in2s3晶体结构

in2s3晶体结构
In2S3在常温常压下比较稳定，属于立方晶系，具有四面体和八面体的空间结构，并存在高密度的In空位。

其存在三种晶体结构：缺陷立方结构（α-
In2S3）、缺陷尖晶石结构（β-In2S3）和层状六方结构（y-In2S3）。

其中，y-In2S3只存在于高温℃）或高压（35kbar）。

α-In2S3在℃条件下制备，具有一定的化学稳定性。

β-In2S3的晶体结构中，所有八面体位和三分之二的四面体位被In3+完全占据，三分之一的四面体位是空的，形成阳离子空位，以保持In和S的化学计量比。

这些阳离子空位表现出电子亲和力，成
为电子陷阱来抑制电子-空穴对的复合。

此外，In2S3表面存在的硫空位有
助于形成中间能级，通过捕获电子并缓慢释放到导带，诱发电子-空穴对的
分离。

如需了解更多有关In2S3晶体结构的信息，建议查阅化学类专业书籍或文献。