使得非晶硅电池变得更稳定的化学退火办法[发明专利]

专利名称：使得非晶硅电池变得更稳定的化学退火办法专利类型：发明专利
发明人：李沅民,马昕
申请号：CN200710002576.1
申请日：20070129
公开号：CN101235492A
公开日：
20080806
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种改进本征非晶硅薄膜的稳定性的化学退火方法。

在使用等离子体增强化学气相沉积法生成氢化非晶硅的过程中，2－10纳米厚硅膜的生长和氢气等离子体的化学退火处理交替进行，使得氢化硅材料的原子结构得到充分的重建和松动，并降低电子缺陷密度。

这种材料特别适用于p－i－n型光伏器件中的i层。

申请人：北京行者多媒体科技有限公司
地址：100086 北京市海淀区中关村南大街2号数码大厦B-901北京行者多媒体科技有限公司国籍：CN
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