高频率其实都是超频条,容量从 256MB起步最大4GB,不过4GB的DDR2是很少的,在DDR2时代的末期大多是单条2GB 的容量。
30pin FPM DRAM
内存发展——EDO DRAM
EDO DRAM其实也是72pin SIMM的一种,它拥有更大的容量和更先进的寻址方式,这种 内存简化了数据访问的流畅,读取速度要FPM DRAM快不少,主要用在486、奔腾、奔腾 Pro、 早期的奔腾II处理器的电脑上面。 在1991到1995年EDO内存盛行的时候,凭借着制造工艺的飞速发展,EDO内存在成本和 容量上都有了很大的突破,单条EDO内存容量从4MB到16MB不等,数据总线依然是32位, 所以搭配拥有64位数据总线的奔腾CPU时基本都成对的使用。
内存发展——DDR3
和上一代的DDR2相比,DDR3在许多方面作了新的规范,核心电压降低到1.5V,预取 从4-bit变成了8-bit,这也是DDR3提升带宽的关键,同样的核心频率DDR3能够提供两 倍于DDR2的带宽,此外DDR3还新增了CWD、Reset、ZQ、STR、RASR等技术。 DDR3内存与DDR2一样是240Pin DIMM接口,不过两者的防呆缺口位置是不同的,不能 混插,常见的容量是512MB到8GB,当然也有单条16GB的DDR3内存,只不过很稀少。 频率方面从800MHz起步,目前比较容量买到最高的频率是2400MHz,实际上有厂家 推出了3100MHz的DDR3内存,只是比较难买得到,支持DDR3内存的平台有Intel的后 期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等,LGA 1366平台,LGA 115x系列全都支持还有 LGA 2011的x79,AMD方面AM3、AM3+、FM1、FM2、FM3接口的产品全都支持DDR3。
比较少见的168pin EDO内存,通常都用在服 务器上
内存发展——SDR SDRAM
然而随着CPU的升级EDO内存已经不能满足系统的需求了,内存技术也发生了大革命, 插座从原来的SIMM升级为DIMM(Dual In-line Memory Module),两边的金手指传输不 同的数据,SDR SDRAM内存插座的接口是168Pin,单边针脚数是84,进入到了经典的 SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)时代。 SDRAM其实就是同步DRAM的意思,内存频率与CPU外频同步,这大幅提升了数据传输 效率,再加上64bit的数据位宽与当时CPU的总线一致,只需要一根内存就能让电脑正常 工作了,这降低了采购内存的成本。
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