一种IGBT及其制作方法[发明专利]

专利名称：一种IGBT及其制作方法
专利类型：发明专利
发明人：谈景飞,朱阳军,胡爱斌,张文亮,王波申请号：CN201210530076.6
申请日：20121210
公开号：CN103872111A
公开日：
20140618
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种IGBT及其制作方法，所述IGBT包括：位于所述半导体衬底上表面的栅极结构；位于所述半导体衬底上表面内的阱区、源区和浅阱区，其中，所述阱区内设置有源区，所述阱区、源区以及浅阱区的上表面与所述半导体衬底的上表面齐平，所述阱区和所述浅阱区不接触且掺杂类型相同；位于所述阱区、浅阱区和源区表面上的源极；位于所述半导体下表面的背面结构，所述背面结构包括集电区。

所述IGBT工作时，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-阱区，流入源极，一部分空穴电流可以经过集电区-漂移区-浅阱区，流入源极。

可见，所述浅阱区为IGBT提供了一个额外的电流通道对空穴电流进行分流，进而提高了IGBT的闩锁电流，增加IGBT抗闩锁能力。

申请人：上海联星电子有限公司,中国科学院微电子研究所,江苏中科君芯科技有限公司
地址：200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：王宝筠
更多信息请下载全文后查看。