兆易创新推出最小USON8封装尺寸低功耗SPINORFlash

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存储芯片技术发展分析报告

➢ 市场高端玩家美光与cypress目前均已采用最先进的45nm制程，中低端市场主要产商兆易创新与旺宏于2019年推出55nm制程，华邦预计于2021年量产45nm制程产品。
图：市场主要产商产品情况
公司美光 cypress 旺宏华邦兆易创新ห้องสมุดไป่ตู้
经营模式 IDM IDM IDM IDM Fabless
存储芯片技术发展分析报告
技术发展趋势：制程不是唯一标准，新技术竞相涌现
4.1 NOF Flash:进入40nm制程，SPI接口技术不断优化
1 NOF Flash制程进展缓慢
➢ 1988年，Intel推出第一款NOF Flash商用产品，制程为1.5微米。2005年，Intel推出65nm制程产品，直到2020年，65nm依然是NOF Flash主流制程,而与NOF Flash同源的闪存产品NAND Flash早已进入 10nm制程。
2 DRR系列性能持续优化
➢ DDR是双倍速率同步动态随机存储器，在SDRAM （ Synchronous DRAM ）的基础上发展而来，与
SDRAM相比，它可以在一个时钟读写两次数据，使
得数据传输速度加倍。主要应用在个人计算机、服务
器上。
➢ 自2000年DDR1推出之后，20年内DDR系列已更
➢ 目前市场上DRAM的应用较为广泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm制程的DRAM。国产DRAM厂商合肥长鑫现已量产的DRAM为19nm制程，预计2021年可投产 17nm DRAM，技术与国际先进的厂商还有较大的差距。
图：国际大厂DRAM制程
4.2 DRAM：进入1z制程，DDR5即将面市

兆易创新百度百科

北京兆易创新科技股份有限公司是一家芯片设计公司，于2005年在北京创立，总部位于北京市。

该公司致力于各类存储器、控制器及周边产品的设计与研发，曾在《2019胡润中国500强民营企业》中排名第127。

北京兆易创新科技股份有限公司成立时间2005年04月06日所在城市北京市注册资本47078.065200万人民币法定代表人何卫企业类型股份有限公司(台港澳与境内合资、上市)组织机构代码773369432经营范围微电子产品、计算机软硬件、计算机系统集成、电信设备、手持移动终端的研发；委托加工生产、销售自行研发的产品；技术转让、技术服务；货物展开基本信息企业图谱高管信息13变更信息92企业年报7商标信息79天眼查中文名称北京兆易创新科技股份有限公司[1]年营收32.03亿元（2019年）经营范围各类存储器（SPINORFLASH®、SPINANDFLASHTM）、控制器（GD32TMMCU）及周边产品（SSD）的设计研发展开公司类型股份有限公司总部地点北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层01-15室成立时间2005年1公司简介2公司财报3荣誉记录1公司简介编辑北京兆易创新科技股份有限公司、江苏通用科技股份有限公司、上海亚虹模具股份有限公司等三家公司的首发获通过。

三家公司拟上市地点均为上交所。

其中，通用科技拟发行规模18400万股，拟融资超过8亿元；兆易创新拟发行2500万股，融资约5.2亿元；亚虹模具拟发行2500万股，融资金额不足1.6亿元。

[3]2016年8月30日，北京兆易创新(95.550, 8.69, 10.00%)科技股份有限公司发布半年度报告。

公告显示，公司半年度营业收入65510.43万元，同比增长34.09%，归属于上市公司股东的净利润8990.58万元，同比增长44.16%。

[4]2017年5月，兆易创新获近百家机构的集体调研，调研内容主要围绕Nor Flash （非易失闪存）产品展开。

nor flash不同密度芯片尺寸

nor flash不同密度芯片尺寸Nor Flash是一种非易失性存储器，常用于嵌入式系统中。

它的不同密度芯片尺寸决定了存储容量的大小。

本文将分别介绍不同密度的Nor Flash芯片尺寸及其特点。

一、4Mb Nor Flash芯片尺寸4Mb Nor Flash芯片尺寸相对较小，常见的尺寸为8mm x 20mm。

这种芯片容量较小，适用于存储一些简单的数据或者代码。

它在成本上相对较低，适合对存储容量要求不高的应用场景。

二、8Mb Nor Flash芯片尺寸8Mb Nor Flash芯片尺寸一般为10mm x 20mm。

相比于4Mb芯片，它的容量加倍，能够存储更多的数据。

这种芯片适用于一些中等容量的存储需求，例如存储一些嵌入式操作系统或者中小规模应用程序。

三、16Mb Nor Flash芯片尺寸16Mb Nor Flash芯片尺寸一般为12mm x 20mm。

这种芯片容量相对较大，能够存储更多的数据。

它适用于一些需要较大存储容量的应用场景，例如存储一些图像、音频或者视频等大容量数据。

四、32Mb Nor Flash芯片尺寸32Mb Nor Flash芯片尺寸一般为14mm x 20mm。

这种芯片容量更大，能够存储更多的数据。

它适用于一些需要大容量存储的应用场景，例如存储大型嵌入式操作系统、复杂的应用程序或者大量的多媒体数据。

五、64Mb Nor Flash芯片尺寸64Mb Nor Flash芯片尺寸一般为16mm x 20mm。

这种芯片容量非常大，能够存储大量的数据。

它适用于一些需要极大容量存储的应用场景，例如存储大型游戏、高清视频或者复杂的数据分析应用。

需要注意的是，Nor Flash的容量虽然有所不同，但其工作原理和特点是一致的。

它采用的是串行访问方式，读取速度相对较慢，但擦写次数较多，可达到百万次。

Nor Flash具有非易失性的特点，断电后数据依然保持。

它还具有良好的耐久性和抗电磁干扰能力，适用于各种恶劣环境下的应用。

业内最小体积SOP8封装,带UART输出,高精度免校准计量芯片HLW8110

4mahlw8110典型原理图hlw8110sop8acacdc33v33v负载继电器mcuuart采样电阻470k470k470k470k1k33nf1k1k33nf33nf01uf01uf1mriapianvpvddgndtxvrefrx上图是hlw8110的典型电路外围电路简单外围器件少单路通道用于检测负载设备的功率电压电流和用电量通过uart或接口传输数据至mcuhlw8110内部可以设置功率过载电压过载和电流过载阀值通过内部寄存器可以查询并可以检测电压过零点
业内最小体积 SOP8 封装，带 UART 输出，高精度免校准计量芯片 HLW8110
物联网的英文名称为“Internet of things”，顾名思义，就是“物物相连的网络”，它通过传感器、控制器等设备按照协议把任何物品相连接，从而实现信息交换和通讯。据预测，未来5年，差不多所有人们能够看见的东西都将被纳入物联网，合力为科技一直专注于电“计量”领域的产品研发，此次继HLW8012和HLW8032产品之后，又推出一款新型计量芯片HLW8110，可以满足不同用户在细分场合的性能要求。
2018.2
HLW8110
•SOP8封装 •工作电压：5V •单路测量通道 •内置振荡器 •通讯方式：高频脉冲 •最小测量电流：30mA
•SOP8封装 •工作电压：5V •单路测量通道 •内置振荡器 •通讯方式：UART •最小测量电流：30mA
•SOP8封装 •工作电压：3.3V/5.V •单路测量通道 •内置振荡器 •通讯方式：UART,速率可调 •过零检测 •过载检测 •最小测量电流：4mA
应用场景 HLW8110 适用于 WIFI 插座、计量电表、LED 路灯、充电桩、智能家电和 PDU 设备等领
域。
Wifi Plug

flash 芯片

flash 芯片Flash芯片是一种常见的电子存储器，也称为闪存芯片。

它采用非易失性存储技术，可以在断电情况下保留数据。

随着科技的发展，Flash芯片现在已经成为车载电子、智能手机、计算机等设备中的重要组件之一。

本文将对Flash芯片的原理、特点以及应用进行详细介绍。

Flash芯片的原理基于电荷累积和擦除原理。

具体来说，Flash芯片内部由许多晶体管和存储单元组成。

每个存储单元包含一个浮动栅和控制栅，浮动栅中存储着电荷。

当Flash芯片需要写入数据时，控制栅会施加电压，使电荷从控制栅通过绝缘栅进入到浮动栅中，改变存储单元的电荷状态。

这种写入的过程称为编程。

不同电荷状态代表不同的二进制数值，从而实现数据的存储。

当Flash芯片需要擦除数据时，控制栅会施加高电压，通过隧道注入效应将电荷从浮动栅中排出。

这种擦除的过程会将存储单元恢复到初始状态，可以重新写入新的数据。

Flash芯片具有以下几个主要特点：1. 非易失性存储：Flash芯片内部存储的数据在断电情况下也能够保持，不容易丢失。

这使得Flash芯片在电子设备中广泛应用，例如在智能手机中，用户可以断电重启后依然能够恢复之前的状态。

2. 高速读写：相比传统的机械硬盘，Flash芯片具有更快的读写速度。

这是因为Flash芯片内部没有机械结构，数据是通过电信号进行传输和存储。

3. 低功耗：Flash芯片在读写数据时消耗的功耗相对较低，这有助于延长电子设备的电池寿命。

4. 较小的尺寸：由于Flash芯片内部使用了集成电路技术，因此具有较小的尺寸。

这使得Flash芯片适用于小型设备，如手机和平板电脑。

Flash芯片广泛应用于许多领域。

以下是一些常见的应用示例：1. 汽车电子：车载导航系统、音频播放器和车载通信设备中常常使用Flash芯片存储地图数据、音乐文件和通讯记录等。

2. 移动设备：智能手机和平板电脑中的Flash芯片用于存储操作系统、应用程序和用户数据等。

磁弹性传感器凝血功能检测系统硬件平台设计

摘要凝血功能是血液系统功能的一个重要指标，人体凝血功能异常会导致如血友病、中风等多种疾病发生。

在临床上，如抗凝药物治疗、外科手术，也经常会需要提前了解患者的凝血功能情况。

凝血功能的传统检测方法包括光学法、凝固法、干化学法等。

相关检测技术很成熟、检测仪器自动化程度也高，但存在价格昂贵、操作不便等问题。

相比之下，磁弹性传感器作为一种微型化的新型传感器，能够通过检测传感器共振特性反映粘度、质量、应力等多种参数的变化，无疑在这方面极具优势。

而国内外一些研究团队及本课题组前期工作也证实了利用磁弹性传感器检测凝血功能的可行性，同时，其检测系统具有结构简单、成本低、灵敏度高等特点。

因此，将磁弹性传感器检测和凝血功能检测结合应该具有广阔的应用前景。

本文按照凝血功能检测要求，采用磁弹性传感器阻抗检测方法，设计完成了一套磁弹性传感器凝血功能检测的硬件平台。

平台分为硬件设计和下位机软件设计。

硬件设计包含了微控制器单元、螺线管检测线圈、血液粘度检测电路、温度控制以及检测芯片设计。

血液粘度检测电路按照阻抗检测法分为交流激励、直流激励、相位检测和幅值检测四部分。

下位机软件设计完成对检测电路的控制、与上位机之间的通信以及PID温度控制算法实现。

系统设计完成后，用铁基非晶合金带材1K101制作的磁弹性传感器进行了系统平台的功能性测试，包括了检测系统的重复性测试、空气和不同浓度的甘油溶液共振特性响应测试。

然后进行凝血功能检测实验，实验分为质控品实验和成人全血实验。

实验原始数据与美国Haemoscope公司生产的TEG5000凝血检测仪的测试结果进行了对比分析，结果表明，磁弹性传感器实现了凝血过程中血液粘度变化的动态检测，并且与TEG5000的凝血时间和凝固速度检测结果有类似的动态响应。

关键词：凝血功能，磁致伸缩，磁弹性传感器，粘度检测ABSTRACTCoagulation is an important indicator of blood system function. The abnormality of coagulation function will lead to many diseases, such as hemophilia and stroke. In clinical practice, the patient’s coagulation function will often need to be known in advance, particularly for anticoagulant therapy and surgery.. The traditional detection methods of coagulation include optical method, solidification method and dry chemical method, etc.. Although they are well establish and the relevant detection instruments are also highly automated, they have the disadvantages of high cost and inconvenient operation. In contrast, the magnetoelastic sensor, as a miniaturized, new sensor, which can reflect the change in viscosity, quality, stress and other parameters by detecting the resonance characteristics, is greatly advantageous in this respect. Moreover, our preliminary study and reports for other research groups both at home and abroad have already confirmed the feasibility of applying the magnetoelastic sensor to detect coagulation function, as well as its advantages of simple structure and high sensitivity. Therefore, the coagulation detection technology based on magnetoelastic sensors has broad application prospects.In this thesis, according to the requirements of coagulation detection, a hardware platform based on magnetoelastic sensors was designed with the impedance detection method. The platform was made up of the hardware and the lower computer software. The hardware design included an MCU, a solenoid coil, a blood viscosity detection circuit, a temperature controller and a detection chip. In more detail，the Blood viscosity detection circuit design involved AC excitation, DC excitation, phase detection and amplitude detection. The lower computer software design included the control of detection circuit, the communication with the host computer and temperature control based on the PID algorithm.The functional test of the system platform was carried out by using the magnetoelastic sensors made of the Fe-based amorphous alloy strip 1K101. Both the repeated tests and the resonance response tests were completed under the condition of air and different concentrations of glycerol solution. Then the blood coagulation measurement experiments followed, including the quality control tests and adult blood tests. The original experimental data was compared with those obtained from a TEG5000 coagulation device which was produced by Haemoscope company. Theresults indicate that that the dynamic detection of the change in blood viscosity during the coagulation process is realized successfully by the use of magnetoelastic sensors, and the their dynamic responses to the coagulation time, coagulation speed are similar to those of the TEC5000 device.Key words: coagulation, magnetostriction, magnetoelastic sensor, viscosity measurement目录目录中文摘要 (I)英文摘要 (III)1 绪论 (1)1.1 课题背景 (1)1.1.1 磁弹性传感器 (1)1.1.2 凝血功能检测 (1)1.2 国内外研究现状 (2)1.2.1 磁弹性传感器检测方法与发展现状 (2)1.2.2 凝血功能检测方法与发展现状 (6)1.2.3 磁弹性传感器凝血功能检测的发展现状 (8)1.3 课题研究意义、目的和主要研究内容 (9)1.3.1 课题研究意义 (9)1.3.2 课题研究目的 (10)1.3.3 课题主要研究内容 (10)2 凝血机制与磁弹性传感器检测原理 (11)2.1 凝血机制 (11)2.1.1 经典“瀑布学说”理论 (11)2.1.2 凝血过程与粘度变化 (12)2.2 磁弹性传感器粘度检测原理 (14)2.2.1 磁弹性传感器的磁致伸缩效应 (14)2.2.2 磁弹性传感器的振动模型 (14)2.2.3 倍频效应与直流偏置激励 (16)2.2.4 磁弹性传感器血液黏度检测理论 (17)2.2.5 阻抗法粘度检测原理 (19)2.3 本章小结 (20)3 凝血检测硬件平台设计方案 (21)3.1 凝血检测设计思路 (21)3.2 检测平台系统设计方案 (22)3.2.1 阻抗法检测 (22)3.2.2 系统平台设计 (23)3.3 检测指标 (25)3.4 本章小结 (26)4 凝血检测硬件平台的设计及实现 (27)4.1 微控制器与通信单元 (27)4.1.1 MSP430F5529单片机 (27)4.1.2 RS232与PL2303模块 (28)4.2 粘度检测单元 (29)4.2.1 激励信号产生 (30)4.2.2 阻抗信息检测 (34)4.3 温度控制单元 (37)4.3.1 样品加热设计 (37)4.3.2 温度检测 (38)4.4 检测芯片设计 (39)4.5 电源单元 (41)4.6 本章小结 (42)5 下位机软件设计及实现 (43)5.1 MCU控制流程 (43)5.2 SPI器件的操作 (44)5.3 RS232串口通信协议 (46)5.4 PID温度控制 (49)5.4.1 温度控制方法 (49)5.4.2 PID温度控制实现 (49)5.5 本章小结 (50)6 凝血功能检测实验 (51)6.1 平台基本实验 (51)6.1.1 实验准备 (51)6.1.2 平台重复性测试 (51)6.1.3 不同浓度介质下的测试实验 (52)6.2 凝血功能实验 (54)6.2.1 实验准备 (54)6.2.2 质控品测试 (56)6.2.3 血液实验 (58)6.3 实验分析 (61)6.4 本章小结 (63)7 总结与展望 (65)7.1 主要工作总结 (65)7.2 工作展望 (65)致谢 (67)参考文献 (69)附录 (75)A. 作者在攻读硕士学位期间取得的科研成果： (75)B. 作者在攻读硕士学位期间参加的项目： (75)1绪论1.1课题背景1.1.1磁弹性传感器磁弹性传感器是利用铁基非晶合金材料制作而成的新型传感器。

兆易创新推出全新一代8通道SPI NOR Flash

96M i c r o c o n t r o l l e r s &E m b e d d e d S ys t e m s 2019年第7期w w w .m e s n e t .c o m .c n东芝推出缩影镜头类型的5340像素ˑ3行线性图像传感器东芝电子元件及存储装置株式会社( 东芝 )推出T C D 2569B F G ,这是一款适用于办公室自动化和工业设备领域的缩影镜头5340像素ˑ3行彩色C C D 线性图像传感器,能为A 4幅面的文件提供24线每毫米的分辨率㊂T C D 2569B F G通过减小像素阵列(红绿㊁绿蓝)之间的间隔,减轻套色不准现象,提供更高质量图像㊂内置的采样保持电路可延长传感器的视频输出信号周期,并简化用于办公室自动化设备和工业设备的高速扫描器的设计工作㊂此外,C C D 移位寄存器提供4V 饱和输出电压,可减轻光晕㊂削波功能可确保输出信号电压保持在1.8V 以下,防止输出信号电压超过模拟前端I C 的最大输入电压范围㊂瑞萨电子发布R X 72T 系列M C U瑞萨电子株式会社推出32位电机控制微控制器(M C U )R X 72T 系列产品,配备专用硬件加速器I P ,以执行机器人和其他工业设备中电机控制所需的复杂㊁高速运算㊂R X 72T 系列产品提供卓越性能,在E E M B C 基准评测中获得1160C o r e M a r k 的高分这是在200MH z 下运行的5V M C U 的最高水平㊂R X 72T M C U 包含专用加速器硬件,可完成在紧凑型工业机器人中实现伺服电机控制所需的高速位置及速度控制计算㊂电流控制环运算能够在小于1.5μs 的时间内完成,由此用户可选择独立开发伺服系统,而从前只能购买现成的伺服系统㊂R X 72T M C U 在硬件中仅通过执行单精度浮点三角函数(s i n ㊁c o s ㊁a r c t a n ㊁h y p o t )和寄存器组保存功能作为专用I P 就解决了这个问题,既保证了灵活性,同时又提升了运算速度;此外,寄存器组保存功能提高了中断处理的速度与精度以及器件的运算性能㊂D i a l o g 推出新型可配置多通道低压差线性稳压器D i a l o g 半导体公司推出其最新的可配置混合信号I C (C M I C )产品S L G 51000,提供行业领先的低压差线性(L D O )稳压器性能㊂与市场上任何可编程多通道L D O 相比,S L G 51000具有最高的电源抑制比(P S R R )和最低的输出电压噪声,使其成为高端相机和传感器系统的理想电源选择㊂与市场上现有的解决方案相比,S L G 51000超出了此类应用的电源性能要求㊂市场上现有解决方案的输出电压噪声要明显高很多,而P S R R 则相对较低,尤其是在高频率下㊂S L G 51000的领先技术规格使其位于成像和传感器电源解决方案的最前沿㊂它提供业界领先的73d B 电源抑制比(P S R R )1MH z ,最低输出电压噪声为10μV(r m s )㊂该L D O 稳压器的7个通道每一个均提供475m A至800m A 的输出电流能力,在关断期间整个集成电路(I C )的静态电流低于1μA ㊂该小尺寸的集成电源解决方案可节省电路板空间,而可配置的输出电压设置㊁时序和资源可满足多种项目需求,从而为工程师减少重新设计㊁采购元件和认证设计的时间㊂兆易创新推出全新一代8通道S P I N O R F l a s h兆易创新G i ga D e v i c e 推出全新一代高速4通道及兼容x S P I 规格的8通道S P I N O R F l a s h G D 25L T 256E和G D 25L X 256E ㊂G D 25L T 产品系列,是业内首款高速四口N O R F l a s h 解决方案,保持了与现有产品的高度兼容;G D 25L X 产品系列,是业内最高性能的N O R F l a s h 解决方案,可显著提高数据吞吐率,是主要面向车载㊁人工智能和物联网等需要将大容量代码快速读取㊁保证系统上电后及时响应的应用㊂G D 25L X 256E 是第一颗国产高速8通道S P I N O RF l a s h 产品,最高时钟频率达到200MH z,数据吞吐率高达400M B /s ,是现有产品的5倍以上,其8通道S P I 协议㊁封装规格完全符合最新的J E D E C J E S D 251标准规范㊂内置E C C 算法与C R C 校验功能,在提高可靠性的同时延长产品使用寿命,D Q S 和D L P 功能为高速系统设计提供了保障㊂G D 25L X 256E 将广泛应用于对高性能有严格要求的车载㊁A I 及I o T 等应用领域㊂贸泽开售I n f i n e o n T L E 5501X E N S I V T M R 传感器贸泽电子(M o u s e r E l e c t r o n i c s )开始分销I n f i n e o nT e c h n o l o gi e s 的T L E 5501X E N S I V 磁性传感器㊂T L E 5501是I n f i n e o n 首款基于隧道磁阻(TM R )技术的磁性传感器,可用于雨刮器㊁泵和执行机构等器件的车用无刷直流(B L D C )电机通信,以及电机中转向角感测和集成㊂贸泽备货的这款I n f i n e o n T L E 5501X E N S I V 磁传感器通过了A E CQ 100认证,适合各种汽车应用㊂其中E 0001型与I n f i n e o n T L E 5009角度传感器引脚兼容,而E 0002符合I S O 26262标准,而且安全性更高㊂此外,E 0002还是首款借助于单个传感器芯片就能达到A S I L D最高级别汽车功能安全性要求的角度传感器㊂(责任编辑:芦潇静)。

Microchip推出低成本8位PIC(R)闪存单片机有效倍增低电压设计性能

Microchip推出低成本8位PIC(R)闪存单片机有效倍增低电
压设计性能
佚名
【期刊名称】《电子与电脑》
【年(卷),期】2005(000)005
【摘要】@@ 全球领先的单片机和模拟半导体供应商--美国微芯科技公司(Mic rochip Technology)近日推出全新系列高引脚数、高密度存储器的PIC18F87J10闪存单片机的前十款产品.新款单片机在3V低电压应用时可达10 MIPS,性能翻了一倍.
【总页数】1页(P11)
【正文语种】中文
【相关文献】
1.Microchip推出全新通用小型PIC单片机PIC16F88X系列将高性能、低成本及易于移植兼收并蓄针对多元化的通用横向应用领域 [J],
2.Microchip推出低成本兼具先进外设及低功耗的入门级PIC18 8位闪存MCU [J],
3.Microchip推出首款具有128KB可自行再编程闪存的40MHz PIC单片机 [J],
4.Microchip推出内含LCD模块、32KB闪存及内部电压控制器的低成本PIC18单片机 [J],
5.Microchip推出新型闪存8位PIC单片机PIC16F639 [J],
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flash芯片原理

flash芯片原理Flash芯片原理。

Flash芯片是一种非易失性存储器芯片，它在计算机、移动设备和其他电子产品中得到了广泛的应用。

它的原理和工作方式对于理解现代电子设备的工作原理至关重要。

本文将介绍Flash芯片的原理，帮助读者更好地理解它的工作方式。

Flash芯片是一种基于浮栅结构的存储器芯片，它通过在晶体管的栅极上加电压来改变栅极和通道之间的耦合介质的电荷状态，从而实现信息的存储和擦除。

Flash芯片通常分为NOR Flash和NAND Flash两种类型，它们在结构和工作原理上略有不同。

NOR Flash芯片的存储单元由一个晶体管和一个电容组成，每个存储单元可以存储一个位。

当需要读取存储的数据时，控制器发送地址信号到Flash芯片，选择需要读取的存储单元，然后通过晶体管将存储单元中的电荷状态读取出来。

而当需要写入数据时，则需要先将存储单元的电荷状态擦除，然后再写入新的数据。

NOR Flash芯片适合需要快速随机访问的应用场景，如执行代码存储等。

NAND Flash芯片的存储单元由多个存储单元组成，它们通过位线和字线的交叉点连接在一起。

NAND Flash芯片通常采用页编程和块擦除的方式进行数据操作，这意味着要写入数据时，需要先将整个页面的数据擦除，然后再进行写入操作。

NAND Flash芯片适合需要大容量存储和顺序访问的应用场景，如存储大型文件、照片和视频等。

Flash芯片的原理在于通过控制栅极上的电压来改变存储单元中的电荷状态，从而实现信息的存储和擦除。

它具有非易失性、高速读写、低功耗等优点，因此在各种电子设备中得到了广泛的应用。

随着科技的不断发展，Flash芯片的存储密度和读写速度也在不断提高，为电子产品的性能提升提供了有力支持。

总之，Flash芯片是一种非易失性存储器芯片，它通过控制栅极上的电压来改变存储单元中的电荷状态，实现信息的存储和擦除。

它在计算机、移动设备和其他电子产品中发挥着重要作用，对于理解现代电子设备的工作原理至关重要。

爱特梅尔推出全球最小的快闪微控制器封装产品

度更快、功耗更低，从而使得功能强大的ＡＵ能够集ＶＲＭＣ
成进在某些超小型设计－包括电气引脚和微型连接器的内Ｉ卜，
部结构、打印头，以及衣里布料、塑料盖板或塑料罩壳等其
他应用产品。
（刊通讯员）本
作为我国近年来在政、产、学、、用结合中涌现出的研
第１卷第７０期
电
子
与
封
装
为北斗卫星导航技术领域内的新秀企业，泰斗微电子与国内
一
ｐｄＵＮ封装，大小仅为２ａＤＦｍｍｍ ×０６ｍ，重量不Ｘ２ｍ．ａｒ
流的大院大所和成功企业并肩参与了这次行业盛会。公司
到８，ｍｇ其尺寸只有目前市面上最小封装的５％。５这些新产
欧胜微电子日前宣布：该公司的先进电源管理和音频解决方案ＷＭ８５３２已被ＨｌＳｆ选用，用于其超低功耗互ｅｌｏｔｏ联网协议语音（ｏＰＷｉｉ话参考设计的Ａｎｒｉ版本。ＶＩ）Ｆ电ｄｏｄ通过将欧胜世界领先的ＷＭ８５３２电源管理和音频解决方案与ＨｅｌＳｆ独创的Ｈ１０Ｉ合处理器相结合，该参ｌｏｔｏＳ０Ｐ融
微控制器和触摸解决方案领导厂商爱特梅尔公司
（ｍｅＣｒｏａｏ宣布，球最小的快闪Ａ微控制器封Ａｔｌｏｐｒｔ）。ｉ全Ｖ
（刊通讯员）本

半导体存储行业专题报告

半导体存储行业专题报告1投资分析根据WSTS数据，2021年全球存储市场规模1582亿美元，占半导体市场份额的比重为28.61%，为全球半导体行业重要的组成部分。

与之对比的是，国内存储产业相对弱小，在全球份额不高，2020年中国大陆存储器的国产化率为1%。

基于国内6家主要存储器上市公司，近五年存储板块加速增长，总营收规模由2017年的34.06亿元增长至2021年的188.87亿元，CAGR达53.45%；总归母净利润由2017年4.12亿元增长至2021年的42.17亿元，CAGR达78.87%。

兆易创新、北京君正和聚辰股份分别在NORFlash、车规DRAM和EEPROM等领域具有全球竞争力。

我们选取国内竞争力较强的NORFlash产业，借鉴其崛起路径并分析当前国内Fabless存储企业的布局以及利基存储产业进阶的可能性。

行业供需关系突发性变化导致参与企业资源再配置，而产品技术迭代弱化进入壁垒。

以IDM为主的存储行业在面对产品进入生命周期末端时，其资本开支计划日趋谨慎，在面对外部冲击时，资源条件的约束将迫使其放弃低端产线甚至完全放弃市场。

产品标准化和技术迭代弱化降低了进入壁垒，这将给新企业补位空间。

国内企业通过成本优势和市场机遇切入市场，并逐步形成从低到高的替代。

通过抓住SPINOR渗透率提升和消费电子机遇，兆易创新完成了容量与单价的快速上升并跻身产业前三；普冉股份利用SONOS工艺的成本优势以及中小容量需求的增长，其出货量超过26亿颗。

新增需求提供空间，与国内企业优势匹配，而国内晶圆代工产能自给率上升带来产能保障。

物联网与可穿戴设备的快速增长提供了行业新的空间，而此类下游对中小容量的需求更匹配国内企业的竞争优势，而国内晶圆代工产能自给率上升为Fabless企业提供产能保障，但同时一定程度上带来行业集中度的分散。

DDR3市场变化与2016-2017年NORFlash变化具有相似性，国内企业有望复制该路径实现产业进阶。

INTEL公司NOR Flash简介

NOR FLASH是INTEL在1988年推出的一款商业性闪存芯片,它需要很长的时间进行抹写,大半生它能够提供完整的寻址与数据总线,并允许随机存取存储器上的任何区域,而且它可以忍受一万次到一百万次抹写循环,是早期的可移除式闪存储媒体的基础.NOR Flash的原理从物理层面解释,NOR闸闪存的每个存储单元类似一个标准MOS FET,除了晶体管有两个而不是一个闸极.在顶部的是控制闸(CON TROL Gate,CG),它的徐阿奴阿布是土匪以氧化物层与周遭绝缘的浮闸(Floathing Gate,FG).由于这个FG在电气程度上是出于绝缘层独立的,所以湖边人员的毒啊班组会被困在里面,在一般的条件下,电荷经过很长时间都不会产生逃逸的情况.将FG放在CG与MOSFET 通道之间.当FG抓到电荷时,它部分屏蔽掉来自CG的电场,并改变这个单元的阀电压(VT).在读出期间.利用向CG的电压,MOSFET通道会变的导电或保持绝缘.这视乎该单元的VT而定(而该单元的VT受到FG上的电荷控制).这股电流流过MOSFET通道,并以二进制码的方式读出、再现存储的数据.在每单元存储1位以上的数据的MLC设备中,为了能够更精确的测定FG中的电荷位准,则是以感应电流的量(而非单纯的有或无)达成的.逻辑上,单层NOR FLASH单元在默认状态代表二进制码中的"1"值,因为在以特定的电压值控制闸极时,电流会流经通道.经由以下流程,NOR FLASH单元可以被设置为二进制码中的"0"值.1. 对CG施加高电压(通常大于5V).2. 现在通道是开的,所以电子可以从源极流入汲极(想像它是NMOS晶体管).3. 源-汲电流够高了,足以导致某些高能电子越过绝缘层,并进入绝缘层上的FG,这种过程称为热电子注入.由于汲极与CG间有一个大的、相反的极性电压,借由量子穿隧效应可以将电子拉出FG,所以能够地用这个特性抹除NOR FLASH单元(将其重设为"1"状态).现代的NOR FLASH芯片被分为若干抹除片段(常称为区扇(Blocks or sectors)),抹除操作只能以这些区块为基础进行;所有区块内的记忆单元都会被一起抹除.不过一般而言,写入NOR FLASH单元的动作却可以单一字节的方式进行.虽然抹写都需要高电压才能进行,不过实际上现今所有闪存芯片是借由芯片内的电荷帮浦产生足够的电压,所以只需要一个单一的电压供应即可.NOR Flash的访问方式在NOR FLASH的读取数据的方式来看,它与RAM的方式是相近的,只要能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的挥出数据.考虑到以上的种种原因,多数微处理器将NOR FLASH当做原地运行(Execute in place,XIP)存储器使用,这其实以为着存储在NOR FLASH上的程序不需要复制到RAM就可以直接运行.由于NOR FLASH没有本地坏区管理,所以一旦存储区块发生毁损,软件或驱动程序必须接手这个问题,否则可能会导致设备发生异常. 在解锁、抹除或写入NOR FLASH 区块时,特殊的指令会先写入已绘测的记忆区的第一页(Page).接着快闪记忆芯片会提供可用的指令清单给实体驱动程序,而这些指令是由一般性闪存接口(Comm ON FLASH memory Interface, CFI)所界定的. 与用于随机存取的ROM不同,NOR FLASH也可以用在存储设备上;不过与NAND FLASH相比,NOR FLASH的写入速度一般来说会慢很多.NOR Flash 和 NAND Flash由1988年INTEL公司首先开发出NOR FLASH技术,彻底颠覆了原先EPROM和EEPROM一统天下的局面;紧接1989年东芝公司发表了NAND FLASH结构,强调以成本为主,降低每bit的成本,具有更高的性能,并且能像硬盘一样可以通过接口轻松升级.NOR FLASH和NAND FLASH是目前市面上两种主要的非易失闪存技术.NOR FLASH的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中.NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能.NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快.应用NAND的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口.通常NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中应该考虑这些情况.NOR Flash与NAND Flash的比较虽然NOR和NAND两种技术在现在的市场上都占有主流的地位,而且经过十几年的历史,但是现在仍然有相当多的硬件工程师分布清楚NOR和NAND闪存.相"FLASH存储器"经常可以与相"NOR存储器"互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些.而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案.NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中.NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能.NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快.应用NAND的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口.性能比较FLASH闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程.任何FLASH器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除.NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0.由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms.执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行.这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素.l NOR的读速度比NAND稍快一些.2 NAND的写入速度比NOR快很多.3 NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快.4 大多数写入操作需要先进行擦除操作.5 NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少.接口差别NOR FLASH带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节.NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同.8个引脚用来传送控制、地址和数据信息.NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备.容量和成本NAND FLASH的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格.NOR FLASH占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分,而NAND FLASH只是用在8～128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在Compact FLASH、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大.可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性.对于需要扩展MTBF 的系统来说,FLASH是非常合适的存储方案.可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性.寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次.NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR 器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些.NOR Flash的烧写方式相对于硬件工程师和嵌入式软件工程师一般在完成设计之后常常需要验证FLASH是否在工作.在应用当中,也有很多时候需要对FLASH进行写操作.该文章简单介绍了基于ARM芯片的NOR FLASH烧写,并提供了2个具体的实例和源代码,希望对有需要的朋友有点帮助.在开始之前,先声明一下,这篇文章只是介绍了如何写 NOR FLASH的烧写驱动,和H-JTAG/H-FLASH ER没有直接的联系.在后面的介绍里,如无特别说明,处理器指的是 ARM 处理器,FLASH指的都是 NOR FLASH.另外,BYTE 指的是8-BIT的数据单元,HALF-WORD代表的是16-BIT 的数据单元,而WORD 则代表了32-BIT的数据单元.1. NOR FLASH的简单介绍NOR FLASH是很常见的一种存储芯片,数据掉电不会丢失.NOR FLASH支持Execute ON Chip,即程序可以直接在FLASH片内执行.这点和NAND FLASH不一样.因此,在嵌入是系统中,NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质.NOR FLASH的读取和RAM很类似,但不可以直接进行写操作.对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内部的控制单元完成写操作.从支持的最小访问单元来看,NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然,也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式,具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) . 对8位的 NOR FLASH芯片,或是工作在8-BIT模式的芯片来说,一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据.例如一块8-BIT的NOR FLASH,假设容量为4个 BYTE.那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号,A1-A0.地址0x0对应第0个 BYTE,地址0x1对应于第1BYTE,地址0x2对应于第2个 BYTE,而地址0x3则对应于第3 个BYTE对16位的 NOR FLASH芯片,或是工作在16-BIT模式的芯片来说,一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据.例如,一块16-BIT的NOR FLASH,假设其容量为4个BYTE.那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0.地址 0x0对应于芯片内部的第0个 HALF-WORD,地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD.FLASH一般都分为很多个SECTOR,每个SECTOR包括一定数量的存储单元.对有些大容量的FLASH,还分为不同的BANK,每个BANK包括一定数目的SECTOR.FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR,BANK或是整片FLASH为单位的.在对FLASH进行写操作的时候,每个BIT可以通过编程由1变为0,但不可以有0修改为1.为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作.擦除操作会把FLASH的一个SECTOR,一个BANK或是整片FLASH的值全修改为0xFF.这样,写操作就可以正确完成了.2. ARM 处理器的寻址ARM 可以说是目前最流行的32位嵌入式处理器.在这里只提一下 ARM 处理器的寻址,为后面做个铺垫.从处理器的角度来看,系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元.这和很多别的处理器都是一样的.3. 处理器和 NOR FLASH的硬件连接从前面的介绍,我们知道从处理器的角度来看,每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元.而,NOR FLASH的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元,也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元.所以在硬件设计中,连接ARM处理器和 NOR FLASH时,必须根据实际情况对地址信号做特别的处理.如果ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH, 数据线和地址线的连接应该如图1所示. 从图中我们可以看到,处理器的数据信号D0-D7和FLASH的数据信号D0-D7是一一对应连接的,处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是一一对应连接的.如果ARM处理器外部扩展的是16-BIT的NOR FLASH, 数据线必须要错位连接. 图2给了一个ARM处理器和16-BITNOR FLASH的连接示意图.如图2所示,ARM处理器的数据信号D0-D15和FLASH的数据信号D0-D15是一一对应的.而ARM处理器的地址信号和NOR FLASH的地址信号是错位连接的,ARM的 A0悬空,ARM 的A1 连接FLASH的A0,ARM 的A2连接FLASH的A1,依次类推.需要错位连接的原因是:ARM处理器的每个地址对应的是一个BYTE 的数据单元,而16-BIT 的FLASH的每个地址对应的是一个 HALF-WORD(16-BIT)的数据单元.为了保持匹配,所以必须错位连接.这样,从ARM处理器发送出来的地址信号的最低位A0对16-BIT FLASH来说就被屏蔽掉了.补充说明:1. 一般来说,ARM处理器内部要设置相应的寄存器,告诉处理器外部扩展的FLASH的位宽(8-BIT/16-BIT/32-BIT) .这样,处理器才知道在访问的时候如何从FLASH正确的读取数据.2. 有些ARM处理器内部可以设置地址的错位.对于支持软件选择地址错位的处理器,在连接16-BIT FLASH的时候,硬件上可以不需要把地址线错位.读者设计的时候,请参考MCU的数据手册,以手册为准,以免造成不必要的麻烦.3. 如果处理器支持内部设置地址错位,在实际访问的时候,送出的地址实际上是在MCU内部做了错位处理,其作用是等效于硬件连接上的错位的.上面的描述可能比较抽象,下面让我们来看2个 ARM处理器访问16-BIT FLASH的例子:例子 1:ARM处理器需要从地址 0x0 读取一个 BYTE1 - ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x0;2 – 16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址是0x0,然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;3 – ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D7-D0上读取所需要的一个BYTE的数据;例子 2:ARM处理器需要从地址 0x1 读取一个 BYTE1 - ARM处理器在地址线An-A0上送出信号0x1;2 – 16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址依然是0x0, 然后将地址0x0对应的16-BIT数据单元输出到D15-D0上;3 –ARM处理器知道访问的是16-BIT的FLASH,从D15-D8 上读取所需要的一个BYTE 的数据;4. 从软件角度来看 ARM 处理器和 NOR FLASH的连接在上一个小节里,我们简单了解了 ARM 处理器和FLASH的硬件连接.在这个小节里面,我们从软件的角度来理解ARM处理器和FLASH的连接.对于8-BIT 的FLASH的连接,很好理解,因为ARM处理器和8-BIT FLASH的每个地址对应的都是一个 BYTE 的数据单元.所以地址连接毫无疑问是一一对应的.如果 ARM 处理器连接的是 16-BIT 的处理器,因为 ARM 处理器的每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元,而 16-BIT FLASH的每个地址对应的是一个 HALF-WORD 的16-BIT的数据单元.所以,也毫无疑问,ARM处理器访问16-BIT处理器的时候,地址肯定是要错开一位的.在写FLASH驱动的时候,我们不需要知道地址错位是由硬件实现的,还是是通过设置ARM处理器内部的寄存器来实现的,只需要记住2点:1 – ARM处理器访问8-BIT FLASH的时候,地址是一一对应的;2 – ARM处理器访问16-BIT FLASH的时候,地址肯定是错位的.这一点对理解后面的例子会很有帮助.5. 8-BIT FLASH烧写驱动实例 - HY29F040HY29F040是现代公司的一款8-BIT的NOR FLASH.在这个小节里,我们以这个芯片为例子,介绍如何对8-BIT NOR FLASH进行操作.HY29F040的容量为512K-BYTE,总共包括8 个SECTOR,每个SECTOR 的容量是64K-BYTE.该芯片支持SECTOR擦除,整片擦除和以BYTE 为基本单位的写操作.HY29F040的命令定义如表-1所示.下面,我们来看看如何实现基本的擦除和编程操作.在本节后面的描述中,我们使用了下面的2 个定义:U32 sysbase; //该变量用来表示FLASH的起始地址#define SysA DDR8(sysbase, offset) ((volatileU8*)(sysbase)+(offset)) //用来方便对指定的 FALSH 地址进行操作先解释一下 SysAddr8 的定义.这个宏定义了一个 BYTE(8-BIT)指针,其地址为(sysbase + offset).假设FLASH的起始地址为0x10000000,如果要将0xAB 写到FLASH的第一个BYTE中去,可以用下面的代码:*SysAddr8(0x10000000, 0x1) = 0xAB;注意:在本节后面的描述中,SYSBASE代表的是FLASH的起始地址,而SysAddr8中的OFFSET则代表了相对于FLASH起始地址的BYTE偏移量.OFFSET也是8-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址.整片擦除操作整片擦除操作共需要6个周期的总线写操作1 –将 0xAA写到FLASH地址 0x55552 –将 0x55 写到FLASH地址 0x2AAA3 –将 0x80 写到FLASH地址 0x55554 –将 0xAA写到FLASH地址 0x55555 –将 0x55 写到FLASH地址 0x2AAA6 –将 0x10 写到FLASH地址 0x5555对应的代码:*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到FLASH地址0x2AAA*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x80; //将值 0x80 写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到FLASH地址0x2AAA*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x10; //将值 0x10 写到FLASH地址0x5555SECTOR 擦除操作SECTOR的擦除操作共需要6个周期的总线写操作1 –将 0xAA写到FLASH地址 0x55552 –将 0x55 写到FLASH地址 0x2AAA3 –将 0x80 写到FLASH地址 0x55554 –将 0xAA写到FLASH地址 0x55555 –将 0x55 写到FLASH地址 0x2AAA6 –将 0x30 写到要擦除的 SECTOR 对应的地址对应的代码:*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到FLASH地址0x2AAA*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0x80; //将值 0x80 写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到FLASH地址0x2AAA*SysAddr8(sysbase, addr) = 0x30; //将值 0x30 写到要擦除的SECTOR 对应的地址BYTE 编程操作写一个BYTE 的数据到FLASH中去,需要 4个周期的总线写操作1 –将 0xAA写到FLASH地址 0x55552 –将 0x55 写到FLASH地址 0x2AAA3 –将 0xA0 写到FLASH地址 0x55554 –将编程数据(BYTE)写到对应的编程地址上去对应的代码:*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xAA; //将值 0xAA写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, 0x2AAA) = 0x55; //将值 0x55 写到FLASH地址0x2AAA*SysAddr8(sysbase, 0x5555) = 0xA0; //将值 0xA0 写到FLASH地址0x5555*SysAddr8(sysbase, addr) = data; //将一个 BYTE的数据写到期望的地址6. 16-BIT FLASH烧写驱动实例 - SST39VF160S ST39VF160是SST公司的一款16-BIT的NOR FLASH. 在这个小节里, 我们以SST39VF160为例子, 介绍如何对16-BIT NOR FLASH进行操作.对8-BIT FLASH的操作很好理解,但对16-BIT FLASH的操作理解起来要晦涩很多.我尽力描述得清楚些.SST39VF160的容量为2M-BYTE , 总共包括512个SECTOR, 每个SECTOR 的容量是4K-BYTE. 该芯片支持SECTOR擦除,整片擦除和以 HALF-WORD 为基本单位的写操作.SST39VF160 的命令定义如表-2 所示.在表 2 中,因为所有命令都是从FLASH的角度来定义的. 所以, 所有的地址都是HALF-WORD地址, 指的是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址.在本节后面的描述中,我们使用了下面的2个定义:U32 sysbase; //该变量用来表示FLASH的起始地址#define SysAddr16(sysbase, offset) ((volatileU16*)(sysbase)+(offset)) //用来方便对指定的 FALSH 地址进行操作SysAddr16(sysbase, offset)首先定义了一个16-BIT HALF-WORD的指针,指针的地址为sysbase,然后根据offset做个偏移操作. 因为HALF-WORD指针的地址是2个BYTE对齐的, 所以每个偏移操作会使得地址加2. 最终, SysAddr16 (sysbase, offset)相当于定义了一个HALF-WORD的指针,其最终地址为(sysbase + 2offset) .在使用SysAddr16 的时候,将sysbase设置成FLASH 的起始地址,offset 则可以理解为相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或是偏移地址.假设FLASH的起始地址为0x10000000,SysAddr16(0x10000000, 0)指向 16-BIT FLASH的第 0 个HALF-WORD, SysAddr16(0x10000000, 1指向16-BIT FLASH的第1 个HALF-WORD.依次类推.如果要将0xABCD分别写到FLASH的第0个和第 1个HALF-WORD 中去,可以用下面的代码:*SysAddr16(0x10000000, 0x0) = 0xABCD;*SysAddr16(0x10000000, 0x1) = 0xABCD;接下来,我们分别从ARM处理器的角度和FLASH的角度来具体分析一下.从 ARM 的角度来看:假设FLASH的起始地址为 0x10000000,因为 ARM 处理器知道FLASH的地址空间为 0x10000000 ~ (0x10000000 +FLASH容量– 1),所以在对这个地址空间进行访问的时候,会设置好FLASH的片选信号,并将低位的地址输出到地址信号上.以*SysAddr16(0x10000000, 0x1) = 0xABCD 为例.从ARM 处理器的角度来看,该操作是把0xABCD写到地址0x10000002上去.所以ARM处理器最终会在它的地址信号An-A0输出地址0x2,同时会在D15-D0 上输出0xABCD.从FLASH的角度来看:还是以 *SysAddr16(0x10000000, 0x1) = 0xABCD 为例,FLASH看到的地址是多少呢?接着分析.ARM 处理器在执行操作的时候,会设置好相应的FLASH片选使能信号,并在ARM的地址信号An-A0上输出 0x2.因为 ARM和 16-BIT FLASH的地址信号的连接是错开一位的, 所以, FLASH最终在自己的地址An-A0上看到的信号是0x1, 相当于将ARM处理器输出的地址往右做了一个移位操作,刚好对应的是FLASH的第1 个HALF-WORD.同时,FLASH会在自己的D15-D0上看到数据0xABCD.通过上面的分析,我们知道 SysAddr16 中指定的 offset 的值就是An-A0 上看到的值.所以,我们可以很方便的通过offset) 对FLASH进行操作,其中sysbase代表FLASH起始地址,offset 则代表了FLASH的第几个HALF-WORD(HALF-WORD偏移量或偏移地址) .注意:1. 在本节后面的描述中,SysAddr16中的SYSBASE代表的是FLASH的起始地址,而SysAddr16中的 OFFSET则代表了相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量或偏移地址.OFFSET 的值也是16-BIT FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的值.2.在SST39VF160的命令定义中,所有的地址都是针对FLASH的HALF-WORD 地址,指的是在FLASH自己的地址信号An-A0上看到的地址.整片擦除操作整片擦除操作共需要6个周期的总线写操作1 –将 0x00AA写到FLASH HALF-WORD 地址 0x55552 –将 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA3 –将 0x0080 写到FLASH HALF-WORD地址 0x55554 –将 0x00AA写到FLASH HALF-WORD 地址 0x55555 –将 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA6 –将 0x0010 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555对应的代码:*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0080; //将值 0x0080 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0010; //将值 0x0010 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555SECTOR 擦除操作SECTOR的擦除操作共需要6个周期的总线写操作1 –将 0x00AA写到FLASH HALF-WORD 地址 0x55552 –将 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA3 –将 0x0080 写到FLASH HALF-WORD地址 0x55554 –将 0x00AA写到FLASH HALF-WORD 地址 0x55555 –将 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA6 –将 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的 HALF-WORD地址对应的代码:*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x0080; //将值 0x0080 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到FLASH HALF-WORD地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA*SysAddr16(sysbase, addr >> 1) = 0x0030; //将值 0x0030 写到要擦除的 SECTOR 对应的HALF-WORD地址注意:上面的代码中第6个操作周期中的ADDR 是从ARM处理器的角度来看的BYTE 地址,因为在擦除的时候,用户希望指定的是从 ARM 的角度看到的地址,这样更方便和更直观.而在 SysAddr16 的宏定义中,OFFSET 表示的是相对于FLASH起始地址的 HALF-WORD 偏移量,或是FLASH在自己的地址信号An-A0上看到的地址.所以需要执行一个右移操作,把ADDR转换成 HALF-WORD 地址.举例说明,SST39VF160 每个 SECTOR 的大小是 4K-BYTE.从 ARM 处器的角度和用户的角度来看,SECTOR-0 相对于FLASH起始地址的BYTE地址是0x0;从FLASH来看SECTOR-0 的HALF-WORD地址是0x0.从ARM处理器的角度和用户的角度来看, FLASH SECTOR-1相对于FLASH起始地址的BYTE地址0x1000; 从FLASH 来看, SECTOR-1的HALF-WORD地址应该是(0x1000 >> 1) = 0x800.如果要擦除SECTOR-0,上面代码的第6条指令应该是:*SysAddr16(sysbase, 0x0 >> 1) = 0x0030;如果要擦除SECTOR-1,上面代码的第6条指令应该是:*SysAddr16(sysbase, 0x1000 >> 1) = 0x0030;HALF-WORD 编程操作写一个HALF-WORD的数据到FLASH中去,需要4个周期的总线写操作1 –将 0x00AA写到FLASH HALF-WORD 地址 0x55552 –将 0x0055 写到FLASH HALF-WORD地址 0x2AAA3 –将 0x00A0 写到FLASH HALF-WORD 地址 0x55554 –将编程数据(HALF-WORD)写到对应的 HALF-WORD地址对应的代码:*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00AA; //将值 0x00AA 写到FLASH 地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, 0x2AAA) = 0x0055; //将值 0x0055 写到FLASH 地址 0x2AAA*SysAddr16(sysbase, 0x5555) = 0x00A0; //将值 0x00A0 写到FLASH 地址 0x5555*SysAddr16(sysbase, addr >> 1) = data; //将数据写到对应的HALF-WORD 地址注意:上面的代码中第4个操作周期中的ADDR是从ARM处理器的角度来看的BYTE 地址, 因为在执行写操作的时候,用户希望指定的是从 ARM 的角度看到的地址,这样会更方便和更直观.而在 SysAddr16 的宏定义中,OFFSET表示的是相对于FLASH起始地址的HALF-WORD偏移量. 所以需要执行一个右移操作, 把它转换成HALF-WORD地址.举例说明,如果要数据 0x0123 写到地址 0x0 去,对应的是FLASH的第 0 个 HAFL-WORD,对应的 HALF-WORD 地址应该是0x0,上面代码的第4条指令应该是:*SysAddr16(sysbase, 0x0 >> 1) = 0x0123;如果要数据0x4567写到地址0x2去, 对应的是FLASH的第1个 HALF-WORD, 对应的HALF-WORD地址应该是0x1, 上面代码的第4条指令应该是:*SysAddr16(sysbase, 0x2 >> 1) = 0x4567;如果要数据0x89AB写到地址0x4去, 对应的是FLASH的第2个HALF-WORD, 对应的HALF-WORD地址应该是0x2,上面代码的第4条指令应该是:*SysAddr16(sysbase, 0x4 >> 1) = 0x89AB;如果要数据 0xCDEF 写到地址 0x6 去,对应的是FLASH的第 3 个HALF-WORD,对应的 HALF-WORD 地址应该是0x3,上面代码的第4条指令应该是:*SysAddr16(sysbase, 0x6 >> 1) = 0xCDEF;7. ADS 版源代码下载如果用户有需要,可以去下载在前面讨论的 2 个实例的 ADS 版的完整源代码和FLASH数据手册.提供给用户的程序都是在实际使用过程中经过测试的.源代码只供用户参考,并不一定能直接使用在用户的开发板上.用户需要根据自己实际使用的芯片进行相应的修改.源代码下载链接:/forum/forumdisplay.php?fid=38. 结束语这篇文章简单介绍了如何对NOR FLASH进行操作, 但没有包括状态查询, 保护等其他操作. 对于更复杂的多片FLASH并联的情况也没有讨论.有需要的朋友可以自己去研究.Nor Flash 在实际应用中的读取方式本实验是基于TQ2440的实验平台,采用S3C2440(ARM9)的CPU,以ADS/MDK的开发环境,使用的是AM29LV160DB的NOR FLASH,进行开发学习的一个NOR FLASH 的编写和读取.(1) Nor FLASH工作模式Nor FLASH上电后处于数据读取状态(Reading Array Data).此状态可以进行正常的读.这和读取SDRAM/SRAM/ROM一样.(要是不一样的话,芯片上电后如何从Nor FLASH中读取启动代码.~)一般再对FLASH进行操作前都要读取芯片信息比如设备ID号.这样做的主要目的是为了判断自己写的程序是否支持该设备. Nor FLASH支持2种方式获取ID号.一种是编程器所用的方法需要高电压(11.5V-12.5V).另一种方法就是所谓的in-sy ST em方法,就是在系统中通过Nor FLASH的命令寄存器来完成.本文中只对in-system方法进行说明.此时需要切换到自动选择(Autoselect Command),这要通过发送命令来完成.命令类型见下图.注意:进入自动选择(Autoselect Command)模式后需要发送复位命令才能回到数据读取状态(Reading Array Data).在完成信息获取后一般就要擦除数据. Nor FLASH支持扇区擦(Sector Erase)除和整片擦除(Chip Erase).这2种模式都有对应的命令序列.在完成擦除命令后会自动返回到数据读取(Reading Array Data)状态.在返回前可查询编程的状态.完成擦除后就需要对芯片进行写入操作也就是编程.这就需要进入编程(Program)状态.在完成编程命令后会自动返回到数据读取(Reading Array Data)状态.在返回前可查询编程的状态.注意:编程前一定要先擦除.因为编程只能将'1'改写为'0',通过擦写可以将数据全部擦写为'1'.以上是主要的操作其他操作还有写保护等,请参考芯片数据手册.。

兆易创新SPINORFlash全系列产品通过AECQ100车规认证

96M i c r o c o n t r o l l e r s &E m b e d d e d S ys t e m s 2019年第5期w w w .m e s n e t .c o m .c n集化学兼容性㊁稳定性和精确性于一身,适合健身追踪器㊁可穿戴设备㊁真空吸尘器和通用工业感测等各种应用领域㊂L P S 33W 在圆柱形金属封装内涂覆一层粘性灌封胶,I P x 8级防水,可耐受盐水㊁氯㊁溴㊁洗涤剂(洗手液㊁洗发水等)㊁电子液体和轻工化学品(正戊烷)㊂封装盖具有高耐腐蚀性,圆柱形外观在需要密封外壳的应用中易于与O 形圈配合使用㊂意法半导体独有灌封胶配方的独特性质,结合传感器的内置信号调理电路A S I C ,确保压力噪声达到同级领先的0.008h P a R M S 水平,从而实现出色的测量分辨率㊂在组装过程中对回流焊应力的敏感性也极低,温漂小于ʃ2h P a ,在72小时内恢复正常精度,恢复速度是其它传感器的两倍多㊂在0~65ħ工作温度范围内,温度补偿精度保持ʃ3h P a 范围内㊂富士通电子发力汽车电子领域富士通电子元器件(上海)有限公司将携旗下F R AM全线产品和代理3D G l o b a l ㊁C r o c u s ㊁S o c i o n e x t㊁新电元㊁T r a n s p h o r m 等品牌共同亮相慕尼黑上海电子展,展示了富士通电子在汽车电子㊁工业控制㊁消费类电子等应用领域的众多最新解决方案㊂富士通电子作为在F R AM 领域拥有20年的量产经验,出货量累计达到惊人的37亿颗的供应商,拥有不可撼动的领导地位㊂近年来,富士通电子陆续推出更低功耗㊁或者车规级的F R AM 产品,适应物联网设备㊁汽车电子等行业发展㊂此次,富士通电子更是携其全线F R AM 产品展示其在汽车电子之新能源汽车电池管理系统(B M S )㊁自动辅助驾驶(A D A S )领域应用㊁汽车电子之整车控制单元(V C U )应用㊁汽车电子之智能安全气囊(A i r b a g )应用㊁汽车电子之车联网应用(T B O X )㊁汽车电子之车载娱乐系统(I n -f o t a i n m e n t)应用㊂瑞萨电子将推出基于R Z /GL i n u x 平台的安全解决方案瑞萨电子株式会社将于2019年12月底推出基于R Z /G L i n u x 平台㊁支持I E C 6244342国际安全标准认证的安全解决方案,保护工业控制系统免受网络攻击,并有效缩短用户所需的认证时间㊂为帮助开发人员克服这些挑战,瑞萨电子正在开发支持I E C 624434的工业安全解决方案㊂通过民用基础设施平台(C I P )活动的可交付成果,瑞萨电子R Z /G L i n u x 平台安全解决方案将使用户能够将获得I E C 6244342认证所需时间缩短达六个月㊂I E C 624434包含确保开发过程符合标准的I E C 6244341和确保设备本身技术要求符合标准的I E C 6244342㊂瑞萨电子目前通过参与在L i n u x F o u n -d a t i o n C I P (C i v i l I n f r a s t r u c t u r e P l a t f o r m )中新设立的安全工作,制定了基于I E C 6244342标准的安全指南,面向O S S (开源软件)开发㊁采用O S S 时的安全功能和应用实施,为进一步构筑I E C 6244342认证所需的测试程序和测试环境做出了贡献㊂兆易创新S P I N O R F l a s h 全系列产品通过A E C Q 100车规认证兆易创新G i ga D e v i c e 宣布,其G D 25全系列S P I N O R F l a s h 产品已完成A E C Q 100认证,是目前唯一的全国产化车规闪存产品,为汽车前装市场以及需要车规级产品的特定应用提供高性能和高可靠性的闪存解决方案㊂G i ga D e v i c e 的G D 25全系列S P I N O R F l a s h 产品容量覆盖1~512Mb ,采用3.3V /1.8V 供电,提供丰富的封装选项,工作温度范围在-40~85ħ/-40~105ħ/-40~125ħ㊂该系列产品具有高品质的特点,是唯一全国产化和符合A E C Q 100标准的闪存解决方案㊂通过提供全系列的车规产品解决方案,大大加快了汽车行业用户的研发速度和产品上市时间,并提高了系统的性能与可靠性㊂安森美半导体推出蓝牙低功耗多传感器平台推动高能效创新的安森美半导体推出仅由太阳能电池供电的R S L 10多传感器平台,继续实现免电池和免维护的物联网(I o T )㊂该完整的方案支持I o T 传感器的开发,采用连续太阳能采集经由蓝牙低功耗收集和传输数据,无需采用电池或其他不可再生能源㊂超低功耗的无线通信㊁小外形的太阳能电池和低占空比的感知应用的有力结合,使开发和配置完全免维护的I o T 传感器节点成为可能㊂R S L 10太阳能电池多传感器平台由完整的系统级封装(S i P )方案R S L 10S I P 使能,具有R S L 10无线电㊁集成天线和所有的无源器件㊂该平台结合R S L 10S I P ㊁太阳能电池和B o s c h S e n s o r t e c 的许多低功耗传感器,包括B M E 280多功能一体环境传感器(压力㊁温度㊁湿度)和B MA 400超低功耗3轴加速度计,使开发人员和制造商可创建完整的I o T 节点,完全由可再生能源或从传感器周围采集的能量供电㊂(责任编辑:芦潇静)。

MCU低功耗设计技术及其功耗分析

MCU低功耗设计技术及其功耗分析标题1：MCU低功耗设计技术中的时钟优化时钟是MCU的核心，它对MCU功耗的影响非常大。

本文将介绍如何通过时钟优化技术在MCU低功耗设计中发挥重要作用。

首先，使用低功耗时钟源，如RC振荡器或低功耗晶体振荡器。

这些时钟源功耗较低，可以帮助降低MCU系统功耗。

其次，使用时钟关闭技术。

在MCU运行期间，许多外设不需要时钟，如定时器和ADC等，关闭这些外设的时钟可以减少系统功耗。

最后，使用时钟预分频技术。

这可以将时钟变为低频，并减少MCU系统功耗。

同时，考虑到MCU的实时性能，需要根据具体应用场景进行权衡。

毕业总结：时钟优化技术是MCU低功耗设计中不可缺少的因素，通过合适的时钟源、时钟关闭和时钟预分频技术，可以有效减少MCU系统功耗，并保证MCU实时性能。

标题2：MCU低功耗设计技术中的电源优化电源管理是MCU低功耗设计的关键。

本文将介绍如何通过电源优化技术在MCU低功耗设计中发挥重要作用。

首先，选择适合的电源供应器是MCU低功耗设计的关键。

选择过大的电源供应器意味着浪费大量功耗，并将影响MCU系统的响应速度。

相反，选择过小的电源供应器会影响MCU系统的稳定性。

其次，使用电源管理技术。

例如，通过关闭不使用的外设，或在不同的工作状态下切换不同的电源模式可以减少MCU系统功耗。

最后，使用睡眠模式。

在不使用MCU时，将其设置为睡眠模式可以将功耗降至最低。

毕业总结：通过合适的电源供应器、电源管理技术和睡眠模式等电源优化技术，可以在MCU低功耗设计中起到关键作用。

这些技术的有效应用可以帮助提高MCU系统的稳定性和响应速度，并减少系统功耗。

标题3：MCU低功耗设计技术中的睡眠模式优化睡眠模式是MCU低功耗设计中最常用的技术。

本文将介绍如何通过睡眠模式优化技术在MCU低功耗设计中发挥重要作用。

首先，选择合适的睡眠模式。

对于不同的应用场景，选择合适的睡眠模式可以最大程度地减少MCU系统功耗。

华力微电子65nmNORFlash进入规模量产阶段

最小的２．５ｍｎｉｘ３．０ｍｉｎｘ０．８５ａｍｒＬＧＡ封装，基于完全
合作开发 “ ２０ｎｍＮＡＮＤＦｌａｓｈ产品工艺及移动智能
终端存储器芯片的研发及产业化项目术紧密合作，解决了一系列工艺
自主知识产权的单芯片ＭＥＭＳ传感器、低功耗高精度信号处理电路、低应力高可靠性的封装以及全套内建测试解决方案，打造出超高可靠性、超高精度、超低功耗支持永不断迅（ａｌｗａｙｓ — ｏｎ）的高性能六轴
惯性传感器。ＳＣ７１２０采用士兰微电子自有芯片工厂的惯性ＭＥＭＳ传感器工艺，各项性能指标均处于业内领先
６５ｎｍＦｌａｓｈ工艺平台现已完成６个ＳＰＩＮＯＲＦｌａｓｈ泛的整合全球ＥＤＡ及ＩＰ合作伙伴，面向Ｉｃ设计产品验证，进入大规模量产。者提供更具竞争力的一站式解决方案。（来自华大６５ｎｍＮＯＲＦｌａｓｈ产品的验证成功标志着华力
上海华力微电子有限公司（华力微电子）宣布与北京兆易创新科技股份有限公司合作开发的
供应商及使用者搭建公共服务平台。
产业化基地对西南地区集成电路产业基础平台建设，强大国家ＥＤＡ及ＩＰ研发实力无疑是最强
有力的支撑，也将极大的带动地区集成电路人才队伍建设。“ 云” 平台这种创新的服务形式，也将更广

so8w 芯片参数

so8w 芯片参数
引言概述：
so8w芯片是一种常用的集成电路封装形式，具有广泛的应用领域。

本文将从六个大点来详细阐述so8w芯片的参数，包括封装形式、尺寸、引脚定义、电气特性、温度范围和应用领域。

正文内容：
1. 封装形式
1.1 封装形式的定义
1.2 与其他封装形式的比较
1.3 适用的应用场景
2. 尺寸
2.1 尺寸的测量方法
2.2 尺寸的重要性
2.3 尺寸对电路设计的影响
3. 引脚定义
3.1 引脚定义的意义
3.2 引脚定义的标准
3.3 引脚定义对电路连接的影响
4. 电气特性
4.1 电气特性的定义
4.2 常见的电气特性参数
4.3 电气特性对电路性能的影响
5. 温度范围
5.1 温度范围的定义
5.2 温度范围的测试方法
5.3 温度范围对芯片可靠性的影响
6. 应用领域
6.1 通信领域
6.2 消费电子领域
6.3 工业控制领域
总结：
本文从封装形式、尺寸、引脚定义、电气特性、温度范围和应用领域六个大点对so8w芯片的参数进行了详细阐述。

通过了解这些参数，可以更好地了解so8w 芯片的特性和适用范围。

在实际应用中，合理选择和使用so8w芯片，可以提高电路的性能和可靠性。

在不同的应用领域中，so8w芯片发挥着重要的作用，如通信领域、消费电子领域和工业控制领域等。

因此，对so8w芯片参数的了解对于工程师和设计人员来说是至关重要的。

flash芯片原理

flash芯片原理Flash芯片是一种非易失性存储器，广泛应用于计算机和其他电子设备中。

它通过电子控制方法实现了数据的可靠存储和读取。

Flash芯片具有多种特点，例如高存储密度、低功耗、高速度和长寿命等。

Flash芯片的原理基于半导体材料的特性，主要使用了电子隧穿效应和疏松的聚硅氧烷材料。

Flash芯片可以分为两种类型：NAND Flash和NOR Flash。

NAND Flash是主要用于数据存储的类型，而NOR Flash则用于执行指令和数据的存储。

Flash芯片的构造基于类似于晶体管的结构，每个存储单元都由一个浮动栅、控制栅和源极组成。

当写入数据时，通过向控制栅施加电压，使浮动栅中的电子能穿过隧道储存在栅中。

当读取数据时，通过栅和源极之间的电压状态绘制出堆积在浮动栅中的电子数量。

在Flash芯片中，由于存储单元是不断进行读、写、擦除操作的，所以会导致存储单元的寿命缩短。

为了解决这个问题，Flash芯片引入了擦除操作，即将存储单元中的所有数据重置为1。

擦除操作涉及到大量的电子扫描和抽取，因此较慢且对存储单元的寿命有损害。

为了提高擦除操作的效率和减少对存储单元的损害，芯片设计者通常会组织存储单元，使其以块的形式进行擦除。

由于Flash芯片的体积较小，为了实现更高的存储密度，芯片制造商通常会将多个存储单元组合在一起形成存储单元阵列。

每个存储单元阵列由一组行和列连接组成，行用于选择需要操作的存储单元，列用于将控制电压传输到选择的存储单元上。

此外，芯片内部还包含了逻辑控制电路，负责处理输入和输出信号以及执行各种操作。

总之，Flash芯片是一种利用半导体材料和电子隧穿效应实现数据存储和读取的非易失性存储器。

它具有高密度、低功耗、高速度和长寿命等特点，广泛应用于计算机和其他电子设备中。

Flash芯片的原理涉及到存储单元的构造和工作原理，以及擦除和组织存储单元等操作。

通过深入了解Flash芯片的原理，我们可以更好地理解其工作原理和性能特点，为相关领域的进一步研究和发展提供参考。