低能电子致DNA链断裂的纳剂量蒙特卡罗模拟

低能电子致DNA链断裂的纳剂量蒙特卡罗模拟
闫聪冲;邱睿;谢文章;李春艳;武祯;李君利
【期刊名称】《强激光与粒子束》
【年(卷),期】2013(025)001
【摘要】In order to simulate the yields of low-energy electrons induced DNA strand breaks, according to D. Emfietzo-glou's dielectric response theory and Bom's correction model, we calculated the inelastic reaction cross sections for low-energy e-lectron transport in liquid water. The physic module on the basis of the Geant4-DNA was established, and also the pre-chemical, chemical, DNA damage analysis modules were established. The yields of DNA strand breaks caused by the different energy electrons uniformly irradiating DNA were simulated, and the simulation results are in good agreement with the published experimental data.%为了对DNA损伤进行纳剂量蒙特卡罗模拟,先根据D.Emfietzoglou给出的介电响应理论和Born修正模型计算了低能电子与液态水的非弹性反应截面,在Geant4-DNA的基础上建立了纳剂量蒙特卡罗程序的物理模块,同时参照国际纳剂量蒙特卡罗程序使用的模型参数建立了纳剂量蒙特卡罗程序的前化学模块、化学模块、DNA几何模块及DNA损伤模块.利用本程序,采用H.Nikjoo给出的对电子均匀照射DNA情形的模拟方法,还模拟计算了不同能量电子均匀照射DNA所导致的DNA链断裂产额,并与已公布的实验数据进行比对,二者符合良好.
【总页数】5页(P153-157)
【作者】闫聪冲;邱睿;谢文章;李春艳;武祯;李君利
【作者单位】清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,高能辐射成像重点学科实验室,北京100084;清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,高能辐射成像重点学科实验室,北京100084;清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,高能辐射成像重点学科实验室,北京100084;清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,高能辐射成像重点学科实验室,北京100084;清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,高能辐射成像重点学科实验室,北京100084;清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,高能辐射成像重点学科实验室,北京100084【正文语种】中文
【中图分类】TL72
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