晶片传递手指优化设计
led生产
Led生产简介LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种能够将电能转化为光能的半导体器件，具有高亮度、低能耗、长寿命等优点。
因此，在各个领域得到广泛应用，包括照明、显示屏、汽车、通信等。
本文将介绍LED生产的流程以及其中的关键步骤。
LED生产流程LED生产包括以下主要步骤：1.晶片制造：晶片制造是LED生产的第一步，也是LED性能的关键决定因素。
晶片由半导体材料制成，通过特殊的工艺产生不同颜色的光。
晶片制造涉及材料混合、晶片生长、切割等步骤。
2.晶片测试：在晶片制造完成后，需要进行完整性测试。
这些测试通常包括电压测试、光通量测试以及色温测试等。
只有合格的晶片才能继续下一步的生产工艺。
3.封装：晶片制造后，需要将其封装成LED照明产品。
封装过程中，将晶片镶嵌在塑料模具中，并用导线连接到外部电路。
封装过程也涉及焊接、封装完整性测试等步骤。
4.光学设计：在封装完成后，需要进行光学设计，以优化LED的照明效果。
光学设计主要包括透镜的选择和安装，以及光线的散射和聚焦等。
5.性能测试：整个LED生产过程中，还需要对成品LED进行性能测试。
包括电气和光学性能的测试，以确保产品符合标准要求。
关键步骤LED生产中的几个关键步骤是晶片制造、封装和性能测试。
晶片制造晶片制造是整个LED生产过程中最为重要的步骤。
它决定了LED的性能和质量。
晶片制造的关键步骤包括：•材料混合：选择合适的半导体材料，通过特定比例的混合制备LED材料。
常用的材料有氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟镓（InGaP）等。
•晶片生长：将混合好的材料通过蒸发、沉积等工艺生长成晶片。
晶片生长过程中，需要控制温度、气氛和其他参数，以确保晶片质量。
•切割：将大块的晶片切割成小尺寸的晶片。
切割过程需要精确控制，以保证每个晶片的尺寸和形状都符合要求。
封装封装是将晶片封装成LED产品的过程。
封装的关键步骤包括：•塑料模具制备：根据不同的LED产品设计，制造出与之相匹配的塑料模具。
布拉格衍射实验中晶体取向的优化方法
布拉格衍射实验中晶体取向的优化方法布拉格衍射实验是一种常见的实验方法，用于分析材料中的晶体结构和晶格参数。
在实验中，晶体的取向对于实验结果的准确性和可重复性非常重要。
本文将介绍布拉格衍射实验中晶体取向的优化方法。
一、晶体的制备和取向在进行布拉格衍射实验之前，首先需要制备高质量的晶体样品。
晶体的制备方法各不相同，根据所研究的材料和实验要求选择合适的方法。
对于晶体取向的优化，一种常见的方法是使用X射线或电子束进行取向。
通过控制入射角度和样品旋转角度，可以使晶体在特定方向上取向良好。
值得注意的是，在实验过程中应确保光线或电子束的稳定性和准直性，以避免误差的引入。
二、晶体取向的调整在实验中，晶体取向的调整通常可以通过以下几种方法来实现：1. 利用预留取向标记：在晶体生长或制备过程中，可以在样品上制作一些预留的取向标记，如刻线或腐蚀坑。
通过观察这些标记，可以确定晶体的取向，并进行必要的调整。
2. 应用光学或电子显微镜技术：使用光学显微镜或电子显微镜观察晶体的形貌和结构，可以判断晶体的取向是否符合要求。
如果不符合要求，可以通过旋转样品或调整照射角度来调整晶体的取向。
3. 利用表面特征：一些晶体具有特殊的表面特征，比如光学性质或电学性质的变化。
通过观察这些特征，可以得出晶体的取向信息。
根据需要，可以调整样品的方向以优化晶体的取向。
三、晶体取向的验证在进行布拉格衍射实验之前，需要验证晶体的取向是否达到要求。
为此，可以采用以下方法：1. 光学或电子衍射：通过观察晶体的光学或电子衍射图样，可以确定晶体的取向情况。
如果衍射图样清晰且与理论模型相符，则表明晶体的取向良好。
2. X射线或电子衍射：利用X射线或电子束进行衍射实验，观察衍射斑图的特征，可以得出晶体的取向信息。
如果衍射斑图的位置和形状符合预期，说明晶体的取向达到了要求。
四、晶体取向的进一步优化如果晶体的取向不符合要求，需要进一步优化。
以下是一些常见的优化方法：1. 样品旋转：通过改变样品的旋转角度，可以调整晶体的取向。
晶片生产工艺流程
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在开始晶片生产之前，首先要进行全面的设计与规划。
晶片制造中的智能制造技术有哪些创新
晶片制造中的智能制造技术有哪些创新在当今科技飞速发展的时代，晶片制造作为半导体产业的核心环节，正经历着一场深刻的变革。
智能制造技术的引入，为晶片制造带来了前所未有的创新和突破，大幅提升了生产效率、产品质量和产业竞争力。
一、先进的光刻技术光刻是晶片制造中最为关键的工艺之一，直接决定了晶片上晶体管的尺寸和密度。
在智能制造的推动下，光刻技术不断创新。
例如，极紫外光刻（EUV）技术的出现，使得光刻的波长缩短到 135 纳米，能够实现更精细的图形转移，从而制造出更小、性能更强大的晶体管。
为了提高光刻的精度和稳定性，智能控制系统被广泛应用。
这些系统可以实时监测光刻过程中的参数，如曝光剂量、焦距等，并进行自动调整和优化，减少工艺偏差，提高晶片的一致性和良品率。
此外，光刻胶材料的研发也在不断创新。
新型光刻胶具有更高的分辨率、更好的抗刻蚀性能和更低的缺陷率，能够满足先进光刻工艺的需求。
二、智能化的晶圆加工晶圆加工过程包括刻蚀、沉积、研磨等多个环节。
智能制造技术使得这些环节更加高效和精确。
在刻蚀工艺中，智能化的刻蚀设备能够根据晶圆的特性和工艺要求，自动调整刻蚀参数，如气体流量、射频功率等，实现精准的刻蚀深度和轮廓控制。
沉积工艺方面，化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）技术不断改进。
智能控制系统可以精确控制沉积过程中的温度、压力和反应气体比例，确保薄膜的质量和均匀性。
晶圆研磨环节中，采用智能研磨设备能够实时监测研磨压力和厚度，实现高精度的晶圆减薄和平坦化处理。
三、自动化的检测与测量检测与测量是保证晶片质量的重要手段。
智能制造技术带来了更先进的检测与测量方法。
光学检测技术不断发展，能够检测出微小的缺陷和瑕疵。
智能图像识别系统可以快速准确地识别出缺陷的类型和位置，并将数据反馈给生产系统，以便及时采取措施进行修复。
电子束检测技术在高精度检测方面发挥着重要作用。
通过智能控制电子束的扫描路径和参数，能够对晶片进行纳米级别的检测和分析。
一种前沿高速硅基光调制器的封装优化设计
一种前沿高速硅基光调制器的封装优化设计随着信息通讯技术的飞速发展，人们对高速、高效率的通讯设备需求日益增加。
硅基光调制器作为光通讯领域的重要元器件之一，其性能直接关系到通讯设备的传输速率和稳定性。
在当前市场环境下，对硅基光调制器封装的优化设计成为了业内关注的焦点之一。
本文将针对一种前沿高速硅基光调制器的封装优化设计展开全面深入的阐述。
1. 硅基光调制器概述硅基光调制器是利用半导体材料的电光效应进行光信号调制的一种光学器件，其主要应用于光通讯和光电器件中。
在光通讯系统中，硅基光调制器能够将电子设备产生的电信号转换成光信号，实现光信号的调制和传输。
现阶段，硅基光调制器已成为了下一代高速光通讯系统的重要组成部分，对其封装设计的优化意义重大。
2. 封装优化设计的意义硅基光调制器在实际应用场景中往往需要与其它光子器件相结合，以满足更高效率、更高速率、更大容量的光通讯需求。
封装优化设计将直接影响硅基光调制器在系统中的性能表现，包括但不限于传输速率、稳定性、热稳定性等方面。
进行封装优化设计，不仅可以提高硅基光调制器的传输速率和稳定性，还能够降低系统的能耗，提高系统的整3. 封装优化设计的关键问题在进行硅基光调制器封装优化设计时，需要重点解决以下几个关键问题：3.1 封装材料的选择封装材料的选择直接关系到硅基光调制器的散热性能和电子性能。
优秀的封装材料应当具备良好的导热性能和电绝缘性能，以保证硅基光调制器在工作时不受外部环境的影响。
3.2 封装结构的设计封装结构的设计应当考虑到硅基光调制器的实际使用场景，并且要保证封装后的硅基光调制器能够稳定工作，不受外部振动和温度变化的干扰。
3.3 封装工艺的优化封装工艺的优化对于硅基光调制器的性能提升至关重要。
包括但不限于封装过程中的自动化程度、封装焊接工艺的优化、封装后的组装质4. 封装优化设计思路在进行硅基光调制器封装优化设计时，应当遵循以下设计思路：4.1 结合实际需求封装设计应当紧密结合实际的光通讯系统需求，确保封装后的硅基光调制器能够在实际应用场景中得到充分发挥。
Flipchip工艺流程
Bump Substrate
Kingbond Training Course
SBB Process
IC
IC
Stud Bump
Substrate
Flip Chip Bond
Cure oven
IC
Cure oven
Substrate
Underfill
Kingbond Training Course
C4: Controlled Collapse Chip Connection Process
Silicon Wafer arrives with an aluminum based final metal pad and die passivation. Wafer can be probed prior to bumping.
Kingbond Training Course
Wafer Bump (Printed method) Process: Sputter UBM
IC
Solder
Bump
Substrate
GGI (Gold to Gold interconnection)
IC
Au Bump
Substrate
Au Electrode
ACF/ACP (Anisotropic Conductive Film/Paste)
IC
Anisotropic
conductive
Etch to form UBM cap
Kingbond Training Course
Wafer Bump (Printed method) Process: Print solder paste & reflow
SiC单晶加工参数优化及表面粗糙度预测
SiC 单晶加工参数优化及表面粗糙度预测李伦1，2，杨少东1，2，李济顺1，2，陈稳1，2（1.河南科技大学河南省机械设计及传动系统重点实验室，河南洛阳471003；2.河南科技大学机电工程学院，河南洛阳471003）来稿日期：2020-01-02基金项目：河南省高等学校重点科研项目计划（17A460013）作者简介：李伦，（1969-），男，河南镇平人，博士研究生，副教授，主要研究方向：硬脆材料加工技术与机械设计仿真分析；杨少东，（1992-），男，河南唐河人，硕士研究生，主要研究方向：硬脆材料加工技术1引言碳化硅（SiC ）单晶具有耐高温、导热性强、高电子饱和漂移率、低介电常数、抗冲击强和硬度高等特点，成为航空航天、半导体和微电子等领域制作高频、高温、高功率光电器件的理想材料[1-2]。
电子和光学器件应用SiC 单晶片高性能的同时，对其表面质量具有严格的要求。
SiC 单晶切割作为晶片生产制造过程中的重要工序，晶片表面质量对后续加工成本和晶片的性能具有显著影响[3-4]。
因此，研究线锯切割SiC 单晶的加工参数对线锯锯切力、晶片表面粗糙度的影响规律、以及预测晶片表面粗糙度都具有十分重要的意义。
国内外学者对金刚石线锯切割SiC 单晶等硬脆材料加工参数和锯切力、晶片表面粗糙度的研究有大量的文献报道。
文献[5]利用固结磨料金刚石线锯对SiC 单晶进行切割实验，发现工件进给速度对晶片表面粗糙度及亚表面损伤层影响最大。
文献[6]基于压痕断裂力学分析了硬脆材料表面粗糙度与加工参数的数学模型，结果表明晶片表面粗糙度随工件进给速度增大而增大，随线锯速摘要：因独特的共价键晶体结构，SiC 单晶具有较高的硬度和脆性，是典型的难加工材料。
以横向超声激励线锯的方法对SiC 单晶进行切割，采用正交实验设计，并引入灰色关联分析法研究切割过程中锯切力、晶片表面粗糙度等多目标与主要加工参数之间的影响关系，以及获得线锯加工最优参数组合，即工件进给速度0.025mm/min 、超声振幅1.8μm 、线锯速度1.6m/s 、工件转速16r/min 为最优加工参数组合，并通过实验进行验证。
晶片设计中的EDA工具如何优化
晶片设计中的EDA工具如何优化在当今的半导体行业中，晶片设计是一项极其复杂且精细的工作，而电子设计自动化（EDA）工具在其中扮演着至关重要的角色。
随着晶片设计的复杂度不断提高，对 EDA 工具的优化需求也日益迫切。
那么，如何对晶片设计中的 EDA 工具进行优化呢？首先，我们需要明确 EDA 工具在晶片设计中的作用。
EDA 工具涵盖了从设计规划、逻辑综合、布局布线到最后的验证等多个环节。
它们帮助设计师将复杂的电路设计转化为可制造的晶片蓝图，提高设计效率，减少错误，并确保设计的性能和可靠性。
为了优化 EDA 工具，提高其性能和效率，一个关键的方面是算法的改进。
现有的算法可能在处理大规模、高性能的晶片设计时存在局限性。
例如，在逻辑综合阶段，传统的算法可能无法有效地优化电路的面积、速度和功耗等关键指标。
因此，研究和开发更先进的算法，如基于启发式搜索、机器学习或进化算法的方法，可以显著提高逻辑综合的效果。
通过这些新算法，可以更智能地探索设计空间，找到更优的电路结构和参数配置。
另一个重要的优化方向是并行计算的应用。
随着晶片规模的不断增大，单个计算核心的处理能力已经无法满足需求。
采用并行计算技术，如多核 CPU 并行、GPU 加速或者分布式计算，可以大大缩短 EDA 工具的运行时间。
例如，在布局布线阶段，可以将晶片划分成多个区域，分配给不同的计算核心同时进行处理，然后再整合结果。
这样可以显著提高处理速度，使得设计师能够更快地获得设计结果，加快产品的上市时间。
优化 EDA 工具的内存管理也是至关重要的。
在处理大型晶片设计时，内存需求巨大。
如果内存管理不当，可能会导致频繁的内存交换，严重影响性能。
通过采用更高效的内存分配和回收策略，以及使用数据压缩和缓存技术，可以减少内存的使用量，提高内存访问的效率。
例如，对于重复出现的电路结构，可以采用共享内存的方式来减少内存占用。
此外，提高 EDA 工具的互操作性也是优化的一个重要方面。
(整理)集成电路设计习题答案1-5章
CH11．按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。
MOORE定律2．什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。
特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。
环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计3．多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。
意义：降低成本。
4．集成电路设计需要哪四个方面的知识？系统，电路，工具，工艺方面的知识CH21．为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用 ?原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉2．GaAs和InP材料各有哪些特点? P10,11 3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。
P13 5．列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe, 6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。
特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。
欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。
P19,21CH31．写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。
外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。
浅谈DFM(半导体晶片可制造性设计)现况
Metal 1, AlCuP-EpiP-Wafer N-Well P-WellPMD p +p +n +n +WMetal 1Contact P-well N-well Polycide gate and local interconnectionV ssV ddNMOS PMOSV inV out STICMOS inverter layout Mask 1, N-well Mask 2, P-wellMask 3, shallow trench isolation Mask 4, 7, 9, N-Vt, LDD, S/D Mask 5, 8, 10, P-Vt, LDD, S/D Mask 6, gate/local interconnection Mask 11, contact Mask 12, metal 1Layout and Masks of CMOS Inverter曝光後製作出來的圖形已經變形得無法接受當波長小於孔徑繞射會嚴重影響成像，目前曝光所使用的光波長為193nm ，而我們所要顯影的線寬卻是65nm 或更小Why DFM?CMP (Chemical Mechanical Polishing)鑽石植佈技術化學蝕刻與機械磨削兩者相互作用下，將晶片上凸出的沈積層，加以去除密度不同的區域，研磨的速率不同，若密度不均則會增加後續製程上的困難增加金屬層的密度均勻度有助於改善製程中平坦化的良率Critical Area Analysis z A defect shorting conductor lines causing a fault.wireDefect of size r Critical area for defect of size rshort Particle causes openParticle causes shortMicrolithography微影製程z將圖形顯影於矽晶圓Optical Proximity Correction (OPC)z Optical proximity correction (OPC) is a photolithography enha ncement techniques commonly used to compensate the mask p attern for image errors due to diffraction or process effectsHammer headjogserifExtension Typical OPC typeCorner roundingz simulation-based lithography OPC verification tool to ensure effective OPC before mask makingEEtaiwan: 台積電(TSMC)推出設計參考流程7.0版。
用于硅片传输系统的机械手设计
减 速 器 的 降速 ， 化 了机 构 ， 少 了 污 染 。如 图 １ 简 减
所 示 为 美 国 ＡＤ Ｐ 公 司 开 发 的 ￥ ５ Ｃ 系 列 ， ＥＴ ３０ Ｒ 是 典 型 的直接 驱 动 ４轴平 面 关节 型机 械手 ， 其 、， ｌ 轴
内半 导 体 设 备 厂 商 占据 份 额 非 常 小 。 根 据 国 内硅 片发 展 现 状 以 及 发 展 趋 势 ， 本 文 主 要 对 ３ ０ｍｍ 全 自动 探 针 测 试 台 的 机 械 手 结 构 ０ 进 行 设 计 及 优 化 。 而 推 广 到其 他 硅 片生 产 工 序 ， 进 以调 高 国 内半 导 体 设 备 生 产 效 率 和 国际 竞 争 力 。
可 靠 性 。随 着 硅 片生 产 的 产量 和 尺 寸 的不 断 增 加 ，
要 求硅 片 生 产 向着 高速 、 连 续化 生 产 方式 发 展 ， 人 工 装夹 的方 式 已无 法达 到 这 一要 求 。 由于是 在 有 限 的空 间 中实 现 硅 片工 位 的 快速 转 换 ， 因此 对 硅 片传
ｐ ｏｄ ｃ ｉ ｅ ｏ ｅ ｉｏ ｕ ｔ ｒ ａ ｏｎ ｒｂ ｅ ｅ ｏ ｍｏ ｌ ｔ ｈ ｏ ｅ ｒ ｗｎ ｐ ｏ ｕｃ ｉ ｅ ｏ ｒ ｕ ｔｌｎ ｆｔ ｓ ｍ ｃ ｎｄ ｃ ｏ ：ｃ ｎ ｃ ｔｉ ｕｔ ｎ ｒ ｕｓｙ ｏ ｔ ｅ ｈ ｍ ｇ ｏ ｒ ｄ ｔｌｎ ｆ ｔ ｈｅ ｈｅ ｓ ｍ ｉｏ ｕ ｔ ｒｉ ｔ ｅ ｆ ｔ ｒ ． ｅ ｃ ｎｄ ｃ ｏ ｎ ｈ ｕ ｕ ｅ Ｋｅ ｙｗｏｒ ：Ｗ ａ ｅ ： ａ ｆ ｒＳ ｔ ｍ ： ｂｏ ： ｏ ｅ Ｓｔｔｏ ｄｓ ｆ ｒ Ｔｒ ｎｓｅ ｙｓｅ Ｒｏ ｔ Ｐｒ ｂ ａ ｉ ｎ
关键 词 ： 片 ； 输 系统 ； 硅 传 机械 手 ； 针 测 试 台 探
一种穿戴型力反馈主手结构的综合尺度优化
Ａｂ ｔ ａ ｔ Ｕｓ ｎ ｉ ｋ ｍｅ ｈ ｎ ｓ ａ ｄ ｕ ｔ ａ ｏ ｉ ｂ ａ ｅ ａ ａ ｌ ｍａ ｔ ｒ ｆ ｇ ｒ ｗｉ ｏ ｃ ｅ ｄ ａ ｋ ｉ ｓ ｒ ｃ ： ｉ ｇ ｌ ｃ ａ ｉｍ ｎ ｌｒ ｓ ｎ ｃ ｒ ｋ ，ａ ｗｅ ｒ ｂ ｅ ｎ ｓ ｅ ｉ ｅ ｔ ｆ ｒ ｅ ｆ ｅ ｂ ｃ ｓ ｎ ｈ
第 ４ 卷 第 ４期 ２
２１ ０ ０年 ８月
南
京
航
空
航
天
大
学
学
报
Ｖｏ ． ２ Ｎｏ ４ １ ４ ．
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱＡｕ ｇ． ２ ０ ０１
Ｊ ｕ ｎ ｌ ｆＮａ ｊ ｇ Ｕｎｖ ｒ ｉ ｆＡｅ ｏ ａ ｔ ｓ＆ Ａｓｒ ｎ ｕ ｉｓ ｏ ｒ ａ ｎｉ ｉｅ ｓｔ ｏ ｒ ｎ ｕ ｉ ｏ ｎ ｙ ｃ ｔｏ ａ ｔｃ
Ｄｅ ｉ ｅ ｗｉｈ Ｆｏ ｃ ｅ ｂ ｃ ｖ ｃ ｔ ｒ ｅ Ｆｅ ｄ ａ ｋ
Ｇｕ Ｓｈ ａ ｈ ａ ｇ ｕ。 ｏＹｕ ， ｕ ｉＳ ｕ ｎ ｈ ｉ，Ｓｕ ｉｕ ｈ ｏＣｈ ｎ ｈ ｎ ｎ Ｚｈｊ ｎ ，Ｚ ａ ｕ ｓ ｅ ｇ
（ ． ｎ ｔ ｕｅｏ ｒ ｃ ｉｎ Ｄ ｉ ｎ ， ｎｉｇ Ｕｎｖ ｒｉ ｆ ｒｎ ｕ ｉ １ Ｉ ｓｉ ｔ ｆ ｅｉ ｏ ｒ ｉｇ Ｎａ ｊ ｉ ｓ ｙｏ ｏ ａ ｔ ｓ＆ Ａｓｒ ｎ ｕ ｉ ， ｎｉｇ ２ ０ １ ， ｈｎ ； ｔ Ｐ ｓ ｖ ｎ ｅ ｔ Ａｅ ｃ ｔｏ ａ ｔ ｓ Ｎａ ｊ ， １ ０ ６ Ｃ ｉａ ｃ ｎ
名创优品可口可乐联名耳机的晶片方案
名创优品可口可乐联名耳机晶片方案1. 方案目标本方案旨在为名创优品与可口可乐的联名耳机提供一个晶片方案，以确保耳机的功能性、可靠性和用户体验。
具体目标包括： 1. 提供高质量的音频传输和解码功能；2. 实现无线连接和蓝牙功能；3. 支持耳机的主要控制功能；4. 保证耳机的低功耗和长久的电池寿命； 5. 提供稳定的连接和通信性能； 6. 优化耳机的音频效果和音质； 7. 保证耳机的外观设计与品牌形象相符。
2. 实施步骤步骤1：需求分析首先，我们需要与名创优品和可口可乐的代表进行会议，明确联名耳机的功能和设计要求。
在会议中，我们将详细了解以下要求： - 耳机的外观设计和品牌定位；- 音频传输和解码要求； - 无线连接和蓝牙功能要求； - 主要控制功能需求； - 电池寿命和低功耗要求； - 连接和通信性能需求； - 音频效果和音质要求。
步骤2：晶片设计和开发基于需求分析的结果，我们将开始进行晶片设计和开发。
具体步骤如下： 1. 设计音频传输和解码功能：根据音频解码要求，选择适当的解码器，并在晶片上实现音频传输和解码功能。
2. 设计无线连接和蓝牙功能：根据无线连接和蓝牙功能要求，选择适当的无线模块，并在晶片上实现无线连接和蓝牙功能。
3. 设计主要控制功能：根据主要控制功能需求，设计合适的控制电路，并在晶片上实现主要控制功能。
4. 优化电池寿命和功耗：通过优化电路和算法，确保耳机具有低功耗和长久的电池寿命。
5. 优化连接和通信性能：通过优化无线连接和通信算法，确保耳机具有稳定的连接和通信性能。
6. 优化音频效果和音质：通过优化音频解码和放大电路，确保耳机具有高质量的音频效果和音质。
步骤3：原型制作和测试完成晶片设计和开发后，我们将制作耳机的原型，并进行测试。
具体步骤如下： 1. 制作晶片和其他电路的原型：根据晶片设计和开发的结果，制作晶片和其他电路的原型，并进行组装和焊接。
2. 进行功能测试：对耳机的各项功能进行测试，包括音频传输和解码功能、无线连接和蓝牙功能、主要控制功能等。
单晶片换能器的设计与制备技术
单晶片换能器的设计与制备技术单晶片换能器是一种能够将一种形式的能量转换为另一种形式的器件。
在现代科技领域中，它们已广泛应用在声波、光波、热能等各种能量转换过程中。
单晶片换能器的设计与制备技术关键是要实现高效率、高灵敏度和低能耗的能量转换，同时要考虑其稳定性和可靠性。
设计单晶片换能器需要考虑多个因素。
首先，需要选择合适的材料作为单晶片的基片。
常见的材料有硅、石英和锗等。
选择基片材料时要考虑其物理和化学性质，以及所需能量转换的频率范围。
其次，需要设计合适的换能结构。
这包括选择适当的换能元件，如压电材料和磁性材料，并考虑其布局和电路连接方式。
此外，还需要考虑换能结构的尺寸和形状对能量转换效果的影响。
最后，需要考虑功率调节电路的设计，以确保能量转换过程的高效率和稳定性。
单晶片换能器的制备技术包括多个步骤。
首先，需要将选定的基片材料进行切割和化学处理，以获得单晶片的核心部分。
然后，在单晶片表面涂覆特殊的功能材料，如压电材料或磁性材料，以形成换能结构。
涂覆的过程可以使用溶液浸渍法、物理气相沉积法或激光制备法等不同的技术。
接下来，需要进行光刻和蚀刻等微加工步骤，以定义换能结构的几何形状和尺寸。
最后，对单晶片进行器件封装和电路连接，以实现能量转换的完整功能。
在单晶片换能器的设计与制备过程中，还需要考虑一些重要的技术挑战。
首先，材料的选择和处理对能量转换效果有重要影响。
例如，在压电材料的选择中，需要考虑其压电系数、热稳定性和耐腐蚀性等因素。
此外，制备过程中需要控制材料的精确纯度和厚度，以实现高效的能量转换。
其次，换能结构的设计和微加工过程需要考虑器件的尺寸效应和悬臂梁效应等微纳米尺度的影响。
同时，也需要考虑材料的热膨胀系数和热机械性能等因素，以确保换能器在不同温度和环境条件下的稳定性。
除了技术挑战，单晶片换能器的应用还面临着一些实际问题。
首先，由于设计和制备的复杂性，制造成本较高，从而限制了其在大规模生产中的应用。
晶片设计中的安全与可靠性如何保证
晶片设计中的安全与可靠性如何保证在当今高度数字化和信息化的时代，晶片作为各种电子设备的核心组件，其设计的安全与可靠性至关重要。
从智能手机、电脑到汽车、医疗设备，几乎所有的现代技术都依赖于高性能、安全可靠的晶片。
一旦晶片出现安全漏洞或可靠性问题，可能会导致严重的后果，如数据泄露、系统故障甚至危及生命安全。
因此，如何保证晶片设计的安全与可靠性是半导体行业面临的一个关键挑战。
首先，我们需要了解什么是晶片设计中的安全与可靠性。
简单来说，安全性是指晶片能够抵御各种潜在的攻击和威胁，保护存储在其中的数据和运行的程序不被非法访问、篡改或窃取。
可靠性则是指晶片在规定的条件下和规定的时间内，能够正常工作而不出现故障的能力。
这两个方面相互关联，缺一不可。
在保证晶片设计的安全方面，加密技术是一种常用的手段。
通过对数据进行加密，可以使得即使攻击者获取了晶片内部的数据，也无法解读其内容。
同时，硬件层面的安全机制也越来越受到重视。
例如，采用物理不可克隆函数（PUF）来生成独特的密钥，由于 PUF 的输出具有随机性和不可预测性，大大增加了攻击者破解的难度。
此外，防止侧信道攻击也是晶片安全设计的重要环节。
侧信道攻击是指攻击者通过分析晶片在运行过程中产生的诸如功耗、电磁辐射等侧信道信息来获取敏感信息。
为了防范此类攻击，需要在晶片设计时采用诸如掩码技术、随机化技术等来减少侧信道信息的可利用性。
而在可靠性方面，晶片的制造工艺和材料的选择起着决定性的作用。
先进的制造工艺可以提高晶片的集成度和性能，但同时也可能引入更多的缺陷和可靠性问题。
因此，在工艺研发和生产过程中，需要进行严格的质量控制和可靠性测试。
例如，通过使用电子束检测、X 射线检测等技术来检测晶片内部的缺陷。
同时，对晶片进行高温、高压、高湿度等极端环境下的可靠性测试，以确保其在各种恶劣条件下仍能正常工作。
除了制造工艺，晶片的架构设计也会影响其可靠性。
合理的架构设计可以减少单点故障的发生，提高系统的容错能力。
芯片客户designin流程
芯片客户designin流程芯片设计的整个流程可以分为以下几个主要阶段：需求分析、架构设计、电路设计、物理设计、验证与测试、制造生产等。
1.需求分析阶段：需求分析阶段是芯片设计的第一步，主要目的是明确客户对芯片的要求和期望。
这包括性能指标、功耗要求、功能特性、接口要求等。
设计工程师需要与客户进行充分的沟通，确保完全理解和满足客户的需求。
在需求分析阶段，还需要对相关市场和竞争产品进行调研，以便为芯片设计提供合适的设计方向和目标。
2.架构设计阶段：在确定了客户需求后，设计工程师需要进行芯片架构设计。
架构设计决定了芯片内部各个功能模块的组织结构和相互关系。
它需要考虑系统整体性能、功耗、可靠性等多个方面的因素，并在满足需求的前提下找到一个最优的设计方案。
架构设计阶段通常需要进行多次的评估和优化，以确保设计的可行性和可实现性。
3.电路设计阶段：在架构设计确定后，接下来是具体的电路设计。
电路设计包括各个功能模块电路的详细设计和布局，以及相应的模拟和数字电路设计。
在电路设计阶段，设计工程师需要运用各种分析和仿真工具，确保电路设计满足性能、功耗、噪声等各项指标的要求。
电路设计的过程通常是多方面的权衡和优化，并需要解决各种可能的问题和难题。
4.物理设计阶段：物理设计是指将电路设计转化为实际的物理布局和连线。
在物理设计阶段，设计工程师需要将电路图映射到实际的晶片布局，确定各个电路模块的位置和连接方式。
物理设计还包括时序分析、功耗分析、信号完整性分析等。
物理设计需要运用专业的EDA工具，以提高设计的准确性和效率。
5.验证与测试阶段：在完成物理设计后，设计工程师需要对芯片进行验证和测试。
验证主要是对设计功能、性能和稳定性进行全面的测试，确保其满足之前定义的需求和规格。
测试则是针对健全性和可靠性进行的各种测试，在不同的工作条件下对芯片进行高温、低温、电磁干扰等各项测试。
验证和测试阶段需要运用各种测试仪器和工具，并通过模拟、仿真和实际测试相结合的方法来进行。
电厂仪表自动化优化设计与施工要点
电厂仪表自动化优化设计与施工要点摘要：近年来，随着我国经济的快速发展，许多工业的发展迅速，工业的自动化程度不断提升，而自动化设备的使用也日益增多。
在实际应用中，设计和施工中存在的一些潜在问题都有可能发生。
仪器设备的自动优化设计与施工是一个十分关键的问题，本文着重从电站仪表的自动化设计和建设等几个方面进行了论述和研究。
关键词：电厂仪表；自动化设计；施工要点随着社会的发展，各行各业的发展都在飞速的发展，同时也因为在生产中，很多的手工操作都会出现问题，但是自动化的仪器却可以很好的控制一些流程，用一个安全、有效的仪器来监控设备的运转，如果用电脑来代替手工，那就会降低很多问题。
现在的仪器不仅可以减少错误，还可以降低风险。
1.关于仪器自动化的基本阐述文章从仪器自动化的内容、基本含义等几个方面进行了简要的论述，这是开展该工作的基础，也是一个较为关键的环节。
自动化设备的自动化，不仅仅是声音、光、电、微电子等方面的技术，更重要的是，它需要更多的知识来实现。
由于采用了最新的技术和材料，所以设备的应用范围也会更大，所以可以让仪器更加的智能化，这就是仪器的自动化。
在选择自动仪器时，应注意下列事项：首先，要时刻保持一种科学的意识，因为自动化仪表是一种高技术设备，所以在选用仪器的时候，要注意科学和经济的关系，这样才能更好地控制仪表。
测量、分析和探讨仪器的各个检测点。
其次，技术上要达到标准，目前的仪器行业，技术上的技术指标必须要科学和经济，这样才能保证仪器的性能和性能，同时还要考虑到仪器的使用和使用情况，所以必须要选择合适的材质，这对仪器的后期应用至关重要。
其次，仪器的型号要有一个基本的相似度，以便在大型的工程中，不会由于仪器的技术特点、设计类型和所用技术的不同而造成不同的效果。
2.仪表自动化系统优化设计2.1自动化仪表的优化设计特点及依据随着生产技术的不断成熟和进步，国内的仪器自动化水平不断提高。
由于工艺过程中的检测点较多，对设备的要求也比较复杂，仪器的自动化工作大多集中在项目的最后阶段，所以时间比较紧张。
北京航空航天大学科技成果——软体仿人手指
北京航空航天大学科技成果——软体仿人手指成果简介仿人手指作为人类肢体活动的有效拓展，是机器人研究领域的重要课题之一。
目前，传统仿人手指一般通过复杂的多关节结构和精巧的驱动系统来实现类似于人手的灵巧动作。
然而，这种仿生手指的设计难度大、研发周期长、制造成本昂贵，需要复杂的传感控制和精密的零部件来保证动作运行的可靠性和安全性。
同时，传统仿人手指多由基于硬质材料（金属、塑料等）的刚性运动副连接构成，与真实人手质感的差异限制了其与外界环境的交互体验。
本项目研发设计了一种软体仿人手指，该手指与传统刚性仿人手指存在本质的区别。
软体仿人手指全部采用柔性材料制得层结构（所述的层结构既是从内至外是空心基体层、纤维包络层和皮肤外层，而软体仿人手指的底面板从内至外是空心基体层、应变限制底层、纤维包络层和皮肤外层），而非传统的硬质塑料或者金属。
本发明软体仿人手指应用空心基体中心部位的封闭空腔能够通过对纤维包络层和应变限制底层的布局和材料设定来实现不同曲率和曲线的弯曲动作，即以结构“预编程”的方式实现了欠驱动柔性运动，从而降低了软体仿人手指结构复杂度。
同时，软体仿人手指采用被动式的控制策略，在成本、体积、系统复杂度等方面，相对于采用主动控制方式的传统仿生手指具有显著的优势。
由于柔性的材质基体对压力产生很小的阻抗，软体仿人手指能够吸收外界冲击力，并且能够更好地适应交互对象的形状尺寸。
同时，柔性软体材料的应用，能够使仿人手指更加接近真实手指的外形与质感。
软体仿人手指的制造快速和成本低廉使其也适合于高危行业的操作场合以及未来仿生机器人的订制化。
同时，软体仿生手指的高度拟人特性以及与生俱来的安全性，能够大大提升了其与外界环境对象（如人、动物、易碎物等）的交互能力。
技术特点1、软体仿生手指的动作机理是将由聚合弹性材料组成的高弹连续封闭空腔收束限制在一定的形状，构成超冗余结构空间，获取无限度自由度和连续变形能力。
2、采用被动式的控制策略，在成本、体积、系统复杂度等方面，相对于采用主动控制方式的传统仿生手指具有显著的优势。
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图 １ 机器人 Ｙ型手指
程 问题 。一 阶方法基 于 目标函数对设计变量 的敏感 程度 ， 因此更加适合 于精确 的优化分析 。 于这两种 对
本 文通过对沈阳芯源微电子设备有 限公 司星形 方 法 ， ＮＳ Ｓ程 序 提 供 了 一 系 列 的 分 析——评 Ａ Ｙ 匀胶显影设备的 Ｙ型手指进行优化设计 ，说 明了优 估——修正的循环过程。就是对于初始设计进行分 化设计的步骤 ，并将手指端部的下挠度减小到可接 析 ，对分析结果就设计要求进行评估 ，然后修正设 计。这一循环过程重复进行 ， 直到所有 的设计要求都 受的范 围。 满 足为 止 。 除 了这两种优化方法 ， Ｎ Ｙ 程序还 提供 了一 Ａ ＳＳ １ 建 模 系列的优化工具 ， 以提高优化过程的效率 。例如 ， 随 Ａ ＳＳ Ｎ Ｙ 传统的建模方法 比较费时费力 ，而使用 机优化分 析的迭代次数是可 以指定 的。随机计算 结 果的初始值 ， 可以作为优化过程 的起点数值。 Ａ Ｄ 语言可以更加快速高效地完成这一工作。 ＰＬ 在手 本文分析 的 目 标是手指的刚性 。手指为薄壁 金 指模 型中 ， 并不是 把每一个尺寸特征都参数化 ， 而要 属件 ， 故单元类 型采用板壳单元 ｓｅ ３ ｈｌ６ 计算 。手指 ｌ 根据 总体的设计要求来确定 。 右端通过螺栓与机器人手臂连接 ，左端 以真空吸附 模型中不变的参数有两个 ：一是手指的总长 ， 它 的方式 ， 晶片吸附在手指上 。 将 故模型右端与机器人 是由晶片所需要的传送距离所确定 的；二是手指根部 螺栓连接部分 ， 可处理为刚性的全约束 ， 晶片每次放 的宽度 ， 它是 由机器人手臂的连接槽尺寸所确定的。 置在手指上的位置是固定 的，要保证手指圆弧的圆 需要参数化 的尺寸数据一共有 ４ ，圆弧半径 个 心和 晶圆的圆心重合 ， 为与实际情况更加符合 ， 载荷 手指宽度 Ａ， 手指外侧长度 Ｂ 收 回尺寸 Ｃ 如 图 ２ 加载方式为以晶片圆心处为 中心 ，晶圆所覆盖 的区 ， （
【 Ｇ ＇０９． ２ｏ ， １ ＷＩ ０５１ ｏ８ 圆柱齿 轮 精度制 第 １ ］ １ — 部分 ： 同 轮齿 侧齿面偏差 的定义 和允许值 【． Ｓ ］ ［ Ｇ ０５ —２０ ， ２ ｗｒ ０９． ｏ ８圆柱齿轮 精度制 第 ２ ］ １ ２ 部分 ： 向综 径 合偏差与径 向跳动 的定义 和允许值 ［． Ｓ 】
［】 ３ 李必 文． 机械精度 设计与 检测（ ． 沙 ： Ｍ］长 中南 大学 出版社 ，
２ １． ０ １
５ 结束语
本文论述了在齿轮精度设计和切齿加工 中应用 径 向跳动的意义 ， 从理论和生产实践 的角度 ， 给出了
［］ ４ 厉始 忠． 中国圆柱齿 轮精度标 准走 向何 方【 ． Ｊ 机械工业标 准 ］ 化与质量， ０ ５ （ １ ：３— ７ ２０ ，ｏ ）３ ３ ．
，
所示 ） 。因手指为对称结构 ， 为节省资源与计算时间，
域建立一个 刚性 区域 ， 晶片的 自重加在 中心处 。 将
收稿 日期 ：０ １０ — ５ ２１－８０ 作 者简介 ： 谷德君 （９３ ）男 ， 宁辽阳人 ， １８一 ， 辽 工程师 ， 工学硕士 ， 研究方 向 ： 机械 Ｃ ＤＣ Ｅ Ａ ／Ａ 。
Ｆ ，０Ｆ ，２ Ｋ１，Ｚ一
／ ＯＬ Ｓ ／ Ｔ Ｔ ． ０Ｌ Ｓ Ａ ＵＳ Ｓ Ｕ
１ 加 载荷 施
最小 值
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最大值
９ Ｏ
１ ２ ４ ０
ＳＬ Ｅ ＯＶ
／ ＯＳ Ｐ Ｔ１
！ 求解
手 指宽度 Ａ 手指长度 Ｂ 收回尺寸 Ｃ
７ ０
９ ０
Ｔｈ ｆ ｃ ｆ ｄａ ｎ ｕ ｍｐｅ ｎ ｉｇ ｔ ｅ Ｎｅ Ｎａ ｉｎ ｌ ｅＥ ｅ ｔ ｏ Ｒａ ｉｌ Ｒｕ －ｏ ｔｉ Ｉ ｌｍｅ ｔ ｗ ｔ ａ ｎ ｎ ｈ ｏ
Ｓｔ ｎ ａ ｄ Ｃｙｉｄ ｉａ ａ ｃ ｒ ｃ ａ ｄ ｒ ｌ ｒ ｌ ｎ ｃ Ｇｅ ｒ Ａｃ ｕ ａ ｙ
Ｅ ｕ ｐ ｎ Ｍａ ｕａ ｔ ｎ ｅ ｈ ｏ ｏ ｙ Ｎｏ１ ， ０ ｑ ｉ ｍｅ ｔ ｎ ｆ ｅｒ ｇＴ ｃ ｎ ｌ ｇ ． １ ２ １ ｉ １
晶片传递 手指优 化设计
谷德 君 ， 张浩渊 ， 继奎 卢
（ 沈阳芯源微 电子设备有限公 司， 辽宁 沈 阳 １０ ６ ） １８ １
切齿误差 主要原因 采取 的措施
在贯彻 圆柱齿轮精度新 国标 的过程 中不能舍弃径 向 跳动这一项 目的结论。这也 同时给齿轮工作者一个 启示 ，即应主动熟悉新国标 ，并根据新老 国标 的异 同， 结合企业 的生产实 际去正确应用 ， 这样才能有效
１ ． 提高齿坯基准面精度要求 １ ． 由齿坯几何偏 心或安装偏心造成 ２ ． 提高夹具定位面精度 ３ ． 提高调整技术水平
文献标识码 ： Ｂ
文章编号 ：６ ２ ５ ５ （ ０ １ １ － ０ ６ ０ １７ — ４ × ２ １ ）１０ ４－ ２
芯 片加工设备在使用 中 ，有大量 的晶片在各个 单元间的传递动作 ，这一动作 主要是由机器人及其
附属手指来完成的。 常见的机器人手指可分为 Ｉ 型和 Ｙ型 ， Ｙ型手指如 图 １ 所示 。 手指的内部开有管路 ， 管
路 的一端与机器人的真空管路相连接 ，管路 的另一 端与晶片相接触 ，从 而将晶片通过真空 吸附的方式 图 ２ 需 要 参 数 化 的 手 指 尺 寸 数 据 固定 在 机 器人 手指 上 。 只建立其一半模型 即可 。
ｊｌ ｊ
Ａ ＳＳ Ｎ Ｙ 程序提供了两种优化的方法 ，这两种方 法可以处理绝大多数 的优化问题 。零阶方法是一个
《 装备制造技术＞０ １ ＞ １ 年第 １ 期 ２ １
ｌ ｚ ｎ （） ｏ ＝ｚ１ ｃ
２ 优化 过程及பைடு நூலகம்结果分析
Ａ ＳＳ Ｎ Ｙ 优化模块中有设计 变量 、状态变量和 目
ｌ ａ，ｌ１ｏｘｏｙｌ ｚ ！ ｏ ｌ ，ｃ，ｃ，ｃ 自定义 原点 的柱坐 标 系 ｃ １， ｌ ｌ ｏ
ｃ ｙ ，１ ｓｓ１
摘 要： 通过使 用 Ａ Ｓ Ｓ Ｎ Ｙ 软件 的优 化模块 ， 对机 器人常见 的 Ｙ型 手指结构 进行优 化 ， 结果有效地 减少 了手 指端部 的下
挠度 ， 降低 了手指下挠在示教阶段产生的不 良影响。
关 键 词 ： 递 手 指 ； 化设 计 ； Ｐ 传 优 Ａ ＤＬ
中图分类号 ： Ｐ ４ Ｔ ２２
２ ０ ， ２：８ — ８ ． ０ ７ （ ）１ １ １４ １
ＤＬ １ ，Ｓ ， ，ＹＭＭ １
ＡＥＳ Ｚ ａｌ ， Ｉ Ｅ，ｌ ２ ， ＡＭＥＳ ａ ｌ Ｈ，ｌ
ｌ ｘｎ １ ｏ ＝ｘ（） ｃ ｌ ｙｎ （） ｏ ＝ｙ１ ｃ
［ 刘诗安． ２ ］ 六角钢盘的Ａ Ｓ Ｓ ＮＹ 优化设计叨． 中国科技信息， ２０ ，９：４９・ ０５（ ）９—６ １ 【 孙足来． ３ 】 真空电 弧炉炉体提升机构的 Ａ Ｓ Ｓ ＮＹ 优化设计叨 ・
ＫＡＴｒ １２， ０ ， ， ２， ＫＭＥＳ １ Ｈ， ０
！ 刚性节点
以 Ａ Ｓ Ｓ软件为平 台 ，针对 Ｙ型手 指结构简 ＮＹ 单、 长度 不同形状相似 等特点 ， 使用 Ａ Ｓ Ｓ 化模 ＮＹ 优 块对其外形进行优化 ，保证 了传递手指端部 的下挠 度在可接受的范 围内，最终得 到了比较理想 的优化
Ｎ Ｏ ＴＵＳ Ｍ Ｓ Ｒ ，， Ｕ ！ 将节点位移排序 ＊ Ｅ ，ＭＡ Ｓ Ｒ ， Ｘ ！ Ｇ ＴＤ Ｘ，Ｏ Ｔ， ＭＡ 提取最 大 位移
状态变量（Ｖ ） Ｓ ｓ是约束设计的数值。它们是因变 以上 ４ 个变量为设计变量 ，以挠度值 最小为 目 量， 是设计变量 的函数 。状态变量可能会有上下限 ， 标 函数 ， 得到的优化结果见表 ２ 。 也可能 只有单方 面的限制 ， 即只有上限或 只有下限。 表 ２ 优化结果 （ 位 － 单 ｍｍ） 在本文 中， 因为载荷较小 ， 分析关心的是刚度问题而 不是强度问题 ， 以此处不需要定义状态变量 。 所 目标 函数是要尽量减小的数值 。它必须是设计 变量 的 函数 ， 也就是说 ， 改变设计 变量 的数值 ， 将改 圆 手 手 收 弧 指 指 圆 变 目标 函数的数值 。在本文中 ， 手指的最大下挠度 ， 手指采用以上尺寸 ， 分析结果如图 ３ 所示。 此时手 半 宽 长 尺 径 度 度 寸 应该是 目标 函数。在 Ａ Ｓ Ｓ Ｎ Ｙ 优化程序 中， 只能设定 指端部的下挠 由最初的 ２ ７ ｍ降低到 １ ２ ｍ ．６ ２ ｍ ． 。 ８ｍ 个 目标 函数 。 本 文使用 Ａ Ｓ Ｓ的 Ａ Ｄ ＮＹ Ｐ Ｌ语 言对 手指进行 建 模、 求解和优化分析 ， 下面是 Ａ Ｄ 语 言的部分主要 ＰＬ 代码及其注释 ： Ｅ ， ｓｅ６ Ｔ１ ｈｌ ３ ， ｌ １ 定义单元
径向跳动 ２用顶 尖装 夹定位 时 顶尖 与 机床 更换顶尖或 重新装顶尖 ， 细心 过 大 中心偏心 找正
．
提升齿轮质量水平 和经济效益。
参考文献 ：
３用顶 尖定 位 时 。 ． 因顶尖 或 顶尖 提高 顶尖 及齿 坯顶 尖孔 制 造 孔制造 不 良，使定 位面接触不 好 质 量 ． 并在加 】过程 中保 护顶 二 造 成偏 心 尖孔
Ｎ Ｅ ，Ｌ ＣＸ０１０ Ｓ ＬＳ Ｏ ， ，０ ， ，
ＮＰ ０ Ｌ Ｔ
１ 一 组节 点 选 ！ 义 刚性节 点 定
标 函数。这些变量是 由用户定义的参数来指定的。 设 计 变 量 （ Ｖ ） 自变 量 ， 化结 果 的 取得 ， Ｄ ｓ为 优 就 是通过改变设计 变量的数值来实现的。每个设计变
结果。该分析方法及步骤 ， 对相似零部件的设计具有 定的参考借鉴价值 。
一
ＡＣＥ ， ，，．， Ｌ ００９ ８
ＤＬ ９ ， ＹＭＭ ，， Ｓ
！ 力 重
参 考文献 ：
！ 定义对称约束
！ 定义网格尺寸 ！ 分 网格 划 ！ 提取点坐标